Article dans une revue
2019
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- Teng Zhang, Christophe Raynaud, Dominique Planson. Multi-barrier height characterization and DLTS study on Ti/W 4H-SiC Schottky Diode. Materials Science Forum, 2019, 963, pp.576-579. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.963.576⟩. ⟨hal-02436812⟩
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- Teng Zhang, Christophe Raynaud, Dominique Planson. Measure and analysis of 4H-SiC Schottky barrier height with Mo contacts. European Physical Journal: Applied Physics, 2019, 85 (1), pp.10102. ⟨10.1051/epjap/2018180282⟩. ⟨hal-02047099⟩
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2018
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- Teng Zhang, Bruno Allard, J. Bi. The synergetic effects of high temperature gate bias and total ionization dose on 1.2 kV SiC devices. Microelectronics Reliability, 2018, 88-90, pp.631-635. ⟨10.1016/j.microrel.2018.06.046⟩. ⟨hal-01946971⟩
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Communication dans un congrès
2018
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- Teng Zhang, Christophe Raynaud, Dominique Planson. Multi-barrier height characterization and DLTS study on Ti/W 4H-SiC Schottky Diode. ECSCRM'18, Sep 2018, Birmingham, United Kingdom. ⟨hal-02004837⟩
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- Teng Zhang, Christophe Raynaud, Dominique Planson. Mesure et analyse de la hauteur de barrière des contacts Schottky Mo sur SiC-4H. Symposium de Génie Electrique (SGE'18), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. ⟨hal-02983328⟩
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Thèse
2018
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- Teng Zhang. Deep levels characterizations in SiC to optimize high voltage devices. Electronics. Université de Lyon, 2018. English. ⟨NNT : 2018LYSEI108⟩. ⟨tel-02124529⟩
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