Publications HAL de Florian,RIGAUD-MINET de la collection AMPERE

Article dans une revue

2022

ref_biblio
Florian Rigaud-Minet, Christophe Raynaud, Julien Buckley, Matthew Charles, Patricia Pimenta-Barros, et al.. DLTFS investigation of electron traps on AlGaN/GaN on Si Power diodes. Energies, 2022, 16, pp.599. ⟨10.3390/en16020599⟩. ⟨cea-03968526⟩
Accès au texte intégral et bibtex
https://cea.hal.science/cea-03968526/file/energies-16-00599.pdf BibTex
ref_biblio
Florian Rigaud-Minet, Julien Buckley, William Vandendaele, Matthew Charles, Marie-Anne Jaud, et al.. Capacitance temperature dependence analysis of GaN-on-Si power transistors. Energies, 2022, 15 (19), pp.7062. ⟨10.3390/en15197062⟩. ⟨cea-03874112⟩
Accès au texte intégral et bibtex
https://cea.hal.science/cea-03874112/file/energies-15-07062-v4%20%281%29.pdf BibTex

Communication dans un congrès

2022

ref_biblio
Florian Rigaud-Minet, Julien Buckley, William Vandendaele, Stéphane Becu, Matthew Charles, et al.. Vertical current temperature analysis of GaN-on-Si epitaxy through analytical modelling. SSDM 2022 - 2022 International conference on solid state devices and materials, Sep 2022, Chiba, Japan. ⟨cea-03875079⟩
Accès au texte intégral et bibtex
https://cea.hal.science/cea-03875079/file/SSDM2022_Vertical%20transport%20understanding_Florian%20Rigaud-Minet.pdf BibTex

Thèse

2023

ref_biblio
Florian Rigaud-Minet. Experimental and simulation study of GaN device size limitations for high efficiency power converters. Electronics. INSA de Lyon, 2023. English. ⟨NNT : 2023ISAL0021⟩. ⟨tel-04213673⟩
Accès au texte intégral et bibtex
https://theses.hal.science/tel-04213673/file/these.pdf BibTex