Publications HAL de Shiqin,NIU de la collection AMPERE

Article dans une revue

2016

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Shiqin Niu, Maxime Berthou, Dominique Tournier. Design Impact on the Static and Short-Circuit Characteristics of SiC-SIT with Non-Uniformly Doped Channel. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2016, 858, pp.925 - 928. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.858.925⟩. ⟨hal-01857351⟩
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2015

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Konstantinos Zekentes, Antonis Stavrinidis, George Konstantinidis, Maria Kayambaki, Konstantin Vamvoukakis, et al.. 4H-SiC VJFETs with Self-Aligned Contacts. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2015, 821-823, pp.793 - 796. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.793⟩. ⟨hal-01391852⟩
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01391852/file/rev110_hal.pdf BibTex
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Shiqin Niu, Maxime Berthou, Dominique Tournier. Bulk Thickness and Short Circuit Capacity of a 1200V 4H-SiC VJFET. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2015, 821-823, pp.797 - 800. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.797⟩. ⟨hal-01857350⟩
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2014

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Dominique Tournier, Philippe Godignon, Shiqin Niu, Jean Francois de Palma. SiC Current Limiting FETs (CLFs) for DC Applications. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2014, 778-780, pp.895 - 898. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.895⟩. ⟨hal-01857349⟩
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Communication dans un congrès

2014

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Besar Asllani, Shiqin Niu, Patrick Denis, Maxime Berthou, Dominique Tournier, et al.. Modélisation phénoménologique de la caractéristique IV en direct de diodes Schottky/JBS en carbure de silicium. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065193⟩
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01065193/file/Article_SGE2014_Ampere_Asllani.pdf https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01065193/file/SGE2014_AMPERE_version_finale.pdf BibTex
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Konstantinos Zekentes, Antonis Stavrinidis, George Konstantinidis, Maria Kayambaki, Konstantinos Vamvoukakis, et al.. 4H-SiC VJFETs with Self-Aligned Contacts. ECSCRM'14, Sep 2014, Grenoble, France. pp.WE-P-75. ⟨hal-02133681⟩
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02133681/file/Paper_JFETs_v3_dp.pdf BibTex

Thèse

2016

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Shiqin Niu. Conception, optimisation et caractérisation d’un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium. Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEI136⟩. ⟨tel-01784870⟩
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