Publications HAL de Tillocher du labo/EPI GREMI

2022

auteur
Gaelle Antoun, Thomas Tillocher, Aurélie Girard, Philippe Lefaucheux, J. Faguet, H. Kim, D. Zhang, M. Wang, K. Maekawa, Christophe Cardinaud, Rémi Dussart
titre
Cryogenic nanoscale etching of silicon nitride selectively to silicon by alternating SiF 4 /O 2 and Ar plasmas
article
Journal of Vacuum Science & Technology A, American Vacuum Society, 2022, 40 (5), pp.052601. ⟨10.1116/6.0001885⟩
DOI
DOI : 10.1116/6.0001885
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auteur
G. Antoun, A. Girard, T. Tillocher, P. Lefaucheux, J. Faguet, K. Maekawa, C. Cardinaud, R. Dussart
titre
Quasi In Situ XPS on a SiO x F y Layer Deposited on Silicon by a Cryogenic Process
article
ECS Journal of Solid State Science and Technology, IOP Science, 2022, 11 (1), pp.013013. ⟨10.1149/2162-8777/ac4c7d⟩
DOI
DOI : 10.1149/2162-8777/ac4c7d
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03565995/file/Rev2bis-ECS-Quasi%20in%20situ%20XPS%20on%20a%20SiOxFy%20layer%20deposited%20on%20Silicon%20by%20a%20cryogenic%20process_final-1.pdf BibTex
auteur
Rim Ettouri, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Bertrand Boutaud, Vincent Fernandez, Neal Fairley, Christophe Cardinaud, Aurélie Girard, Rémi Dussart
titre
Combined analysis methods for investigating titanium and nickel surface contamination after plasma deep etching
article
Surface and Interface Analysis, Wiley-Blackwell, 2022, 54 (2), pp.134. ⟨10.1002/sia.7030⟩
DOI
DOI : 10.1002/sia.7030
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2021

auteur
Gaelle Antoun, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Jacques Faguet, Kaoru Maekawa, Rémi Dussart
titre
Mechanism understanding in cryo atomic layer etching of SiO2 based upon C4F8 physisorption
article
Scientific Reports, Nature Publishing Group, 2021, 11 (1), pp.357. ⟨10.1038/s41598-020-79560-z⟩
DOI
DOI : 10.1038/s41598-020-79560-z
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auteur
Thomas Tillocher, Jack Nos, Gaëlle Antoun, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Rémi Dussart
titre
Comparison between Bosch and STiGer Processes for Deep Silicon Etching
article
Micromachines, MDPI, 2021, 12 (10), pp.1143. ⟨10.3390/mi12101143⟩
DOI
DOI : 10.3390/mi12101143
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2019

auteur
Gaelle Antoun, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Rémi Dussart, Kumiko Yamazaki, Koichi Yatsuda, Jacques Faguet, Kaoru Maekawa
titre
Cryo atomic layer etching of SiO 2 by C F8 physisorption followed by Ar plasma
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2019, 115 (15), pp.153109. ⟨10.1063/1.5119033⟩
DOI
DOI : 10.1063/1.5119033
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auteur
Gaelle Antoun, Rémi Dussart, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Christophe Cardinaud, Aurélie Girard, Shigeru Tahara, Kumiko Yamazaki, Koichi Yatsuda, Jacques Faguet, Kaoru Maekawa
titre
The role of physisorption in the cryogenic etching process of silicon
article
Japanese Journal of Applied Physics, Japan Society of Applied Physics, 2019, 58 (SE), pp.SEEB03. ⟨10.7567/1347-4065/ab1639⟩
DOI
DOI : 10.7567/1347-4065/ab1639
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2018

auteur
Romain Chanson, Liping Zhang, Sergej Naumov, Yuri Mankelevich, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Rémi Dussart, Stefan de Gendt, Jean-François de Marneffe
titre
Damage-free plasma etching of porous organo-silicate low-k using micro-capillary condensation above −50 °C
article
Scientific Reports, Nature Publishing Group, 2018, 8, pp.1886. ⟨10.1038/s41598-018-20099-5⟩
DOI
DOI : 10.1038/s41598-018-20099-5
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auteur
Mukesh Kulsreshath, Alexane Vital, Philippe Lefaucheux, Christophe Sinturel, Thomas Tillocher, Marylène Vayer, Mohamed Boufnichel, Rémi Dussart
titre
High aspect ratio etched sub-micron structures in silicon obtained by cryogenic plasma deep-etching through perforated polymer thin films
article
Micro and Nano Engineering, Elsevier, 2018, 1, pp.42-48. ⟨10.1016/j.mne.2018.10.007⟩
DOI
DOI : 10.1016/j.mne.2018.10.007
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auteur
Edouard Laudrel, Thomas Tillocher, Yannick Meric, Philippe Lefaucheux, Bertrand Boutaud, Rémi Dussart
titre
The effect of SF 6 addition in a Cl 2 /Ar inductively coupled plasma for deep titanium etching
article
Journal of Micromechanics and Microengineering, IOP Publishing, 2018, 28 (5), ⟨10.1088/1361-6439/aaafe7⟩
DOI
DOI : 10.1088/1361-6439/aaafe7
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2017

auteur
Marie Gabard, Mustapha Zaghrioui, David Chouteau, Virginie Grimal, Thomas Tillocher, Fouad Ghamouss, Nathalie Poirot
titre
Novel Method Based on Spin-Coating for the Preparation of 2D and 3D Si-Based Anodes for Lithium Ion Batteries
article
ChemEngineering, MDPI AG, 2017, 1 (1), pp.5. ⟨10.3390/chemengineering1010005⟩
DOI
DOI : 10.3390/chemengineering1010005
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auteur
Joe Sakai, Erwann Luais, Jérôme Wolfman, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Francois Tran-Van, Fouad Ghamouss
titre
Cryogenic plasma-processed silicon microspikes as a high-performance anode material for lithium ion-batteries
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2017, 122 (15), pp.155103. ⟨10.1063/1.4997713⟩
DOI
DOI : 10.1063/1.4997713
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01686032/file/Sakai_Cryogenic%20plasma-processed%20silicon%20microspikes%20as%20a%20anode%20in%20Li%20battery_JAPIAU_vol_122_iss_15_155103_1_am.pdf BibTex
auteur
Stefan Tinck, Thomas Tillocher, Violetta Georgieva, Rémi Dussart, Erik Neyts, Annemie Bogaerts
titre
Concurrent effects of wafer temperature and oxygen fraction on cryogenic silicon etching with SF6/O2 plasmas
article
Plasma Processes and Polymers, Wiley-VCH Verlag, 2017, 14 (9), pp.1700018. ⟨10.1002/ppap.201700018⟩
DOI
DOI : 10.1002/ppap.201700018
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auteur
Alexane Vital, Marylène Vayer, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Mohamed Boufnichel, Christophe Sinturel
titre
Morphology control in thin films of PS: PLA homopolymer blends by dip-coating deposition
article
Applied Surface Science, Elsevier, 2017, 393, pp.127-133. ⟨10.1016/j.apsusc.2016.09.151⟩
DOI
DOI : 10.1016/j.apsusc.2016.09.151
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2016

auteur
Wassim Kafrouni, Thomas Tillocher, Julien Ladroue, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Pierre Ranson, Rémi Dussart
titre
Parametric study of STiGer etching process in order to reduce extended formation of scalloping defects on the sidewalls of silicon submicron trenches
article
Vacuum, Elsevier, 2016, 133, pp.90. ⟨10.1016/j.vacuum.2016.08.019⟩
DOI
DOI : 10.1016/j.vacuum.2016.08.019
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auteur
Stefan Tinck, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Erik Neyts, Annemie Bogaerts
titre
Elucidating the effects of gas flow rate on an SF6 inductively coupled plasma and on the silicon etch rate, by a combined experimental and theoretical investigation
article
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2016, 49 (38), pp.385201. ⟨10.1088/0022-3727/49/38/385201⟩
DOI
DOI : 10.1088/0022-3727/49/38/385201
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auteur
Liping Zhang, Jean-Francois de Marneffe, Floriane Leroy, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Kaoru Maekawa, Koichi Yatsuda, Christian Dussarrat, Andy Goodyear, Cooke Mike, Stefan de Gendt, Mikhail Baklanov
titre
Mitigation of plasma-induced damage in porous low-k dielectrics by cryogenic precursor condensation
article
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2016, 49 (17), pp.175203. ⟨10.1088/0022-3727/49/17/175203⟩
DOI
DOI : 10.1088/0022-3727/49/17/175203
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2015

auteur
Floriane Leroy, Liping Zhang, Thomas Tillocher, Koichi Yatsuda, Kaoru Maekawa, Eichi Nishimura, Philippe Lefaucheux, Jean-Francois de Marneffe, Mikhail Baklanov, Remi Dussart
titre
Cryogenic etching processes applied to porous low-k materials using SF6/C4F8 plasmas
article
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2015, 48, pp.435202. ⟨10.1088/0022-3727/48/43/435202⟩
DOI
DOI : 10.1088/0022-3727/48/43/435202
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auteur
Stefan Tinck, Thomas Tillocher, Rémi Dussart, Annemie Bogaerts
titre
Cryogenic etching of silicon with SF6 inductively coupled plasmas: a combined modelling and experimental study
article
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2015, 48, pp.155204. ⟨10.1088/0022-3727/48/15/155204⟩
DOI
DOI : 10.1088/0022-3727/48/15/155204
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auteur
Alexane Vital, Marylène Vayer, Christophe Sinturel, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Remi Dussart, Mohamed Boufnichel
titre
Modification of poly(styrene) thin films and enhancement of cryogenic plasma etching resistance by ruthenium tetroxide vapor staining
article
Polymer, Elsevier, 2015, 76, pp.123-130. ⟨10.1016/j.polymer.2015.08.062⟩
DOI
DOI : 10.1016/j.polymer.2015.08.062
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auteur
Alexane Vital, Marylène Vayer, Christophe Sinturel, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Remi Dussart
titre
Polymer masks for structured surface and plasma etching
article
Applied Surface Science, Elsevier, 2015, 332, pp.237. ⟨10.1016/j.apsusc.2015.01.040⟩
DOI
DOI : 10.1016/j.apsusc.2015.01.040
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2014

auteur
Remi Dussart, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel
titre
Plasma cryogenic etching of silicon: from the early days to today's advanced technologies
article
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2014, pp.123001. ⟨10.1088/0022-3727/47/12/123001⟩
DOI
DOI : 10.1088/0022-3727/47/12/123001
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auteur
Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Bertrand Boutaud, Remi Dussart
titre
Alternated process for the deep etching of titanium
article
Journal of Micromechanics and Microengineering, IOP Publishing, 2014, 24, pp.075021. ⟨10.1088/0960-1317/24/7/075021⟩
DOI
DOI : 10.1088/0960-1317/24/7/075021
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2013

auteur
Nasreddine Mekkakia Maaza, Remi Dussart, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Pierre Ranson
titre
A novel amorphization-etch alternating process for Si(100)
article
Journal of Micromechanics and Microengineering, IOP Publishing, 2013, 23, pp.045023. ⟨10.1088/0960-1317/23/4/045023⟩
DOI
DOI : 10.1088/0960-1317/23/4/045023
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auteur
Liping Zhang, Rami Ljazouli, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Yuri Mankelevich, Jean-Francois de Marneffe, Stefan de Gendt, Mikhail Baklanov
titre
Low Damage Cryogenic Etching of Porous Organosilicate Low-k Materials Using SF6/O2/SiF4
article
ECS Journal of Solid State Science and Technology, IOP Science, 2013, 2 (6), pp.N131. ⟨10.1149/2.001306jss⟩
DOI
DOI : 10.1149/2.001306jss
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2012

auteur
Thomas Defforge, Gaël Gautier, Thomas Tillocher, Remi Dussart, François Tran-Van
titre
Elaboration of high aspect ratio monocrystalline silicon suspended nanobridges by low temperature alkaline treatment of dry etched trenches
article
Journal of Vacuum Science & Technology A, American Vacuum Society, 2012, 30 (1), pp.010601. ⟨10.1116/1.3665217⟩
DOI
DOI : 10.1116/1.3665217
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auteur
Mukesh Kulsreshath, Laurent Schwaederlé, Lawrence J. Overzet, Philippe Lefaucheux, Julien Ladroue, Thomas Tillocher, Olivier Aubry, M. Woytasik, G. Schelcher, Remi Dussart
titre
Study of dc micro-discharge arrays made in silicon using CMOS compatible technology
article
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2012, 45, pp.285202. ⟨10.1088/0022-3727/45/28/285202⟩
DOI
DOI : 10.1088/0022-3727/45/28/285202
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auteur
Laurent Schwaederlé, Mukesh Kulsreshath, Lawrence J. Overzet, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart
titre
Breakdown study of dc silicon micro-discharge devices
article
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2012, 45, pp.065201. ⟨10.1088/0022-3727/45/6/065201⟩
DOI
DOI : 10.1088/0022-3727/45/6/065201
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00667649/file/Article.pdf BibTex
auteur
Liping Zhang, Rami Ljazouli, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Yuri Mankelevich, Jean-Francois de Marneffe, Stefan de Gendt, Mikhail Baklanov
titre
Damage Free Cryogenic Etching of a Porous Organosilica Ultralow-k Film
article
Electrochemical and Solid-State Letters, Electrochemical Society, 2012, 2 (2), pp.N5. ⟨10.1149/2.007302ssl⟩
DOI
DOI : 10.1149/2.007302ssl
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2011

auteur
Thomas Defforge, Xi Song, Gaël Gautier, Thomas Tillocher, Remi Dussart, Sébastien Kouassi, François Tran-Van
titre
Scalloping removal on DRIE via using low concentrated alkaline solutions at low temperature
article
Sensors and Actuators A: Physical , Elsevier, 2011, 170 (1-2), pp.114. ⟨10.1016/j.sna.2011.05.028⟩
DOI
DOI : 10.1016/j.sna.2011.05.028
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BibTex
auteur
Thomas Tillocher, Wassim Kafrouni, Julien Ladroue, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Pierre Ranson, Remi Dussart
titre
Optimization of submicron deep trench profiles with the STiGer cryoetching process: reduction of defects
article
Journal of Micromechanics and Microengineering, IOP Publishing, 2011, 21, pp.085005. ⟨10.1088/0960-1317/21/8/085005⟩
DOI
DOI : 10.1088/0960-1317/21/8/085005
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2010

auteur
Remi Dussart, Lawrence J. Overzet, P Lefaucheux, Thierry Dufour, M Kulsreshath, Monali Mandra, Thomas Tillocher, O Aubry, S Dozias, P Ranson, M Goeckner
titre
Integrated micro-plasmas in silicon operating in helium
article
The European Physical Journal D : Atomic, molecular, optical and plasma physics, EDP Sciences, 2010, 60, pp.601-608. ⟨10.1140/epjd/e2010-00272-7⟩
DOI
DOI : 10.1140/epjd/e2010-00272-7
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https://hal.sorbonne-universite.fr/hal-01303160/file/Pre-Print-004.pdf BibTex
auteur
Remi Dussart, Lawrence J. Overzet, Philippe Lefaucheux, Thierry Dufour, Mukesh Kulsreshath, Monali Mandra, Thomas Tillocher, Olivier Aubry, Sébastien Dozias, Pierre Ranson, Jeong Bong Lee, Matthew Goeckner
titre
Integrated micro-plasmas in silicon operating in helium
article
The European Physical Journal D : Atomic, molecular, optical and plasma physics, EDP Sciences, 2010, 60, pp.601. ⟨10.1140/epjd/e2010-00272-7⟩
DOI
DOI : 10.1140/epjd/e2010-00272-7
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2008

auteur
Corinne Y. Duluard, Remi Dussart, Thomas Tillocher, Laurianne E. Pichon, Philippe Lefaucheux, Michel Puech, Pierre Ranson
titre
SO2 passivating chemistry for silicon cryogenic deep etching
article
Plasma Sources Science and Technology, IOP Publishing, 2008, 17, pp.045008. ⟨10.1088/0963-0252/17/4/045008⟩
DOI
DOI : 10.1088/0963-0252/17/4/045008
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auteur
Thomas Tillocher, Remi Dussart, Lawrence J. Overzet, Xavier Mellhaoui, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Pierre Ranson
titre
Two Cryogenic Processes Involving SF6, O2, and SiF4 for Silicon Deep Etching
article
Journal of The Electrochemical Society, Electrochemical Society, 2008, 155 (3), pp.D187. ⟨10.1149/1.2826280⟩
DOI
DOI : 10.1149/1.2826280
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2007

auteur
Remi Dussart, Xavier Mellhaoui, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Pierre Ranson
titre
The passivation layer formation in the cryo-etching plasma process
article
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2007, 84, pp.1128. ⟨10.1016/j.mee.2007.01.048⟩
DOI
DOI : 10.1016/j.mee.2007.01.048
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BibTex
auteur
Thomas Tillocher, Remi Dussart, Xavier Mellhaoui, Philippe Lefaucheux, Mohamed Boufnichel, Pierre Ranson
titre
Silicon cryo-etching of deep holes
article
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2007, 84, pp.1120. ⟨10.1016/j.mee.2007.01.148⟩
DOI
DOI : 10.1016/j.mee.2007.01.148
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2006

auteur
Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Xavier Mellhaoui, Remi Dussart, Pierre Ranson, Mohamed Boufnichel, Lawrence J. Overzet
titre
Oxidation threshold in silicon etching at cryogenic temperatures
article
Journal of Vacuum Science & Technology A, American Vacuum Society, 2006, 24 (4), pp.1073. ⟨10.1116/1.2210946⟩
DOI
DOI : 10.1116/1.2210946
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00365909/file/preprint_thomas_13072005.pdf BibTex