Publications HAL de Selsabil, Sejil de la collection Ampere

Journal articles

2017

auteur
Selsabil Sejil, Loïc Lalouat, Mihai Lazar, Davy Carole, Christian Brylinski, François Jomard, Dominique Planson, Gabriel Ferro, Christophe Raynaud
titre
Very High Sustainable Forward Current Densities on 4H-SiC p-n Junctions Formed by VLS Localized Epitaxy of Heavily Al-Doped p++ Emitters
article
Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2017, 897, pp.63 - 66. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.897.63⟩
DOI
DOI : 10.4028/www.scientific.net/MSF.897.63
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01648360/file/rev131_hal.pdf BibTex
auteur
Gabriel Ferro, Selsabil Sejil, Mihai Lazar, D. Carole, C. Brylinski, Dominique Planson, Christophe Raynaud
titre
Further optimization of VLS localized epitaxy for deeper 4H-SiC p-n junctions
article
physica status solidi (a), Wiley, 2017, 214 (4), ⟨10.1002/pssa.201600454⟩
DOI
DOI : 10.1002/pssa.201600454
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2016

auteur
Selsabil Sejil, Mihai Lazar, Frédéric Cayrel, Davy Carole, Christian Brylinski, Dominique Planson, Gabriel Ferro, Christophe Raynaud
titre
Optimization of VLS Growth Process for 4H-SiC P/N Junctions
article
Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2016, 858, pp.205-208. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.858.205⟩
DOI
DOI : 10.4028/www.scientific.net/MSF.858.205
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01388031/file/rev_127_hal.pdf BibTex

2015

auteur
Selsabil Sejil, Farah Laariedh, Mihai Lazar, Davy Carole, Christian Brylinski, Dominique Planson, Gabriel Ferro, Christophe Raynaud, Hervé Morel
titre
VLS Grown 4H-SiC Buried P+ Layers for JFET Lateral Structures
article
Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2015, 821-823, pp.789 - 792. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.789⟩
DOI
DOI : 10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.789
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01387983/file/rev113_hal.pdf BibTex
auteur
Mihai Lazar, Selsabil Sejil, L. Lalouat, Christophe Raynaud, D. Carole, Dominique Planson, G. Ferro, Farah Laariedh, C. Brylinski, Hervé Morel
titre
P-Type Doping of 4H-SiC for Integrated Bipolar and Unipolar Devices
article
Romanian Journal of Information Science and Technology, Romanian Academy, 2015, 18 (4), pp.329-342
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01626119/file/lazar_romjist_cr_ml_hal.pdf BibTex

Conference papers

2016

auteur
Selsabil Sejil, Loïc Lalouat, Mihai Lazar, Davy Carole, Christian Brylinski, François Jomard, Dominique Planson, Gabriel Ferro, Christophe Raynaud
titre
Very High Sustainable Forward Current Densities on 4H-SiC P+N- Junctions formed by localized VLS P+ epitaxy
article
ECSCRM'16, Sep 2016, Halkidiki, Greece
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02138729/file/cgri61a.pdf BibTex

2015

auteur
Selsabil Sejil, Mihai Lazar, Davy Carole, Christian Brylinski, Dominique Planson, Gabriel Ferro, Christophe Raynaud
titre
Localized VLS Epitaxy Process as a P-type Doping Alternative Technique for 4H-SiC P/N Junctions
article
Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2015), Dec 2015, Arlington, United States
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02428659/file/46th%20IEEE%20SISC%20-%20%20Review%20-%20SEJIL%20S..pdf BibTex
auteur
Mihai Lazar, Davy Carole, Christophe Raynaud, Gabriel Ferro, Selsabil Sejil, Farah Laariedh, Christian Brylinski, Dominique Planson, Hervé Morel
titre
Classic and alternative methods of p-type doping 4H-SiC for integrated lateral devices
article
CAS, Oct 2015, Sinaia, Romania. pp.145 - 148, ⟨10.1109/SMICND.2015.7355190⟩
DOI
DOI : 10.1109/SMICND.2015.7355190
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01388019/file/cas_2015_hal.pdf BibTex

2014

auteur
Selsabil Sejil, Farah Laariedh, Mihai Lazar, Davy Carole, Christian Brylinski, Dominique Planson, Gabriel Ferro, Christophe Raynaud, Hervé Morel
titre
4H-SiC P-N junctions realized by VLS for JFET lateral structures
article
ECSCRM'14, Sep 2014, Grenoble, France. pp.TU-P-61
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02133686/file/x_abstract_1197_submitter_0239_LAZAR_Mihai.pdf BibTex

Theses

2017

auteur
Selsabil Sejil
titre
Optimisation de l'épitaxie VLS du semiconducteur 4H-SiC : Réalisation de dopages localisés dans 4H-SiC par épitaxie VLS et application aux composants de puissance SiC
article
Matériaux. Université de Lyon, 2017. Français. ⟨NNT : 2017LYSE1170⟩
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https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01838259/file/TH2017SEJILSELSABIL.pdf BibTex