Publications HAL de dominique,planson de la collection Ampere

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Dominique Planson, Camille Sonneville, Pascal Bevilacqua, Luong Viêt V Phung, Besar Asllani, et al.. 4H-SiC PiN diode protected by narrow field rings investigated by the micro-OBIC method. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2022, 1062, pp.341-345. ⟨10.4028/p-2ch22f⟩. ⟨hal-03689424⟩
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Philippe Godignon, Josep Montserrat, José Rebollo, Dominique Planson. Edge terminations for 4H-SiC power devices: a critical issue. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2022, 1062, pp.570-575. ⟨10.4028/p-lom714⟩. ⟨hal-03694757⟩
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Atse Julien Eric N’dohi, Camille Sonneville, Luong Viet Phung, Thi Huong Ngo, Philippe de Mierry, et al.. Micro-Raman characterization of homo-epitaxial n doped GaN layers for vertical device applications. AIP Advances, American Institute of Physics- AIP Publishing LLC, 2022, 12 (2), pp.025126. ⟨10.1063/5.0082860⟩. ⟨hal-03582833⟩
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Camille Sonneville, Dominique Planson, Luong Viêt Phung, Pascal Bevilacqua, Besar Asllani. Interest of using a micro-meter spatial resolution to study SiC semi-conductor devices by Optical Beam Induced Current (OBIC). Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2020, 1004, pp.290. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.290⟩. ⟨hal-02925178⟩
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Besar Asllani, Pascal Bevilacqua, Hervé Morel, Dominique Planson, Luong Viet Phung, et al.. Static and switching characteristics of 10 kV-class Silicon Carbide Transistors and Darlingtons. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2020, 1004, pp.923-932. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.1004.923⟩. ⟨hal-02931290⟩
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Besar Asllani, Hervé Morel, Luong Viêt Phung, Dominique Planson. 10 kV Silicon Carbide PiN Diodes-From Design to Packaged Component Characterization. Energies, MDPI, 2019, ⟨10.3390/en12234566⟩. ⟨hal-02398585⟩
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Teng Zhang, Christophe Raynaud, Dominique Planson. Multi-barrier height characterization and DLTS study on Ti/W 4H-SiC Schottky Diode. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2019, 963, pp.576-579. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.963.576⟩. ⟨hal-02436812⟩
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Dominique Planson, Besar Asllani, Luong-Viet Phung, Pascal Bevilacqua, Hassan Hamad, et al.. Experimental and simulation results of optical beam induced current technique applied to wide bandgap semiconductors. Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2019, 94, pp.116-127. ⟨10.1016/j.mssp.2019.01.042⟩. ⟨hal-02053053⟩
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Teng Zhang, Christophe Raynaud, Dominique Planson. Measure and analysis of 4H-SiC Schottky barrier height with Mo contacts. European Physical Journal: Applied Physics, EDP Sciences, 2019, 85 (1), pp.10102. ⟨10.1051/epjap/2018180282⟩. ⟨hal-02047099⟩
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Besar Asllani, Pascal Bevilacqua, Abderrahime Zaoui, Gregory Grosset, Dominique Planson, et al.. High-Voltage SiC-JFET Fabrication and Full Characterization. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2019, 963, pp.688-692. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.963.688⟩. ⟨hal-02060228⟩
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Besar Asllani, Alberto Castellazzi, Dominique Planson, Hervé Morel. Subthreshold Drain current hysteresis of planar SiC MOSFETs. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2019, 963, pp.184-188. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.963.184⟩. ⟨hal-02060341⟩
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Besar Asllani, Dominique Planson, Pascal Bevilacqua, Jean-Baptiste Fonder, Beverley Choucoutou, et al.. Advanced Electrical characterisation of high voltage 4H-SiC PiN diodes. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2019, 963, pp.567-571. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.963.567⟩. ⟨hal-02060334⟩
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Besar Asllani, Asad Fayyaz, Alberto Castellazzi, Hervé Morel, Dominique Planson. VTH subthreshold hysteresis technology and temperature dependence in commercial 4H-SiC MOSFETs. Microelectronics Reliability, Elsevier, 2018, 88-90, pp.604 - 609. ⟨10.1016/j.microrel.2018.06.047⟩. ⟨hal-01889461⟩
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Dominique Planson, Besar Asllani, Hassan Hamad, Marie-Laure Locatelli, R Arvinte, et al.. Near Breakdown Voltage Optical Beam Induced Current (OBIC) on 4H-SiC Bipolar Diode. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2018, Silicon Carbide and Related Materials 2017, 924, pp.577-580. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.924.577⟩. ⟨hal-01818806⟩
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Jean-François Mogniotte, Dominique Tournier, Christophe Raynaud, Mihai Lazar, Dominique Planson, et al.. Silicon Carbide Technology of MESFET-Based Power Integrated Circuits. IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2018, 6 (2), pp.539 - 548. ⟨10.1109/JESTPE.2017.2778002⟩. ⟨hal-01864533⟩
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Besar Asllani, Jean Baptiste Fonder, Pascal Bevilacqua, Dominique Planson, Luong Viet Phung, et al.. Surge Driven Evolution of Schottky Barrier Height on 4H-SiC JBS Diodes. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2018, 924, pp.593 - 596. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.924.593⟩. ⟨hal-01857352⟩
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Julien Pezard, Véronique Soulière, Mihai Lazar, Naoufel Haddour, François Buret, et al.. Realization and Characterization of Carbonic Layers on 4H-SiC for Electrochemical Detections. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2017, 897, pp.739 - 742. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.897.739⟩. ⟨hal-01644735⟩
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Selsabil Sejil, Loïc Lalouat, Mihai Lazar, Davy Carole, Christian Brylinski, et al.. Very High Sustainable Forward Current Densities on 4H-SiC p-n Junctions Formed by VLS Localized Epitaxy of Heavily Al-Doped p++ Emitters. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2017, 897, pp.63 - 66. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.897.63⟩. ⟨hal-01648360⟩
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Hassan Hamad, Dominique Planson, Christophe Raynaud, Pascal Bevilacqua. OBIC Technique Applied to Wide Bandgap Semiconductors from 100 K up to 450 K. Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2017, 32 (5), ⟨10.1088/1361-6641/aa641d/meta⟩. ⟨hal-01865068⟩
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Gabriel Ferro, Selsabil Sejil, Mihai Lazar, D. Carole, C. Brylinski, et al.. Further optimization of VLS localized epitaxy for deeper 4H-SiC p-n junctions. physica status solidi (a), Wiley, 2017, 214 (4), ⟨10.1002/pssa.201600454⟩. ⟨hal-01615190⟩
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Junichi Hasegawa, Loris Pace, Luong Viet Phung, Mutsuko Hatano, Dominique Planson. Simulation-Based Study About the Lifetime and Incident Light Properties Dependence of the Optically Triggered 4H-SiC Thyristors Operation. IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2017, 64 (3), pp.1203-1208. ⟨10.1109/TED.2017.2657223⟩. ⟨hal-01636430⟩
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Amira Souguir-Aouani, Nicolas Thierry-Jebali, Dominique Tournier, Arnaud yvon, Emmanuel Collard, et al.. Study and Optimization of a 600V Pseudo-Vertical GaN-on-Silicon Rectifier by Finite Element Simulations. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2016, 858, pp.1190 - 1193. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.858.1190⟩. ⟨hal-01857348⟩
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Hassan Hamad, Christophe Raynaud, Pascal Bevilacqua, Sigo Scharnholz, Bertrand Vergne, et al.. Determination of 4H-SiC Ionization Rates Using OBIC Based on Two-Photon Absorption. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2016, 858, pp.245 - 248. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.858.245⟩. ⟨hal-01388035⟩
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Tony Abi-Tannous, Maher Soueidan, Gabriel Ferro, Mihai Lazar, Christophe Raynaud, et al.. A Study on the Temperature of Ohmic Contact to p-Type SiC Based on Ti 3 SiC 2 Phase. IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016, 63 (6), pp.2462-2468. ⟨10.1109/TED.2016.2556725⟩. ⟨hal-01387992⟩
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Thi Thanh Huyen Nguyen, Mihai Lazar, Jean-Louis Augé, Hervé Morel, Luong Viet Phung, et al.. Vertical Termination Filled with Adequate Dielectric for SiC Devices in HVDC Applications. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2016, 858, pp.982-985. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.858.982⟩. ⟨hal-01391838⟩
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Tony Abi-Tannous, Maher Soueidan, Gabriel Ferro, Mihai Lazar, Christophe Raynaud, et al.. Thermally Stable Ohmic Contact to p-Type 4H-SiC Based on Ti3SiC2 Phase. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2016, 858, pp.553-556. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.858.553⟩. ⟨hal-01388027⟩
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Selsabil Sejil, Mihai Lazar, Frédéric Cayrel, Davy Carole, Christian Brylinski, et al.. Optimization of VLS Growth Process for 4H-SiC P/N Junctions. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2016, 858, pp.205-208. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.858.205⟩. ⟨hal-01388031⟩
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Pierre Brosselard, Florian Chevalier, Benjamin Proux, Nicolas Thierry-Jebali, Pascal Bevilacqua, et al.. Impact of Design on Electrical Characteristics of 3.5 kV 4H-SiC JBS Diode. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2015, 806, pp.117-120. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.806.117⟩. ⟨hal-02133670⟩
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Houssam Arbess, Karine Isoird, Moustafa Zerarka, Henri Schneider, Marie-Laure Locatelli, et al.. High termination efficiency using polyimide trench for high voltage diamond Schottky diode. Diamond and Related Materials, Elsevier, 2015, 58, pp.149-154. ⟨10.1016/j.diamond.2015.07.006⟩. ⟨hal-01218796⟩
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Houssam Arbess, Karine Isoird, Saleem Hamady, Moustafa Zerarka, Dominique Planson. Original Field Plate to Decrease the Maximum Electric Field Peak for High-Voltage Diamond Schottky Diode. IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2015, 62 (9), pp. 2945-2951. ⟨10.1109/TED.2015.2456073⟩. ⟨hal-01218835⟩
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Tony Abi-Tannous, Maher Soueidan, G. Ferro, Mihai Lazar, B. Toury, et al.. Parametric investigation of the formation of epitaxial Ti3SiC2 on 4H-SiC from Al-Ti annealing. Applied Surface Science, Elsevier, 2015, 347, pp.186 - 192. ⟨10.1016/j.apsusc.2015.04.077⟩. ⟨hal-01391845⟩
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Mihai Lazar, Farah Laariedh, Pierre Cremillieu, Dominique Planson, Jean-Louis Leclercq. The channeling effect of Al and N ion implantation in 4H–SiC during JFET integrated device processing. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Elsevier, 2015, 365, pp.256 - 259. ⟨10.1016/j.nimb.2015.07.033⟩. ⟨hal-01391844⟩
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Konstantinos Zekentes, Antonis Stavrinidis, George Konstantinidis, Maria Kayambaki, Konstantin Vamvoukakis, et al.. 4H-SiC VJFETs with Self-Aligned Contacts. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2015, 821-823, pp.793 - 796. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.793⟩. ⟨hal-01391852⟩
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Thibaut Chailloux, Cyril Calvez, Dominique Tournier, Dominique Planson. Characterization and Comparison of 1.2kV SiC Power Devices from Cryogenic to High Temperature. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2015, 821-823, pp.814-817. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.814⟩. ⟨hal-02116809⟩
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Selsabil Sejil, Farah Laariedh, Mihai Lazar, Davy Carole, Christian Brylinski, et al.. VLS Grown 4H-SiC Buried P+ Layers for JFET Lateral Structures. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2015, 821-823, pp.789 - 792. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.789⟩. ⟨hal-01387983⟩
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Maxime Berthou, Dominique Planson, Dominique Tournier. Short-Circuit Capability Exploration of Silicon Carbide Devices. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2015, 821-823, pp.810-813. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.810⟩. ⟨hal-02133674⟩
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Hassan Hamad, Christophe Raynaud, Pascal Bevilacqua, Sigo Scharnholz, Dominique Planson. Temperature Dependence of 4H-SiC Ionization Rates Using Optical Beam Induced Current. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2015, 821-823, pp.223 - 228. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.223⟩. ⟨hal-01387987⟩
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Mihai Lazar, Selsabil Sejil, L. Lalouat, Christophe Raynaud, D. Carole, et al.. P-Type Doping of 4H-SiC for Integrated Bipolar and Unipolar Devices. Romanian Journal of Information Science and Technology, Romanian Academy, 2015, 18 (4), pp.329-342. ⟨hal-01626119⟩
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Tony Abi-Tannous, Maher Soueidan, Gabriel Ferro, Mihai Lazar, Berangère Toury, et al.. A Study on the Chemistry of Epitaxial Ti3SiC2 Formation on 4H-SiC Using Al-Ti Annealing. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2015, 821-823, pp.432-435. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.432⟩. ⟨hal-01391858⟩
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Hassan Hamad, Pascal Bevilacqua, Dominique Planson, Christophe Raynaud, Dominique Tournier, et al.. 2D Electric field imagery in 4H-SiC power diodes using OBIC technique. European Physical Journal: Applied Physics, EDP Sciences, 2015, Electrical Engineering Symposium (SGE 2014), 72 (2), pp.20101. ⟨10.1051/epjap/2015150054⟩. ⟨hal-01387989⟩
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Hassan Hamad, Christophe Raynaud, Pascal Bevilacqua, Dominique Tournier, Bertrand Vergne, et al.. Optical beam induced current measurements based on two-photon absorption process in 4H-SiC bipolar diodes. Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2014, 104 (8), ⟨10.1063/1.4866581⟩. ⟨hal-01387924⟩
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Thibaut Chailloux, Cyril Calvez, Nicolas Thierry Thierry-Jebali, Dominique Planson, Dominique Tournier. SiC Power Devices Operation from Cryogenic to High Temperature: Investigation of Various 1.2kV SiC Power Devices. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2014, 778-780, pp.1122 - 1125. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.1122⟩. ⟨hal-01628242⟩
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Nicolas Thierry-Jebali, Mihai Lazar, A. Vo-Ha, D. Carole, V. Soulière, et al.. Applications of Vapor-Liquid-Solid Selective Epitaxy of Highly p-type Doped 4H-SiC: PiN Diodes with Peripheral Protection and Improvement of Specific Contact Resistance of Ohmic Contacts. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2014, Silicon Carbide and Related Materials 2013, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.639⟩. ⟨hal-01987147⟩
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A. Vo-Ha, D. Carole, Mihai Lazar, Dominique Tournier, F. Cauwet, et al.. Understanding the growth of p-doped 4H-SiC layers using vapour–liquid–solid transport. Thin Solid Films, Elsevier, 2013, 548, pp.125 - 129. ⟨10.1016/j.tsf.2013.09.030⟩. ⟨hal-01627830⟩
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N. Thierry-Jebali, A. Vo-Ha, D. Carole, Mihai Lazar, Gabriel Ferro, et al.. Very low specific contact resistance measurements made on a highly p-type doped 4H-SiC layer selectively grown by vapor-liquid-solid transport. Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2013, 102 (21), ⟨10.1063/1.4809570⟩. ⟨hal-01627796⟩
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Farah Laariedh, Mihai Lazar, P. Cremillieu, J. Penuelas, J-L Leclercq, et al.. The role of nickel and titanium in the formation of ohmic contacts on p-type 4H–SiC. Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2013, 28 (4), ⟨10.1088/0268-1242/28/4/045007⟩. ⟨hal-01627844⟩
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Laurent Ottaviani, Mihai Lazar, Marie-Laure Locatelli, Dominique Planson, Jean-Pierre Chante, et al.. Characteristics of aluminum-implanted 6H-SiC samples after different thermal treatments. Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 2002, 90 (3), pp.301-308. ⟨10.1016/S0921-5107(02)00002-8⟩. ⟨hal-00140116⟩
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F. Nallet, Dominique Planson, Philippe Godignon, Marie-Laure Locatelli, Mihai Lazar, et al.. Experimental characterization of a 4H-SiC high voltage current limiting device. Applied Surface Science, Elsevier, 2001, 184 (1-4), pp.404-407. ⟨hal-00140117⟩
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Karine Isoird, Mihai Lazar, Laurent Ottaviani, Marie-Laure Locatelli, Christophe Raynaud, et al.. Study of 6H-SiC high voltage bipolar diodes under reverse biases. Applied Surface Science, Elsevier, 2001, 184 (1-4), pp.477-482. ⟨10.1016/S0169-4332(01)00537-2⟩. ⟨hal-00140118⟩
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Mihai Lazar, Laurent Ottaviani, Marie-Laure Locatelli, Christophe Raynaud, Dominique Planson, et al.. High Electrical Activation of Aluminium and Nitrogen Implanted in 6H-SiC at Room Temperature by RF Annealing. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2001, 353-356, pp.571-574. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.353-356.571⟩. ⟨hal-02151710⟩
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N. S. Savkina, A. A. Lebedev, D. V. Davydov, A. M. Strel'Chuk, A. S. Tregubova, et al.. Low-doped 6H-SiC n-type epilayers grown by sublimation epitaxy. Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 2000, 77 (1), pp.50-54. ⟨hal-00140585⟩
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Karine Isoird, Laurent Ottaviani, Marie-Laure Locatelli, Dominique Planson, Christophe Raynaud, et al.. Study of the Breakdown Voltage of Protected or Non-Protected 6H-SiC Bipolar Diodes by OBIC Characterisation. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2000, 338-342, pp.1363-1366. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.1363⟩. ⟨hal-02281030⟩
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Mihai Lazar, Laurent Ottaviani, Marie-Laure Locatelli, Dominique Planson, Bruno Canut, et al.. Improved Annealing Process for 6H-SiC p+-n Junction Creation by Al Implantation. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2000, 338-342, pp.921-924. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.921⟩. ⟨hal-02275720⟩
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Dominique Planson, Marie-Laure Locatelli, F. Lanois, Jean-Pierre Chante. Design of a 600 V silicon carbide vertical power MOSFET. Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 1999, 61 (2), pp.497-501. ⟨hal-00141536⟩
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Laurent Ottaviani, Marie-Laure Locatelli, Dominique Planson, Karine Isoird, Jean-Pierre Chante, et al.. P-N Junction creation in 6H-SiC by aluminum implantation. Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 1999, 61 (2), pp.424-428. ⟨hal-00141527⟩
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S. Berberich, Philippe Godignon, José del R. Millán, Dominique Planson, H. Hartnagel, et al.. Electrical characterisation of MNOS devices on p-type 6H-SiC. Diamond and Related Materials, Elsevier, 1999, 8 (2-5), pp.305-308. ⟨hal-00141547⟩
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Laurent Ottaviani, Dominique Planson, Marie-Laure Locatelli, Jean-Pierre Chante, B. Canut, et al.. Post-Implantation Annealing of Aluminium in 6H-SiC. Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 1998, 264-268, pp.709-712. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.709⟩. ⟨hal-02281029⟩
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Jean-Pierre Chante, Bruno Allard, Dominique Bergogne, Francis Calmo, René Elhinger, et al.. Les composants de puissance : état de l'art, les évolutions. Revue Internationale de Génie Electrique, RIGE, 1998. ⟨hal-02117240⟩
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A. A. Lebedev, S. Ortolland, Christophe Raynaud, Marie-Laure Locatelli, Dominique Planson, et al.. Deep centers and negative temperature coefficient of the breakdown voltage of SiC p-n structures. Semiconductors, 1997, 31 (7), pp.735-737. ⟨hal-00141601⟩
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Dominique Planson, Marie-Laure Locatelli, S. Ortolland, Jean-Pierre Chante, H. Mitlehner, et al.. Periphery protection for silicon carbide devices: State of the art and simulation. Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 1997, 46 (1-3), pp.210-217. ⟨hal-00141603⟩
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B. Canut, S. Ramos, J. Roger, Jean-Pierre Chante, Marie-Laure Locatelli, et al.. Damage annealing and dopant activation in Al ion implanted alpha-SiC. Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 1997, 46 (1-3), pp.267-270. ⟨10.1016/S0921-5107(96)01986-1⟩. ⟨hal-00141605⟩
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F. Lanois, P. Lassagne, Dominique Planson, Marie-Laure Locatelli. Angle etch control for silicon carbide power devices. Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 1996, 69 (2), pp.236-238. ⟨hal-00141623⟩
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Communication dans un congrès

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Atse Julien Eric N’dohi, Camille Sonneville, Soufiane Saidi, Thi Huong Ngo, P. de Mierry, et al.. MULTIPHYSICS CHARACTERIZATIONS OF VERTICAL GaN SCHOTTKY DIODES. POWER 2021 (IMAPS), Nov 2021, Tours, France. ⟨hal-03676940⟩
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S Scharnholz, R Hassdorf, D Bauersfeld, B Vergne, Luong Viêt Phung, et al.. Investigation of SiC thyristors with varying amplifying gate design. European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2020) 2021, Oct 2021, Tours, France. ⟨hal-03410752⟩
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Alina Muravitskaya, Anna Rumyantseva, A J E Ndohi, Camille Sonneville, Dominique Planson, et al.. Enhanced Resonant Raman scattering of GaN functional layers using Al thin films -a versatile tool for multilayer structure analysis. ECSCRM2020-2021, Oct 2021, Tours, France. ⟨hal-03410757⟩
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P Godignon, J Montserrat, J Rebollo, Dominique Planson. Edge terminations for 4H-SiC power devices: a critical issue. ECSCRM 2020-2021, Oct 2021, Tours, France. ⟨hal-03418183⟩
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Dominique Planson, C Sonneville, P Bevilacqua, L V Phung, B Asllani, et al.. 4H-SiC PiN diode protected by narrow field rings investigated by the micro-OBIC method. ECSCRM 2020-2021, Oct 2021, Tours, France. ⟨hal-03410274⟩
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Joao Oliveira, Ali Alhoussen, Florent Loiselay, Hervé Morel, Dominique Planson. Switching Behavior and Comparison of Wide Bandgap Devices for Automotive Applications. EPE 2021 ECCE Europe, Sep 2021, Ghent, Belgium. ⟨hal-03260519⟩
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Ralph Makhoul, Karine Isoird, Viet Luong, Dominique Planson. Conception de diodes TMBS haute tension (6kV) en diamant. SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2020), Jul 2021, Nantes, France. ⟨hal-03355128⟩
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Atse Julien Eric N’dohi, Camille Sonneville, Thi Huong Ngo, P. de Mierry, Éric Frayssinet, et al.. Homo epitaxial n-doped GaN layers investigation using Raman Spectroscopy for Vertical device applications. EXMATEC / WOCSDICE 2021 : 15th Expert Evaluation and Control of Compounds of Semiconductor Materials and Technologies, Jun 2021, Bristol, United Kingdom. ⟨hal-03676503⟩
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Joao Oliveira, Florent Loiselay, Hervé Morel, Dominique Planson. Switching Loss Estimation Using a Validated Model of 650 V GaN HEMTs. EPE’20 ECCE Europe, Sep 2020, Lyon, France. ⟨10.23919/EPE20ECCEEurope43536.2020.9215793⟩. ⟨hal-02945913⟩
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02945913/file/0310_SOARES_DE_OLIVEIRA.pdf BibTex
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Besar Asllani, Hervé Morel, Pascal Bevilacqua, Dominique Planson. Demonstration of the Short-circuit Ruggedness of a 10 kV Silicon Carbide Bipolar Junction Transistor. EPE’20 ECCE Europe, Sep 2020, Lyon, France. ⟨10.23919/EPE20ECCEEurope43536.2020.9215769⟩. ⟨hal-02945919⟩
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02945919/file/EPE20_SuperGrid_basllani_VFF-hm.pdf BibTex
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Joao Oliveira, Hervé Morel, Dominique Planson, Florent Loiselay. Analysis of Parasitic Elements in Power Modules Based on GaN Components. PCIM Europe 2020, Jul 2020, Nuremberg, Germany. ⟨hal-02945892⟩
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02945892/file/Paper%205764%20%28PCIM2020%29%20%20-%20Joao%20Oliveira.pdf BibTex
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Camille Sonneville, Dominique Planson, Luong Viêt Phung, Pascal Bevilacqua, Besar Asllani. Interest of using a micro-meter spatial resolution to study SiC semi-conductor devices by Optical Beam Induced Current (OBIC). International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019, Sep 2019, Kyoto, Japan. pp.Mo-P-23. ⟨hal-02428502⟩
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Besar Asllani, Dominique Planson, Hervé Morel, T Lagier. Static characteristics of 5 kV SiC BJTs and Darlington’s. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) 2019, Sep 2019, Kyoto, Japan. ⟨hal-02428513⟩
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Camille Sonneville, Dominique Planson, Luong Viêt Phung, Besar Asllani, Pascal Bevilacqua. Effects of the laser beam size on the Optical Beam Induced Current (OBIC) for the study of Wide Band Gap (WBG) Semi-Conductor Devices. Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits 2019 (WOCSDICE 2019), Jun 2019, Cabourg, France. ⟨hal-02164000⟩
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Besar Asllani, Alberto Castellazzi, Oriol Aviño Salvado, Asad Fayyaz, Hervé Morel, et al.. V TH -Hysteresis and Interface States Characterisation in SiC Power MOSFETs with Planar and Trench Gate. IRPS, Mar 2019, Monterey, CA, United States. ⟨hal-02099781⟩
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Besar Asllani, Hervé Morel, Dominique Planson, Asad Fayyaz, Alberto Castellazzi. SiC power MOSFETs Threshold-voltage hysteresis and its impact on Short Circuit operation. ESARS-ITEC, IEEE, Nov 2018, Nottingham, United Kingdom. ⟨10.1109/ESARS-ITEC.2018.8607547⟩. ⟨hal-01984359⟩
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Dominique Planson, Luong-Viet Phung, Besar Asllani, Pascal Bevilacqua, Hassan Hamad, et al.. Experimental and simulation results of OBIC Technique Applied to Wide Bandgap Semiconductors. e-MRS Fall Meeting, Sep 2018, Varsovie, Poland. ⟨hal-02116919⟩
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Besar Asllani, Pascal Bevilacqua, A. Zaoui, G Grosset, Dominique Planson, et al.. High-Voltage SiC-JFET Fabrication and Full Characterization. ECSCRM'18, Sep 2018, Birmingham, United Kingdom. pp.TU.P_BP5. ⟨hal-02428523⟩
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Teng Zhang, Christophe Raynaud, Dominique Planson. Multi-barrier height characterization and DLTS study on Ti/W 4H-SiC Schottky Diode. ECSCRM'18, Sep 2018, Birmingham, United Kingdom. ⟨hal-02004837⟩
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Besar Asllani, Dominique Planson, Pascal Bevilacqua, J B Fonder, B Choucoutou, et al.. Advanced Electrical characterisation of high voltage 4H-SiC PiN diodes. ECSCRM'18, Sep 2018, Birmingham, United Kingdom. pp.WE.P.RD2. ⟨hal-01985994⟩
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B Choucoutou, Besar Asllani, L V Phung, J B Fonder, Dominnique Tournier, et al.. Conception and high temperature characterization of 10 kV 50 A 4H-SiC PiN diodes. European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2018, Birmingham, United Kingdom. ⟨hal-02004841⟩
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Teng Zhang, Christophe Raynaud, Dominique Planson. Mesure et analyse de la hauteur de barrière des contacts Schottky Mo sur SiC-4H. Symposium de Génie Electrique (SGE'18), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. ⟨hal-02983328⟩
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Besar Asllani, J B Fonder, Pascal Bevilacqua, Dominique Planson, L. Phung, et al.. Surge driven evolution of Schottky barrier height on 4H-SiC JBS diodes. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017 (ICSCRM 2017), Sep 2017, Washington DC, United States. ⟨hal-02132576⟩
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Julien Pezard, V. Souliere, Mihai Lazar, Naoufel Haddour, François Buret, et al.. Realization and characterization of carbonic layers on 4H-SiC for electrochemical detections. ECSCRM'16, Sep 2016, Halkidiki, Greece. pp.WeP-52. ⟨hal-02138738⟩
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Selsabil Sejil, Mihai Lazar, Davy Carole, Christian Brylinski, Dominique Planson, et al.. Localized VLS Epitaxy Process as a P-type Doping Alternative Technique for 4H-SiC P/N Junctions. Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC 2015), Dec 2015, Arlington, United States. ⟨hal-02428659⟩
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Hassan Hamad, Christophe Raynaud, Pascal Bevilacqua, S Sharnholz, Bertrand Vergne, et al.. Determination of 4H-SiC ionization rates using OBIC based on two-photon absorption. International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015 (ICSCRM 2015), Oct 2015, Giardini Naxos, Italy. ⟨hal-02138523⟩
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A Souguir-Aouani, N. Thierry-Jebali, D Tournier, A yvon, E Collard, et al.. Study and optimization of a 600V Pseudo-vertical GaN-on-silicon rectifier by finite elements simulation. ICSCRM 2015, Oct 2015, Giardini Naxos, Italy. pp.Mo-P-44. ⟨hal-02138522⟩
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Rami Mousa, Dominique Planson, Hervé Morel, Christophe Raynaud. High temperature characterization of SiC-JFET and modelling. ECPEA 2007, Sep 2007, Aalborg, Denmark. pp.1 - 10, ⟨10.1109/EPE.2007.4417501⟩. ⟨hal-00369458⟩
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M. Lazar, Dominique Planson, K. Isoird, Marie-Laure Locatelli, Christophe Raynaud, et al.. 4H-SiC bipolar power diodes realized by ion implantation. CAS 2001 International Semiconductor Conference, Oct 2001, Sinaia, Romania. pp.349-352. ⟨hal-02145397⟩
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Mihai Lazar, Karine Isoird, Laurent Ottaviani, Marie-Laure Locatelli, Christophe Raynaud, et al.. Bipolar silicon carbide power diodes realized by aluminum implantations and high temperature rf-annealing. 43rd Electronic Materials Conference (EMC 2001), Jun 2001, Notre Dame, IN, United States. ⟨hal-02275712⟩
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Mihai Lazar, Laurent Ottaviani, Marie-Laure Locatelli, Christophe Raynaud, Dominique Planson, et al.. High Electrical Activation of Aluminium and Nitrogen Implanted in 6H-SiC at Room Temperature by RF Annealing. European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2000 (ECSCRM 2000), Sep 2000, Kloster Banz, Germany. pp.MoP-72. ⟨hal-02151711⟩
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F. Nallet, A. Senes, Dominique Planson, Marie-Laure Locatelli, J.P. Chante, et al.. Electrical and electrothermal 2D simulations of a 4H-SiC high voltage current limiting device for serial protection applications. 12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings, May 2000, Toulouse, France. pp.287-290, ⟨10.1109/ISPSD.2000.856827⟩. ⟨hal-02972084⟩
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Shan-Qi Zhao, Dominique Planson, Jean-Pierre Chante. A SIMULATION SYSTEM FOR A POWER INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT) WITH TSUPREM-4 AND MEDICI SIMULATORS. 7th European Simulation Symposium (ESS-1995), Oct 1995, Erlangen-Nuremberg, Germany. ⟨hal-02968512⟩
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02968512/file/ess95.pdf BibTex
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Marie-Laure Locatelli, Sylvie Ortolland, Frédéric Lanois, Dominique Planson, Thierry Billon, et al.. Study of Silicon Carbide high voltage ability: experimental results on expitaxial-emitter and implanted-emitter diodes. International Seminar on Silicon Carbide Semiconductor and SiC-based devices, Sep 1995, Novgorod, Russia. ⟨hal-02972067⟩
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Chapitre d'ouvrage

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Christophe Raynaud, Duy Minh Nguyen, Nicolas Dheilly, Dominique Tournier, Pierre Brosselard, et al.. Optical Beam Induced Current Measurements: principles and applications to SiC device characterisation. Peter Friedrichs, Tsunenobu Kimoto, Lothar Ley, Gerhard Pensl. Silicon Carbide: Volume 1: Growth, Defects, and Novel Applications, Wiley, 319-340 (chapitre 12), 2009. ⟨hal-00661529⟩
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Marie-Laure Locatelli, Dominique Planson. Silicon carbide applications in power electronics. Robert Perret. Power Electronics Semiconductor Devices, Wiley-ISTE, pp.185-265, 2009. ⟨hal-00661525⟩
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Brevet

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Mihai Lazar, Dominique Planson, Hervé Morel, Christophe Couteau. FABRICATION D’UN COMPOSANT EMETTEUR DE RAYONNEMENT A PARTIR D’UN SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM. France, N° de brevet: FR2201064. 2022. ⟨hal-03702870⟩
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Mihai Lazar, Dominique Planson, Hervé Morel, Gilles Lerondel, Komla Dunyo Nomenyo. CREATION D’UNE FENETRE DE SORTIE DE RAYONNEMENT POUR UN COMPOSANT PHOTOEMETTEUR. France, N° de brevet: FR2201067. 2022. ⟨hal-03702862⟩
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Pré-publication, Document de travail

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Florian Chevalier, Pierre Brosselard, Dominique Planson, Pascal Bevilacqua, Grégory Grosset, et al.. Quality of the ohmic contact on 4H-SiC p + area and its impact on direct conduction and voltage capability. 2013. ⟨hal-01113182⟩
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01113182/file/2013-MicroRel.pdf BibTex
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Florian Chevalier, Pierre Brosselard, Dominique Planson, Pascal Bevilacqua, Grégory Grosset, et al.. A complete methodology for determining the influence of the design for 3.3 kV silicon carbide diodes : JBS compared to Schottky. 2013. ⟨hal-01113181⟩
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01113181/file/2013-SolidStateElec.pdf BibTex