Article dans une revue

2022

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Florian Rigaud-Minet, Christophe Raynaud, Julien Buckley, Matthew Charles, Patricia Pimenta-Barros, et al.. DLTFS investigation of electron traps on AlGaN/GaN on Si Power diodes. Energies, 2022, 16, pp.599. ⟨10.3390/en16020599⟩. ⟨cea-03968526⟩

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Florian Rigaud-Minet, Julien Buckley, William Vandendaele, Matthew Charles, Marie-Anne Jaud, et al.. Capacitance temperature dependence analysis of GaN-on-Si power transistors. Energies, 2022, 15 (19), pp.7062. ⟨10.3390/en15197062⟩. ⟨cea-03874112⟩

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Communication dans un congrès

2022

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Florian Rigaud-Minet, Julien Buckley, William Vandendaele, Stéphane Becu, Matthew Charles, et al.. Vertical current temperature analysis of GaN-on-Si epitaxy through analytical modelling. SSDM 2022 - 2022 International conference on solid state devices and materials, Sep 2022, Chiba, Japan. ⟨cea-03875079⟩

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Thèse

2023

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Florian Rigaud-Minet. Experimental and simulation study of GaN device size limitations for high efficiency power converters. Electronics. INSA de Lyon, 2023. English. ⟨NNT : 2023ISAL0021⟩. ⟨tel-04213673⟩

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