Publications HAL de Amira,SOUGUIR-AOUANI de la collection AMPERE

Article dans une revue

2016

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Amira Souguir-Aouani, Nicolas Thierry-Jebali, Dominique Tournier, Arnaud Yvon, Emmanuel Collard, et al.. Study and Optimization of a 600V Pseudo-Vertical GaN-on-Silicon Rectifier by Finite Element Simulations. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2016, 858, pp.1190 - 1193. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.858.1190⟩. ⟨hal-01857348⟩
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01857348/file/rev125_hal.pdf BibTex

Communication dans un congrès

2014

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Amira Souguir-Aouani. GaN, une alternative au SiC pour les applications domotiques ?. JCGE, Jun 2014, Saint-Louis, France. ⟨hal-01083953⟩
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01083953/file/Article_JCGE2014_GaN_une_alternative_au_SiC_pour_les_applications_domotiques.pdf BibTex

Thèse

2016

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Amira Souguir-Aouani. Conception d’une nouvelle génération de redresseur Schottky de puissance en Nitrure de Gallium (GaN), étude, simulation et réalisation d’un démonstrateur. Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEI093⟩. ⟨tel-01784876⟩
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https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01784876/file/these.pdf BibTex