Article dans une revue
2017
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- Thomas Santini, Sebastien Morand, Mitra Fouladirad, Florent Miller, Antoine Grall, et al.. Non-homogenous gamma process: Application to SiC MOSFET threshold voltage instability. Microelectronics Reliability, 2017, 75, pp.14 - 19. ⟨10.1016/j.microrel.2017.06.007⟩. ⟨hal-01874237⟩
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2014
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- Thomas Santini, Sebastien Morand, Mitra Fouladirad, Luong Viêt Phung, Florent Miller, et al.. Accelerated degradation data of SiC MOSFETs for lifetime and Remaining Useful Life assessment. Microelectronics Reliability, 2014, 54 (9-10), pp.1718-1723. ⟨10.1016/j.microrel.2014.07.082⟩. ⟨hal-02297238⟩
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Communication dans un congrès
2015
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- Bruno Allard, Guy Clerc, Emil Dumitrescu, Ronan German, Aurélien Lièvre, et al.. Reliability and Safety Monitoring for more Electrical Transportation. APE Automotive Power Electronics, Apr 2015, Paris, France. ⟨hal-01922178⟩
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- Thomas Santini, Mitra Fouladirad, Antoine Grall, S. Morand, F. Miller, et al.. Residual lifetime estimation and high power electronic devices. 25th European Safety and Reliability Conference, ESREL 2015, Sep 2015, Zürich, Switzerland. ⟨hal-02615175⟩
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Thèse
2016
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- Thomas Santini. Contribution à l'étude de la fiabilité des MOSFETs en carbure de silicium. Electronique. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEI021⟩. ⟨tel-01495657⟩
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