Publications HAL de Rémy,OUAIDA de la collection AMPERE

Article dans une revue

2014

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Rémy Ouaida, Maxime Berthou, Javier León, Xavier Perpiñà, Sebastien Oge, et al.. Gate Oxide Degradation of SiC MOSFET in Switching Conditions. IEEE Electron Device Letters, 2014, 35 (12), pp.1284 - 1286. ⟨10.1109/LED.2014.2361674⟩. ⟨hal-01154140⟩
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2013

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Cyril Buttay, Rémy Ouaida, Hervé Morel, Dominique Bergogne, Christophe Raynaud, et al.. Thermal Stability of Silicon Carbide Power JFETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (12), pp.4191 - 4198. ⟨10.1109/TED.2013.2287714⟩. ⟨hal-00881667⟩
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https://hal.science/hal-00881667/file/Thermal_limitations_of_SiC_JFETs_final.pdf BibTex
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Dominique Bergogne, Cyril Buttay, Rémi Robutel, Fabien Dubois, Rémy Ouaida, et al.. Electro-Thermal Behaviour of a SiC JFET Stressed by Lightning Induced Over-Voltages. EPE Journal - European Power Electronics and Drives, 2013, 23 (3), pp.5--12. ⟨hal-00997389⟩
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Rémy Ouaida, Cyril Buttay, Anh Dung Hoang, Raphaël Riva, Dominique Bergogne, et al.. Thermal Runaway Robustness of SiC VJFETs. Materials Science Forum, 2013, 740-742, pp.929-933. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.929⟩. ⟨hal-00799884⟩
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https://hal.science/hal-00799884/file/article_ouaida_sur_template_ECSCRM.pdf BibTex

Communication dans un congrès

2015

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Bruno Allard, Guy Clerc, Emil Dumitrescu, Ronan German, Aurélien Lièvre, et al.. Reliability and Safety Monitoring for more Electrical Transportation. APE Automotive Power Electronics, Apr 2015, Paris, France. ⟨hal-01922178⟩
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2014

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Rémy Ouaida, Pierre Brosselard, Pascal Bevilacqua. Etude sur les transistors MOSFETs en Carbure de Silicium - Potentiel d'utilisation dans les Applications Hautes Températures. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065420⟩
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https://hal.science/hal-01065420/file/SGE2014_copie.pdf https://hal.science/hal-01065420/file/SGE_finale_2014_copie.pdf BibTex

2013

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Rémy Ouaida, Cyril Buttay, Raphaël Riva, Dominique Bergogne, Christophe Raynaud, et al.. Thermal stability of SiC JFETs in conduction mode. EPE, Sep 2013, Lille, France. paper 223, ⟨10.1109/EPE.2013.6631881⟩. ⟨hal-00874471⟩
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https://hal.science/hal-00874471/file/article.pdf BibTex
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Rémy Ouaida, Xavier Fonteneau, Fabien Dubois, Dominique Bergogne, Florent Morel, et al.. SiC Vertical JFET Pure Diode-Less Inverter Leg. APEC, Mar 2013, Long Beach, CA, United States. pp.512-517, ⟨10.1109/APEC.2013.6520258⟩. ⟨hal-00829343⟩
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https://hal.science/hal-00829343/file/2013_conf_inter_APEC_SiC.pdf BibTex

2012

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Rémy Ouaida, Cyril Buttay, Anh Dung Hoang, Raphaël Riva, Dominique Bergogne, et al.. Thermal Runaway Robustness of SiC VJFETs. CSCRM, Sep 2012, Saint-Pétersbourg, Russia. 2p. ⟨hal-00759975v2⟩
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https://hal.science/hal-00759975/file/synopsis_remy-1.pdf BibTex

Thèse

2014

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Rémy Ouaida. Vieillissement et mécanismes de dégradation sur des composants de puissance en carbure de silicium (SIC) pour des applications haute température. Energie électrique. Université Claude Bernard - Lyon I, 2014. Français. ⟨NNT : 2014LYO10228⟩. ⟨tel-01127292⟩
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