Publications HAL de Attane; Vila; giraud de la structure 1043270;1402;40366

2023

Conference papers

titre
Spin diode effect in extended magnetic insulating films
auteur
Ryuhei Kohno, Nicolas Thiery, Eric Clot, Richard Schlitz, Kyongmo An, Vladimir Naletov, Laurent Vila, Nathan Beaulieu, Jamal Ben Youssef, Hugo Merbouche, Vincent Cros, Abdelmadjid Anane, Thomas Hauet, Vlad Demidov, Sergej Demokritov, Grégoire de Loubens, Olivier Klein
article
2023 IEEE International Magnetic Conference - Short Papers (INTERMAG Short Papers), May 2023, Sendai, France. pp.1-2, ⟨10.1109/INTERMAGShortPapers58606.2023.10228312⟩
Accès au bibtex
BibTex

2020

Conference papers

titre
Magnetic random access memories (MRAM) beyond information storage
auteur
Ricardo C. Sousa, A. Chavent, V. Iurchuk, L. Vila, U. Ebels, B. Dleny, G. Di Pendina, G. Prenat, J. Langer, J. Wrona, I.L. Prejbeanu
article
2020 IEEE Symposium on VLSI Technology, Jun 2020, Honolulu, United States. ⟨10.1109/VLSITechnology18217.2020.9265053⟩
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-03111373/file/VLSI2020_Spintec_Final.pdf BibTex

2018

Conference papers

titre
Toward efficient spin/charge conversion using topological insulator surface (Conference Presentation)
auteur
Quentin Barbedienne, Julien Varignon, Henri Jaffrès, Nicolas Reyren, Albert Fert, Jean-Marie George, Paul Noël, Alain Marty, Céline Vergnaud, Laurent Vila, Amina Taleb-Ibrahimi, Patrick Le Fèvre, François Bertran, Aristide Lemaître
article
Spintronics XI, Aug 2018, San Diego, France. pp.118, ⟨10.1117/12.2319675⟩
Accès au bibtex
BibTex
titre
Towards high density STT-MRAM at sub-20nm nodes
auteur
Steven Lequeux, V. Nguyen, N. Perrissin, J Chatterjee, L. Tille, S. Auffret, N. Strelkov, L. Buda-Prejbeanu, R. Sousa, E. Gautier, L. Vila, I. L Prejbeanu, B. Dieny
article
29th Magnetic Recording Conference (TMRC 2018), Aug 2018, Milpitas, CA, United States
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-02131655/file/E1.pdf BibTex
titre
Spin transfer torque magnetic random-access memory: Towards sub-10 nm devices
auteur
N. Perrissin, S. Lequeux, N. Strelkov, L. Vila, L Buda-Prejbeanu, S. Auffret, R. Sousa, I. L Prejbeanu, B. Dieny
article
2018 International Conference on IC Design & Technology (ICICDT 2018), Jun 2018, Otrante, Italy. ⟨10.1109/ICICDT.2018.8399772⟩
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-01934505/file/Spin%20transfer%20torque%20magnetic%20random-access%20memory_%20-%20Towards%20sub-10nm%20devices%202018%20IEEE-ICICDT-BD%20%281%29.pdf BibTex
titre
Towards high density STT-MRAM at sub-20nm nodes
auteur
V. D Nguyen, N. Perrissin, S. Lequeux, J. Chatterjee, L. Tille, S. Auffret, R. Sousa, E. Gautier, L. Vila, L. Prejbeanu, B. Dieny
article
2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA), Apr 2018, Hsinchu, Taiwan. ⟨10.1109/VLSI-TSA.2018.8403867⟩
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-01934201/file/Digest_abstract_TMRC-2018_S-Lequeux-LP-BD_stickToAuthors.pdf BibTex

2017

Conference papers

titre
Novel approach for nano-patterning magnetic tunnel junctions stacks at narrow pitch: A route towards high density STT-MRAM applications
auteur
V. D. Nguyen, P. Sabon, J. Chatterjee, L. Tillie, P. Veloso Coelho, S. Auffret, R. Sousa, L. Prejbeanu, E. Gautier, L. Vila, B. Dieny
article
2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2017, San Francisco, CA, United States. ⟨10.1109/IEDM.2017.8268517⟩
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-01763666/file/IEDM%202017_submission%20vf_novel%20MTJ%20nanopatterning%20approach.pdf BibTex
titre
Spintronic based RF components
auteur
U. Ebels, J. Hem, A. Purbawati, A. Calafora, C. Murapaka, L. Vila, K. Jaimes Merazzo, E. Jimenez, M.C. Cyrille, R. Ferreira, M. Kreissig, R. Ma, F. Ellinger, R. Lebrun, S. Wittrock, V. Cros, P. Bortolotti
article
2017 Joint Conference of the European Frequency and Time Forum and IEEE International Frequency Control Symposium ((EFTF/IFC), Jul 2017, BESANÇON, France. pp.66-67
Accès au bibtex
BibTex

2014

Conference papers

titre
Double barrier magnetic tunnel junctions with write/read mode select layer
auteur
P.-Y. Clement, Claire Baraduc, M. Chshiev, B. Dieny, L. Vila, C. Ducruet
article
IEEE 6th International Memory Workshop, May 2014, Tapei, Taiwan. ⟨10.1109/IMW.2014.6849366⟩
Accès au bibtex
BibTex