Publications HAL de Mamadou Lamine Beye de la collection AMPERE

Communication dans un congrès

2019

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Cyril Buttay, Christian Martin, Charles Joubert, Hervé Morel, Bruno Allard, et al.. Benefits of GaN transistors and embedding in PCB laminates. SIA Power Train & Electronics, Jun 2019, Paris, France. ⟨hal-02291496⟩
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02291496/file/APE2019_GaN-Embedding_Ampere-lab_v4.pdf BibTex
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Mamadou Lamine Beye, Jean-Fraçois Mogniotte, Luong-Viet Phung, Nadir Idir, Hassan Maher, et al.. Analysis and Assessment of temperature effect of an Open LoopActive Gate Voltage Control in GaN Transistor During Turn-ON and Turn-OFF. 13th IEEE PEDS, Jul 2019, Toulouse, France. ⟨hal-02310021⟩
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2018

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Mamadou Lamine Beye. Driver actif pour le contrôle de la vitesse de commution en courant des transistors GaN lors de l'amorçage.. Symposium de Génie Electrique (SGE'18), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. ⟨hal-02983346⟩
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Thèse

2020

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Mamadou Lamine Beye. Etude et contribution à l’optimisation de la commande des HEMTs GaN. Electronique. Université de Lyon; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2020. Français. ⟨NNT : 2020LYSEI102⟩. ⟨tel-03186729⟩
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