Publications HAL de Maroun,Alam de la collection AMPERE

Communication dans un congrès

2023

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Hervé Morel, Maroun Alam, Pascal Bevilacqua, D. Tournier, Dominique Planson. Impact of Wide Band-Gap Semiconductors on the Design in Power Electronics. Symposium on Advanced Technologies in Electrical Systems (SATES 2023), Mar 2023, Arras, France. ⟨hal-04224402⟩
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https://hal.science/hal-04224402/file/SATES23-WBG_final.pdf BibTex
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Tamiris Grossl Bade, Maroun Alam, Hervé Morel, Dominique Planson. Application of the Double Source Switching Test to GaN HEMTs. 25th Conference on Power Electronics and Applications (and Exhibition), EPE ’23 (IEEE) ECCE Europe (Energy Conversion Congress and Expo Europe), Sep 2023, Aalborg, Denmark. ⟨hal-04225311⟩
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https://hal.science/hal-04225311/file/DSTxDPT_final.pdf BibTex

2022

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Maroun Alam. Etude de l'effet du piégeage sur les caractéristiques des composants AlGaN/GaN. 16ème Conférence des Jeunes Chercheurs en Génie Electrique (JCGE-2022), Jun 2022, Le Croisic, France. ⟨hal-03946176⟩
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https://hal.science/hal-03946176/file/JCGE_2022%20Maroun%20Alam.pdf BibTex
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Maroun Alam, Hervé Morel, Luong Viêt Phung, Dominique Planson, A. Yvon. Monitoring Dynamic Resistance of AlGaN/GaN Schottky Diodes After Quasi-Static and Hard Switching Stresses. 2022 International Semiconductor Conference (CAS 2022), Oct 2022, Poiana Brasov, Romania. pp.195-198, ⟨10.1109/CAS56377.2022.9934143⟩. ⟨hal-03887865⟩
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https://hal.science/hal-03887865/file/Article%20CAS%20_Maroun-ALAM.pdf BibTex

Thèse

2023

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Maroun Alam. Analyse et caractérisation des performances électriques de composants en nitrure de Gallium. Electronique. INSA de Lyon, 2023. Français. ⟨NNT : 2023ISAL0004⟩. ⟨tel-04220620⟩
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