Publications HAL de la collection IEMN

2024

Journal articles

titre
Highlighting the role of 3C–SiC in the performance optimization of (Al,Ga)N‒based High‒Electron mobility transistors
auteur
Micka Bah, Daniel Alquier, Marie Lesecq, Nicolas Defrance, Damien Valente, Thi Huong Ngo, Eric Frayssinet, Marc Portail, Jean-Claude de Jaeger, Yvon Cordier
article
Materials Science in Semiconductor Processing, 2024, 171, pp.107977. ⟨10.1016/j.mssp.2023.107977⟩
identifiant
hal-04378667
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titre
A G-band Packaged Amplified Noise Source using SiGe BiCMOS 55 nm Technology
auteur
Victor Fiorese, Joao Carlos Azevedo Goncalves, Simon Bouvot, Sylvie Lepilliet, Daniel Gloria, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Emmanuel Dubois
article
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2024, 72 (3), pp.1775 - 1789. ⟨10.1109/TMTT.2023.3311476⟩
identifiant
hal-04192337
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https://hal.science/hal-04192337/file/A_Gband_Packaged_Amplified_Noise_Source_using_SiGe_BiCMOS_55nm_Technology.pdf BibTex
titre
Estimation of electrostatic, analogue, Linearity/RF figures-of-merit for GaN/SiC HEMT
auteur
Sabrina Alam, Fahmida Sharmin Jui, Christophe Gaquière, Mohammad Abdul Alim
article
Micro and Nanostructures, 2024, 186, pp.207738. ⟨10.1016/j.micrna.2023.207738⟩
identifiant
hal-04419327
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titre
Analysis of Trapping Effects on AlInN/GaN High Electron Mobility Transistors with Pulsed Electrical Measurements Under Visible and Infrared Illumination
auteur
Raphaël Strenaer, Yannick Guhel, Christophe Gaquière, Bertrand Boudart
article
physica status solidi (a), 2024, ⟨10.1002/pssa.202300653⟩
identifiant
hal-04408068
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2023

Journal articles

titre
Comparative study of electrical investigation for temperature measurement in AlGaN/GaN HEMT
auteur
Fahmida Sharmin Jui, Sabrina Alam, Anwar Jarndal, Christophe Gaquiere, Mohammad Alim
article
Journal of Computational Electronics, 2023, ⟨10.1007/s10825-023-02121-w⟩
identifiant
hal-04369026
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titre
Time-resolved self-heating temperature measurements of AlInN/GaN HEMTs using CeO2 Raman micro-thermometers
auteur
R. Strenaer, Y. Guhel, C. Gaquiere, B. Boudart
article
Microelectronics Reliability, 2023, 150, pp.115156. ⟨10.1016/j.microrel.2023.115156⟩
identifiant
hal-04281820
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titre
Highly Si‐doped GaN regrown by MOVPE for ohmic contact applied to quaternary barrier based HEMT
auteur
Charles Pitaval, Cédric Lacam, N. Defrance, Christophe Gaquière, Nicolas Michel, Olivier Parillaud, Sylvain Delage
article
physica status solidi (a), 2023, 220 (16), pp.2200476. ⟨10.1002/pssa.202200476⟩
identifiant
hal-03875911
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titre
On the Practical Limitations for the Generation of Gunn Oscillations in Highly Doped GaN Diodes
auteur
S. García-Sánchez, M. Abou Daher, M. Lesecq, L. Huo, R. Lingaparthi, D. Nethaji, K. Radhakrishnan, I. Íñiguez-De-La-Torre, B. Vasallo, S. Pérez, T. González, J. Mateos
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70 (7), pp.3447 - 3453. ⟨10.1109/TED.2023.3271610⟩
identifiant
hal-04115233
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https://hal.science/hal-04115233/file/Garc%C3%ADa-S%C3%A1nchez_2023_On%20the%20Practical%20Limitations%20for%20the%20Generation%20of%20Gunn%20Oscillations%20in%20Highly%20Doped%20GaN%20Diodes.pdf BibTex
titre
Optimized emitter-base interface cleaning for advanced Heterojunction Bipolar Transistors
auteur
E. Brezza, F. Deprat, C. de Buttet, A. Gauthier, M. Gregoire, D. Guiheux, V. Guyader, M. Juhel, I. Berbezier, E. Assaf, L. Favre, P. Chevalier, Christophe Gaquière, N. Defrance
article
Solid-State Electronics, 2023, 204, pp.108654. ⟨10.1016/j.sse.2023.108654⟩
identifiant
hal-04084450
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titre
Investigation of Current Collapse Mechanism on AlGaN/GaN Power Diodes
auteur
Martin Doublet, N. Defrance, Etienne Okada, Loris Pace, Thierry Duquesne, Bouyssou Emilien, Arnaud Yvon, Nadir Idir, Jean-Claude de Jaeger
article
Electronics, 2023, 12 (9), pp.2007. ⟨10.3390/electronics12092007⟩
identifiant
hal-04107504
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titre
Effect of different separation frequencies of the two-tone input signal on the output power of GaN on SiC HEMT
auteur
Mohammad Abdul Alim, Mayahsa Ali, Christophe Gaquière
article
Micro and Nanostructures, 2023, 177, pp.207547. ⟨10.1016/j.micrna.2023.207547⟩
identifiant
hal-04034333
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titre
Performance improvement with non-alloyed ohmic contacts technology on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on 6H-SiC substrate
auteur
Marie Lesecq, Yassine Fouzi, Ali Abboud, N. Defrance, Francois Vaurette, Saliha Ouendi, Etienne Okada, Marc Portail, Micka Bah, Daniel Alquier, Jean-Claude de Jaeger, Eric Frayssinet, Yvon Cordier
article
Microelectronic Engineering, 2023, 276, pp.111998. ⟨10.1016/j.mee.2023.111998⟩
identifiant
hal-04084512
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https://hal.science/hal-04084512/file/Performance%20improvement%20with%20non-alloyed%20ohmic%20contacts%20technology%20on%20AlGaN-GaN.pdf BibTex
titre
A study of DC and RF transconductance for different technologies of HEMT at low and high temperatures
auteur
Mohammad Abdul Alim, Anwar Jarndal, Christophe Gaquière, Giovanni Crupi
article
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2023, 34 (10), pp.892. ⟨10.1007/s10854-023-10176-5⟩
identifiant
hal-04086367
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titre
Low-Earth Orbit User Segment in the Ku and Ka-Band: An Overview of Antennas and RF Front-End Technologies
auteur
Giandomenico Amendola, Daniele Cavallo, Tobias Chaloun, Nicolas Defrance, George Goussetis, Marc Margalef-Rovira, Enrica Martini, Oscar Quevedo-Teruel, Vaclav Valenta, Nelson J.G. Fonseca, Mauro Ettorre
article
IEEE Microwave Magazine, 2023, 24 (2), pp.32-48. ⟨10.1109/MMM.2022.3217961⟩
identifiant
hal-04298902
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titre
Fabrication, and direct current and cryogenic analysis of SF6-treated AlGaN/GaN Schottky barrier diodes
auteur
Quentin Fornasiero, Nicolas Defrance, Sylvie Lepilliet, Vanessa Avramovic, Yvon Cordier, Eric Frayssinet, Marie Lesecq, Nadir Idir, Jean-Claude de Jaeger
article
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, 2023, 41 (1), pp.012202. ⟨10.1116/6.0002125⟩
identifiant
hal-03917965
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https://hal.science/hal-03917965/file/Fornasiero_Fabrication%2C%20and%20DC%20and%20cryogenic%20analysis%20of%20SF6-treated%20AlGaN%20GaN%20Schottky%20barrier%20diodes.pdf BibTex

Conference papers

titre
300 GHz super heterodyne link over 645 m with frequency duplexing for point to point backhauls
auteur
Alexandre Renau, Caroline Maye, D. Wrana, S. Haussmann, I. Kallfass, L. John, B.K. Jung, U. Hellrung, P. Schlegel, T. Kuerner, R.P. Braun, Y. Leiba, T. Kawanishi, S. Hisatake, K. Kondou, P. Szriftgiser, Guillaume Ducournau
article
2023 53rd European Microwave Conference (EuMC), Sep 2023, Berlin, Germany. pp.130-133, ⟨10.23919/EuMC58039.2023.10290501⟩
identifiant
hal-04278000
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titre
Evaluation of the electrical properties of ScAlN/GaN HEMTs grown by ammonia source molecular beam epitaxy
auteur
Caroline Elias, Sebastien Chenot, Florian Bartoli, Seif El-Whibi, Jean-Claude de Jaeger, Marie Lesecq, Maxime Hugues, Yvon Cordier
article
Wocsdice - Exmatec 2023 Conference, May 2023, Palermo, Italy
identifiant
hal-04444068
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https://hal.science/hal-04444068/file/Evaluation%20of%20the%20electrical%20properties%20of%20ScAlNGaN%20HEMTs%20grown%20by%20ammonia%20source%20molecular%20beam%20epitaxy.pdf BibTex

Theses

titre
Reprise de croissance MOVPE des contacts ohmiques pour des dispositifs de type HEMT à base de GaN
auteur
Charles Pitaval
article
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lille, 2023. Français. ⟨NNT : 2023ULILN020⟩
identifiant
tel-04484920
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https://theses.hal.science/tel-04484920/file/These_PITAVAL_Charles.pdf BibTex

2022

Journal articles

titre
Heterojunction bipolar transistor featuring a stressed implanted collector: Defects formation and impact on functionality
auteur
Edoardo Brezza, Paul Dumas, Alexis Gauthier, Fanny Hilario, Pascal Chevalier, Christophe Gaquière, N. Defrance
article
Microelectronics Reliability, 2022, 139, pp.114847. ⟨10.1016/j.microrel.2022.114847⟩
identifiant
hal-03852631
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titre
Self-heating temperature measurement in AlInN/GaN HEMTs by using CeO2 and TiO2 micro-raman thermometers
auteur
R. Strenaer, Y. Guhel, G. Brocero, C. Gaquiere, B. Boudart
article
Microelectronics Reliability, 2022, 138, pp.114693. ⟨10.1016/j.microrel.2022.114693⟩
identifiant
hal-03842886
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titre
Trapping Effect in AlInN/GaN HEMTs: A Study Based on Photoionization and Pulsed Electrical Measurements
auteur
R. Strenaer, Y. Guhel, C. Gaquiere, B. Boudart
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69 (11), pp.6010-6015. ⟨10.1109/TED.2022.3209636⟩
identifiant
hal-03812913
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titre
Breakdown mechanism of AlGaN/GaN HEMT on 200-mm silicon substrate with silicon implant-assisted contacts
auteur
Antoine Chanuel, Yveline Gobil, Chuan Lun Hsu, Matthew Charles, Marianne Coig, Jerome Biscarrat, Francois Aussenac, N. Defrance, Christophe Gaquière, Fred Gaillard, Erwan Morvan
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69 (10), pp.5530-5535. ⟨10.1109/TED.2022.3201837⟩
identifiant
hal-03775876
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titre
Dual role of 3C-SiC interlayer on DC and RF isolation of GaN/Si-based devices
auteur
A. El Hadi Khediri, B. Benbakhti, J.-C. Gerbedoen, H. Maher, A. Jaouad, Nour Eddine Bourzgui, Ali Soltani
article
Applied Physics Letters, 2022, 121 (12), pp.122103. ⟨10.1063/5.0102644⟩
identifiant
hal-03787871
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titre
Selective sublimation of GaN and regrowth of AlGaN to co-integrate enhancement mode and depletion mode high electron mobility transistors
auteur
Thi Huong Ngo, Rémi Comyn, Sébastien Chenot, Julien Brault, Maud Nemoz, Philippe Vennéguès, Benjamin Damilano, S. Vézian, Eric Frayssinet, Flavien Cozette, N. Defrance, François Lecourt, Nathalie Labat, Hassan Maher, Yvon Cordier
article
Journal of Crystal Growth, 2022, 593, pp.126779. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2022.126779⟩
identifiant
hal-03741626
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https://hal.science/hal-03741626/file/ThiHuongNgo_JCrystalGrowth_AAM_2022.pdf BibTex
titre
Innovative millimetre‐wave resonators based on slow‐wave coplanar stripline components
auteur
Abdelhalim Saadi, Marc Margalef‐rovira, Youcef Amara, Loïc Vincent, Sylvie Lepilliet, Christophe Gaquière, Philippe Ferrari
article
IET Microwaves Antennas and Propagation, 2022, 16, pp 477-488. ⟨10.1049/mia2.12260⟩
identifiant
hal-03666401
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https://hal.science/hal-03666401/file/IET%20Microwaves%20Antenna%20%20%20Prop%20-%202022%20-%20Saadi%20-%20Innovative%20millimetre%E2%80%90wave%20resonators%20based%20on%20slow%E2%80%90wave%20coplanar%20stripline.pdf BibTex
titre
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111) for RF Applications
auteur
Marie Lesecq, Eric Frayssinet, Marc Portail, Micka Bah, N. Defrance, Thi Huong Ngo, Mahmoud Abou Daher, Marcin Zielinski, Daniel Alquier, Jean-Claude de Jaeger, Yvon Cordier
article
Materials Science Forum, 2022, 1062, pp.482-486. ⟨10.4028/p-2wi7o8⟩
identifiant
hal-03741438
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https://hal.science/hal-03741438/file/Lesecq_2022_MSF.1062.482.pdf BibTex
titre
Temperature compensated power detector towards power consumption optimization in 5G devices
auteur
Issa Alaji, Etienne Okada, Daniel Gloria, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
Microelectronics Journal, 2022, 120, pp.105351. ⟨10.1016/j.mejo.2021.105351⟩
identifiant
hal-03592954
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https://hal.science/hal-03592954/file/S002626922100330X.pdf BibTex
titre
A cost-effective technology to improve power performance of nanoribbons GaN HEMTs
auteur
Ali Soltani, Brahim Benbakhti, J.-C. Gerbedoen, Abdelkrim Khediri, Maher, Hassan, Jean-Paul Salvestrini, Abdallah Ougazzaden, Nour Eddine Bourzgui, Hassan Ali Barkad
article
Applied Physics Letters, 2022, 120 (4), pp.042102. ⟨10.1063/5.0080240⟩
identifiant
hal-03544158
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https://cnrs.hal.science/hal-03544158/file/APL21-AR-10161%20%281%29.pdf BibTex
titre
Load-Pull Setup Development at 185 GHz for On-Wafer Characterization of SiGe HBT in BiCMOS 55 nm Technology
auteur
Caroline Maye, Sylvie Lepilliet, Etienne Okada, Marc Margalef-Rovira, Issa Alaji, Daniel Gloria, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2022, 70 (1), pp 444-452. ⟨10.1109/TMTT.2021.3111170⟩
identifiant
hal-03507882
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titre
Substrate-Induced Dissipative and Non-Linear Effects in RF Switches: Probing Ultimate Performance Based on Laser-Machined Membrane Suspension
auteur
Arun Bhaskar, Justine Philippe, Etienne Okada, Flavie Braud, J.F. Robillard, Cédric Durand, Frédéric Gianesello, Daniel Gloria, Christophe Gaquière, Emmanuel Dubois
article
Electronics, 2022, 11 (15), pp.2333. ⟨10.3390/electronics11152333⟩
identifiant
hal-03739747
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https://hal.science/hal-03739747/file/Bhaskar_2022_electronics-11-02333-v2.pdf BibTex
titre
Modeling of access resistances and channel temperature estimation for GaN HEMT
auteur
Shariful Islam, Mohammad Abdul Alim, Abu Zahed Chowdhury, Christophe Gaquière
article
Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, 2022, 147, pp.10991-10998. ⟨10.1007/s10973-022-11371-y⟩
identifiant
hal-03670320
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BibTex
titre
Combination of selective area sublimation of p-GaN and regrowth of AlGaN for the co-integration of enhancement mode and depletion mode high electron mobility transistors
auteur
Thi Huong Ngo, Rémi Comyn, Sébastien Chenot, Julien Brault, Benjamin Damilano, Stephane Vezian, Eric Frayssinet, Flavien Cozette, N. Defrance, François Lecourt, Nathalie Labat, Hassan Maher, Yvon Cordier
article
Solid-State Electronics, 2022, 188, pp.108210. ⟨10.1016/j.sse.2021.108210⟩
identifiant
hal-03467546
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https://hal.science/hal-03467546/file/accepted%20manuscript.pdf BibTex
titre
Millimeter-Wave Phased Arrays and Over-the-Air Characterization for 5G and Beyond
auteur
Mattia Maggi, Syrine Hidri, Loic Marnat, Mauro Ettorre, Gerardo Orozco, Marc Margalef-Rovira, Christophe Gaquière, Kamel Haddadi
article
IEEE Microwave Magazine, 2022, 23 (5), pp.67-83. ⟨10.1109/MMM.2022.3148328⟩
identifiant
hal-03635815
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https://hal.science/hal-03635815/file/IEEE%20Magazine%20-%20Overview%20OTA%20and%20Radar%20Arrays%20-%20Jan19_vf.pdf BibTex

Conference papers

titre
Comparison of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111), Si(111) and 6H-SiC for RF applications
auteur
Marie Lesecq, Éric Frayssinet, Marc Portail, Micka Bah, Nicolas Defrance, Thi Huong Ngo, Mahmoud Abou Daher, Ali Abboud, Yassine Fouzi, Marcin Zielinski, Daniel Alquier, Jean-Claude de Jaeger, Yvon Cordier
article
International Workshop on Nitride Semi-conductors, IWN 2022, Oct 2022, Berlin, Germany
identifiant
hal-04037282
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https://hal.science/hal-04037282/file/Comparison%20of%20AlGaNGaN%20High%20Electron%20Mobility%20Transistors%20grown%20by%20MOVPE%20on%203C-SiCSi%20Si%20and%206H-SiC%20for%20RF%20applications.pdf BibTex
titre
A 3D slow-wave transmission line approach for the design of Ka-band CMOS compact filters
auteur
Olivier Occello, L. Boukhezar, Marc Margalef-Rovira, Manuel J. Barragan, Cédric Durand, Loïc Vincent, Philippe Ferrari
article
52nd European Microwave Conference (EuMC 2022), Sep 2022, Milan, Italy. pp.560-563, ⟨10.23919/EuMC54642.2022.9924358⟩
identifiant
hal-03839576
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https://hal.science/hal-03839576/file/2022-EuMW22.pdf BibTex
titre
Compact Patch-like Bandpass Filter using grounded CSRR on BiCMOS 55nm technology
auteur
Mohammed Wehbi, Marc Margalef-Rovira, Cedric Durand, Philippe Ferrari
article
2022 17th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2022, Milan, Italy. pp.33-36, ⟨10.23919/EuMIC54520.2022.9923523⟩
identifiant
hal-03839606
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BibTex
titre
Performance improvement with non-alloyed ohmic contacts technology on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on 6H-SiC substrate
auteur
Marie Lesecq, Y. Fouzi, A. Abboud, N. Defrance, Francois Vaurette, Saliha Ouendi, Etienne Okada, M. Portail, M. Bah, Daniel Alquier, J.C. Dejaeger, E. Frayssinet, Yvon Cordier
article
European Materials Research Society 2022 Fall meeting, (E-MRS 2022), Sep 2022, Warsaw, Poland
identifiant
hal-04039596
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BibTex
titre
Wideband mm-Wave Integrated Passive Tuners for Accurate Characterization of BiCMOS Technologies
auteur
Marc Margalef-Rovira, Caroline Maye, Sylvie Lepilliet, Daniel Gloria, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
99th ARFTG Microwave Measurement Conference 2022, colocated with IEEE/MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2022, Jun 2022, Denver, United States. ⟨10.1109/ARFTG54656.2022.9896490⟩
identifiant
hal-03698168
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titre
Dual-Band Patch Filter 180/270 GHz on BiCMOS 55nm
auteur
Mohammed Wehbi, Marc Margalef-Rovira, Cedric Durand, Sylvie Lepilliet, Ariana L.C. Serrano, Philippe Ferrari
article
2022 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2022, Jun 2022, Denver, United States. pp.248-250, ⟨10.1109/IMS37962.2022.9865564⟩
identifiant
hal-03792411
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titre
Analyse Thermique de Transistors AlInN/GaN avec des Micro-Thermomètres Raman à base de TiO2 et de CeO2
auteur
Raphaël Strenaer, Yannick Guhel, Guillaume Brocero, Christophe Gaquière, B. Boudart
article
XXIIèmes Journées Nationales Microondes, Jun 2022, Limoges, France
identifiant
hal-03702567
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titre
Filtre ultra compact à lignes à ondes lentes 3D en technologie BiCMOS à 29 GHz
auteur
Olivier Occello, Marc Margalef-Rovira, Manuel J. Barragan, Cédric Durand, Philippe Ferrari
article
22èmes Journées Nationales Microondes, Jun 2022, Limoges, France
identifiant
hal-03702506
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BibTex
titre
Tuner intégré large bande en gamme de fréquences millimétriques pour la caractérisation en technologie BiCMOS 55 nm
auteur
Caroline Maye, Marc Margalef-Rovira, Issa Alaji, Sylvie Lepilliet, D. Gloria, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
XXIIèmes Journées Nationales Microondes, Jun 2022, Limoges, France
identifiant
hal-03702577
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BibTex
titre
Integrated Characterization Solutions for ICs and Devices Beyond 100 GHz
auteur
Marc Margalef-Rovira, Issa Alaji, Haitham Ghanem, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
27th European Test Symposium, ETS 2022, May 2022, Barcelone, Spain. Special Session 1 - RF 5G Test
identifiant
hal-03796736
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titre
SiGe Circuits for Future LEO Constellations
auteur
Marc Margalef-Rovira, N. Defrance, Guillaume Ducournau
article
2022 Microwave Mediterranean Symposium (MMS), May 2022, Pizzo Calabro, Italy. pp.1-2, ⟨10.1109/MMS55062.2022.9825590⟩
identifiant
hal-03747640
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BibTex
titre
Design of frequency compensated power detector in the G-band
auteur
Issa Alaji
article
European Microwave Conference, EuMC 2021, Session WS09-EuMC – Workshop Research in Power and S-parameters Measurements at mmWave and Terahertz Frequencies, EuMIC/EuMC/EuMW, Apr 2022, London, United Kingdom
identifiant
hal-03637500
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BibTex
titre
Load-pull measurement of SiGe:C HBT in BiCMOS 55 nm featuring 11 dBm of output power at 185 GHz
auteur
Caroline Maye, Sylvie Lepilliet, Etienne Okada, E. Brezza, A. Gauthier, M. Margalef-Rovira, D. Gloria, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
16th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2021, Apr 2022, London, United Kingdom. ⟨10.23919/EuMIC50153.2022.9783811⟩
identifiant
hal-03637263
Accès au bibtex
BibTex
titre
A 140 GHz to 170 GHz active tunable noise source development in SiGe BiCMOS 55 nm technology
auteur
Victor Fiorese, Joao Carlos, Azevedo Goncalves, Simon Bouvot, Emmanuel Dubois, Christophe Gaquière, Guillaume Ducournau, François Danneville, Sylvie Lépilliet, Daniel Gloria
article
16th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2021, Apr 2022, London, United Kingdom. pp.125-128, ⟨10.23919/EuMIC50153.2022.9783645⟩
identifiant
hal-03637553
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-03637553/file/Fiorese-16thEuMIC.pdf BibTex
titre
Noise Figure Modeling Subject to Frequency and Temperature for AlGaN/GaN HEMTs
auteur
Mohammad Abdul Alim, Ali A Rezazadeh, Christophe Gaquière
article
2022 International Conference on Innovations in Science, Engineering and Technology (ICISET), Feb 2022, Chittagong, Bangladesh. pp.606-609, ⟨10.1109/ICISET54810.2022.9775920⟩
identifiant
hal-03703830
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Theses

titre
Development and evaluation of a new heterojunction bipolar transistor architecture for high-performance and low-cost 55 nm BiCMOS technology
auteur
Edoardo Brezza
article
Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lille, 2022. English. ⟨NNT : 2022ULILN032⟩
identifiant
tel-04086294
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https://theses.hal.science/tel-04086294/file/These_BREZZA_Edoardo.pdf BibTex
titre
Fabrication et caractérisation de transistors HEMT et de diodes à base de GaN pour la conversion de tension DC-DC en électronique de puissance
auteur
Quentin Fornasiero
article
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lille, 2022. Français. ⟨NNT : 2022ULILN035⟩
identifiant
tel-04099910
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https://theses.hal.science/tel-04099910/file/These_FORNASIERO_Quentin.pdf BibTex
titre
Transistor GaN sur Si 200mm compatible CMOS pour l'amplification de puissance en bande Ka : optimisation de l'empilement de grille
auteur
Antoine Chanuel
article
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lille, 2022. Français. ⟨NNT : 2022ULILN034⟩
identifiant
tel-04088113
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https://theses.hal.science/tel-04088113/file/These_CHANUEL_Antoine.pdf BibTex

Preprints, Working Papers, ...

titre
Measurement-based Investigation of the DC and RF Transconductance for Various HEMT Technologies in High-and Low-temperature Conditions
auteur
Mohammad Abdul Alim, Anwar Jarndal, Christophe Gaquière, Giovanni Crupi
article
2022
identifiant
hal-03554744
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2021

Journal articles

titre
Impact of III-nitride/Si interface preconditioning on breakdown voltage in GaN-on-silicon HEMT
auteur
Abdelkrim Khediri, Abbasia Talbi, Abdelatif Jaouad, Hassan Maher, Ali Soltani
article
Micromachines, 2021, 12 (11), pp.1284. ⟨10.3390/mi12111284⟩
identifiant
hal-03403139
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https://hal.science/hal-03403139/file/Impact%20of%20III-NitrideSi%20Interface%20Preconditioning%20on%20Breakdown%20Voltage%20in%20GaN-on-Silicon%20HEMT.pdf BibTex
titre
Electrical and thermal analysis of AlGaN/GaN HEMTs transferred onto diamond substrate through an aluminum nitride layer
auteur
Mahmoud Abou Daher, Marie Lesecq, N. Defrance, Etienne Okada, Bertrand Boudart, Yannick Guhel, Jean-Guy Tartarin, Jean-Claude de Jaeger
article
Microwave and Optical Technology Letters, 2021, 63 (9), pp.2376-2380. ⟨10.1002/mop.32919⟩
identifiant
hal-03249292
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titre
Design of coupled slow-wave CPW millimeter-wave bandpass filter beyond 100 GHz in 55-nm BiCMOS technology
auteur
Abdelhalim Saadi, Marc Margalef-Rovira, Olivier Occello, Loïc Vincent, Sylvie Lepilliet, Christophe Gaquière, Philippe Ferrari
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68 (9), pp.4259-4266. ⟨10.1109/TED.2021.3094780⟩
identifiant
hal-03347680
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titre
Estimation of channel temperature and thermal sensitivity for a 0.15 μm GaN HEMT
auteur
Abu Zahed Chowdhury, Mohammad Abdul Alim, Shariful Islam, Christophe Gaquière
article
Microelectronic Engineering, 2021, 247, pp.111595. ⟨10.1016/j.mee.2021.111595⟩
identifiant
hal-03347666
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titre
An experimental and systematic insight into the temperature sensitivity for a 0.15-µm gate-length HEMT based on the GaN technology
auteur
Mohammad Abdul Alim, Christophe Gaquière, Giovanni Crupi
article
Micromachines, 2021, 12 (5), pp.549. ⟨10.3390/mi12050549⟩
identifiant
hal-03261250
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https://hal.science/hal-03261250/file/ALIM_micromachines_2021_12_5.pdf BibTex
titre
Temperature-sensitivity of two microwave HEMT devices: AlGaAs/GaAs vs. AlGaN/GaN heterostructures
auteur
Mohammad Abdul Alim, Abu Zahed Chowdhury, Shariful Islam, Christophe Gaquière, Giovanni Crupi
article
Electronics, 2021, 10 (9), pp.1115. ⟨10.3390/electronics10091115⟩
identifiant
hal-03278479
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https://hal.science/hal-03278479/file/Alim_Electronics%202021-10.pdf BibTex
titre
Design of zero bias power detectors towards power consumption optimization in 5G devices
auteur
Issa Alaji, Walid Aouimeur, Haitham Ghanem, Etienne Okada, Sylvie Lepilliet, Daniel Gloria, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
Microelectronics Journal, 2021, 111, pp.105035. ⟨10.1016/j.mejo.2021.105035⟩
identifiant
hal-03542166
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https://hal.science/hal-03542166/file/S002626922100046X.pdf BibTex
titre
Coplanar waveguides on BCB measured up to 760 GHz
auteur
Nicolas Zerounian, Walid Aouimeur, Anne-Sophie Grimault-Jacquin, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Frédéric Aniel
article
Journal of Electromagnetic Waves and Applications, 2021, pp.1-11. ⟨10.1080/09205071.2021.1930588⟩
identifiant
hal-03279194
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titre
Design and characterization of (140-220) GHz frequency compensated power detector
auteur
Issa Alaji, Sylvie Lepilliet, Daniel Gloria, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2021, 69 (4), pp.2352-2356. ⟨10.1109/TMTT.2021.3062054⟩
identifiant
hal-03390228
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titre
Parasitic loop inductances reduction in the PCB layout in GaN-based power converters using S-parameters and EM simulations
auteur
Loris Pace, Nadir Idir, Thierry Duquesne, Jean-Claude de Jaeger
article
Energies, 2021, 14 (5), pp.1495. ⟨10.3390/en14051495⟩
identifiant
hal-03168976
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https://hal.science/hal-03168976/file/LPACE_energies-14-01495_VF.pdf BibTex
titre
Design of tunable power detector towards 5G applications
auteur
Issa Alaji, Walid Aouimeur, Haitham Ghanem, Etienne Okada, Sylvie Lepilliet, Daniel Gloria, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
Microwave and Optical Technology Letters, 2021, 63 (3), pp.823-828. ⟨10.1002/mop.32685⟩
identifiant
hal-03135959
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https://hal.science/hal-03135959/file/Zenodo.pdf BibTex
titre
2DEG transport properties over temperature for AlGaN/GaN HEMT and AlGaN/InGaN/GaN pHEMT
auteur
Md. Abdul Kaium Khan, Mohammad Abdul Alim, Christophe Gaquière
article
Microelectronic Engineering, 2021, 238, pp.111508. ⟨10.1016/j.mee.2021.111508⟩
identifiant
hal-03124392
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titre
Experimental insight into the third-order intercepts and nonlinear distortion of GaN HEMTs
auteur
Mohammad A. Alim, Mayahsa M. Ali, Christophe Gaquière
article
International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering, 2021, 31 (2), 10 p. ⟨10.1002/mmce.22513⟩
identifiant
hal-03321548
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titre
Selective GaN sublimation and local area regrowth for co-integration of enhancement mode and depletion mode Al(Ga)N/GaN high electron mobility transistors
auteur
Thi Huong Ngo, Rémi Comyn, Sébastien Chenot, Julien Brault, Benjamin Damilano, Stéphane Vézian, Eric Frayssinet, Flavien Cozette, Christophe Rodriguez, N. Defrance, François Lecourt, Nathalie Labat, Hassan Maher, Yvon Cordier
article
Semiconductor Science and Technology, 2021, 36 (2), pp.024001. ⟨10.1088/1361-6641/abcbd3⟩
identifiant
hal-03035072
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https://hal.science/hal-03035072/file/E-D-HEMT-co-integration-sublimation-epitaxy-rev01.pdf BibTex
titre
SiGe HBTs and BiCMOS technology for present and future millimeter-wave system
auteur
Thomas Zimmer, Josef Bock, Fred Buchali, Pascal Chevalier, Michael Collisi, Bjorn Debaillie, Marina Deng, Philippe Ferrari, Sebastien Fregonese, Christophe Gaquière, Haitham Ghanem, Horst Hettrich, Alper Karakuzulu, Tim Maiwald, Marc Margalef-Rovira, Caroline Maye, Michael Moller, Anindya Mukherjee, Holger Rucker, Paulius Sakalas, Rolf Schmid, Karina Schneider, Karsten Schuh, Wolfgang Templ, Akshay Visweswaran, Thomas Zwick
article
IEEE Journal of Microwaves, 2021, 1 (1), pp.288-298. ⟨10.1109/jmw.2020.3031831⟩
identifiant
hal-03111157
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https://hal.science/hal-03111157/file/09318746.pdf BibTex
titre
ESD mm-wave-circuit protection: 3-dB couplers
auteur
Marc Margalef-Rovira, Géraldine Pelletier, Vanessa Avramovic, Sylvie Lepilliet, Johan Bourgeat, Jean-Marc Duchamp, Manuel J. Barragan, Emmanuel Pistono, Sylvain Bourdel, Christophe Gaquière, Philippe Ferrari
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68 (12), pp.5989-5994. ⟨10.1109/TED.2021.3115990⟩
identifiant
hal-03371300
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https://hal.science/hal-03371300/file/2021-TED.pdf BibTex
titre
Large-area femtosecond laser milling of silicon employing trench analysis
auteur
Arun Bhaskar, Justine Philippe, Flavie Braud, Etienne Okada, Vanessa Avramovic, Jean-François Robillard, Cédric Durand, Daniel Gloria, Christophe Gaquière, Emmanuel Dubois
article
Optics and Laser Technology, 2021, 138, pp.106866. ⟨10.1016/j.optlastec.2020.106866⟩
identifiant
hal-03091197
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https://hal.science/hal-03091197/file/femtosecond%20laser%20milling%20of%20silicon%20vf1.pdf BibTex
titre
Mm-wave through-load element for on-wafer measurement applications
auteur
Marc Margalef-Rovira, Olivier Occello, Abdelhalim Saadi, Vanessa Avramovic, Sylvie Lepilliet, Loïc Vincent, Manuel J. Barragan, Emmanuel Pistono, Sylvain Bourdel, Christophe Gaquière, Philippe Ferrari
article
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 2021, 68 (8), pp.3170-3183. ⟨10.1109/TCSI.2021.3072097⟩
identifiant
hal-03202213
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https://hal.science/hal-03202213/file/mm-Wave%20Through-Load%20System_Reviewed_VF.pdf BibTex
titre
New barrier layer design for the fabrication of gallium nitride-metal-insulator-semiconductor-high electron mobility transistor normally-off transistor
auteur
Flavien Cozette, Bilal Hassan, Christophe Rodriguez, Eric Frayssinet, Rémi Comyn, François Lecourt, N. Defrance, Nathalie Labat, François Boone, Ali Soltani, Abdelatif Jaouad, Yvon Cordier, Hassan Maher
article
Semiconductor Science and Technology, 2021, 36 (3), pp.034002. ⟨10.1088/1361-6641/abd489⟩
identifiant
hal-03341284
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https://hal.science/hal-03341284/file/Cozette_2021_Semicond._Sci._Technol._36_034002.pdf BibTex
titre
Stability of the threshold voltage in fluorine-implanted normally-off AlN/GaN HEMTs co-integrated with commercial normally-on GaN HEMT technology
auteur
Florent Albany, François Lecourt, Ewa Walasiak, N. Defrance, Arnaud Curutchet, Hassan Maher, Yvon Cordier, Nathalie Labat, Nathalie Malbert
article
Microelectronics Reliability, 2021, 126, pp.114291. ⟨10.1016/j.microrel.2021.114291⟩
identifiant
hal-03539673
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https://hal.science/hal-03539673/file/Stability%20of%20the%20threshold%20voltage%20in%20fluorine-implanted%20normally-off%20%281%29.pdf BibTex
titre
Monte Carlo analysis of the influence of surface charges on GaN asymmetric nanochannels: bias and temperature dependence
auteur
E. Pérez-Martín, I. Íñiguez-De-La-Torre, Christophe Gaquière, T. González, J. Mateos
article
Journal of Applied Physics, 2021, 130 (10), pp.104501. ⟨10.1063/5.0061905⟩
identifiant
hal-03501372
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https://hal.science/hal-03501372/file/Perez-Martin_3603JAP2021.pdf BibTex

Conference papers

titre
Performance Projection of GaN HEMT: Bias and Temperature Dependent Study of 3 rd -Order Intermodulation Distortion
auteur
Mohammad Alim, I. Jahan, Mayahsa Ali, Christophe Gaquière
article
2021 3rd International Conference on Sustainable Technologies for Industry 4.0 (STI), Dec 2021, Dhaka, Bangladesh. pp.1-4, ⟨10.1109/STI53101.2021.9732585⟩
identifiant
hal-03663718
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titre
AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111) for RF Applications
auteur
Marie Lesecq, E. Frayssinet, Marc Portail, M Bah, N. Defrance, T-H. Ngo, M. Abou Daher, M. Zielinski, Daniel Alquier, Jean-Claude de Jaeger, Yvon Cordier
article
13th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM 2020), Oct 2021, Tours, France
identifiant
hal-04038119
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titre
Experimental Investigation on the Bias and Temperature Dependence of the Forward Transmission Coefficient for HEMT Technologies
auteur
Mohammad Abdul Alim, Christophe Gaquière, Giovanni Crupi
article
2021 15th International Conference on Advanced Technologies, Systems and Services in Telecommunications (TELSIKS), Oct 2021, Nis, Serbia. pp.70-73, ⟨10.1109/TELSIKS52058.2021.9606356⟩
identifiant
hal-03547028
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https://hal.science/hal-03547028/file/Mohammad%20Abdul%20Alim_2021_TELSIKS.pdf BibTex
titre
Performance Projection of GaN HEMT: Experimental Verification Using Curtice Model
auteur
Shariful Islam, Mohammad Abdul Alim, Anika Tahsin, Famin Rahman Rakib, Refat Uddin Rafi, Christophe Gaquière
article
2021 International Conference on Electronics, Communications and Information Technology (ICECIT), Sep 2021, Khulna, Bangladesh. pp.1-4, ⟨10.1109/ICECIT54077.2021.9641374⟩
identifiant
hal-03612338
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titre
Characterization and modeling of 650V GaN diodes for high frequency power conversion
auteur
Doublet Martin, N. Defrance, Loris Pace, Etienne Okada, Thierry Dusquesne, Emmanuel Collard, Yvon Arnaud, Nadir Idir, Jean-Claude de Jaeger
article
DMC conference, Jul 2021, BATH, United Kingdom. pp.1-5
identifiant
hal-03341230
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https://hal.science/hal-03341230/file/DOUBLET_MARTIN_1570708755_DMC_Characterization%20and%20Modeling%20of%20650V%20Diodes%20for%20High%20Frequency%20Power%20Conversion_2.pdf BibTex
titre
[Invited] Functional packaging of RF, mmW and photonic functions based on femtosecond laser micromachining
auteur
Emmanuel Dubois, Arun Bhaskar, Jean-Marc Boucaud, A. Alves, Cybelle Belem-Gonçalves, Flavie Braud, Etienne Okada, Vanessa Avramovic, J.F. Robillard, Cédric Durand, Frédéric Gianesello, Davide Bucci, Jean-Emmanuel Broquin, Christophe Gaquière, Daniel Gloria
article
19th International Nanotech Symposium NANO KOREA 2021, TS10-Nanofabrication & Measurements, Jul 2021, Seoul, South Korea
identifiant
hal-03582878
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titre
Investigation of electrical activity at the AlN/Si interface using scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy
auteur
Micka Bah, Damien Valente, Marie Lesecq, N. Defrance, Maxime Garcia Barros, Jean-Claude de Jaeger, Eric Frayssinet, Remi Comyn, Thi Huong Ngo, Daniel Alquier, Yvon Cordier
article
Wocsdice Exmatec 2021, Jun 2021, Bristol (virtual), United Kingdom. pp.131-132
identifiant
hal-03284079
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https://hal.science/hal-03284079/file/Investigation%20of%20electrical%20activity%20at%20the%20AlN%20Si%20interface%20using%20scanning%20capacitance%20microscopy%20and%20scanning%20spreading%20resistance%20microscopy.pdf BibTex
titre
Fluorine-based plasma treatment for AlGaN/GaN e-mode HEMTs and low on-voltage diodes
auteur
Quentin Fornasiero, N. Defrance, Marie Lesecq, Eric Frayssinet, Yvon Cordier, Florian Chevalier, Nadir Idir, Jean-Claude de Jaeger
article
Wocsdice Exmatec 2021, Jun 2021, Bristol (virtual), United Kingdom. pp.50-52
identifiant
hal-03275589
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https://hal.science/hal-03275589/file/Fluorine%20based%20plasma%20treatment%20for%20AlGaN%20GaN%20E-mode%20HEMTs%20and%20Low%20On-Voltage%20diodes.pdf BibTex
titre
Mm-wave single-pole double-throw switches: HBT-vs MOSFET-based designs
auteur
Marc Margalef-Rovira, Christophe Gaquière, Antonio Augusto Lisboa de Souza, L. Vincent, Manuel J. Barragan, Emmanuel Pistono, Florence Podevin, Philippe Ferrari
article
19th IEEE International New Circuits and Systems Conference, NEWCAS 2021, Jun 2021, Toulon, France. ⟨10.1109/NEWCAS50681.2021.9462753⟩
identifiant
hal-03362262
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https://hal.science/hal-03362262/file/Margalef-Rovira_NEWCAS2021.pdf BibTex
titre
Bias-dependence of surface charge at low temperature in GaN self-switching diodes
auteur
E. Perez-Martin, I. Iniguez-De-La-Torre, T. Gonzalez, Christophe Gaquière, J. Mateos
article
13th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2021, Jun 2021, Sevilla, Spain. pp.90-93, ⟨10.1109/CDE52135.2021.9455737⟩
identifiant
hal-03362256
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https://hal.science/hal-03362256/file/P%C3%A9rez-Mart%C3%ADn_CDE2021a.pdf BibTex
titre
220 GHz E-Plane Transition from Waveguide to Suspended Stripline Integrated on Industrial Organic Laminate Substrate Technology
auteur
Victor Fiorese, F. Laporte, J.F. Caillet, G. Catalano, F. Gianesello, Guillaume Ducournau, Emmanuel Dubois, Christophe Gaquière, B. Tricoteaux, M. Werquin, D. Gloria
article
European Microwave Conference, EuMC 2021, Session EuMC06 - 3D to 2D Transitions and New Materials for mmWave system Integration, EuMIC/EuMC/EuMW, Apr 2021, London, United Kingdom. pp.99-102, ⟨10.23919/EuMC50147.2022.9784166⟩
identifiant
hal-03637651
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-03637651/file/2022-Fiorese-EuMC21-220_GHz_E-Plane_Transition_from_Waveguide_to_Suspended_Stripline_Integrated_on_Industrial_Organic_Laminate_Substrate_Technology%281%29%20%281%29.pdf BibTex
titre
Third order notch over multi-bias and temperature in GaN and GaAs HEMTs
auteur
M.A. Alim, A.A. Rezazadeh, Christophe Gaquière
article
15th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2020, Jan 2021, Utrecht, Netherlands. pp.277-280, ⟨10.1109/EuMIC48047.2021.00081⟩
identifiant
hal-03362263
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https://hal.science/hal-03362263/file/Eumic_ALIM_Third_Order_Notch.pdf BibTex
titre
An advanced ageing methodology for robustness assessment of normally-off AlGaN/GaN HEMT
auteur
F. Albany, A. Curutchet, N. Labat, F. Lecourt, E. Walasiak, H. Maher, Y. Cordier, N. Defrance, N. Malbert
article
15th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2020, Jan 2021, Utrecht, Netherlands. 237-240, https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9337362
identifiant
hal-03362260
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Theses

titre
Développement d’un banc de mesure load-pull en bande G [140-220 GHz] et application à la caractérisation des transistors HBTs en technologie BiCMOS 55 nm
auteur
Caroline Maye
article
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lille, 2021. Français. ⟨NNT : 2021LILUN001⟩
identifiant
tel-03484010
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https://theses.hal.science/tel-03484010/file/These_MAYE_Caroline.pdf BibTex

Preprints, Working Papers, ...

titre
Mitigation of substrate coupling effects in RF switch by localized substrate removal using laser processing
auteur
Arun Bhaskar, Justine Philippe, Etienne Okada, Flavie Braud, J.F. Robillard, Cédric Durand, Frédéric Gianesello, Daniel Gloria, Christophe Gaquière, Emmanuel Dubois
article
2021
identifiant
hal-03350081
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-03350081/file/2109.09452.pdf BibTex

2020

Journal articles

titre
Trap-related frequency dispersion of zero-bias microwave responsivity at low temperature in GaN-based self-switching diodes
auteur
E. Perez-Martin, T. Gonzalez, D. Vaquero, H. Sanchez-Martin, Christophe Gaquière, V. J. Raposo, J. Mateos, I. Iniguez-De-La-Torre
article
Nanotechnology, 2020, 31 (40), 405204, 7 p. ⟨10.1088/1361-6528/ab9d44⟩
identifiant
hal-03321549
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titre
Substrate engineering of inductors on SOI for improvement of Q-factor and application in LNA
auteur
Arun Bhaskar, Justine Philippe, Vanessa Avramovic, Flavie Braud, J.F. Robillard, Cédric Durand, Daniel Gloria, Christophe Gaquière, Emmanuel Dubois
article
IEEE Journal of the Electron Devices Society, 2020, 8, pp.959-969. ⟨10.1109/JEDS.2020.3019884⟩
identifiant
hal-03091190
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https://hal.science/hal-03091190/file/2020-Bhaskar-JEDS-Substrate%20Engineering%20of%20Inductors%20on%20SOI.pdf BibTex
titre
Electrical activity at the AlN/Si Interface: identifying the main origin of propagation losses in GaN-on-Si devices at microwave frequencies
auteur
Micka Bah, Damien Valente, Marie Lesecq, N. Defrance, Maxime Garcia Barros, Jean-Claude de Jaeger, Eric Frayssinet, Rémi Comyn, Thi Huong Ngo, Daniel Alquier, Yvon Cordier
article
Scientific Reports, 2020, 10 (1), pp.14166. ⟨10.1038/s41598-020-71064-0⟩
identifiant
hal-02929022
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https://hal.science/hal-02929022/file/Bah_et_al-2020-Scientific_Reports.pdf BibTex
titre
Highly tunable high-Q inversion-mode MOS varactor in the 1-325-GHz band
auteur
Marc Margalef-Rovira, Abdelhalim Saadi, L. Vincent, Sylvie Lepilliet, Christophe Gaquière, D. Gloria, C. Durand, Manuel J. Barragan, Emmanuel Pistono, Sylvain Bourdel, Philippe Ferrari
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67 (6), pp.2263-2269. ⟨10.1109/TED.2020.2989726⟩
identifiant
hal-02899947
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-02899947/file/2020-T_ED_FINAL.pdf BibTex
titre
Modeling and analysis of a broadband Schottky diode noise source up to 325 GHz based on 55-nm SiGe BiCMOS technology
auteur
Issa Alaji, Walid Aouimeur, Sylvie Lepilliet, Daniel Gloria, Christophe Gaquière, Francois Danneville, Guillaume Ducournau, Haitham Ghanem, Joao Carlos Azevedo Goncalves, Pascal Chevalier
article
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2020, 68 (6), pp.2268-2277. ⟨10.1109/TMTT.2020.2980513⟩
identifiant
hal-03141657
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titre
AlGaN/GaN high electron mobility transistors on diamond substrate obtained through aluminum nitride bonding technology
auteur
Mahmoud Abou Daher, Marie Lesecq, Pascal Tilmant, N. Defrance, Michel Rousseau, Yvon Cordier, Jean-Claude de Jaeger, Jean-Guy Tartarin
article
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, 2020, 38 (3), pp.033201. ⟨10.1116/1.5143418⟩
identifiant
hal-02929037
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https://hal.science/hal-02929037/file/2020-JVB19-AR-00629.pdf BibTex
titre
A parametric technique for trap characterization in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
Steven Duffy, Brahim Benbakhti, Wei Zhang, Khaled Ahmeda, Karol Kalna, Mohammed Boucherta, Maghnia Mattalah, Hassane Ouazzani Chahdi, Nour Eddine Bourzgui, Ali Soltani
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2020, 67 (5), pp.1924-1930. ⟨10.1109/TED.2020.2980329⟩
identifiant
hal-03142223
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titre
Multibias and temperature dependence of the current-gain peak in GaN HEMT
auteur
Mohammad A. Alim, Muhammad A. Hasan, Ali A. Rezazadeh, Christophe Gaquière, Giovanni Crupi
article
International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering, 2020, 30 (4), ⟨10.1002/mmce.22129⟩
identifiant
hal-03140633
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titre
Metalorganic chemical vapor phase epitaxy growth of buffer layers on 3C-SiC/Si(111) templates for AlGaN/GaN high electron mobility transistors with low RF losses
auteur
Eric Frayssinet, Luan Nguyen, Marie Lesecq, N. Defrance, Maxime Garcia Barros, Rémi Comyn, Thi Huong Ngo, Marcin Zielinski, Marc Portail, Jean-Claude de Jaeger, Yvon Cordier
article
physica status solidi (a), 2020, 217 (7), pp.1900760. ⟨10.1002/pssa.201900760⟩
identifiant
hal-02929058
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https://hal.science/hal-02929058/file/Frayssinet_et_al-2020-physica_status_solidi_%28a%29.pdf BibTex
titre
Extraction of nonlinear Taylor series coefficients for GaN HEMT over multi-bias condition
auteur
Mohammad A. Alim, A. Tahsin, Ali A. Rezazadeh, Christophe Gaquière
article
Microelectronics Journal, 2020, 96, 104700, 6 p. ⟨10.1016/j.mejo.2020.104700⟩
identifiant
hal-03321569
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titre
Thermal response and correlation between mobility and kink effect in GaN HEMTs
auteur
Mohammad A. Alim, S. Afrin, A. A. Rezazadeh, Christophe Gaquière
article
Microelectronic Engineering, 2020, 219, 111148, 5 p. ⟨10.1016/j.mee.2019.111148⟩
identifiant
hal-03322821
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titre
A 30.1 mW/µm2 SiGe:C HBT featuring an implanted collector in a 55-nm CMOS node
auteur
A. Gauthier, Walid Aouimeur, Etienne Okada, Nicolas Guitard, Pascal Chevalier, Christophe Gaquière
article
IEEE Electron Device Letters, 2020, 41 (1), pp.12-14. ⟨10.1109/LED.2019.2954600⟩
identifiant
hal-03322806
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titre
Design of mm-wave slow-wave coupled coplanar waveguides
auteur
Marc Margalef-Rovira, J. Lugo-Alvarez, A. Bautista, L. Vincent, Sylvie Lepilliet, Abdelhalim Saadi, Florence Podevin, Manuel J. Barragan, Emmanuel Pistono, Sylvain Bourdel, Christophe Gaquière, Philippe Ferrari
article
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2020, 68 (12), pp.5014-5028. ⟨10.1109/TMTT.2020.3015974⟩
identifiant
hal-02958187
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https://hal.science/hal-02958187/file/2020-TMTT_Coupleurs%20CS-CPW_Rev_V1_no_CC.pdf BibTex
titre
Mechanisms of a rectifying TiN gate contact for AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate
auteur
Hassane Ouazzani Chahdi, Brahim Benbakhti, Maghnia Mattalah, Jean Claude Gerbedoen, Abdelatif Jaouad, Nour Eddine Bourzgui, Ali Soltani
article
IEEE Transactions on Nanotechnology, 2020, 19, pp.682-688. ⟨10.1109/TNANO.2020.3019916⟩
identifiant
hal-03322826
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titre
Temperature dependence of the Taylor series coefficients and intermodulation distortion characteristics of GaN HEMT
auteur
Mohammad Abdul Alim, Mayahsa M. Ali, Ali A. Rezazadeh, Christophe Gaquière
article
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 2020, 39 (3), pp.552-559. ⟨10.1109/TCAD.2019.2897696⟩
identifiant
hal-03140634
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Conference papers

titre
A fully-integrated high-isolation transfer switch for G-band in-situ reflectometer applications
auteur
Walid Aouimeur, Marc Margalef-Rovira, Estelle Lauga-Larroze, Daniel Gloria, Christophe Gaquière, Issa Alaji, Jean-Daniel Arnould
article
IEEE MTT-S International Conference on Microwaves for Intelligent Mobility, ICMIM 2020, Nov 2020, Linz, Austria. 4 p., ⟨10.1109/ICMIM48759.2020.9299098⟩
identifiant
hal-02934668
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titre
Miniaturization of Transmission Lines: Meandered Slow-wave CPWs
auteur
Marc Margalef-Rovira, Tadeu Mota Frutuoso, Abdelhalim Saadi, Loïc Vincent, Manuel J. Barragan, Emmanuel Pistono, Christophe Gaquière, Philippe Ferrari
article
IEEE MTT-S International Conference on Microwaves for Intelligent Mobility (ICMIM 2020), Nov 2020, Linz (virtual), Austria. ⟨10.1109/ICMIM48759.2020.9299107⟩
identifiant
hal-03371412
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https://hal.science/hal-03371412/file/2020-ICMIM20_A_camera_ready.pdf BibTex
titre
Analysis of trap states in AlGaN/GaN self-switching diodes via impedance measurements
auteur
E. Perez-Martin, D. Vaquero, H. Sanchez-Martin, Christophe Gaquière, V. J. Raposo, T. Gonzalez, J. Mateos, I. Iniguez-De-La-Torre
article
31st European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, ESREF 2020, Oct 2020, Athens, Greece. Microelectron. Reliab. 114, Special issue, 113806, ⟨10.1016/j.microrel.2020.113806⟩
identifiant
hal-03321561
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titre
A high-throughput MEMS device for mechanical detection of cancer cells
auteur
Quentin Rezard, Grégoire Perret, J.C. Gerbedoen, Deniz Pekin, Dominique Collard, Chann Lagadec, Mehmet Tarhan
article
24rd International Conference on Miniaturized Systems for Chemistry and Life Sciences (μTAS’20), Oct 2020, Onlince Conference, France
identifiant
hal-04349518
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titre
Electrothermal modeling of GaN power transistor for high frequency power converter design
auteur
Loris Pace, Florian Chevalier, Arnaud Videt, N. Defrance, Nadir Idir, Jean-Claude de Jaeger
article
22nd European Conference on Power Electronics and Applications (EPE ECCE Europe), Sep 2020, Lyon, France. pp.1-10, ⟨10.23919/EPE20ECCEEurope43536.2020.9215782⟩
identifiant
hal-03276912
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titre
Evaluation of micro laser sintering metal 3D-printing technology for the development of waveguide passive devices up to 325 GHz
auteur
Victor Fiorese, Cybelle Belem-Gonçalves, Carlos del Rio, Diane Titz, Frédéric Gianesello, Cyril Luxey, Guillaume Ducournau, Emmanuel Dubois, Christophe Gaquière, Daniel Gloria
article
IEEE/MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2020, Aug 2020, Los Angeles, United States. pp.1168-1171, ⟨10.1109/IMS30576.2020.9224102⟩
identifiant
hal-03091222
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https://hal.science/hal-03091222/file/2020-Fiorese-IMS-NoRefPub-Evaluation%20of%20Micro%20Laser%20Sintering%20Metal%203D-Printing%20Technology-09224102.pdf BibTex
titre
Power measurement setup development for on-wafer characterization at 185-191 GHz
auteur
Caroline Maye, Sylvie Lepilliet, Etienne Okada, Daniel Gloria, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
2020 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits (INMMiC), Jul 2020, Cardiff, United Kingdom. pp.1-3, ⟨10.1109/INMMiC46721.2020.9160204⟩
identifiant
hal-03390468
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titre
mm-Wave Through-Load Switch for in-situ Vector Network Analyzer on a 55-nm BiCMOS Technology
auteur
Marc Margalef-Rovira, Abdelhalim Saadi, Sylvain Bourdel, Manuel J. Barragan, Emmanuel Pistono, Christophe Gaquière, Philippe Ferrari
article
18th IEEE International NEWCAS Conference (NEWCAS 2020), Jun 2020, Montreal, Canada. ⟨10.1109/NEWCAS49341.2020.9159829⟩
identifiant
hal-02958204
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https://hal.science/hal-02958204/file/2020-NEWCAS2020_2.pdf BibTex
titre
A Highly Porous and Conductive Composite Gate Electrode for NO, NO2, O2, H2 and NH3 Exhaust Gas Sensors
auteur
Hassane Ouazzani Chahdi, Omar Helli, Nour Eddine Bourzgui, Leo Breuil, David Danovich, Paul L Voss, Sundaram Suresh, Vincent Aubry, Yacine Halfaya, Abdallah Ougazzaden, Jean-Paul Salvestrini, Maher, Hassan, Ali Soltani
article
18th International Meeting on Chemical Sensors, IMCS 2020, May 2020, Montreal, Canada. 2310, 1 page, ⟨10.1149/MA2020-01312310mtgabs⟩
identifiant
hal-02879903
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Theses

titre
Design and characterization of power detectors in 55-nm BiCMOS technology for 5G and THz applications
auteur
Issa Alaji
article
Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lille, 2020. English. ⟨NNT : 2020LILUI080⟩
identifiant
tel-03463315
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https://theses.hal.science/tel-03463315/file/These_ALAJI_Issa.pdf BibTex
titre
Co-intégration de HEMT GaN hyperfréquence normally-off avec des normally-on
auteur
Sébastien Aroulanda
article
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lille, 2020. Français. ⟨NNT : 2020LILUI083⟩
identifiant
tel-03356712
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https://theses.hal.science/tel-03356712/file/These_AROULANDA_Sebastien.pdf BibTex
titre
Réalisation et optimisation de transistors HEMT GaN forte puissance et haute fréquence par technologie de transfert de couches sur substrat hôte
auteur
Mahmoud Abou Daher
article
Electronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2020. Français. ⟨NNT : 2020TOU30046⟩
identifiant
tel-03001284
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https://theses.hal.science/tel-03001284/file/2020TOU30046b.pdf BibTex
titre
Design and production of Gallium Nitride based anti-pollution gas sensors for automotive applications
auteur
Hassane Ouazzani Chahdi
article
Engineering Sciences [physics]. Université de Sherbrooke; Université de Lille, 2020. English. ⟨NNT : ⟩
identifiant
tel-03872852
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2019

Journal articles

titre
2 W / mm power density of an AlGaN/GaN HEMT grown on free-standing GaN substrate at 40 GHz
auteur
Mohamed-Reda Irekti, Marie Lesecq, N. Defrance, Etienne Okada, Eric Frayssinet, Yvon Cordier, Jean-Guy Tartarin, Jean-Claude de Jaeger
article
Semiconductor Science and Technology, 2019, 34 (12), pp.12LT01. ⟨10.1088/1361-6641/ab4e74⟩
identifiant
hal-02929065
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https://hal.science/hal-02929065/file/irektiSST2019.pdf BibTex
titre
Uprooting defects to enable high-performance III–V optoelectronic devices on silicon
auteur
Youcef A Bioud, Abderraouf A Boucherif, Maksym Myronov, Ali Soltani, Gilles Patriarche, Nadi Braidy, Mourad Jellite, Dominique A Drouin, Richard A Arès
article
Nature Communications, 2019, 10 (1), ⟨10.1038/s41467-019-12353-9⟩
identifiant
hal-02296180
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titre
About 250/285 GHz push–push oscillator using differential gate equalisation in digital 65‐nm CMOS
auteur
Bassem Fahs, Kefei Wu, Walid Aouimeur, Muhammad Waleed Mansha, Christophe Gaquière, Patrice Gamand, Wojciech Knap, Mona M. Hella
article
IET Microwaves Antennas and Propagation, 2019, 13 (12), pp.2073-2080. ⟨10.1049/iet-map.2018.5308⟩
identifiant
hal-03133845
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https://hal.science/hal-03133845/file/Fahs_2019_IET%20Microw.Ant.Prop.pdf BibTex
titre
Measurement of Self-Heating Temperature in AlGaN/GaN HEMTs by Using Cerium Oxide Micro-Raman Thermometers
auteur
G. Brocero, Y. Guhel, P. Eudeline, J. Sipma, C. Gaquiere, B. Boudart
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66 (10), pp.4156-4163. ⟨10.1109/TED.2019.2935335⟩
identifiant
hal-04408061
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titre
Low‐loss broadband (DC to 220 GHz) S‐CPW to S‐CPS transition for S‐CPS coplanar probing
auteur
Abdelhalim Saadi, Marc Margalef-Rovira, L. Vincent, Sylvie Lepilliet, Christophe Gaquière, Philippe Ferrari
article
Electronics Letters, 2019, 55 (21), pp.1137-1139. ⟨10.1049/el.2019.2377⟩
identifiant
hal-03133346
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titre
Hole trap, leakage current and barrier inhomogeneity in (Pt/Au)-Al0.2Ga0.8N/GaN heterostructures
auteur
Salah Saadaoui, Olfa Fathallah, Fethi Albouchi, Mohamed Mongi Ben Salem, Christophe Gaquière, Hassen Maaref
article
Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2019, 132, pp.157-161. ⟨10.1016/j.jpcs.2019.02.027⟩
identifiant
hal-03136454
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titre
Millimeter-wave noise source development on SiGe BiCMOS 55-nm technology for applications up to 260 GHz
auteur
Joao Carlos Azevedo Goncalves, Haitham Ghanem, Simon Bouvot, Daniel Gloria, Sylvie Lepilliet, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Francois Danneville
article
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2019, 67 (9), pp.3732-3742. ⟨10.1109/TMTT.2019.2926289⟩
identifiant
hal-03133859
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titre
On the correlation between intermodulation distortion and RF transconductance for microwave GaN HEMT
auteur
Mayahsa M. Ali, Mohammad A Alim, Ali A. Rezazadeh, Christophe Gaquière
article
Semiconductor Science and Technology, 2019, 34 (7), pp.075014. ⟨10.1088/1361-6641/ab2395⟩
identifiant
hal-03140497
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titre
Cl2/Ar based atomic layer etching of AlGaN layers
auteur
Sébastien Aroulanda, Olivier Patard, Philippe Altuntas, Nicolas Michel, Jorge Pereira, Cédric Lacam, Piero Gamarra, Sylvain L. Delage, N. Defrance, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière
article
Journal of Vacuum Science & Technology A, 2019, 37 (4), pp.041001. ⟨10.1116/1.5090106⟩
identifiant
hal-03139113
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BibTex
titre
Extraction of packaged GaN power transistors parasitics using S-parameters
auteur
Loris Pace, N. Defrance, Arnaud Videt, N. Idir, Jean-Claude de Jaeger, Vanessa Avramovic
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66 (6), pp.2583-2588. ⟨10.1109/TED.2019.2909152⟩
identifiant
hal-03140657
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https://hal.science/hal-03140657/file/PACE_ExtractionofAccessParasiticsofPackaged-TED2019.pdf BibTex
titre
Scalable Modeling of Transient Self-Heating of GaN High-Electron-Mobility Transistors Based on Experimental Measurements
auteur
A. Cutivet, G. Pavlidis, B. Hassan, M. Bouchilaoun, C. Rodriguez, Ali Soltani, S. Graham, F. Boone, H. Maher
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 66 (5), pp.2139-2145. ⟨10.1109/TED.2019.2906943⟩
identifiant
hal-02273386
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BibTex
titre
Neutron irradiation effects on the electrical properties of previously electrically stressed AlInN/GaN HEMTs
auteur
Y. Guhel, J. Trolet, P. Mary, Christophe Gaquière, B. Boudart, Sébastien Petitdidier
article
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2019, 66 (5), pp.810 - 819. ⟨10.1109/TNS.2019.2908055⟩
identifiant
hal-02117222
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BibTex
titre
Folding a focalized acoustical vortex on a flat holographic transducer: Miniaturized selective acoustical tweezers
auteur
Michael Baudoin, Jean-Claude Gerbedoen, Antoine Riaud, Olivier Bou Matar, Nikolay Smagin, Jean-Louis Thomas
article
Science Advances , 2019, 5 (4), pp.eaav1967. ⟨10.1126/sciadv.aav1967⟩
identifiant
hal-02332837
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https://hal.science/hal-02332837/file/eaav1967.full%281%29.pdf BibTex
titre
Thermal response for intermodulation distortion components of GaN HEMT for low and high frequency applications
auteur
Mohammad A. Alim, Mayahsa M. Ali, Ali A. Rezazadeh, Christophe Gaquière
article
Microelectronic Engineering, 2019, 209, pp.53-59. ⟨10.1016/j.mee.2019.03.011⟩
identifiant
hal-03143596
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BibTex
titre
Thermal influence on S22 kink behavior of a 0.15 μm gate length AlGaN/GaN/SiC HEMT for microwave applications
auteur
Mohammad A Alim, Ali A Rezazadeh, Christophe Gaquière, Giovanni Crupi
article
Semiconductor Science and Technology, 2019, 34 (3), pp.035002. ⟨10.1088/1361-6641/aafc78⟩
identifiant
hal-03143595
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BibTex
titre
Photonic demultiplexer based on electromagnetically induced transparency resonances
auteur
A. Mouadili, E. H. El Boudouti, Ali Soltani, Abdelkrim Talbi, Kamel Haddadi, Abdellatif Akjouj, Bahram Djafari-Rouhani
article
Journal of Physics D: Applied Physics, 2019, 52 (7), ⟨10.1088/1361-6463/aaf11b⟩
identifiant
hal-03148972
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BibTex
titre
Thermal Transient Extraction for GaN HEMTs by Frequency-Resolved Gate Resistance Thermometry with Sub-100 ns Time Resolution
auteur
Adrien Cutivet, Meriem Bouchilaoun, Bilal Hassan, Christophe Rodriguez, Ali Soltani, François Boone, Hassan Maher
article
physica status solidi (a), 2019, 216, pp.1800503. ⟨10.1002/pssa.201800503⟩
identifiant
hal-02273385
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BibTex
titre
High Frequency Analysis and Small-Signal Modeling of AlGaN/GaN HEMTs with SiO2/SiN Passivation
auteur
Moujahed Gassoumi, Abdelhamid Helali, Malek Gassoumi, Christophe Gaquière, Hassen Maaref
article
Silicon, 2019, 11 (1), pp.557-562. ⟨10.1007/s12633-018-9767-6⟩
identifiant
hal-03148960
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https://hal.science/hal-03148960/file/Gassoumi_2019_Article_HighFrequencyAnalysisAndSmall-.pdf BibTex

Conference papers

titre
GaN-based SSD structure for THz applications
auteur
Manvi Agrawal, Dharmarasu Nethaji, K Radhakrishnan, Christophe Gaquière, Guillaume Ducournau, Marie Lesecq, Javier Mateos, Tomas Gonzalez, Ignacio Iniguez-De-La-Torre, Sergio Garcia, Susana Perez
article
2019 IEEE Asia-Pacific Microwave Conference (APMC 2019), Dec 2019, Singapour, Singapore. pp.213-215, ⟨10.1109/APMC46564.2019.9038338⟩
identifiant
hal-04039379
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-04039379/file/APMC2019a%20%281%29.pdf BibTex
titre
Design and Fabrication of Planar Gunn Nanodiodes Based on Doped GaN
auteur
Javier Mateos, Tomas Gonzalez, Ignacio Iniguez-De-La-Torre, Sergio Garcia, Susana Perez, Christophe Gaquière, Guillaume Ducournau, Marie Lesecq, K Radhakrishnan, Dharmarasu Nethaji, Manvi Agrawal
article
2019 IEEE Asia-Pacific Microwave Conference (APMC), Dec 2019, Singapore, Singapore. pp.971-973, ⟨10.1109/APMC46564.2019.9038486⟩
identifiant
hal-04038765
Accès au bibtex
BibTex
titre
Scalable small signal modeling of AlGaN/GaN HEMT based on distributed gate resistance
auteur
Bilal Hassan, Adrien Cutivet, Christophe Rodriguez, Flavien Cozette, Ali Soltani, François Boone, Hassan Maher
article
IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Nov 2019, Nashville, United States
identifiant
hal-02310001
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BibTex
titre
Sensors based on AlGaN/GaN HEMT for fast H2 and O2 detection and measurement at high temperature
auteur
Hassane Ouazzani Chahdi, Omar Helli, Nour Eddine Bourzgui, Leo Breuil, David Danovitch, Paul B Voss, Suresh Sundaram, Vincent Aubry, Yacine Halfaya, Abdallah Ougazzaden, Jean-Paul Salvestrini, Hassan Maher, Ali Soltani
article
2019 IEEE SENSORS, Oct 2019, Montreal, Canada. pp.1-4, ⟨10.1109/SENSORS43011.2019.8956568⟩
identifiant
hal-02451449
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BibTex
titre
Silicon Based Diode Noise Source Scaling For Noise Measurement Up To 325 GHz
auteur
H. Ghanem, J-C. Azevedo-Goncalves, Sylvie Lepilliet, D. Gloria, Christophe Gaquière, Francois Danneville, Guillaume Ducournau
article
2019 44th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Sep 2019, Paris, France. pp.1-2, ⟨10.1109/IRMMW-THz.2019.8873929⟩
identifiant
hal-03115523
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BibTex
titre
[Invited] Low RF loss buffer layers on 3C-SiC/Si(111) templates for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
auteur
E. Frayssinet, L. Nguyen, Marie Lesecq, N. Defrance, R. Comyn, M. Zielinski, M. Portail, Jean-Claude de Jaeger, Yvon Cordier
article
13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2019), Jul 2019, Washington, Seattle, United States
identifiant
hal-04039430
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BibTex
titre
A method to determine wide bandgap power devices packaging interconnections
auteur
Loris Pace, N. Defrance, Jean-Claude de Jaeger, Arnaud Videt, Nadir Idir
article
23rd IEEE Workshop on Signal and Power Integrity (SPI), Jun 2019, Chambery, France. pp.1-4, ⟨10.1109/SaPIW.2019.8781641⟩
identifiant
hal-03276911
Accès au bibtex
BibTex
titre
Development of AlGaN/GaN RF HEMT technology on free-standing GaN substrate
auteur
M.R. Irekti, Marie Lesecq, N. Defrance, M. Boucherta, Eric Frayssinet, Yvon Cordier, J.G. Tartarin, Jean-Claude de Jaeger
article
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019, Jun 2019, Cabourg, France
identifiant
hal-04039402
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titre
MOVPE growth of buffer layers on 3C-SiC/Si(111) templates for AlGaN/GaN high electron mobility transistors with low RF losses
auteur
Eric Frayssinet, Luan Nguyen, Marie Lesecq, N. Defrance, Maxime Garcia Barros, Rémi Comyn, Thi Huong Ngo, Marcin Zielinski, Marc Portail, Jean-Claude de Jaeger, Yvon Cordier
article
43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019, Jun 2019, Cabourg, France
identifiant
hal-04038786
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titre
Co-integration of Enhancement and Depletion Modes of GaN-based Transistors for Next Generation RF Communication Circuits
auteur
N. Defrance, Etienne Okada, Florent Albany, Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Éric Frayssinet, Yvon Cordier, Flavien Cozette, Maher, Hassan, E Walasiak, François Lecourt
article
WOCSDICE 2019, Jun 2019, Cabourg, France
identifiant
hal-02502499
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titre
Utilisation de micro-thermomètres Raman pour la mesure de la température d’échauffement de transistors de la filière GaN
auteur
Guillaume Brocero, Yannick Guhel, Philippe Eudeline, Jean Pierre Sipma, Christophe Gaquière, Bertrand Boudart
article
21e JNM, May 2019, Caen, France
identifiant
hal-02117236
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titre
Femtosecond laser micromachining of crystalline silicon for ablation of deep macro-sized cavities for silicon-on-insulator applications
auteur
Arun Bhaskar, Justine Philippe, Flavie Braud, Etienne Okada, J.F. Robillard, Daniel Gloria, Christophe Gaquière, Emmanuel Dubois
article
SPIE Photonics West, Conference 10906 - Laser-based Micro- and Nanoprocessing XIII, Feb 2019, San Francisco, United States. 109060K, 13 p., ⟨10.1117/12.2507652⟩
identifiant
hal-02317233
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https://hal.science/hal-02317233/file/SPIE-Paper-vf-AB.pdf BibTex

Theses

titre
Fabrication de transistors HEMTs AlGaN/GaN de haute fiabilité sur substrat free-standing GaN de haute qualité
auteur
Mohamed Reda Irekti
article
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lille, 2019. Français. ⟨NNT : 2019LILUI095⟩
identifiant
tel-03624139
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https://theses.hal.science/tel-03624139/file/These_IREKTI_Mohamed_Reda.pdf BibTex
titre
Caractérisation et modélisation de composants GaN pour la conception de convertisseurs statiques haute fréquence
auteur
Loris Pace
article
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lille, 2019. Français. ⟨NNT : 2019LILUI078⟩
identifiant
tel-03624112
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https://theses.hal.science/tel-03624112/file/These_PACE_Loris.pdf BibTex
titre
Etude et développement d’une nouvelle architecture de transistor bipolaire à hétérojonction Si / SiGe compatible avec la technologie CMOS FD-SOI
auteur
Alexis Gauthier
article
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lille, 2019. Français. ⟨NNT : 2019LILUI081⟩
identifiant
tel-03624132
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https://theses.hal.science/tel-03624132/file/These_GAUTHIER_Alexis.pdf BibTex
titre
Développement de bancs de caractérisation pour la mesure de bruit et la détection de puissance entre 130 GHz et 320 GHz
auteur
João Carlos Azevedo Goncalves
article
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lille, 2019. Français. ⟨NNT : 2019LILUI116⟩
identifiant
tel-03611229
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https://theses.hal.science/tel-03611229/file/These_AZEVEDO_GONCALVES_Joao.pdf BibTex

2018

Journal articles

titre
Large Periphery GaN HEMTs Modeling Using Distributed Gate Resistance
auteur
Bilal Hassan, Adrien Cutivet, Meriem Bouchilaoun, Christophe Rodriguez, Ali Soltani, François Boone, Hassan Maher
article
physica status solidi (a), 2018, pp.1800505. ⟨10.1002/pssa.201800505⟩
identifiant
hal-02273403
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titre
Resistive nickel temperature sensor integrated into short-gate length AlGaN/GaN HEMT dedicated to RF applications
auteur
Flavien Cozette, Marie Lesecq, Adrien Cutivet, N. Defrance, Michel Rousseau, Hassan Maher, Jean-Claude de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, 2018, 39 (10), pp.1-1. ⟨10.1109/LED.2018.2864643⟩
identifiant
hal-02273384
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titre
GaN nanodiode arrays with improved design for zero-bias sub-THz detection
auteur
H Sánchez-Martin, S. Sánchez-Martin, I Iniguez-De-La-Torre, S Pérez, J A Novoa, Guillaume Ducournau, B Grimbert, Christophe Gaquière, T González, J Mateos
article
Semiconductor Science and Technology, 2018, 33 (9), pp.095016. ⟨10.1088/1361-6641/aad766⟩
identifiant
hal-03185613
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titre
On-Wafer Series-Through Broadband Measurement of Sub-fF55-nm MOS RF Voltage-Tunable Capacitors
auteur
K. Daffe, Gilles Dambrine, C. Durand, Christophe Gaquière, Kamel Haddadi
article
IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2018, 28 (9), pp.831 - 833. ⟨10.1109/LMWC.2018.2851386⟩
identifiant
hal-01873048
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https://hal.science/hal-01873048/file/On-Wafer%20Series-Through%20Broadband%20Measurement%20of%20Sub-fF55nm%20MOS%20RF%20Voltage-Tunable%20Capacitors.pdf BibTex
titre
Fully Integrated Interferometry-Based Reflectometer for High-Impedance Instrumentation
auteur
Pietro Maris Ferreira, Cora Donche, Emilie Avignon-Meseldzija, Thomas Quémerais, Frederic Gianessello, Daniel Gloria, Tuami Lasri, Gilles Dambrine, Christophe Gaquière
article
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2018, PP (99), pp.1-8. ⟨10.1109/TMTT.2018.2831699⟩
identifiant
hal-01789805
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https://hal.science/hal-01789805/file/letter%2012v0.pdf BibTex
titre
Effects of Na2SO4 on the optical and structural properties of Cu2ZnSnS4 thin films synthesized using co-electrodeposition technique
auteur
Hassan Kirou, Lahoucine Atourki, Khadija Abouabassi, Ali Soltani, Abdelmajid Almaggoussi, Abdeslam Elfanaoui, Khalid Bouabid, M'Barek Nya, Ahmed Ihlal
article
Optical Materials, 2018, 75, pp.471-482. ⟨10.1016/j.optmat.2017.11.004⟩
identifiant
hal-02273408
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titre
Influence of AlN Growth Temperature on the Electrical Properties of Buffer Layers for GaN HEMTs on Silicon
auteur
Yvon Cordier, Remi Comyn, Eric Frayssinet, Mario Khoury, Marie Lesecq, N. Defrance, Jean-Claude de Jaeger
article
physica status solidi (a), 2018, 215 (9), ⟨10.1002/pssa.201700637⟩
identifiant
hal-03185112
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titre
Extrinsic capacitance extraction for GaAs and GaN FETs from low to high temperatures
auteur
Mohammad A. Alim, Ali A. Rezazadeh, Christophe Gaquière, Giovanni Crupi
article
Semiconductor Science and Technology, 2018, 33 (8), ⟨10.1088/1361-6641/aacd56⟩
identifiant
hal-03183491
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titre
Optical and Thermal Performances of (Ga,In)N/GaN Light Emitting Diodes Transferred on a Flexible Tape
auteur
B. Damilano, Marie Lesecq, Di Zhou, Éric Frayssinet, Sebastien Chenot, Julien Brault, N. Defrance, Abel Ebongue, Y. Cordier, Virginie Hoel
article
IEEE Photonics Technology Letters, 2018, 30 (17), pp.1567-1570. ⟨10.1109/LPT.2018.2858000⟩
identifiant
hal-02304909
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https://hal.science/hal-02304909/file/Damilano2018_IEEE_PTL.pdf BibTex
titre
Strain-Reduction Induced Rise in Channel Temperature at Ohmic Contacts of GaN HEMTs
auteur
Steven Duffy, Brahim Benbakhti, Karol Kalna, Mohammed Boucherta, Wei Zhang, Nour Eddine Bourzgui, Ali Soltani
article
IEEE Access, 2018, 6, pp.42721-42728. ⟨10.1109/ACCESS.2018.2861323⟩
identifiant
hal-02273401
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titre
Voltage controlled sub-THz detection with gated planar asymmetric nanochannels
auteur
H. Sanchez-Martin, J. Mateos, J. A. Novoa, J. A. Delgado-Notario, Y. M. Meziani, S. Perez, H. Theveneau, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, T. Gonzalez, I. Iniguez-De-La-Torre
article
Applied Physics Letters, 2018, 113 (4), ⟨10.1063/1.5041507⟩
identifiant
hal-03183499
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https://hal.science/hal-03183499/file/Sanchez-Martin_2018_1.5041507.pdf BibTex

Conference papers

titre
Compact selective tweezers based on focalized acoustical vortices and spiraling interdigitated transducers
auteur
Michael Baudoin, Jean Claude Gerbedoen, Antoine Riaud, Olivier Bou Matar, Nikolay Smagin, Jean-Louis Thomas
article
176th Meeting Acoustical Society of America and 2018 Acoustics Week in Canada Canadian Acoustical Association, Nov 2018, Victoria, BC, Canada. pp.1896-1896, ⟨10.1121/1.5068310⟩
identifiant
hal-03595550
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BibTex
titre
On wafer millimetre wave power detection using a PN junction diode in BiCMOS 55 nm for in-situ large signal characterization
auteur
Joao Carlos Azevedo Goncalves, Issa Alaji, Daniel Gloria, Vincent Gidel, Frederic Gianesello, Sylvie Lepilliet, Guillaume Ducournau, Francois Danneville, Christophe Gaquière
article
48th European Microwave Conference (EuMC), Sep 2018, Madrid, Spain. ⟨10.23919/EuMC.2018.8541387⟩
identifiant
hal-03272705
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https://hal.science/hal-03272705/file/EuMW%202018.pdf BibTex
titre
A Source and Drain Transient Currents Technique for Trap Characterisation in AIGaN/GaN HEMTs
auteur
Steven Duffy, Brahim Benbakhti, Wei Zhang, Karol Kalna, Khaled Ahmeda, Mohammed Boucherta, Nour Eddine Bourzgui, Maher, Hassan, Ali Soltani
article
2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2018, Madrid, Spain. pp.214-217, ⟨10.23919/EuMIC.2018.8539935⟩
identifiant
hal-02310028
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BibTex
titre
Femtosecond pulsed laser for advanced photonic packaging
auteur
Quentin Hivin, Jean-Marc Boucaud, Flavie Braud, Cédric Durand, Frédéric Gianesello, Davide Bucci, J.F. Robillard, Jean-Emmanuel Broquin, Christophe Gaquière, Emmanuel Dubois
article
7th Electronic System-Integration Technology Conference, ESTC 2018, Sep 2018, Dresden, Germany. ⟨10.1109/ESTC.2018.8546374⟩
identifiant
hal-01961743
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BibTex
titre
Large-area femtosecond laser ablation of Silicon to create membrane with high performance CMOS-SOI RF functions
auteur
Arun Bhaskar, Justine Philippe, Matthieu Berthomé, Etienne Okada, J.F. Robillard, Daniel Gloria, Christophe Gaquière, Emmanuel Dubois
article
2018 7th Electronic System-Integration Technology Conference (ESTC), Sep 2018, Dresden, Germany. pp.801-806, ⟨10.1109/ESTC.2018.8546407⟩
identifiant
hal-02317259
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titre
Miniaturized Coplanar Waveguide for Nanostructured Magnetostrictive Multilayer Characterization
auteur
Abdelhatif El Fellahi, Aurélien Mazzamurro, Jean Claude Gerbedoen, Yannick Dusch, Olivier Bou Matar, Philippe Pernod, Abdelkrim Talbi, Nicolas Tiercelin
article
32nd Eurosensors Conference, EUROSENSORS 2018, Sep 2018, Graz, Austria. pp.851, ⟨10.3390/proceedings2130851⟩
identifiant
hal-02318302
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https://hal.science/hal-02318302/file/El_Fellahi_Eurosensors_2018%20final%20proofreading.pdf BibTex
titre
Investigating the potential of SiGe Diode in BiCMOS 55nm for power detection and datacom applications at 300 GHz
auteur
Joao Carlos Azevedo Goncalves, Issa Alaji, Daniel Gloria, Sylvie Lepilliet, Francois Danneville, Christophe Gaquière, Guillaume Ducournau
article
43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Sep 2018, Nagoya, Japan. ⟨10.1109/IRMMW-THz.2018.8510217⟩
identifiant
hal-03272698
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https://hal.science/hal-03272698/file/IRMMW-Japan.pdf BibTex
titre
Temperature monitoring of short-gate length AlGaN/GaN HEMT via an integrated sensor
auteur
Flavien Cozette, Marie Lesecq, N. Defrance, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger, Adrien Cutivet, Hassan Maher, Maher, Hassan
article
48th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC 2018), Sep 2018, Dresden, Germany. pp.134-137, ⟨10.1109/ESSDERC.2018.8486912⟩
identifiant
hal-03695010
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titre
Investigation of Nitrogen-Vacancy Defects in Aluminum Nitride films
auteur
A. Aghdaei, G. Laliberté, A. Akbari-Sharba, G. Gommé, Ali Soltani, H. Maher, D. Morris
article
Women in Physics Canada, Jul 2018, Sherbrooke, Canada
identifiant
hal-02310035
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BibTex
titre
A Compressive Millimeter-Wave Interferometric Imager for Security Applications
auteur
Ettien Kpre, Nicolas Vellas, Christophe Gaquière, Cyril Decroze, Thomas Fromenteze, Moctar Mouhamadou
article
2018 IEEE International Symposium on Antennas and Propagation & USNC/URSI National Radio Science Meeting, Jul 2018, Boston, United States. pp.619-620, ⟨10.1109/APUSNCURSINRSM.2018.8609122⟩
identifiant
hal-03181769
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BibTex
titre
A fully in-situ reflectometer in G band in 55 nm SiGe BiCMOS
auteur
Walid Aouimeur, Sylvie Lepilliet, Christophe Gaquière, Estelle Lauga-Larroze, Jean-Daniel Arnould, José Moron Guerra, Thomas Quémerais, Daniel Gloria, Ayssar Serhan
article
INMMIC 2018 - International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits, Jul 2018, Brive La Gaillarde, France. pp.1-3, ⟨10.1109/INMMIC.2018.8430015⟩
identifiant
hal-03788144
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https://hal.science/hal-03788144/file/Aouimeur2018.pdf BibTex
titre
Méthode de caractérisation de transistors GaN pour la conception des convertisseurs statiques hautes fréquences
auteur
Loris Pace, N. Defrance, Arnaud Videt, Nadir Idir, Jean-Claude de Jaeger
article
Symposium de Génie Electrique, Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France
identifiant
hal-02981879
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https://hal.science/hal-02981879/file/SGE_2018_Loris_Pace_v5.pdf BibTex
titre
S-parameters characterization of GaN power transistors for high frequency power converters design
auteur
Loris Pace, Nicolas Defrance, Arnaud Videt, Nadir Idir, Jean-Claude de Jaeger
article
International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, PCIM Europe 2018, Jun 2018, Nuremberg, Germany. pp.913-920
identifiant
hal-04443970
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https://hal.science/hal-04443970/file/LorisPace_S-parameters.pdf BibTex
titre
Large Periphery GaN HEMTs Modeling Using Distributed Gate Resistance
auteur
Bilal Hassan, Adrien Cutivet, Ali Soltani, Christophe Rodriguez, François Boone, Hassan Maher, Meriem Bouchilaoun
article
The coumpoud semiconductor week (CSW), May 2018, Boston, United States
identifiant
hal-02310052
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BibTex
titre
Simulation of a Normally off GaN Vertical Fin Power Fet Transistor to Study Its Breakdown Mechanism
auteur
Marie-Clara Pépin, Hassan Maher, Christophe Rodriguez, Ali Soltani
article
The compound semiconductor week (CSW), May 2018, Boston, United States
identifiant
hal-02310041
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BibTex
titre
Scaling of GaN HEMTs Thermal Transient Characteristics
auteur
Adrien Cutivet, Meriem Bouchilaoun, Bilal Hassan, Christophe Rodriguez, Ali Soltani, François Boone, Hassan Maher
article
The compound semiconductor week (CSW), May 2018, Boston, United States
identifiant
hal-02310050
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BibTex
titre
Normally-OFF GaN HEMT Fabrication Using Soft and Selective Etching of the Si3N4 Cap Layer
auteur
Meriem Bouchilaoun, Ali Soltani, Christophe Rodriguez, Abdelatif Jaouad, Hassan Maher
article
The compound semiconductor week (CSW), May 2018, Boston, United States
identifiant
hal-02310044
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BibTex
titre
[Invited] Nouvelles voies technologiques pour la mesure de la température et l’amélioration de la dissipation thermique des HEMTs GaN
auteur
M. Lesecq, Flavien Cozette, Mahmoud ABOU DAHER, Mohamed-Reda Irekti, M. Boucherta, N. Defrance, Y. Cordier, J.C. Dejaeger
article
RF & Microwave 2018, 7ème Salon Radiofréquences, Hyperfréquences, Wireless, CEM et Fibre Optique, Mar 2018, Paris, France
identifiant
hal-04441664
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Reports

titre
Composants sur supports flexibles de la filière GaN
auteur
Virginie Hoel, Marie Lesecq, N. Defrance
article
[Contrat] ANR. 2018
identifiant
hal-03341124
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Theses

titre
Mesure de la température de transistors de type HEMT AlGaN/GaN en régime de fonctionnement hyperfréquence
auteur
Flavien Cozette
article
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université de Lille; Université de Sherbrooke (Québec, Canada), 2018. Français. ⟨NNT : 2018LILUI074⟩
identifiant
tel-03624155
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https://theses.hal.science/tel-03624155/file/These_Cozette_Flavien.pdf BibTex

Preprints, Working Papers, ...

titre
Folding a focalized acoustical vortex on a flat holographic transducer: miniaturized selective acoustical tweezers
auteur
Michael Baudoin, Jean-Claude Gerbedoen, Olivier Bou Matar, Nikolay Smagin, Antoine Riaud, Jean-Louis Thomas
article
2018
identifiant
hal-01860887
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https://hal.science/hal-01860887/file/main.pdf BibTex

2017

Journal articles

titre
Thermal Impedance Extraction From Electrical Measurements for Double-Ended Gate Transistors
auteur
Adrien Cutivet, Meriem Bouchilaoun, Ahmed Chakroun, Christophe Rodriguez, Ali Soltani, Abdelatif Jaouad, François Boone, Hassan Maher
article
physica status solidi (c), 2017, 14 (11), pp.1700225. ⟨10.1002/pssc.201700225⟩
identifiant
hal-01918126
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BibTex
titre
Normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMT using ultra-thin Al0.45 Ga0.55N barrier layer
auteur
Ahmed Chakroun, Abdelatif Jaouad, Meriem Bouchilaoun, Osvaldo Arenas, Ali Soltani, Hassan Maher
article
physica status solidi (a), 2017, 214 (8), ⟨10.1002/pssa.201600836⟩
identifiant
hal-01914374
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https://hal.science/hal-01914374/file/Chakroun2017.pdf BibTex
titre
AlGaN/GaN MOS-HEMT Device Fabricated Using a High Quality PECVD Passivation Process
auteur
Ahmed Chakroun, Abdelatif Jaouad, Ali Soltani, Osvaldo Arenas, Vincent Aimez, Richard A Arès, Hassan Maher
article
IEEE Electron Device Letters, 2017, 38 (6), pp.779 - 782. ⟨10.1109/LED.2017.2696946⟩
identifiant
hal-01914381
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BibTex
titre
Parasitic channel induced by an on-state stress in AlInN/GaN HEMTs
auteur
S. Petitdidier, Y. Guhel, J. L. Trolet, P. Mary, Christophe Gaquière, B. Boudart
article
Applied Physics Letters, 2017, 110 (16), ⟨10.1063/1.4980114⟩
identifiant
hal-01646149
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https://hal.science/hal-01646149/file/Petitdidier_2017_1.4980114.pdf BibTex
titre
Recent improvements of flexible GaN-based HEMT technology
auteur
Sarra Mhedhbi, Marie Lesecq, Philippe Altuntas, N. Defrance, Yvon Cordier, Benjamin Damilano, Gema Tabares Jimenez, Abel Ebongue, Virginie Hoel
article
physica status solidi (a), 2017, 214 (4), 1600484, 5 p. ⟨10.1002/pssa.201600484⟩
identifiant
hal-03270098
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BibTex
titre
Characterization of Dynamic Self-Heating in GaN HEMTs Using Gate Resistance Measurement
auteur
Adrien Cutivet, Flavien Cozette, Meriem Bouchilaoun, Ahmed Chakroun, Osvaldo Arenas, Marie Lesecq, Jean-Claude de Jaeger, Abdelatif Jaouad, François Boone, Hassan Maher
article
IEEE Electron Device Letters, 2017, 38 (2), pp.240 - 243. ⟨10.1109/LED.2016.2641740⟩
identifiant
hal-01914376
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https://hal.science/hal-01914376/file/cutivet2016.pdf BibTex
titre
Analysis of degradation mechanisms in AlInN/GaN HEMTs by electroluminescence technique
auteur
F. Berthet, S. Petitdidier, Y. Guhel, J.L. Trolet, P. Mary, A. Vivier, Christophe Gaquière, B. Boudart
article
Solid-State Electronics, 2017, 127, pp.13 - 19. ⟨10.1016/j.sse.2016.10.039⟩
identifiant
hal-01646143
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BibTex
titre
Influence of neutron irradiation on electron traps induced by NGB stress in AlInN/GaN HEMTs
auteur
Sébastien Petitdidier, Yannick Guhel, Guillaume Brocero, Philippe Eudeline, Jean-Lionel Trolet, Patrick Mary, Christophe Gaquière, Bertrand Boudart
article
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2017, pp.1 - 1. ⟨10.1109/TNS.2017.2708692⟩
identifiant
hal-01645121
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BibTex
titre
Low Source/Drain Contact Resistance for AlGaN/GaN HEMTs with High Al Concentration and Si-HP [111] Substrate
auteur
Steven Duffy, Brahim Benbakhti, Maghnia Mattalah, Wei Zhang, Meriem Bouchilaoun, Mohammed Boucherta, Karol Kalna, Nour Eddine Bourzgui, Maher, Hassan, Ali Soltani
article
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017, 6 (11), pp.S3040 - S3043. ⟨10.1149/2.0111711jss⟩
identifiant
hal-01914382
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https://hal.science/hal-01914382/file/Duffy_2017_ECS_J._Solid_State_Sci._Technol._6_S3040.pdf BibTex
titre
High performance heterostructure low barrier diodes for sub-THz detection
auteur
Salman Nadar, Mohammed Zaknoune, X. Wallart, Christophe Coinon, Emilien Peytavit, Guillaume Ducournau, Florent Gamand, Maxime Thirault, Matthieu Werquin, Sylvain Jonniau, Nicolas Thouvenin, Christophe Gaquière, Nicolas Vellas, Jean-Francois Lampin
article
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, 2017, 7 (6), pp.780-788. ⟨10.1109/TTHZ.2017.2755503⟩
identifiant
hal-03286184
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BibTex

Conference papers

titre
A Source and Drain Transient Currents Technique for Trap Characterisation in AlGaN/GaN Based Devices
auteur
Steven Duffy, Brahim Benbakhti, Wei Zhang, Karol Kalna, Khaled Ahmeda, Maher, Hassan, Ali Soltani
article
47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Sep 2017, Leuven, Belgium
identifiant
hal-02310067
Accès au bibtex
BibTex
titre
Characterization and modeling of transient self-heating in GaN HEMTs
auteur
Adrien Cutivet, Meriem Bouchilaoun, Ahmed Chakroun, Ali Soltani, Abdelatif Jaouad, François Boone, Hassan Maher
article
12th International Conference on Nitride Semiconductors 2017 (ICNS-12), Jul 2017, Strasbourg, France
identifiant
hal-02310127
Accès au bibtex
BibTex
titre
Memristor Device Characterization by Scanning Microwave Microscopy
auteur
Gilbert Sassine, N. Najjari, Charlene Brillard, N. Defrance, Olaf C Haenssler, Didier Theron, F. Alibart, Kamel Haddadi
article
International Conference on Manipulation, Automation and Robotics at Small Scales (MARSS), Jul 2017, Montréal, Canada. ⟨10.1109/MARSS.2017.8016537⟩
identifiant
hal-02311382
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https://hal.science/hal-02311382/file/K_Haddadi_MARSS%202017_v2.pdf BibTex
titre
Noise parameters of SiGe HBTs in mmW range: towards a full in situ measurement extraction
auteur
Francois Danneville, M. Deng, S. Bouvot, J. Azevedo Goncalves, Sylvie Lepilliet, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Gilles Dambrine, A. Bossuet, T. Quemerais, Estelle Lauga-Larroze, J-M Fournier, P. Chevalier, D. Gloria
article
2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), Jun 2017, Vilnius, Lithuania. pp.1-4, ⟨10.1109/ICNF.2017.7985944⟩
identifiant
hal-02012863
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titre
Premier Système de Mesure Petit Signaux Deux Ports Complètement Intégré en Bande G
auteur
Walid Aouimeur, José Moron Guerra, Ayssar Serhan, Sylvie Lepilliet, Thomas Quémerais, Daniel Gloria, Estelle Lauga-Larroze, Jean-Daniel Arnould, Christophe Gaquière
article
Journées Nationales Micro-ondes, May 2017, Saint Malo, France
identifiant
hal-02020034
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titre
Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré « on-state »
auteur
Hadhemi Lakhdar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, N. Defrance, Marie Lesecq, Jean-Claude de Jaeger, Nathalie Malbert
article
JNM 2017, May 2017, Saint Malo, France
identifiant
hal-02462775
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titre
Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré on-state
auteur
Hadhemi Lakhdar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, N. Defrance, Marie Lesecq, J.C. Dejaeger, Nathalie Malbert
article
JNM 2017, May 2017, Saint Malo, France
identifiant
hal-01718864
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titre
A G band frequency quadrupler in 55 nm BiCMOS for bist applications
auteur
Walid Aouimeur, Estelle Lauga-Larroze, Jean-Daniel Arnould, José Moron Guerra, Christophe Gaquière, Sylvie Lepilliet, Thomas Quémerais, Daniel Gloria, Ayssar Serhan
article
2017 Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits Workshop (INMMiC), Apr 2017, Graz, Austria. pp.1-4, ⟨10.1109/INMMIC.2017.7927310⟩
identifiant
hal-02012681
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titre
A 130 to 170 GHz integrated noise source based on avalanche silicon Schottky diode in BiCMOS 55 nm for in-situ noise characterization
auteur
Joao Carlos Azevedo Goncalves, Thomas Quemerais, Daniel Gloria, Gregory Avenier, Sylvie Lepilliet, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Francois Danneville
article
International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Mar 2017, Grenoble, France. ⟨10.1109/ICMTS.2017.7954271⟩
identifiant
hal-03272703
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titre
A G band +2 dBm balanced frequency doubler in 55 nm SiGe BiCMOS
auteur
Walid Aouimeur, José Moron Guerra, Ayssar Serhan, Sylvie Lepilliet, Thomas Quémerais, Daniel Gloria, Estelle Lauga-Larroze, Jean-Daniel Arnould, Christophe Gaquière
article
2017 IEEE 17th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), Jan 2017, Phoenix, AZ, United States. pp.60-63, ⟨10.1109/SIRF.2017.7874371⟩
identifiant
hal-02012682
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titre
A D-band tuner for in-situ noise and power characterization in BiCMOS 55 nm
auteur
Simon Bouvot, Alice Bossuet, Thomas Quémerais, Guillaume Ducournau, Francois Danneville, Estelle Lauga-Larroze, Daniel Gloria, Jean-Michel Fournier, Christophe Gaquière
article
2017 IEEE 17th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), Jan 2017, Phoenix, United States. pp.103-106
identifiant
hal-02012861
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titre
Influence d’un stress à canal ouvert sur les signaux d’électroluminescence émis par des transistors AlInN/GaN
auteur
Fanny Berthet, Guillaume Brocero, Sebastien Petitdidier, Yannick Guhel, Philippe Eudeline, Jean Lionel Trolet, Patrick Mary, A. Vivier, Christophe Gaquière, B. Boudart
article
20es Journées Nationales Microondes, 2017, Saint Malo, France
identifiant
hal-01652207
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titre
Influence d’irradiations neutroniques sur les pièges électriques induits par des stress électriques dans des HEMTs AlInN/GaN
auteur
Sébastien Petitdidier, Yannick Guhel, Jean Lionel Trolet, P. Mary, Christophe Gaquière, B. Boudart
article
20es Journées Nationales Microondes, 2017, Saint Malo, France
identifiant
hal-01652201
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2016

Journal articles

titre
A 10 dBm Output Power D-Band Power Source With 5 dB Conversion Gain in BiCMOS 55nm
auteur
Alice Bossuet, Thomas Quémerais, Christophe Gaquière, Estelle Lauga-Larroze, Jean-Michel Fournier, Sylvie Lepilliet, Daniel Gloria
article
IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2016, 26 (11), pp.930-932. ⟨10.1109/LMWC.2016.2614969⟩
identifiant
hal-02011282
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titre
Impact of the bending on the electroluminescence of flexible InGaN/GaN light-emitting diodes
auteur
Gema Tabares Jimenez, Sarra Mhedhbi, Marie Lesecq, Benjamin Damilano, Julien Brault, Sebastien Chenot, Abel Ebongue, Philippe Altuntas, N. Defrance, Virginie Hoel, Yvon Cordier
article
IEEE Photonics Technology Letters, 2016, 28 (15), pp.1661-1664. ⟨10.1109/LPT.2016.2563258⟩
identifiant
hal-03270097
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titre
Influence of Neutron Irradiation on Electron Traps Existing in GaN-Based Transistors
auteur
Fanny Berthet, Sébastien Petitdidier, Yannick Guhel, Jean Lionel Trolet, Patrick Mary, Christophe Gaquière, Bertrand Boudart
article
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2016, 63 (3), pp.1918 - 1926. ⟨10.1109/TNS.2016.2566683⟩
identifiant
hal-01647000
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titre
First power performance demonstration of flexible AlGaN/GaN high electron mobility transistor
auteur
Sarra Mhedhbi, Marie Lesecq, Philippe Altuntas, N. Defrance, Etienne Okada, Yvon Cordier, Benjamin Damilano, Gema Tabares Jimenez, Abel Ebongue, Virginie Hoel
article
IEEE Electron Device Letters, 2016, 37 (5), pp.553-555. ⟨10.1109/LED.2016.2542921⟩
identifiant
hal-03270110
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titre
Peculiarities of high electric field conduction in p-type diamond
auteur
V. Mortet, David Trémouilles, J. Bulíř, P. Hubík, L. Heller, Eléna Bedel-Pereira, A. Soltani
article
Applied Physics Letters, 2016, 108 (15), pp.152106. ⟨10.1063/1.4946853⟩
identifiant
hal-01411427
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https://hal.science/hal-01411427/file/final_version_Peculiarities%20of%20high%20electric%20field%20conduction%20in%20p-type%20diamond.pdf BibTex
titre
Room Temperature Direct and Heterodyne Detection of 0.28–0.69-THz Waves Based on GaN 2-DEG Unipolar Nanochannels
auteur
Carlos Daher, Jeremie Torres, Ignacio Iñiguez-De-La-Torre, Philippe Nouvel, Luca Varani, Paul Sangaré, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Javier Mateos, Tomas González
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2016, 63 (1), pp.353 - 359. ⟨10.1109/TED.2015.2503987⟩
identifiant
hal-01638570
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titre
Investigation of the performance of HEMT based NO, NO2 and NH3 exhaust Gas Sensors for Automotive Antipollution Systems
auteur
Yacine Halfaya, Chris Bishop, Ali Soltani, Sundaram Suresh, Vincent Aubry, Paul L. Voss, Jean-Paul Salvestrini, Abdallah Ougazzaden
article
Sensors, 2016, 16, pp.273. ⟨10.3390/s16030273⟩
identifiant
hal-01277595
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https://hal.science/hal-01277595/file/sensors-16-00273.pdf BibTex
titre
Experimental Study and Device Design of NO, NO2, and NH3 Gas Detection for a Wide Dynamic and Large Temperature Range Using Pt/AlGaN/GaN HEMT
auteur
Chris Bishop, Yacine Halfaya, Ali Soltani, Suresh Sundaram, Xin Li, Jérémy Streque, Youssef El Gmili, Paul B Voss, Jean-Paul Salvestrini, Abdallah Ougazzaden
article
IEEE Sensors Journal, 2016, 16 (18), pp.6828-6838. ⟨10.1109/JSEN.2016.2593050⟩
identifiant
hal-02385234
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https://hal.science/hal-02385234/file/Bishop2016.pdf BibTex
titre
Modeling and characterization of piezoelectric beams based on an aluminum nitride thin-film layer
auteur
Etienne Herth, E. Algré, Jean-Yves Rauch, Jean-Claude Gerbedoen, N. Defrance, Patrick Delobelle
article
physica status solidi (a), 2016, 213 (1), pp.114 - 121. ⟨10.1002/pssa.201532302⟩
identifiant
hal-01446379
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titre
Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress
auteur
Hadhemi Lakhdar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, N. Defrance, Marie Lesecq, J.C. Dejaeger, Nathalie Malbert
article
Microelectronics Reliability, 2016
identifiant
hal-01718762
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Conference papers

titre
Characterization and modeling of traps and RF frequency dispersion in AlGaN/AlN/GaN HEMTs
auteur
Hector Sanchez-Martin, Oscar Garcia-Perez, Ignacio Íñiguez-De-La-Torre, Susana Perez, Tomás González, Javier Mateos, Philippe Altuntas, N. Defrance, Marie Lesecq, Virginie Hoel, Yvon Cordier, Stephanie Rennesson
article
11th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Oct 2016, London, United Kingdom. paper EuMIC10-03, 153-156, ⟨10.1109/EuMIC.2016.7777513⟩
identifiant
hal-03270103
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titre
Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Ultra-Thin Al0.45GaN0.55N Barrier and PECVDSiOx as Gate Insulator
auteur
Ahmed Chakroun, Abdelatif Jaouad, Meriem Bouchilaoun, Osvaldo Arenas, Ali Soltani, Hassan Maher
article
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWM2016), Oct 2016, Orlando, United States
identifiant
hal-02310128
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titre
Sub-THz zero-bias detector with high performances based on heterostructure low barrier diode (HLBD)
auteur
S. Nadar, Mohammed Zaknoune, X. Wallart, Christophe Coinon, Emilien Peytavit, Guillaume Ducournau, F. Gamand, M. Thirault, M. Werquin, S. Jonniau, N. Thouvenin, Christophe Gaquière, N. Vellas, Jean-Francois Lampin
article
41st International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Sep 2016, Copenhagen, Denmark. ⟨10.1109/IRMMW-THz.2016.7758432⟩
identifiant
hal-03286180
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titre
Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress
auteur
Hadhemi Lakhdhar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, N. Defrance, Marie Lesecq, Jean-Claude de Jaeger, Nathalie Malbert
article
ESREF 2016, Sep 2016, Händel-Halle, Germany
identifiant
hal-02462684
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titre
Improved performance of flexible CMOS technology using ultimate thinning and transfer bonding
auteur
Emmanuel Dubois, Justine Philippe, Matthieu Berthomé, J.F. Robillard, Christophe Gaquière, Francois Danneville, Daniel Gloria, Christine Raynaud
article
6th Electronic System-Integration Technology Conference (ESTC), Sep 2016, Grenoble, France. ⟨10.1109/ESTC.2016.7764513⟩
identifiant
hal-03272693
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titre
Conception d'un doubleur de fréquence +4 dBm en technologie BiCMOS 55 nm en bande W
auteur
Walid Aouimeur, José Moron Guerra, Estelle Lauga-Larroze, Jean-Daniel Arnould, Thomas Quémerais, Christophe Gaquière
article
Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique, May 2016, Toulouse, France
identifiant
hal-02019237
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2015

Journal articles

titre
AlGaN/GaN HEMT's photoresponse to high intensity THz radiation
auteur
Nina Diakonova, Dmytro But, Dominique Coquillat, Wojciech Knap, C. Drexler, P. Olbrich, J. Karch, M. Schafberger, S. D. Ganichev, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, M. -A. Poisson, S. Delage, G. Cywinski, C. Skierbiszewski
article
Opto-Electronics Review, 2015, 23 (3), pp.195-199. ⟨10.1515/oere-2015-0026⟩
identifiant
hal-01190762
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titre
Characterization and analysis of electrical trap related effects on the reliability of AlInN/GaN HEMTs
auteur
S. Petitdidier, F. Berthet, Y. Guhel, J.L. Trolet, P. Mary, Christophe Gaquière, B. Boudart
article
Microelectronics Reliability, 2015, 55 (9-10), pp.1719 - 1723. ⟨10.1016/j.microrel.2015.06.070⟩
identifiant
hal-01646909
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BibTex
titre
Sub-fF 130 nm MOS Varactor Characterization using 6 . 8 GHz Interferometry-based Reflectometer
auteur
Pietro Maris Ferreira, Cora Donche, Ambroise Delalin, Thomas Quémerais, Daniel Gloria, Tuami Lasri, Gilles Dambrine, Christophe Gaquière
article
IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2015, 25 (6), pp.418 - 420. ⟨10.1109/LMWC.2015.2421326⟩
identifiant
hal-01217908
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https://centralesupelec.hal.science/hal-01217908/file/Ferreira%20et%20al.%20-%202015%20-%20Sub-fF%20130%20nm%20MOS%20Varactor%20Characterization%20using%206.8%20GHz%20Interferometry-based%20Reflectometer.pdf BibTex
titre
Power performance at 40 GHz of AlGaN/GaN high electron mobility transistors grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrate
auteur
Philippe Altuntas, François Lecourt, Adrien Cutivet, N. Defrance, Etienne Okada, Marie Lesecq, Stephanie Rennesson, Alain Agboton, Yvon Cordier, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, 2015, 36 (4), pp.303-305. ⟨10.1109/LED.2015.2404358⟩
identifiant
hal-03276913
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BibTex
titre
Properties of boron-doped epitaxial diamond layers grown on (110) oriented single crystal substrates
auteur
Vincent Mortet, Julien Pernot, François Jomard, Ali Soltani, Z. Remes, Julien Barjon, J. d'Haen, Ken Haenen
article
Diamond and Related Materials, 2015, 53, pp.29-34. ⟨10.1016/j.diamond.2015.01.006⟩
identifiant
hal-01364116
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BibTex
titre
Degradation assessment of LYRA after 5 years on orbit : Technology Demonstration
auteur
A. Benmoussa, B. Giordanengo, S. Gissot, I. E. Dammasch, M. Dominique, Jean-François Hochedez, A. Soltani, Nour Eddine Bourzgui, T. Saito, U. Schühle, A. Gottwald, U. Kroth, A. R. Jones
article
Experimental Astronomy, 2015, 30 (1), pp.29-43. ⟨10.1007/s10686-014-9437-7⟩
identifiant
hal-01102475
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https://hal.science/hal-01102475/file/Expe-Astro-BenMoussa-2015.pdf BibTex
titre
Changes of benthic bacteria and meiofauna assemblages during bio-treatments of anthracene-contaminated sediments from Bizerta lagoon (Tunisia)
auteur
O. Ben Said, Hela Louati, A. Soltani, Hugues Preud'Homme, Cristiana Cravo-Laureau, P. Got, O. Pringault, Patricia Aissa, Robert Duran
article
Environmental Science and Pollution Research, 2015, 22 (20), p. 15319-15331. ⟨10.1007/s11356-015-4105-7⟩
identifiant
hal-01631846
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BibTex
titre
Responses of a free-living benthic marine nematode community to bioremediation of a PAH mixture
auteur
Hela Louati, O.B. Said, A. Soltani, Cristiana Cravo-Laureau, Robert Duran, Patricia Aissa, E. Mahmoudi, O. Pringault
article
Environmental Science and Pollution Research, 2015, 22 (20), pp.15307-15318. ⟨10.1007/s11356-014-3343-4⟩
identifiant
hal-01631844
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BibTex
titre
Thermal characterization using optical methods of AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrate in RF operating conditions
auteur
Leny Baczkowski, Jean-Claude Jacquet, Olivier Jardel, Christophe Gaquière, myriam moreau, Dominique Carisetti, Laurent Brunel, Franck Vouzelaud, Yves Mancuso
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2015, 62, pp.3992 - 3998. ⟨10.1109/TED.2015.2493204⟩
identifiant
hal-01348823
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Conference papers

titre
Application-oriented performance of RF CMOS technologies on flexible substrates
auteur
Justine Philippe, Aurélien Lecavelier, Matthieu Berthomé, J.F. Robillard, Christophe Gaquière, Francois Danneville, Daniel Gloria, Christine Raynaud, Emmanuel Dubois
article
IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2015, Washington, United States. ⟨10.1109/IEDM.2015.7409707⟩
identifiant
hal-03272696
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BibTex
titre
A 135-150 GHz frequency quadrupler with 0.5 dBm peak output power in 55 nm SiGe BiCMOS technology
auteur
Alice Bossuet, Thomas Quémerais, Sylvie Lepilliet, Jean-Michel Fournier, Estelle Lauga-Larroze, Christophe Gaquière, Daniel Gloria
article
2015 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - BCTM, Oct 2015, Boston, United States. pp.186-189
identifiant
hal-02012856
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BibTex
titre
Conception d'un quadrupleur de fréquence en technologie BiCMOS 55 nm en bande G
auteur
Walid Aouimeur, Estelle Lauga-Larroze, José Moron Guerra, Thomas Quémerais, Ayssar Serhan, Christophe Gaquière, Jean-Daniel Arnould
article
GDR ONDES, Oct 2015, Lyon, France
identifiant
hal-02019222
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titre
Large-signal modeling up to W-band of AlGaN/GaN based high-electron-mobility transistors
auteur
Adrien Cutivet, Philippe Altuntas, N. Defrance, Etienne Okada, Vanessa Avramovic, Marie Lesecq, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, F. Boone, Maher, Hassan
article
10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2015, Paris, France. pp.93-96, ⟨10.1109/EuMIC.2015.7345076⟩
identifiant
hal-03276915
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BibTex
titre
Atténuateur Actif pour les Applications en Bande D réalisé en technologie BiCMOS 55 nm
auteur
Alice Bossuet, Thomas Quémerais, Estelle Lauga-Larroze, Jean-Michel Fournier, Christophe Gaquière, Daniel Gloria
article
19èmes Journées Nationales Micro-ondes, Jun 2015, Bordeaux, France
identifiant
hal-02021512
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BibTex
titre
Dielectric Properties Extraction of Coplanar Propagation Waveguides on High Resistivity Silicon Substrates
auteur
Qing Lv, Hua Zhao, N. Defrance, Chao Fu, Kamel Haddadi, Lujuan Ma
article
International Conference on Mechatronics, Electronic, Industrial and Control Engineering (MEIC), Apr 2015, Shenyang, PEOPLES R, China. pp.539-542
identifiant
hal-03224668
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BibTex
titre
Hybrid plasma modes in transistors: linear and non-linear responses, Monte Carlo simulation
auteur
Carlos Daher, Jeremie Torres, Ignacio Iñiguez-De-La-Torre, Philippe Nouvel, Luca Varani, Paul Sangaré, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Javier Mateos, Tomas Gonzalez
article
19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, 2015, Edison, United States
identifiant
hal-01921028
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BibTex
titre
Room temperature terahertz heterodyne detection using unipolar nanodiodes
auteur
Carlos Daher, Jeremie Torres, Ignacio Iñiguez-De-La-Torre, Philippe Nouvel, Luca Varani, Paul Sangaré, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Javier Mateos, Tomas Gonzalez
article
19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, 2015, Salamanca, Spain
identifiant
hal-01920759
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BibTex
titre
0.69 THz room temperature heterodyne detection using GaN nanodiodes
auteur
Carlos Daher, Jeremie Torres, Ignacio Iñiguez-De-La-Torre, Philippe Nouvel, Luca Varani, Paul Sangaré, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Javier Mateos, And Tomás González
article
19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, 2015, Salamanca, Spain. ⟨10.1088/1742-6596/647/1/012006⟩
identifiant
hal-01920765
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https://hal.science/hal-01920765/file/Daher_2015_J._Phys.__Conf._Ser._647_012006.pdf BibTex

Book sections

titre
Automated System-Level Design for Reliability : RF front-end application
auteur
Pietro Maris Ferreira, Jack Ou, Christophe Gaquière, Philippe Benabes
article
Mourad Fakhfakh, Esteban Tlelo-Cuautle, Patrick Siarry. Computational Intelligence in Analog and Mixed-Signal (AMS) and Radio-Frequency (RF) Circuit Design, Springer International Publishing, 2015, ⟨10.1007/978-3-319-19872-9_13⟩
identifiant
hal-01222066
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2014

Journal articles

titre
Electromagnetically induced absorption in detuned stub waveguides: a simple analytical and experimental model
auteur
A. Mouadili, E. H. El Boudouti, A. Soltani, Abdelkrim Talbi, Bahram Djafari-Rouhani, Abdellatif Akjouj, Kamel Haddadi
article
Journal of Physics: Condensed Matter, 2014, 26 (50), 505901, 12 p. ⟨10.1088/0953-8984/26/50/505901⟩
identifiant
hal-03224669
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BibTex
titre
Operation of GaN Planar Nanodiodes as THz Detectors and Mixers
auteur
Ignacio Iñiguez-De-La-Torre, Carlos Daher, Jean-Francois Millithaler, Jeremi Torres, Philippe Nouvel, Luca Varani, Paul Sangaré, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Tomas González, Javier Mateos
article
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, 2014, 4 (6), pp.670 - 677. ⟨10.1109/TTHZ.2014.2356296⟩
identifiant
hal-01636512
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BibTex
titre
Dispersion properties and low infrared optical losses in epitaxial AlN on sapphire substrate in the visible and infrared range
auteur
Ali Soltani, Arnaud Stolz, Joël Charrier, Maghnia Mattalah, Jean-Claude Gerbedoen, Hassan Ali Barkad, Vincent Mortet, Michel Rousseau, Nour Eddine Bourzgui, Ali Benmoussa, Jean-Claude de Jaeger
article
Journal of Applied Physics, 2014, 115 (16), pp.163515. ⟨10.1063/1.4873236⟩
identifiant
hal-00987345
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-00987345/file/Soltani_2014_1.4873236%20%281%29.pdf BibTex
titre
On the effect of δ-doping in self-switching diodes
auteur
Andreas Westlund, Ignacio Iñiguez-De-La-Torre, Per-Åke Nilsson, Tomas González, Javier Mateos, Paul Sangaré, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, L. Desplanque, Xavier Wallart, Jan Grahn
article
Applied Physics Letters, 2014, 105 (9), 093505, 5 p. ⟨10.1063/1.4894806⟩
identifiant
hal-01061584
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-01061584/file/Westlund_2014_1.4894806.pdf BibTex
titre
Optimized V-shape design of GaN nanodiodes for the generation of Gunn oscillations
auteur
J.F. Millithaler, I. Iniguez-De-La-Torre, A. Iniguez-De-La-Torre, T. Gonz Alez, P. Sangaré, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, J. Mateos
article
Applied Physics Letters, 2014, 104, 073509, 4 p. ⟨10.1063/1.4866166⟩
identifiant
hal-00951554
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https://hal.science/hal-00951554/file/Millithaler_2014_1.4866166.pdf BibTex
titre
In situ integrated tuner approach for load-pull measurement of Si/SiGe:C HBT at 200 GHz
auteur
Issam Hasnaoui, Alexandre Pottrain, Thomas Lacave, Pascal Chevalier, Daniel Gloria, Christophe Gaquière
article
Electronics Letters, 2014, 50, pp.1070-1072. ⟨10.1049/el.2014.0186⟩
identifiant
hal-01055077
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titre
High performance TiN gate contact on AlGaN/GaN transistor using a mechanically strain induced P-doping
auteur
Ali Soltani, Michel Rousseau, Jean-Claude Gerbedoen, Maghnia Mattalah, P.L. Bonanno, A. Telia, Nour Eddine Bourzgui, Gilles Patriarche, A. Ougazzaden, A. Ben Moussa
article
Applied Physics Letters, 2014, 104, 233506, 5 p. ⟨10.1063/1.4882415⟩
identifiant
hal-01009966
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https://hal.science/hal-01009966/file/Soltani_2014_1.4882415.pdf BibTex
titre
GaN high electron mobility transistors on silicon substrates with MBE/PVD AlN seed layers
auteur
Yvon Cordier, Éric Frayssinet, Magdalena Chmielowska, Maud Nemoz, Aimeric Courville, Philippe Vennéguès, P. de Mierry, Sebastien Chenot, Julien Camus, Keltouma Aït Aïssa, Quentin Simon, Laurent Le Brizoual, Mohamed Abdou Djouadi, N. Defrance, Marie Lesecq, Philippe Altuntas, Adrien Cutivet, Alain Agboton, Jean-Claude de Jaeger
article
physica status solidi (c), 2014, 11 (3-4), pp.498-501. ⟨10.1002/pssc.201300453⟩
identifiant
hal-00966112
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titre
Biostimulation as an attractive technique to reduce phenanthrene toxicity for meiofauna and bacteria in lagoon sediment
auteur
Haithem Louati, O.B. Said, A. Soltani, P. Got, Cristiana Cravo-Laureau, Robert Duran, P. Aissa, O. Pringault, E. Mahmoudi
article
Environmental Science and Pollution Research, 2014, 21 (5), pp.3670-3679. ⟨10.1007/s11356-013-2330-5⟩
identifiant
hal-01631850
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titre
Hypersonic band gap in an AlN-TiN bilayer phononic crystal slab
auteur
S. Hemon, Abdellatif Akjouj, A. Soltani, Yan Pennec, Y. El Hassouani, Abdelkrim Talbi, V. Mortet, Bahram Djafari-Rouhani
article
Applied Physics Letters, 2014, 104, 063101, 5 p. ⟨10.1063/1.4864310⟩
identifiant
hal-00947576
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https://hal.science/hal-00947576/file/Hemon_2014_1.4864310.pdf BibTex
titre
Physique des fluides aux échelles microscopiques pour l'ingénierie des microsystèmes : fabrication et caractérisation
auteur
Renaud Dufour, Simon Laurette, Thomas Dargent, Maxime Harnois, Nour Eddine Bourzgui, V. Thomy
article
Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, 2014, 13, 0002, 7 p. ⟨10.1051/j3ea/2014002⟩
identifiant
hal-00996921
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titre
Electronic and physico-chemical properties of nanometric boron delta-doped diamond structures
auteur
Gauthier Chicot, Alexandre Fiori, P.N. Volpe, Thu Nhi Tran Thi, Jean-Claude Gerbedoen, Jessica Bousquet, M.P. Alegre, J.C. Pinero, D. Araujo, F. Jomard, Ali Soltani, Jean-Claude de Jaeger, J. Morse, J. Härtwig, Nicolas Tranchant, C. Mer-Calfati, Jean-Charles Arnault, Julien Delahaye, Thierry Grenet, David Eon, Franck Omnès, Julien Pernot, Etienne Bustarret
article
Journal of Applied Physics, 2014, 116, pp.083702. ⟨10.1063/1.4893186⟩
identifiant
hal-01058487
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https://hal.science/hal-01058487/file/article_GauthierChicot.pdf BibTex
titre
Effect of passivation on microwave power performances of AlGaN/GaN/Si HEMTs
auteur
H. Mosbahi, M. Charfeddine, M. Gassoumi, H. Mejri, Christophe Gaquière, Bertrand Grimbert, M.A. Zaidi, H. Maaref
article
Sensors & Transducers., 2014, 27, pp.277-279
identifiant
hal-01005128
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titre
Impacts of bioremediation schemes for the mitigation of a low-dose anthracene contamination on free-living marine benthic nematodes
auteur
Haithem Louati, O. Ben Said, A. Soltani, Cristiana Cravo-Laureau, Hugues Preud'Homme, Robert Duran, P. Aïssa, E. Mahmoudi, O. Pringault
article
Ecotoxicology, 2014, 23 (2), pp.201-212. ⟨10.1007/s10646-013-1163-9⟩
identifiant
hal-01560342
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Conference papers

titre
On the correlation between kink effect and effective mobility in InAlN/GaN HEMTs
auteur
Philippe Altuntas, N. Defrance, Marie Lesecq, Alain Agboton, Rezki Ouhachi, Etienne Okada, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, Éric Frayssinet, Yvon Cordier
article
9th European Microwave Integrated Circuit Conference (EuMIC), Oct 2014, Rome, Italy. pp.88-91, ⟨10.1109/EuMIC.2014.6997798⟩
identifiant
hal-03276914
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titre
Theoretical and experimental investigation of Lamb waves characteristics in AlN/TiN and AlN/TiN/NCD composite membranes
auteur
Ali Soltani, Abdelkrim Talbi, J-C Gerbedoen, Jean-Claude de Jaeger, Philippe Pernod, V. Mortet, A. Bassam
article
IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS), Sep 2014, Chicago, United States. pp.2047-2050, ⟨10.1109/ULTSYM.2014.0510⟩
identifiant
hal-03276910
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titre
1 – 20 GHz kΩ -range BiCMOS 55 nm Reflectometer
auteur
Pietro Maris Ferreira, Cora Donche, Kamel Haddadi, Tuami Lasri, Thomas Quemerais, Christophe Gaquière, Daniel Gloria, Gilles Dambrine
article
IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS), Jun 2014, Trois-Rivieres, QC, Canada. ⟨10.1109/NEWCAS.2014.6934063⟩
identifiant
hal-01222113
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https://hal.science/hal-01222113/file/BW_kamel.pdf BibTex
titre
1-20 GHz k Omega-range BiCMOS 55 nm Reflectometer
auteur
Pietro M. Ferreira, Cora Donche, Kamel Haddadi, Tuami Lasri, Gilles Dambrine, Christophe Gaquière, Thomas Quemerais, Daniel Gloria
article
12th IEEE International New Circuits and Systems Conference (IEEE NEWCAS), Jun 2014, Trois-Rivieres, Canada. pp.385-388
identifiant
hal-03224670
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titre
Current-voltage characteristics of (Mo/Au)/AlGaN/GaN/Si Schottky diodes
auteur
H. Mosbahi, M. Charfeddine, M. Gassoumi, Christophe Gaquière, M.A. Zaidi, H. Maaref
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2014, Symposium X - Materials research for group IV semiconductors : growth, characterization and technological developments, 2014, Lille, France
identifiant
hal-00961393
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titre
Variation des paramètres d'un transistor bipolaire Si/SiGe:C BiCMOS9MW, en fonction de la contrainte apportée par la densité des connexions métalliques
auteur
Elodie Canderle, Pascal Chevalier, Christophe Gaquière
article
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p
identifiant
hal-01020310
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titre
Hypersonic band gap in an AlN-TiN bilayer phononic crystal slab
auteur
Stéphanie Hemon, Abdellatif Akjouj, Ali Soltani, Yan Pennec, Abdelkrim Talbi, Vincent Mortet, Bahram Djafari-Rouhani
article
Joint 25th Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, and 14èmes Journées de la Matière Condensée, CMD25-JMC14, 2014, Paris, France
identifiant
hal-01015255
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titre
Caractérisation électrique d'une structure passive en hyperfréquence par mesures et modélisation de lignes CPW
auteur
Adrien Cutivet, A. Thevenot, A. Chakroun, N. Defrance, H. Maher, F. Boone
article
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p
identifiant
hal-01020312
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titre
[Invited] Millimeter-wave noise and power characterization using in situ tuner
auteur
Thomas Quemerais, Daniel Gloria, Sandrine Oeuvrard, Christophe Gaquière, Francois Danneville, Gilles Dambrine, Marina Deng
article
62nd IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2014, Workshop WMI - Challenges and advances in wafer-level calibration and characterization of millimeter and sub-millimeter wave devices and systems, 2014, Tampa, FL, United States
identifiant
hal-01044780
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titre
Surface acoustic wave bandgaps for conical pillars on a piezoelectric substrate
auteur
Abdelali Mrabti, Mourad Oudich, Abdellatif Akjouj, Yan Pennec, Bahram Djafari-Rouhani, Abdelkrim Talbi, Jérémy Streque, Yu Du, Ali Soltani, Philippe Pernod
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2014, Symposium D - Phonons and fluctuations in low dimensional structures, 2014, Lille, France
identifiant
hal-00962392
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titre
MILLIPRISM : millimeter wave passive radiometric imaging system
auteur
Jean-Francois Lampin, M. Zaknoune, X. Wallart, L. Desplanque, Emilien Peytavit, Guillaume Ducournau, M. Thirault, M. Werquin, S. Jonniau, N. Thouvenin, Christophe Gaquière, N. Vellas
article
8ème Workshop Interdisciplinaire sur la Sécurité Globale, WISG 2014, 2014, Troyes, France
identifiant
hal-00939873
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titre
Fabrication et caractérisation DC de composant HEMTs In(Ga)AlN/GaN sur silicium
auteur
Léon-Thierry Okala, Marie Lesecq, Philippe Altuntas, Jean-Claude de Jaeger
article
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p
identifiant
hal-01020314
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titre
Design and radiation hardness of next generation solar UV radiometers
auteur
Samuel Gissot, Ali Benmoussa, Boris Giordanengo, Ali Soltani, Terubumi Saito, Udo Schühle, Udo Kroth, Alexander Gottwald
article
IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference, NSREC 2014, 2014, Paris, France. paper W-24, 6 p
identifiant
hal-01063876
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Patents

titre
Device and method for direct demodulation of signals with carrier frequencies up to the THz range
auteur
Lucie Tholme, Luca Varani, Philippe Nouvel, Aimin Song, Carlos Daher, Stéphane Blin, Jan Vilhelm Grahn, Jérémie Torres, Javier Mateos, Christophe Gaquière
article
France, Patent n° : EP2731264 (A1). Brevet [#622]. 2014
identifiant
hal-00998991
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titre
Device and method for mixing electromagnetic waves with frequencies up to the THz range
auteur
Luca Varani, Philippe Nouvel, Alexandre Penot, Javier Mateos, Jan Vilhelm Grahn, Christophe Gaquière, Aimin Song, Jérémie Torres
article
France, Patent n° : EP2731263 (A1). Brevet [#620]. 2014
identifiant
hal-00998981
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Poster communications

titre
Room temperature THz heterodyne detector based on GaN unipolar nanochannels
auteur
C. Daher, I. Iniguez de La Torre, J. Torres, P. Nouvel, L. Varani, P. Sangaré, B Grimbert, Marc Faucher, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, J. Mateos, T. Gonzalez
article
Proceedings of 41st International Symposium on Compound Semiconductor, ISCS 2014, Compound Semiconductor Week, CSW 2014, 2014, Montpellier, France
identifiant
hal-02454503
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2013

Journal articles

titre
Optical properties of aluminum nitride thin films grown by direct-current magnetron sputtering close to epitaxy
auteur
Arnaud Stolz, Ali Soltani, Bassam Abdallah, Joël Charrier, D. Deresmes, Pierre-Yves Jouan, Mohamed Abdou Djouadi, El Hadj Dogheche, Jean-Claude de Jaeger
article
Thin Solid Films, 2013, 534, pp.442-445. ⟨10.1016/j.tsf.2013.01.086⟩
identifiant
hal-01264133
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titre
Optimization of Al0.29Ga0.71N/GaN high electron mobility heterostructures for high-power/frequency performances
auteur
S. Rennesson, F. Lecourt, N. Defrance, M. Chmielowska, Sébastien Chenot, Marie Lesecq, Virginie Hoel, Etienne Okada, Y. Cordier, Jean-Claude de Jaeger
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60, pp.3105-3111. ⟨10.1109/TED.2013.2272334⟩
identifiant
hal-00872025
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titre
Developments, characterization and proton irradiation damage tests of AlN detectors for VUV solar observations
auteur
A. Ben Moussa, A. Soltani, J.C. Gerbedoen, T. Saito, S. Averin, S. Gissot, B. Giordanengo, G. Berger, U. Kroth, Jean-Claude de Jaeger, A. Gottwald
article
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2013, 312, pp.48-53. ⟨10.1016/j.nimb.2013.05.091⟩
identifiant
hal-00872009
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titre
Direct-current and radio-frequency characteristics of passivated AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, H. Mejri, I. Saidi, Christophe Gaquière, M.A. Zaidi, H. Maaref
article
Current Applied Physics, 2013, 13, pp.1359-1364. ⟨10.1016/j.cap.2013.04.003⟩
identifiant
hal-00872006
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titre
[Invited] Assessment of transistors based on GaN on silicon substrate in view of integration with silicon technology
auteur
A. Soltani, Y. Cordier, J.C. Gerbedoen, S. Joblot, Etienne Okada, M. Chmielowska, M.R. Ramdani, Jean-Claude de Jaeger
article
Semiconductor Science and Technology, 2013, 28, pp.094003-1-6. ⟨10.1088/0268-1242/28/9/094003⟩
identifiant
hal-00872010
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titre
Microbial community responses to bioremediation treatments for the mitigation of low-dose anthracene in marine coastal sediments of Bizerte lagoon (Tunisia)
auteur
Haithem Louati, O.B. Said, P. Got, A. Soltani, E. Mahmoudi, Cristiana Cravo-Laureau, Robert Duran, P. Aïssa, O. Pringault
article
Environmental Science and Pollution Research, 2013, 20 (1), pp.300--310. ⟨10.1007/s11356-012-0860-x⟩
identifiant
hal-01546601
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titre
Radio-frequency and low noise characteristics of SOI technology on plastic for flexible electronics
auteur
A. Lecavelier Des Etangs-Levallois, Marie Lesecq, Francois Danneville, Y. Tagro, Sylvie Lepilliet, Virginie Hoel, David Troadec, D. Gloria, C. Raynaud, Emmanuel Dubois
article
Solid-State Electronics, 2013, 90, pp.73-78. ⟨10.1016/j.sse.2013.02.049⟩
identifiant
hal-00914203
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https://hal.science/hal-00914203/file/2013-Lecavelier-et-al-SolidStateElectronics-Radio-frequency-nf.pdf BibTex
titre
Irradiation damage tests on backside-illuminated CMOS APS prototypes for the extreme ultraviolet imager on-board solar orbiter
auteur
A. Benmoussa, S. Gissot, B. Giordanengo, G. Meynants, X. Wang, B. Wolfs, J. Bogaerts, U. Schuhle, G. Berger, A. Gottwald, C. Laubis, U. Kroth, F. Scholze, A. Soltani, T. Saito
article
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2013, 60, pp.3907-3914. ⟨10.1109/TNS.2013.2279550⟩
identifiant
hal-00877648
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BibTex
titre
Power performance of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on (110) silicon substrate at 40 GHz
auteur
A. Soltani, J.C. Gerbedoen, Y. Cordier, D. Ducatteau, Michel Rousseau, M. Chmielowska, M. Ramdani, Jean-Claude de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, 2013, 34, pp.490-492. ⟨10.1109/LED.2013.2244841⟩
identifiant
hal-00809856
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BibTex
titre
Effect of surface passivation by SiN/SiO2 of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si substrate by deep level transient spectroscopy method
auteur
M. Gassoumi, H. Mosbahi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Semiconductors, 2013, 47, pp.1002-1005
identifiant
hal-00806585
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BibTex
titre
Non-linear nanochannels for room temperature terahertz heterodyne detection
auteur
J. Torres, P. Nouvel, A. Penot, L. Varani, P. Sangare, B. Grimbert, M. Faucher, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, I. Iniguez-De-La-Torre, J. Mateos, T. Gonzalez
article
Semiconductor Science and Technology, 2013, 28, 125024, 6 p. ⟨10.1088/0268-1242/28/12/125024⟩
identifiant
hal-00907348
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BibTex
titre
A converging route towards very high frequency, mechanically flexible, and performance stable integrated electronics
auteur
A. Lecavelier Des Etangs-Levallois, Z. K. Chen, Marie Lesecq, Sylvie Lepilliet, Y. Tagro, Francois Danneville, J.F. Robillard, Virginie Hoel, David Troadec, D. Gloria, C. Raynaud, J. Ratajczak, Emmanuel Dubois
article
Journal of Applied Physics, 2013, 113 (15), pp.153701. ⟨10.1063/1.4801803⟩
identifiant
hal-00819466
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https://hal.science/hal-00819466/file/Etangs-Levallois_2013_1.4801803.pdf BibTex
titre
Analytical modeling and analysis of AlmGa1-mN/GaN HEMTs employing both field-plate and high-k dielectric stack for high-voltage operation
auteur
M. Kaddeche, A. Telia, A. Soltani
article
Journal of Computational Electronics, 2013, 12, pp.501-510. ⟨10.1007/s10825-013-0468-5⟩
identifiant
hal-00872008
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BibTex
titre
Electron transport in passivated AlGaN/GaN/Si HEMTs
auteur
M. Gassoumi, H. Mosbahi, A. Soltani, Vanessa Avramovic, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Mejri, H. Maaref
article
Materials Science in Semiconductor Processing, 2013, 16, pp.1775-1778. ⟨10.1016/j.mssp.2013.06.025⟩
identifiant
hal-00872024
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BibTex
titre
Robust surface-potential-based compact model for GaN HEMT IC design
auteur
S. Khandelwal, C. Yadav, S. Agnihotri, Y.S. Chauhan, A. Curutchet, T. Zimmer, J.C. Dejaeger, N. Defrance, T.A. Fjeldly
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60, pp.3216-3222. ⟨10.1109/TED.2013.2265320⟩
identifiant
hal-00872023
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BibTex
titre
Leakage current, capacitance hysteresis and deep traps in Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC high-electron-mobility transistors
auteur
S. Saadaoui, M.M. Ben Salem, O. Fathallah, M. Gassoumi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Physica B: Condensed Matter, 2013, 412, pp.126-129. ⟨10.1016/j.physb.2012.11.031⟩
identifiant
hal-00796437
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BibTex
titre
Terahertz detection in zero-bias InAs self-switching diodes at room temperature
auteur
A. Westlund, P. Sangare, Guillaume Ducournau, P.A. Nilsson, Christophe Gaquière, L. Desplanque, X. Wallart, J. Grahn
article
Applied Physics Letters, 2013, 103, pp.133504-1-4. ⟨10.1063/1.4821949⟩
identifiant
hal-00872026
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-00872026/file/Westlund_2013_1.4821949.pdf BibTex
titre
Experimental demonstration of direct terahertz detection at room-temperature in AlGaN/GaN asymmetric nanochannels
auteur
Paul Sangare, Guillaume Ducournau, Bertrand Grimbert, Virginie Brandli, Marc Faucher, Christophe Gaquière, Ana Iniguez-De-La-Torre, Ignacio Íñiguez-De-La-Torre, Jean-Francois Millithaler, Javier Mateos, Tomás González
article
Journal of Applied Physics, 2013, 113 (3), pp.034305. ⟨10.1063/1.4775406⟩
identifiant
hal-00796434
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https://hal.science/hal-00796434/file/Sangare_2013_1.4775406.pdf BibTex
titre
Power performance at 40 GHz on quaternary barrier InAlGaN/GaN HEMT
auteur
François Lecourt, Alain Agboton, Nico Ketteniss, Hannes Behmenburg, N. Defrance, Virginie Hoel, Holger Kalisch, Andrei Vescan, Michael Heuken, Jean-Claude de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, 2013, 34, pp.978-980. ⟨10.1109/LED.2013.2266123⟩
identifiant
hal-00872022
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BibTex
titre
Theoretical and experimental evidence of Fano-like resonances in simple monomode photonic circuits
auteur
A. Mouadili, E.H. El Boudouti, A. Soltani, Abdelkrim Talbi, Abdellatif Akjouj, Bahram Djafari-Rouhani
article
Journal of Applied Physics, 2013, 113 (16), pp.164101. ⟨10.1063/1.4802695⟩
identifiant
hal-00819665
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-00819665/file/Mouadili2013.pdf BibTex
titre
The roles of biological interactions and pollutant contamination in shaping microbial benthic community structure
auteur
Haithem Louati, O. Ben Said, A. Soltani, P. Got, E. Mahmoudi, Cristiana Cravo-Laureau, Robert Duran, P. Aissa, O. Pringault
article
Chemosphere, 2013, 93 (10), pp.2535-2546. ⟨10.1016/j.chemosphere.2013.09.069⟩
identifiant
hal-01631854
Accès au bibtex
BibTex
titre
AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate with 206-GHz FMAX
auteur
S. Bouzid-Driad, H. Maher, N. Defrance, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, M. Renvoise, P. Frijlink
article
IEEE Electron Device Letters, 2013, 34, pp.36-38. ⟨10.1109/LED.2012.2224313⟩
identifiant
hal-00796433
Accès au bibtex
BibTex
titre
Fabrication, characterization, and physical analysis of AlGaN/GaN HEMTs on flexible substrates
auteur
N. Defrance, F. Lecourt, Y. Douvry, Marie Lesecq, Virginie Hoel, A. Lecavelier Des Etangs-Levallois, Y. Cordier, A. Ebongue, Jean-Claude de Jaeger
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60, pp.1054-1059. ⟨10.1109/TED.2013.2238943⟩
identifiant
hal-00797212
Accès au bibtex
BibTex

Conference papers

titre
Electron delay analysis and image charge effect in AlGaN/GaN HEMT on silicon substrate
auteur
Alain Agboton, N. Defrance, Philippe Altuntas, Vanessa Avramovic, Adrien Cutivet, Rezki Ouhachi, Jean-Claude de Jaeger, Samira Bouzid-Driad, Maher, Hassan, M. Renvoise, Peter Frijlink
article
43rd Conference on European Solid-State Device Research, Sep 2013, Bucharest, Romania
identifiant
hal-03285110
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titre
Pulsed power operation of power limiters integrating a phase transition material
auteur
Aurelian Crunteanu, Emilien Lemoine, Jonathan Leroy, Damien Passerieux, Philippe Lévêque, Pierre Blondy, Christophe Gaquière, D. Ducatteau, Jean-Christophe Orlianges, Corinne Champeaux
article
IEEE MTT−S International Microwave Symposium, Jun 2013, Seattle, United States. Paper ID: TH3G-6, ⟨10.1109/MWSYM.2013.6697605⟩
identifiant
hal-00911266
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titre
Caractérisation de l'auto-échauffement des TBHs SiGe:C par l'extraction de l'impédance thermique
auteur
Issam Hasnaoui, Alexandre Pottrain, Daniel Gloria, Pascal Chevalier, Elodie Canderle, Christophe Gaquière
article
18èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2013, May 2013, Paris, France. papier J1-DA1-2, 4 p
identifiant
hal-00878390
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titre
Noise in terahertz detectors based on semiconductor nanochannels
auteur
J.F. Millithaler, I. Iniguez-De-La-Torre, T. Gonzalez, J. Mateos, P. Sangare, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
22nd International Conference on Noise and Fluctuations, ICNF 2013, 2013, Montpellier, France. 4 p., ⟨10.1109/ICNF.2013.6578885⟩
identifiant
hal-00877771
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titre
Amplificateur de puissance GaN à haut rendement avec polarisation dynamique
auteur
F. Gamand, M.D. Li, Christophe Gaquière
article
18èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2013, 2013, Paris, France. papier J1-DA2-2, 4 p
identifiant
hal-00878391
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titre
200 GHz communication system using unipolar InAs THz rectifiers
auteur
Guillaume Ducournau, A. Westlund, P. Sangare, Christophe Gaquière, P.A. Nislon, L. Desplanque, J.L. Codron, X. Wallart, I. Iniguez de La Torre, J.F. Millithaler, T. Gonzales, J. Mateos, J. Grahn
article
38th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2013, 2013, Mainz, Germany. paper MO11-3, 2 p., ⟨10.1109/IRMMW-THz.2013.6665492⟩
identifiant
hal-00914236
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titre
Semiconductor nanodevices for room temperature THz detection and emission
auteur
J. Mateos, J.F. Millithaler, I. Iniguez-De-La-Torre, A. Iniguez-De-La-Torre, B.G. Vasallo, S. Perez, P. Sangare, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Y. Alimi, L. Zhang, A. Rezazadeh, A.M. Song, A. Westlund, J. Grahn, T. Gonzalez
article
International Workshop on Terahertz Science and Technology, OTST 2013, 2013, Kyoto, Japan
identifiant
hal-00811823
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titre
Extraordinary room temperature THz heterodyne detector: the self-switching nanodiode
auteur
J. Torres, P. Nouvel, A. Penot, L. Varani, P. Sangare, B. Grimbert, M. Faucher, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, I. Iniguez-De-La-Torre, J. Mateos, T. Gonzalez
article
18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructure, 2013, Matsue, Japan
identifiant
hal-01926264
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titre
Effect of passivation on pinch-off current leakage characteristics of AlGaN/GaN/Si HEMTs
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, H. Mejri, Christophe Gaquière, B. Grimbert, M.A. Zaidi, H. Maaref
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2013, Symposium D - Advanced inorganic materials and structures for photovoltaics, 2013, Strasbourg, France
identifiant
hal-00819700
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titre
Room temperature THz detection and emission with semiconductor nanodevices
auteur
J. Mateos, J.F. Millithaler, I. Iniguez-De-La-Torre, A. Iniguez-De-La-Torre, B.G. Vasallo, S. Perez, T. Gonzalez, P. Sangare, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Y. Alimi, L. Zhang, A. Rezazadeh, A.M. Song, A. Westlund, J. Grahn
article
9th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2013, 2013, Valladolid, Spain. pp.215-218, ⟨10.1109/CDE.2013.6481381⟩
identifiant
hal-00806587
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titre
AlGaN/GaN HEMTs on HR silicon substrate (111) with an AlN seed film grown by PVD
auteur
Philippe Altuntas, N. Defrance, Marie Lesecq, Adrien Cutivet, Alain Agboton, Yvon Cordier, Magdalena Chmielowska, Stephanie Rennesson, Julien Camus, Keltouma Aït Aïssa, Laurent Le Brizoual, Mohamed Abdou Djouadi, Jean-Claude de Jaeger
article
22nd European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2013, 2013, Glasgow, Scotland, United Kingdom. paper 5.6, 2 p
identifiant
hal-00877773
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titre
Effect of pinch-off current leakage characteristics of AlGaN/GaN/Si HEMTs
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, H. Mejri, Christophe Gaquière, B. Grimbert, M.A. Zaidi, H. Maaref
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2013, Symposium L - Group III nitrides, 2013, Strasbourg, France
identifiant
hal-00819698
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titre
Polarization engineering of AlGaN/GaN HEMTs for high power applications at 40 GHz
auteur
Stéphanie Rennesson, François Lecourt, N. Defrance, M. Chmielowska, S. Chenot, Marie Lesecq, Virginie Hoel, Etienne Okada, Yvon Cordier, Jean-Claude de Jaeger
article
Joint 5th International Workshop on Silicon Carbide Hetero-Epitaxy and 5th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications, HeteroSiC-WASMPE 2013, 2013, Nice, France
identifiant
hal-00987957
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titre
STARGAN : études de structures avancées de la filière nitrure de gallium (GaN)
auteur
François Lecourt, Yannick Douvry, Marie Lesecq, N. Defrance, Alain Agboton, Etienne Okada, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, Magdalena Chmielowska, Stephanie Rennesson, Sebastien Chenot, Yvon Cordier, L. Lacheze, Salhi Bouzid, Peter Frijlink
article
Journées Nationales en Nanosciences et Nanotechnologies, J3N 2013, 2013, Marseille, France
identifiant
hal-00941541
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titre
Optimization of AlGaN/GaN high electron mobility heterostructues on silicon for low cost power devices operating at 40 GHz
auteur
Stéphanie Rennesson, M. Chmielowska, S. Chenot, Yvon Cordier, François Lecourt, N. Defrance, Marie Lesecq, Virginie Hoel, Etienne Okada, Jean-Claude de Jaeger
article
10th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-10, 2013, Washington, DC, United States
identifiant
hal-00987956
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titre
RF power potential of high-k metal gate 28 nm CMOS technology
auteur
R. Ouhachi, A. Pottrain, D. Ducatteau, Etienne Okada, Christophe Gaquière, D. Gloria
article
International Semiconductor Conference, CAS 2013, 2013, Sinaia, Romania. paper 9057, 181-184, ⟨10.1109/SMICND.2013.6688649⟩
identifiant
hal-00922406
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titre
Wide surface acoustic wave bandgaps for conical pillars on a piezoelectric substrate
auteur
A. Mrabti, M. Oudich, Abdellatif Akjouj, Yan Pennec, Bahram Djafari-Rouhani, Abdelkrim Talbi, J. Streque, Y. Du, A. Soltani, Philippe Pernod
article
2nd International Conference on Phononic Crystals/Metamaterials, Phonon Transport and Optomechanics, PHONONICS 2013, 2013, Sharm El-Sheikh, Egypt. Paper PHONONICS-2013-0113, 152-153
identifiant
hal-00881281
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titre
Electron delay analysis and image charge effect in AlGaN/GaN HEMT technology
auteur
Alain Agboton, N. Defrance, Philippe Altuntas, Vanessa Avramovic, Adrien Cutivet, Rezki Ouhachi, Jean-Claude de Jaeger, Samira Bouzid-Driad, Maher, Hassan, M. Renvoise, Peter Frijlink
article
43rd European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2013, 2013, Bucharest, Romania. pp.57-60, ⟨10.1109/ESSDERC.2013.6818818⟩
identifiant
hal-00997378
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titre
[Invité] Etat de l'art et défis du GaN pour l'électronique
auteur
Raphaël Aubry, Yvon Cordier, Jean-Claude de Jaeger, Nicolas Grandjean, M. Rocchi, Paul-Laurent Saunier, Fabrice Semond, Jean-Guy Tartarin
article
14èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO 2013, Table ronde, 2013, Evian, France
identifiant
hal-00878877
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titre
Monte Carlo analysis of thermal effects in self-switching diodes
auteur
J.F. Millithaler, I. Iniguez-De-La-Torre, T. Gonzalez, J. Mateos, P. Sangare, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
9th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2013, 2013, Valladolid, Spain. pp.45-48, ⟨10.1109/CDE.2013.6481338⟩
identifiant
hal-00806588
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titre
Geometry optimization for sub-THz Gunn emission : a V-shape GaN nanodevice
auteur
I. Iniguez-De-La-Torre, J.F. Millithaler, A. Iniguez-De-La-Torre, J. Mateos, P. Sangare, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, T. Gonzales
article
18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, EDISON18, 2013, Matsue, Japan
identifiant
hal-00823433
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titre
Impact of BEOL stress on BiCMOS9MW HBTs
auteur
Elodie Canderle, P. Chevalier, G. Avenier, N. Derrier, D. Céli, Christophe Gaquière
article
27th IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2013, 2013, Bordeaux, France. session 13 : Advanced SiGe BiCMOS Processes, paper 13.1, 223-226, ⟨10.1109/BCTM.2013.6798181⟩
identifiant
hal-00996056
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titre
[Invité] Caractérisation des composants silicium en gamme de fréquence millimétrique
auteur
Christophe Gaquière
article
Journées Thématiques du GdR Ondes, RF/millimétrique et optique intégrée, 2013, Grenoble, France
identifiant
hal-00811822
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titre
Epitaxial growth of AlN thin films at low temperature by magnetron sputtering technique
auteur
Julien Camus, Quentin Simon, Keltouma Aït Aïssa, Salma Bensalem, Laurent Le Brizoual, Gilles Tessier, Yves Scudeller, Mohamed Abdou Djouadi, Yvon Cordier, Éric Frayssinet, Jean-Claude de Jaeger, Magdalena Chmielowska, Maud Nemoz, Philippe Vennéguès, Sébastien Chenot, Nicolas Defrance, Marie Lesecq, Philippe Altuntas, Adrien Cutivet, Alain Agboton
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2013, Symposium J - Semiconductor nanostructures towards electronic and optoelectronic device applications IV, 2013, Strasbourg, France
identifiant
hal-00878878
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titre
94-GHz load pull measurements of SiGe HBT by extracting output power density in W-band
auteur
Issam Hasnaoui, Elodie Canderle, Pascal Chevalier, Daniel Gloria, Christophe Gaquière
article
8th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2013, and 43rd European Microwave Conference, EuMC 2013, European Microwave Week 2013, 2013, Nuremberg, Germany. paper EuMC/EuMIC04-4, 400-403
identifiant
hal-00922493
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titre
Highly oriented (00.2) aluminum nitride close to single crystal using (111) titanium nitride buffer layer for microwave high power electro-acoustic devices
auteur
A. Soltani, Abdelkrim Talbi, V. Mortet, A. Bassam, J.C. Gerbedoen, G. Patriarche, Jean-Claude de Jaeger, Philippe Pernod
article
IEEE International Ultrasonics Symposium, IUS 2013, 2013, Prague, Czech Republic
identifiant
hal-00944055
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titre
Larges bandes interdites phononiques dans une structure de piliers coniques déposés sur un substrat piézoélectrique
auteur
Abdelali Mrabti, Mourad Oudich, Abdellatif Akjouj, Yan Pennec, Bahram Djafari-Rouhani, Abdelkrim Talbi, Jérémy Streque, Yu Du, Ali Soltani, Philippe Pernod
article
16èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2013, 2013, Grenoble, France. papier 95, 3 p
identifiant
hal-00977478
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titre
Strain relaxation and thermal effects on the drain conductance in AlGaN/GaN HEMT
auteur
A. Telia, A. Bellakhdar, L. Semra, A. Soltani
article
2nd Saudi International Electronics, Communications and Photonics Conference, SIECPC 2013, 2013, Riyadh, Saudi Arabia. 6 p., ⟨10.1109/SIECPC.2013.6550780⟩
identifiant
hal-00877787
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https://hal.science/hal-00877787/file/telia2013.pdf BibTex
titre
AlN/SI interfaces properties revealed by broadband characterization of coplanar waveguides
auteur
Adrien Cutivet, Alain Agboton, Philippe Altuntas, François Lecourt, Marie Lesecq, N. Defrance, Yvon Cordier, Magdalena Chmielowska, Stephanie Rennesson, Julien Camus, Keltouma Aït Aïssa, Laurent Le Brizoual, Mohamed Abdou Djouadi, Jean-Claude de Jaeger, F. Boone, Maher, Hassan
article
37th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2013, 2013, Warnemünde, Germany. pp.37-38
identifiant
hal-00828412
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2012

Journal articles

titre
Annihilation of electrical trap effects by irradiating AlGaN/GaN HEMTs with low thermal neutrons radiation fluence
auteur
F. Berthet, Y. Guhel, H. Gualous, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, Christophe Gaquière
article
Microelectronics Reliability, 2012, 52 (9-10), pp.2159 - 2163. ⟨10.1016/j.microrel.2012.07.007⟩
identifiant
hal-01646904
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titre
A 10-MHz GaN HEMT DC/DC boost converter for power amplifier applications
auteur
F. Gamand, M.D. Li, Christophe Gaquière
article
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 2012, 59, pp.776-779. ⟨10.1109/TCSII.2012.2228397⟩
identifiant
hal-00787876
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titre
Dual-purpose BGaN layers on performance of nitride-based high electron mobility transistors
auteur
Vinod Ravindran, Mohamed Boucherit, Ali Soltani, Simon Gautier, Tarik Moudakir, Jeramy Dickerson, Paul L. Voss, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Jean-Claude de Jaeger, Abdallah Ougazzaden
article
Applied Physics Letters, 2012, 100, pp.243503-1-4. ⟨10.1063/1.4729154⟩
identifiant
hal-00787871
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https://hal.science/hal-00787871/file/Ravindran_2012_1.4729154.pdf BibTex
titre
Effect of heterostructure design on current-voltage characteristics in AlxGa1-xN/GaN double-barriers resonant tunneling diode
auteur
Mohamed Boucherit, Ali Soltani, Michel Rousseau, J.L. Farvacque, Jean-Claude de Jaeger
article
Journal of Applied Physics, 2012, 112 (11), pp.114305. ⟨10.1063/1.4767382⟩
identifiant
hal-00787875
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https://hal.science/hal-00787875/file/Boucherit_2012_1.4767382.pdf BibTex
titre
High power density performances of SiGe HBT from BiCMOS technology at W-band
auteur
A. Pottrain, T. Lacave, D. Ducatteau, D. Gloria, P. Chevalier, Christophe Gaquière
article
IEEE Electron Device Letters, 2012, 33, pp.182-184. ⟨10.1109/LED.2011.2177631⟩
identifiant
hal-00788168
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BibTex
titre
Grain size tuning of nanocrystalline chemical vapor deposited diamond by continuous electrical bias growth : experimental and theoretical study
auteur
V. Mortet, L. Zhang, M. Eckert, J. d'Haen, A. Soltani, M. Moreau, David Troadec, E. Neyts, Jean-Claude de Jaeger, J. Verbeeck, A. Bogaerts, G. van Tendeloo, K. Haenen, P. Wagner
article
physica status solidi (a), 2012, 209, pp.1675-1682. ⟨10.1002/pssa.201200581⟩
identifiant
hal-00788174
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BibTex
titre
The effect of gate length variation on InAlGaN/GaN HFET device characteristics
auteur
N. Ketteniss, H. Behmenburg, F. Lecourt, N. Defrance, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, M. Heuken, H. Kalisch, A. Vescan
article
Semiconductor Science and Technology, 2012, 27, pp.035009-1-4. ⟨10.1088/0268-1242/27/3/035009⟩
identifiant
hal-00788167
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BibTex
titre
Theoretical study of Lamb acoustic waves characteristics in a AlN/diamond composite membranes for super high frequency range operating devices
auteur
Abdelkrim Talbi, A. Soltani, V. Mortet, J.C. Gerbedoen, Jean-Claude de Jaeger, Philippe Pernod
article
Diamond and Related Materials, 2012, 22, pp.66-69. ⟨10.1016/j.diamond.2011.10.027⟩
identifiant
hal-00787352
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BibTex
titre
Large signal microwave performances of high-k metal gate 28 nm CMOS technology
auteur
R. Ouhachi, A. Pottrain, D. Ducatteau, Etienne Okada, D. Gloria, Christophe Gaquière
article
Electronics Letters, 2012, 48, pp.1627-1629. ⟨10.1049/el.2012.3443⟩
identifiant
hal-00788176
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BibTex
titre
Evidence of surface states for AlGaN/GaN/SiC HEMTs passivated Si3N4 by CDLTS
auteur
M. Gassoumi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Semiconductors, 2012, 46, pp.382-385. ⟨10.1134/S1063782612030104⟩
identifiant
hal-00788194
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BibTex
titre
[Review] Characterization and analysis of electrical trap related effects on the reliability of AlGaN/GaN HEMTs
auteur
F. Berthet, Y. Guhel, H. Gualous, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, V. Sbrugnera, B. Grimbert, Christophe Gaquière
article
Solid-State Electronics, 2012, 72, pp.15-21. ⟨10.1016/j.sse.2011.12.002⟩
identifiant
hal-00788193
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BibTex
titre
Bias dependence of gallium nitride micro-electro-mechanical systems actuation using a two-dimensional electron gas
auteur
A. Ben Amar, M. Faucher, B. Grimbert, Y. Cordier, M. François, P. Tilmant, M. Werquin, V. Zhang, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, L. Buchaillot, D. Theron
article
Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters, 2012, 5, pp.067201-1-3. ⟨10.1143/APEX.5.067201⟩
identifiant
hal-00787414
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BibTex
titre
Searching for THz Gunn oscillations in GaN planar nanodiodes
auteur
Ana Iniguez-De-La-Torre, Ignacio Íñiguez-De-La-Torre, Javier Mateos, Tomás González, Paul Sangare, Marc Faucher, Bertrand Grimbert, Virginie Brandli, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
Journal of Applied Physics, 2012, 111 (11), pp.113705. ⟨10.1063/1.4724350⟩
identifiant
hal-00788170
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https://hal.science/hal-00788170/file/Iniguez-De-La-Torre_2012_1.4724350.pdf BibTex
titre
Vitro study of the impact of sédimentsartificiellement contaminated with anthracene: Effects on indigenous bacteria and the marine nematode [Étude in vitro de l'impact de sediments artificiellement contaminés par l'anthracène: Effets sur les bactéries indigènes et les nématodes libres marins]
auteur
O.B. Said, Hela Louati, A. Soltani, E. Mahmoudi, Cristiana Cravo-Laureau, O. Pringault, Robert Duran, P. Aissa
article
Canadian journal of civil engineering, 2012, 39 (5), pp.556-564. ⟨10.1139/L2012-036⟩
identifiant
hal-01631856
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titre
Terahertz interferometer for integrated Goubau-line waveguides
auteur
Simon Laurette, A. Treizebre, Nour Eddine Bourzgui, Bertrand Bocquet
article
Progress In Electromagnetics Research Letters, 2012, 30, pp.49-58. ⟨10.2528/PIERL11121205⟩
identifiant
hal-00788303
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BibTex
titre
Anomaly and defects characterization by I-V and current deep level transient spectroscopy of Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC high electron-mobility transistors
auteur
S. Saadaoui, M.M. Ben Salem, M. Gassoumi, H. Maaref, Christophe Gaquière
article
Journal of Applied Physics, 2012, 111 (7), pp.073713. ⟨10.1063/1.3702458⟩
identifiant
hal-00787870
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https://hal.science/hal-00787870/file/Saadaoui_2012_1.3702458.pdf BibTex
titre
Electrical characterization of AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, H. Mejri, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Journal of Electron Devices, 2012, 15, pp.1225-1231
identifiant
hal-00788172
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BibTex
titre
Impact of low gamma radiation dose on electrical trap related effects in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
F. Berthet, Y. Guhel, B. Boudart, H. Gualous, J.L. Trolet, M. Piccione, Christophe Gaquière
article
Electronics Letters, 2012, 48, pp.1078-1079. ⟨10.1049/el.2012.1966⟩
identifiant
hal-00788173
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titre
Analysis of the SiO2/Si3N4 passivation bilayer thickness on the rectifier behavior of AlGaN/GaN HEMTs on (111) silicon substrate
auteur
M. Mattalah, A. Soltani, J.C. Gerbedoen, A. Ahaitouf, N. Defrance, Y. Cordier, Jean-Claude de Jaeger
article
physica status solidi (c), 2012, 9, pp.1083-1087. ⟨10.1002/pssc.201100211⟩
identifiant
hal-00790433
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BibTex
titre
435mS/mm transconductance for AlGaN/GaN HEMTs on HR-Si substrate with optimised gate-source spacing
auteur
S. Bouzid, H. Maher, N. Defrance, Virginie Hoel, F. Lecourt, M. Renvoise, Jean-Claude de Jaeger, P. Frijlink
article
Electronics Letters, 2012, 48, pp.69-71. ⟨10.1049/el.2011.3605⟩
identifiant
hal-00787867
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BibTex
titre
Influence of thermal and fast neutron irradiation on DC electrical performances of AlGaN/GaN transistors
auteur
F. Berthet, Y. Guhel, B. Boudart, H. Gualous, J.L. Trolet, M. Piccione, Christophe Gaquière
article
IEEE Transactions on Nuclear Science, 2012, 59, pp.2556-2561. ⟨10.1109/TNS.2012.2209894⟩
identifiant
hal-00788175
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BibTex
titre
Electromechanical transconductance properties of a GaN MEMS resonator with fully integrated HEMT transducers
auteur
M. Faucher, Y. Cordier, M. Werquin, L. Buchaillot, Christophe Gaquière, D. Theron
article
Journal of Microelectromechanical Systems, 2012, 21, pp.370-378. ⟨10.1109/JMEMS.2011.2179010⟩
identifiant
hal-00787408
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BibTex
titre
Hexagonal boron nitride nanowalls : physical vapour deposition, 2D/3D morphology and spectroscopic analysis
auteur
B. Benmoussa, J. d'Haen, C. Borschel, J. Barjon, A. Soltani, V. Mortet, C. Ronning, M. d'Olieslaeger, H.G. Boyen, K. Haenen
article
Journal of Physics D: Applied Physics, 2012, 45, pp.135302-1-8. ⟨10.1088/0022-3727/45/13/135302⟩
identifiant
hal-00788169
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titre
Efficient physical-thermal model for thermal effects in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
auteur
Michel Rousseau, A. Soltani, Jean-Claude de Jaeger
article
Applied Physics Letters, 2012, 101 (12), pp.122101. ⟨10.1063/1.4753815⟩
identifiant
hal-00787873
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https://hal.science/hal-00787873/file/Rousseau_2012_1.4753815.pdf BibTex

Conference papers

titre
160W InAlN/GaN HEMTs amplifier at 2 GHz with optimized thermal management
auteur
Stéphane Piotrowicz, Olivier Jardel, Jean-Claude Jacquet, D. Lancereau, Raphaël Aubry, Erwan Morvan, Nicolas Sarazin, Jérémy Dufraisse, Charu Dua, Mourad Oualli, Eric Chartier, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Christophe Gaquière, Sylvain Laurent Delage
article
34th IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, CSICS 2012, Oct 2012, La Jolla, CA, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/CSICS.2012.6340059⟩
identifiant
hal-00801142
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titre
Extrinsic base resistance optimization in DPSA-SEG SiGe:C HBTs
auteur
Elodie Canderle, Pascal Chevalier, A. Montagne, L. Moynet, Gregory Avenier, Pierre Boulenc, M. Buczko, Y. Carminati, J. Rosa, Christophe Gaquière, Alain Chantre
article
26th IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2012, Sep 2012, Portland, OR, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/BCTM.2012.6352650⟩
identifiant
hal-00801192
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titre
Effect of strain relaxation on the drain conductance in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
A. Bellakhdar, A. Telia, L. Semra, A. Soltani
article
1st International Conference on Engineering and Technology, ICET 2012, 2012, Cairo, Egypt. pp.1-5, ⟨10.1109/ICEngTechnol.2012.6396129⟩
identifiant
hal-00801158
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titre
Analysis of surface charging effects in passivated AlGaN/GaN HEMTs
auteur
M. Gassoumi, H. Mosbahi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2012, Symposium Q : Novel materials and fabrication methods for new emerging devices, 2012, Strasbourg, France
identifiant
hal-00798219
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titre
THz applications at room temperature based on self switch diodes using wide bandgap material
auteur
Christophe Gaquière, Guillaume Ducournau, P. Sangare, B. Grimbert, M. Faucher, I. Iniguez-De-La-Torre, A. Iniguez-De-La-Torre, T. Gonzalez, J. Mateos
article
IEEE IMS Workshops & Short Courses : THz Devices and Systems Based on Nanotechnology, 2012, Montréal, Canada
identifiant
hal-00798262
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titre
Implantation d'un modulateur numérique QPSK dans un circuit FPGA
auteur
Nour Eddine Bourzgui, H. Happy
article
12èmes Journées Pédagogiques CNFM, 2012, Saint Malo, France
identifiant
hal-00798844
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titre
Optimization of AlGaN/GaN HEMT Schottky contact for microwave applications
auteur
S. Bouzid-Driad, H. Maher, M. Renvoise, P. Frijlink, M. Rocchi, N. Defrance, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger
article
7th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2012, 2012, Amsterdam, Netherlands. pp.119-122
identifiant
hal-00814976
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titre
Evidence of impurity impact ionization avalanche in P-type diamond
auteur
V. Mortet, A. Soltani, Nicolas Nolhier
article
11th Expert Meeting on Evaluation & Control of Coumpound Semiconductor Materials and Technologies, EXMATEC 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2
identifiant
hal-00801157
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titre
AlGaN/GaN based field effect transistors for terahertz detection and imaging
auteur
M. Sakowicz, M.B. Lifshits, O.A. Klimenko, D. Coquillat, N. Dyakonova, F. Teppe, Christophe Gaquière, M.A. Poisson, S. Delage, W. Knap
article
SPIE 2012 Photonics West, Gallium Nitride Materials and Devices VII, 2012, San Francisco, CA, United States. pp.82621V-1-5, ⟨10.1117/12.908236⟩
identifiant
hal-00801202
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titre
Analysis of surface charging effects in passivated AlGaN/GaN HEMTS on SiC substrate
auteur
M. Gassoumi, O. Fathalla, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
11th Expert Meeting on Evaluation & Control of Coumpound Semiconductor Materials and Technologies, EXMATEC 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2
identifiant
hal-00802567
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titre
GaN MEMS resonators : from demonstration to microsystem-compatible performances
auteur
Marc Faucher, Achraf Ben Amar, Victor Y. Zhang, Yvon Cordier, Matthieu Werquin, Virginie Brandli, Bertrand Grimbert, Francois Vaurette, Pascal Tilmant, Marc François, Christophe Boyaval, Sylvie Lepilliet, Damien Ducatteau, Christophe Gaquière, Lionel Buchaillot, Didier Theron
article
36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-4
identifiant
hal-00801104
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titre
Radio frequency and low noise characteristics of SOI technology on plastic for flexible electronics
auteur
A. Lecavelier Des Etangs-Levallois, Emmanuel Dubois, Marie Lesecq, Francois Danneville, Y. Tagro, Sylvie Lepilliet, D. Gloria, C. Raynaud
article
8th European Workshop on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits, EuroSOI 2012, 2012, Montpellier, France. pp.73-78, ⟨10.1016/j.sse.2013.02.049⟩
identifiant
hal-00797713
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titre
Phosphorous doped (110) homoepitaxial diamond films : influence of the substrate miscut angle on growth and electrical transport
auteur
Y. Balasubramaniam, P. Robaeys, S.D. Janssens, J. d'Haen, A. Soltani, M. Nesladek
article
International Conference on Diamond and Carbon Materials, ICDCM 2012, 2012, Granada, Spain
identifiant
hal-00798199
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titre
Investigation of substrate off-angle effects for (110) P-doped homoepitaxial CVD diamond films
auteur
Y. Balasubramaniam, J. d'Haen, A. Soltani, S.D. Janssens, K. Haenen
article
17th International Hasselt Diamond Workshop, SBDD XVII, 2012, Hasselt, Belgium
identifiant
hal-00798204
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titre
Anomaly and defects characterization by IDS(VDS) and drain-current DLTS of Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC HEMT's
auteur
S. Saadaoui, M.M. Ben Salem, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2
identifiant
hal-00801156
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titre
Improvement of direct current and radio frequency characteristics of AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, B. Grimbert, H. Maaref
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2012, Symposium Y : Advanced materials and characterization techniques for solar cells, 2012, Strasbourg, France
identifiant
hal-00798201
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titre
Characterization on AlGaN/GaN/Si HEMTs devices passivated with SiN/SiO2
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Vanessa Avramovic, Christophe Gaquière, B. Grimbert, H. Maaref
article
36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2
identifiant
hal-00801155
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titre
State of the art 200 GHz power measurements on SiGe:C HBT using an innovative load pull measurement setup
auteur
A. Pottrain, T. Lacave, D. Gloria, P. Chevalier, Christophe Gaquière
article
60th IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2012, 2012, Montréal, Canada. pp.1-3, ⟨10.1109/MWSYM.2012.6259409⟩
identifiant
hal-00801191
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titre
[Invited] High frequency characterization of nanotechnologies : toward new instrumentations and techniques
auteur
Gilles Dambrine, Kamel Haddadi, Christophe Gaquière, T. Lasri, Y. Tagro, L. Poulain, A. Pottrain
article
36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-4
identifiant
hal-00801042
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titre
The thermal effect on the output conductance in AlGaN/GaN HEMT's
auteur
A. Bellakhdar, A. Telia, L. Semra, A. Soltani
article
24th International Conference on Microelectronics, ICM 2012, 2012, Algiers, Algeria. pp.1-4, ⟨10.1109/ICM.2012.6471365⟩
identifiant
hal-00814968
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titre
Characterization and analysis of different surface passivation for AlGaN/GaN HEMTs
auteur
F. Lecourt, N. Defrance, S. Rennesson, Virginie Hoel, Y. Cordier, Jean-Claude de Jaeger
article
36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2
identifiant
hal-00801154
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titre
Fabrication, characterization and analysis of AlN thin films grown on HR-silicon by MBE and PVD methods
auteur
N. Defrance, Marie Lesecq, F. Lecourt, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger
article
11th Expert Meeting on Evaluation & Control of Coumpound Semiconductor Materials and Technologies, EXMATEC 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2
identifiant
hal-00801190
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titre
Study of ohmic contact formation on diamond surfaces
auteur
J.C. Gerbedoen, G. Patriarche, C. Mer-Calfati, Jean-Charles Arnault, A. Soltani, Jean-Claude de Jaeger
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2012, Symposium K : Surface modifications of carbon-related materials II, 2012, Strasbourg, France
identifiant
hal-00798205
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titre
Initiation à la microfluidique par la simulation, la réalisation et la caractérisation de microsystèmes
auteur
S. Laurette, R. Dufour, Thomas Dargent, M. Harnois, Nour Eddine Bourzgui, V. Thomy
article
12èmes Journées Pédagogiques CNFM, 2012, Saint Malo, France. pp.1-6
identifiant
hal-00806632
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titre
High transconductance on AlGaN/GaN HEMT on (110) silicon substrate
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, Y. Cordier, Jean-Claude de Jaeger
article
7th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2012, 2012, Amsterdam, Netherlands. pp.413-416
identifiant
hal-00814978
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titre
Effects of spontaneous and piezoelectric polarization on AlInN/GaN heterostructure
auteur
L. Semra, A. Telia, M. Kaddeche, A. Soltani
article
1st International Conference on Engineering and Technology, ICET 2012, 2012, Cairo, Egypt. pp.1-4, ⟨10.1109/ICEngTechnol.2012.6396158⟩
identifiant
hal-00801159
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Patents

titre
Amélioration des propriétés de transport dans les transistors HEMT composés de semi-conducteurs borés à larges bande interdite (III-B)-N
auteur
A. Ougazzaden, M.A. Poisson, V. Ravindran, A. Soltani, Jean-Claude de Jaeger
article
N° de brevet: FR2974242 (A1). 2012
identifiant
hal-00743478
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2011

Journal articles

titre
Impurity impact ionization avalanche in p-type diamond
auteur
Vincent Mortet, A. Soltani
article
Applied Physics Letters, 2011, 99, pp.202105. ⟨10.1063/1.3662403⟩
identifiant
hal-00737919
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titre
Characterization of the self-heating of AlGaN/GaN HEMTs during an electrical stress by using Raman spectroscopy
auteur
F. Berthet, Y. Guhel, H. Gualous, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, Christophe Gaquière
article
Microelectronics Reliability, 2011, 51 (9-11), pp.1796 - 1800. ⟨10.1016/j.microrel.2011.07.022⟩
identifiant
hal-01646870
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titre
Indirect interband transition in hexagonal GaN
auteur
O Lancry, J.-L Farvacque, E Pichonat, Christophe Gaquière
article
Journal of Physics D: Applied Physics, 2011, 44 (7), pp.75105. ⟨10.1088/0022-3727/44/7/075105⟩
identifiant
hal-00594972
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https://hal.science/hal-00594972/file/PEER_stage2_10.1088%252F0022-3727%252F44%252F7%252F075105.pdf BibTex
titre
Deep structural analysis of novel BGaN material layers grown by MOVPE
auteur
S. Gautier, G. Patriarche, T. Moudakir, M. Abid, G. Orsal, K. Pantzas, David Troadec, A. Soltani, L. Largeau, O. Mauguin, A. Ougazzaden
article
Journal of Crystal Growth, 2011, 315 (1), pp.288-291. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2010.08.042⟩
identifiant
hal-00554231
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https://hal.science/hal-00554231/file/Gautier2011.pdf BibTex
titre
Structural and optical properties of nanodots, nanowires, and multi-quantum wells of III-nitride grown by MOVPE nano-selective area growth
auteur
W.H. Goh, G. Patriarche, P.L. Bonanno, S. Gautier, T. Moudakir, M. Abid, G. Orsal, A.A. Sirenko, Z.-H. Cai, A. Martinez, A. Ramdane, L. Le Gratiet, David Troadec, A. Soltani, A. Ougazzaden
article
Journal of Crystal Growth, 2011, 315 (1), pp.160-163. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2010.08.053⟩
identifiant
hal-00554254
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https://hal.science/hal-00554254/file/Goh2010.pdf BibTex
titre
Investigation of the negative differential resistance reproducibility in AlN/GaN double-barrier resonant tunnelling diodes
auteur
Mohamed Boucherit, Ali Soltani, Eva Monroy, Michel Rousseau, D. Deresmes, Maxime Berthe, Corentin Durand, Jean-Claude de Jaeger
article
Applied Physics Letters, 2011, 99, pp.182109-1-3. ⟨10.1063/1.3659468⟩
identifiant
hal-00783409
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https://hal.science/hal-00783409/file/Boucherit_2011_1.3659468.pdf BibTex
titre
Poole-Frenkel assisted emissions from a barrier trap in AlGaN/GaN/Si HEMTs
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, H. Mejri, Christophe Gaquière, M.A. Zaidi, H. Maaref
article
Journal of Electron Devices, 2011, 11, pp.538-543
identifiant
hal-00639919
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titre
Identification and localization of electronic traps in AlGaN/GaN HEMTs on Al2O3 substrates using CDLTS
auteur
O. Fathallah, M. Gassoumi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Sensor letters, 2011, 9, pp.2380-2383. ⟨10.1166/sl.2011.1786⟩
identifiant
hal-00795919
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titre
Characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistor grown on silicon carbide devices with a gate length Lg = 0.15 µm
auteur
M. Gassoumi, M.M. Ben Salem, S. Saadaoui, W. Chikhaoui, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Sensor letters, 2011, 9, pp.2178-2181. ⟨10.1166/sl.2011.1788⟩
identifiant
hal-00795894
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titre
Electrical characterization of traps in AlGaN/GaN FAT-HEMT's on silicon substrate by C-V and DLTS measurements
auteur
M. Charfeddine, M. Gassoumi, H. Mosbahi, Christophe Gaquière, M.A. Zaidi, H. Maaref
article
Journal of Modern Physics, 2011, 2, pp.1229-1234. ⟨10.4236/jmp.2011.210152⟩
identifiant
hal-00783410
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titre
150-GHz RF SOI-CMOS technology in ultrathin regime on organic substrate
auteur
A. Lecavelier Des Etangs-Levallois, Emmanuel Dubois, Marie Lesecq, Francois Danneville, L. Poulain, Y. Tagro, Sylvie Lepilliet, D. Gloria, C. Raynaud, David Troadec
article
IEEE Electron Device Letters, 2011, 32, pp.1510-1512. ⟨10.1109/LED.2011.2166241⟩
identifiant
hal-00639864
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BibTex
titre
Correlation between hysteresis phenomena and hole-like trap in capacitance-voltage characteristics of AlGaN/GaN of Schottky barrier diode
auteur
M. Gassoumi, S. Saadaoui, M.M. Ben Salem, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
European Physical Journal: Applied Physics, 2011, 55, pp.30101-1-4. ⟨10.1051/epjap/2011110136⟩
identifiant
hal-00639884
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BibTex
titre
Electrical characterization of (Ni/Au)/Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC Schottky barrier diode
auteur
S. Saadaoui, M.M. Ben Salem, M. Gassoumi, H. Maaref, Christophe Gaquière
article
Journal of Applied Physics, 2011, 110 (1), pp.013701-1-6. ⟨10.1063/1.3600229⟩
identifiant
hal-00639910
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https://hal.science/hal-00639910/file/Saadaoui_2011_1.3600229.pdf BibTex
titre
High performance of AlGaN/GaN HEMTs reported on adhesive flexible tape
auteur
Marie Lesecq, Virginie Hoel, A. Lecavelier Des Etangs-Levallois, E. Pichonat, Y. Douvry, Jean-Claude de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, 2011, 32, pp.143-145. ⟨10.1109/LED.2010.2091251⟩
identifiant
hal-00572650
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BibTex
titre
Growth of GaN based structures on focused ion beam patterned GaN
auteur
Yvon Cordier, Olivier Tottereau, Lee Nguyen, Mohammed Réda Ramdani, Ali Soltani, Mohamed Boucherit, David Troadec, Fang-Yuh Lo, Y.Y. Hu, Arne Ludwig, Andreas D Wieck
article
physica status solidi (c), 2011, 8 (5), pp.1516-1519. ⟨10.1002/pssc.201000882⟩
identifiant
hal-00603099
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BibTex
titre
Surface passivation effects on AlGaN/GaN high electron mobility transistors with SiO2
auteur
M. Gassoumi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Sensor letters, 2011, 9, pp.2175-2177. ⟨10.1166/sl.2011.1787⟩
identifiant
hal-00795918
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BibTex
titre
Thermal characterization of MBE-grown GaN/AlGaN/GaN device on single crystalline diamond
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, D. Pogany, E. Pichonat, O. Lancry, Christophe Gaquière, G. Tsiakatouras, G. Deligeorgis, A. Georgakilas
article
Journal of Applied Physics, 2011, 109 (8), pp.086106. ⟨10.1063/1.3581032⟩
identifiant
hal-00591315
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https://hal.science/hal-00591315/file/Kuzmik_2011_1.3581032.pdf BibTex
titre
InAlN/GaN HEMTs on sapphire substrate with 2.9-W/mm output power density at 18 GHz
auteur
F. Lecourt, N. Ketteniss, H. Behmenburg, N. Defrance, Virginie Hoel, M. Eickelkamp, A. Vescan, C. Giesen, M. Heuken, Jean-Claude de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, 2011, 32, pp.1537-1539. ⟨10.1109/LED.2011.2166949⟩
identifiant
hal-00639917
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titre
Value of bioremediation for reducing the phenanthrene toxic effect on benthic communities of bacteria and free-iiving nematodes [Interet de la biorémediation dans la réduction de l'effet toxique du phénanthrène sur les communautés de bactéries et de nématodes libres benthiques]
auteur
Haithem Louati, O. Ben Said, A. Soltani, Ezzedine Mahmoudi, Cristiana Cravo-Laureau, Robert Duran, O. Pringault, P. Aissa
article
Bulletin De La Société Zoologique De France, 2011, 136 (1-4), pp.131-144
identifiant
hal-01631860
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titre
The effects of gate length variation and trapping effects on the transient response of AlGaN/GaN HEMT's on SiC substrates
auteur
M. Gassoumi, M.M. Ben Salem, S. Saadaoui, B. Grimbert, Julien Fontaine, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Microelectronic Engineering, 2011, 88, pp.370-372. ⟨10.1016/j.mee.2010.09.027⟩
identifiant
hal-00572669
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titre
Physique des fluides aux échelles microscopiques pour l'ingénierie des microsystèmes : l'apprentissage par la simulation
auteur
S. Laurette, R. Dufour, F. Bendriaa, V. Thomy, Nour Eddine Bourzgui
article
Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, 2011, 10, pp.0001-1-9. ⟨10.1051/j3ea/2011013⟩
identifiant
hal-00806669
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titre
RF performance of InAlN/AlN/GaN HEMTs on sapphire substrate
auteur
F. Lecourt, N. Ketteniss, H. Behmenburg, N. Defrance, Virginie Hoel, M. Eickelkamp, A. Vescan, C. Giesen, M. Heuken, Jean-Claude de Jaeger
article
Electronics Letters, 2011, 47, pp.212-214. ⟨10.1049/el.2010.7512⟩
identifiant
hal-00573157
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titre
Diamond overgrown InAlN/GaN HEMT
auteur
M. Alomari, M. Dipalo, S. Rossi, M.A. Di Forte-Poisson, S. Delage, J.F. Carlin, N. Grandjean, Christophe Gaquière, L. Toth, B. Pecz, E. Kohn
article
Diamond and Related Materials, 2011, 20, pp.604-608. ⟨10.1016/j.diamond.2011.01.006⟩
identifiant
hal-00591327
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Conference papers

titre
Investigation of the negative differential resistance reproducibility in AlN/GaN double barrier resonant tunneling diodes in DC operation
auteur
Mohamed Boucherit, Ali Soltani, D. Deresmes, Maxime Berthe, Eva Monroy, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger
article
9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, Jul 2011, Glasgow, United Kingdom
identifiant
hal-00807608
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titre
Optimization of AlN/GaN double-barrier resonant-tunnelling diode based on the non-equilibrium Green's function formalism
auteur
Mohamed Boucherit, Ali Soltani, Michel Rousseau, J.L. Farvaque, Jean-Claude de Jaeger
article
9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, Jun 2011, Glasgow, United Kingdom
identifiant
hal-00807607
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BibTex
titre
Gallium nitride approach for MEMS resonators with highly tunable piezo-amplified transducers
auteur
Marc Faucher, Yvon Cordier, Fabrice Semond, Virginie Brandli, Bertrand Grimbert, Achraf Ben Amar, Matthieu Werquin, Christophe Boyaval, Christophe Gaquière, Didier Theron, Lionel Buchaillot
article
24th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems, MEMS 2011, Jan 2011, Cancun, Mexico. pp.581-584, ⟨10.1109/MEMSYS.2011.5734491⟩
identifiant
hal-00579046
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B(Al,Ga)N materials capability for advanced optic devices structures in the UV range
auteur
S. Gautier, M. Abid, T. Moudakir, G. Orsal, V. Ravindran, O. Naciri, A. Migan-Dubois, Z. Djebbour, David Troadec, A. Soltani, G. Patriarche, A. Ougazzaden
article
SPIE 2011, Jan 2011, San Francisco, United States
identifiant
hal-00578877
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titre
Calibration of the non linear vector network analyzer (PNA-X) for probe measurements
auteur
R. Ouhachi, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, T. Lacave, P. Chevalier, D. Gloria
article
6th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2011, 2011, Manchester, United Kingdom. pp.81-84
identifiant
hal-00800112
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titre
Wide bandgap self switch nanodevices for THz applications at room temperature
auteur
Christophe Gaquière, Guillaume Ducournau, P. Sangare, B. Grimbert, M. Faucher, I. Iniguez-De-La-Torre, A. Iniguez-De-La-Torre, T. Gonzalez, J. Mateos
article
41st European Microwave Conference, EuMC 2011, 2011, Manchester, United Kingdom. pp.1150-1152
identifiant
hal-00800102
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titre
Impact of gate length on the device performance of passivated InAlN/GaN HFET
auteur
N. Ketteniss, F. Lecourt, H. Behmenburg, A. Noculak, N. Defrance, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, M. Heuken, A. Vescan
article
35th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2011, 2011, Italy. pp.1-2
identifiant
hal-00603114
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titre
Performances of InAlN/AlN/GaN HEMTs on sapphire substrate
auteur
F. Lecourt, N. Ketteniss, H. Behmenburg, N. Defrance, Virginie Hoel, M. Eickelkamp, A. Vescan, C. Giesen, M. Heuken, Jean-Claude de Jaeger
article
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2
identifiant
hal-00800127
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titre
Diamond overgrowth study for high performance GaN based HEMTs
auteur
M. Alomari, S. Rossi, E. Kohn, N. Grandjean, S.L. Delage, Christophe Gaquière, L. Toth, W.C. Fan
article
22nd European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides, Diamond 2011, 2011, Garmisch-Partenkirchen, Germany
identifiant
hal-00807604
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titre
Novel AlGaN/GaN electronic nano-devices : application for sub-terahertz waves detection
auteur
P.A.D. Sangare, Guillaume Ducournau, B. Grimbert, M. Faucher, Christophe Gaquière
article
6èmes Journées Terahertz, 2011, La Grande-Motte, France
identifiant
hal-00807612
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titre
CMOS digital tunable capacitance with tuning ratio up to 13 and 10dBm linearity for RF and millimeter-wave design
auteur
R. Debroucke, A. Pottrain, D. Titz, F. Gianesello, D. Gloria, C. Luxey, Christophe Gaquière
article
IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, RFIC 2011, 2011, Baltimore, MD, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/RFIC.2011.5940648⟩
identifiant
hal-00800111
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titre
Etude des performances en puissance des TBH Si/SiGe pour les applications millimétriques
auteur
A. Pottrain, T. Lacave, D. Gloria, P. Chevalier, D. Ducatteau, Sylvie Lepilliet, Christophe Gaquière
article
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. pp.6E2, 1-4
identifiant
hal-00603137
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titre
AttoF MOS varactor RF measurement VNA coupled with interferometer
auteur
R. Debroucke, D. Gloria, D. Ducatteau, D. Theron, H. Tanbakuchi, Christophe Gaquière
article
77th ARFTG Microwave Measurement Conference, 2011, Baltimore, MD, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/ARFTG77.2011.6034572⟩
identifiant
hal-00800124
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titre
[Invited] AlGaN/GaN and InAlN/GaN HEMTs technology for high frequency wireless communication and applications needing conformability
auteur
Jean-Claude de Jaeger, Virginie Hoel, Marie Lesecq, N. Defrance, F. Lecourt, Y. Douvry, Christophe Gaquière, H. Maher, S. Bouzid, M. Heuken, C. Giesen, N. Ketteniss, H. Behmenburg, M. Eickelkamp, A. Vescan, Y. Cordier, A. Ebongue
article
European Microwave Week, EuMIC, Workshop W09 - Wideband GaN devices and applications, 2011, Manchester, United Kingdom
identifiant
hal-00807597
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titre
Band-gap operating in the gigahertz frequencies for a bi-layer phononic crystal slab
auteur
Abdelkrim Talbi, A. Soltani, Y. El Hassouani, Yan Pennec, Bahram Djafari-Rouhani, Abdellatif Akjouj
article
1st International Conference on Phononic Crystals, Metamaterials and Optomechanics, PHONONICS 2011, 2011, Santa Fe, NM, United States
identifiant
hal-00807176
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titre
Characterization and modeling for the piezoelectric actuator of AlGaN/GaN-resonators
auteur
Achraf Ben Amar, Marc Faucher, Bertrand Grimbert, Virginie Brandli, Lionel Buchaillot, Christophe Gaquière, Didier Theron
article
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2
identifiant
hal-00800035
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titre
75-nm-T-shaped-gate InAlN/AlN/GaN HEMT on sapphire with 100 GHz cutoff frequency
auteur
F. Lecourt, N. Defrance, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, N. Ketteniss, H. Behmenburg, M. Eickelkamp, A. Vescan, C. Giesen, M. Heuken
article
6th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2011, 2011, Manchester, United Kingdom. pp.136-139
identifiant
hal-00800110
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titre
Accurate multibias equivalent-circuit extraction for AlGaN/GaN/Si HEMTs passivated SiO2/Si3N4
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, B. Grimbert, H. Maaref
article
European Materials Research Society Fall Meeting, E-MRS Fall 2011, Symposium H : Novel materials for electronics, optoelectronics, photovoltaics and energy saving applications, 2011, Warsaw, Poland
identifiant
hal-00807603
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titre
Impact of gate length on pulsed IV characteristics of passivated InAlN/GaN HFETs
auteur
M. Heuken, A. Vescan, F. Lecourt, H. Behmenburg, N. Defrance, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, H. Kalisch, N. Ketteniss
article
9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, 2011, Glasgow, United Kingdom
identifiant
hal-00807610
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titre
Nanocomposants AlGaN/GaN : application à la détection THz
auteur
P. Sangare, B. Grimbert, M. Faucher, Sylvie Lepilliet, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. papier 305, 2C4, 1-4
identifiant
hal-00603132
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titre
Silicon high frequency test structures improvement for millimeter wave varactors characterization, optimization and modeling
auteur
F. Sonnerat, R. Debroucke, Y. Morandini, D. Gloria, Jean-Daniel Arnould, Christophe Gaquière
article
24th IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, ICMTS 2011, 2011, Amsterdam, Netherlands. pp.101-104, ⟨10.1109/ICMTS.2011.5976868⟩
identifiant
hal-00800125
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titre
High RF performance of AlGaN/GaN HEMT on (110)-oriented silicon substrate
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, Y. Cordier, Jean-Claude de Jaeger
article
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2
identifiant
hal-00800113
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titre
Propagation et filtrage des ondes acoustiques dans un cristal phononique bicouche AlN-TiN : étude théorique et expérimentale
auteur
S. Hemon, Y. El Hassouani, Yan Pennec, A. Soltani, Abdelkrim Talbi, A. Djouadi, Bahram Djafari-Rouhani, Abdellatif Akjouj
article
Journées Franco-Libanaises Physique et Interfaces, JFLPI, 2011, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00807261
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titre
Développement d'un banc de caractérisation non linéaire dans le domaine fréquentiel pour la caractérisation et la modélisation de transistors de puissance
auteur
R. Ouhachi, A. Pottrain, T. Lacave, D. Ducatteau, P. Chevalier, D. Gloria, Christophe Gaquière
article
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. papier 118, 2F6, 1-4
identifiant
hal-00603134
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titre
AlGaN/GaN high electron mobility transistors with a metal field-plate structure
auteur
M. Kaddeche, A. Telia, A. Soltani
article
9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, 2011, Glasgow, United Kingdom
identifiant
hal-00807602
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titre
Amélioration des performances électriques en régime statique et hyperfréquence de transistors HEMTs pseudomorphiques de la filière GaAs en utilisant des rayonnements ionisants
auteur
F. Berthet, Y. Guhel, H. Galous, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, N. Vellas, Christophe Gaquière
article
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. pp.6E9, 1-4
identifiant
hal-00603138
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titre
Caractérisation et analyse des effets de pièges électriques sur la fiabilité de HEMTS AlGaN/GaN
auteur
F. Berthet, Y. Guhel, H. Galous, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, V. Sbrugnera, B. Grimbert, Christophe Gaquière
article
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. pp.4C3, 1-4
identifiant
hal-00603136
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titre
[Invité] Micro et nanorésonateurs électromécaniques radio-fréquences. Principes et applications
auteur
Marc Faucher, Bernard Legrand, Benjamin Walter, Emmanuelle Algre, A. Ben-Amar, Yvon Cordier, Christophe Gaquière, Didier Theron, Lionel Buchaillot
article
TELECOM'2011 & 7èmes Journées Franco-Maghrébines des Micro-ondes et leurs Applications, 2011, Tanger, Maroc. CDROM, papier 554, 1-6
identifiant
hal-00806730
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titre
UV-ozone treatment on single cristal diamond for very low losses coplanar waveguide
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, P.N. Volpe, N. Defrance, Jean-Claude de Jaeger
article
22nd European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides, Diamond 2011, 2011, Garmisch-Partenkirchen, Germany
identifiant
hal-00807611
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titre
Influence of hydrogen gas on the synthesis and properties of hexagonal boron nitride nanowalls prepared by unbalanced RF magnetron sputtering
auteur
B. Ben Moussa, C. Borschel, J. d'Haen, J. Barjon, M. Saitner, A. Soltani, V. Mortet, C. Ronning, M. d'Olieslaeger, H.G. Boyen, K. Haenen
article
Materials Research Society Spring Meeting, MRS Spring 2011, Symposium S : Plasma-assisted materials processing and synthesis, 2011, San Francisco, CA, United States
identifiant
hal-00807601
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titre
Fabrication et caractérisation haute fréquence de lignes coplanaires sur substrat souple, en utilisant la technique d'impression par jet d'encre
auteur
J. Thielleux, E. Pichonat, Pierre-Yves Cresson, Erick Paleczny, Marie Lesecq, H. Happy
article
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, France. papier 230, 7F6, 1-4
identifiant
hal-00597143
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titre
10-MHz DC/DC converter based on GaN HEMT for RF applications
auteur
F. Gamand, V. Di Giacomo, Christophe Gaquière
article
33rd International Telecommunications Energy Conference, INTELEC 2011, 2011, Amsterdam, Netherlands. pp.1-4, ⟨10.1109/INTLEC.2011.6099887⟩
identifiant
hal-00800105
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titre
Ionization effect on SiGe HBT power limitation in the millimeter wave frequency range
auteur
A. Pottrain, T. Lacave, D. Gloria, P. Chevalier, F. Purchon, N. Derrier, Christophe Gaquière
article
6th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2011, 2011, Manchester, United Kingdom. pp.212-215
identifiant
hal-00800126
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BibTex
titre
Compact nonlinear modeling for GaN-based power amplifier design
auteur
Christophe Gaquière, V. Di Giacomo
article
IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2011, Workshop WFC - The design flow of microwave amplifiers : Challenges and future trends, 2011, Baltimore, MD, United States
identifiant
hal-00807596
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BibTex
titre
Imaging techniques for direct defect analysis in SC diamonds : what scanning electron microscopy and cathodoluminescence can ultimately reveal
auteur
P.N. Volpe, S. Saada, Nicolas Tranchant, Jean-Charles Arnault, A. Soltani, F. Donatini, P. Bergonzo
article
16th International Hasselt Diamond Workshop, SBDD XVI, 2011, Hasselt, Belgium
identifiant
hal-00807605
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titre
Performance of nanoribbons AlGaN/GaN MISHEMT
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, D. Ducatteau, Jean-Claude de Jaeger
article
9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, 2011, Glasgow, United Kingdom
identifiant
hal-00807609
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BibTex
titre
AlGaN/GaN HEMTs reported on flexible substrate
auteur
N. Defrance, Marie Lesecq, F. Lecourt, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, Y. Cordier, A. Ebongue
article
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2
identifiant
hal-00800114
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Patents

titre
Capteur à fil chaud de taille submillimétrique et procédé de réalisation associé
auteur
Philippe Pernod, L. Gimeno-Monge, Abdelkrim Talbi, A. Merlen, R. Viard, V. Mortet, A. Soltani, Vladimir Preobrazhensky
article
N° de brevet: FR2958754 (A1). 2011
identifiant
hal-00632310
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2010

Journal articles

titre
Design, fabrication and physical analysis of TiN/AlN deep UV photodiodes
auteur
Hassan Ali Barkad, Ali Soltani, Maghnia Mattalah, J-C Gerbedoen, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger, Ali Benmoussa, Vincent Mortet, Ken Haenen, Brahim Benbakhti, myriam moreau, Russell Dean Dupuis, Abdallah Ougazzaden
article
Journal of Physics D: Applied Physics, 2010, 43 (46), pp.465104. ⟨10.1088/0022-3727/43/46/465104⟩
identifiant
hal-00569746
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https://hal.science/hal-00569746/file/PEER_stage2_10.1088%252F0022-3727%252F43%252F46%252F465104.pdf BibTex
titre
Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low gamma radiation dose
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, Christophe Gaquière
article
Microelectronic Engineering, 2010, 87 (11), pp.2443 - 2447. ⟨10.1016/j.mee.2010.04.022⟩
identifiant
hal-01646869
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titre
Field effect transistors for terahertz detection and emission
auteur
Wojciech Knap, Salman Nadar, Hadley Videlier, S. Boubanga-Tombet, Dominique Coquillat, Nina Diakonova, Frederic Teppe, K. Karpierz, J. Lusakowski, M. Sakowicz, I. Kasalynas, D. Seliuta, G. Valusis, T. Otsuji, Y. Meziani, El Fatimy A., S. Vandenbrouk, K. Madjour, D. Theron, Christophe Gaquière
article
Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, 2010, 32, pp.618-628. ⟨10.1007/s10762-010-9647-7⟩
identifiant
hal-00597123
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titre
AlGaN/GaN high electron mobility transistors as a voltage-tunable room temperature terahertz sources
auteur
A. El Fatimy, N. Dyakonova, Y. Meziani, T. Otsuji, W. Knap, S. Vandenbrouk, K. Madjour, Didier Theron, Christophe Gaquière, M.A. Poisson, S. Delage, P. Pristawko, C. Skierbiszewski
article
Journal of Applied Physics, 2010, 107 (2), pp.024504. ⟨10.1063/1.3291101⟩
identifiant
hal-00549452
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https://hal.science/hal-00549452/file/El%20Fatimy_2010_1.3291101.pdf BibTex
titre
Analysis of deep levels in AlGaN/GaN/Al2O3 heterostructures by CDLTS under a gate pulse
auteur
M. Gassoumi, O. Fathallah, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Physica B: Condensed Matter, 2010, 405, pp.2337-2339. ⟨10.1016/j.physb.2010.02.042⟩
identifiant
hal-00549453
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titre
LP MOCVD growth of InAlN/GaN HEMT heterostructure : comparison of sapphire, bulk SiC and composite SiCopSiC substrates for HEMT device applications
auteur
M.A. Di Forte-Poisson, N. Sarazin, M. Magis, M. Tordjman, J. Di Persio, R. Langer, E. Iliopoulos, A. Georgakilas, P. Kominou, M. Guziewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska, Christophe Gaquière, M. Oualli, E. Chartier, E. Morvan, S. Delage
article
physica status solidi (c), 2010, 7, pp.1317-1324. ⟨10.1002/pssc.200983114⟩
identifiant
hal-00549909
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titre
Deep levels in AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate are characterized by current deep level transient spectroscopy
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, Christophe Gaquière, M.A. Zaidi, H. Maaref
article
Optoelectronics and Advanced Materials - Rapid Communications, 2010, 4, pp.1783-1785
identifiant
hal-00567897
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BibTex
titre
Low microwave noise of AlGaN/GaN HEMTs fabricated on SiCopSiC substrates
auteur
Virginie Hoel, N. Defrance, Y. Douvry, Jean-Claude de Jaeger, N. Vellas, Christophe Gaquière, M.A. Di Forte-Poisson, J. Thorpe, R. Langer
article
Electronics Letters, 2010, 46, pp.84-85. ⟨10.1049/el.2010.2576⟩
identifiant
hal-00549457
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titre
Thermal resistance of AlGaN/GaN HEMTs on SopSiC composite substrate
auteur
N. Defrance, Y. Douvry, Virginie Hoel, J.C. Gerbedoen, A. Soltani, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger, R. Langer, H. Lahreche
article
Electronics Letters, 2010, 46, pp.949-950. ⟨10.1049/el.2010.0431⟩
identifiant
hal-00549463
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titre
AlInN/AlN/GaN HEMT technology on SiC with 10-W/mm and 50% PAE at 10 GHz
auteur
N. Sarazin, E. Morvan, M.A. Di Forte Poisson, M. Oualli, Christophe Gaquière, O. Jardel, O. Drisse, M. Tordjman, M. Magis, S.L. Delage
article
IEEE Electron Device Letters, 2010, 31, pp.11-13. ⟨10.1109/LED.2009.2035145⟩
identifiant
hal-00549451
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BibTex
titre
Testing the temperature limits of GaN-based HEMT devices
auteur
D. Maier, M. Alomari, N. Grandjean, J.F. Carlin, M.A. Di Forte-Poisson, C. Dua, A. Chuvilin, David Troadec, Christophe Gaquière, U. Kaiser, S.L. Delage, E. Kohn
article
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2010, 10, pp.427-436. ⟨10.1109/TDMR.2010.2072507⟩
identifiant
hal-00579038
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BibTex
titre
AlGaN/GaN HEMTs on (001) silicon substrate with power density performance of 2.9 W/mm at 10 GHz
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, S. Joblot, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière, Y. Cordier, F. Semond
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57, pp.1497-1503. ⟨10.1109/TED.2010.2048792⟩
identifiant
hal-00549455
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BibTex
titre
Thermal behavior analysis of GaN based epi-material on different substrates by means of a physical-thermal model
auteur
Xing Tang, Michel Rousseau, N. Defrance, Virginie Hoel, A. Soltani, R. Langer, Jean-Claude de Jaeger
article
physica status solidi (a), 2010, 207, pp.1820-1826. ⟨10.1002/pssa.200925321⟩
identifiant
hal-00549464
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BibTex
titre
Development of Time-resolved UV Micro-Raman Spectroscopy to measure temperature in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
Ophélie Lancry, Emmanuelle Pichonat, Julien Réhault, Myriam Moreau, Raphaël Aubry, Christophe Gaquière
article
Solid-State Electronics, 2010, 54, pp.1434 - 1437. ⟨10.1016/j.sse.2010.05.029⟩
identifiant
hal-00514166
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BibTex
titre
Electron traps studied in AlGaN/GaN HEMT on Si substrate using capacitance deep level transient spectroscopy
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M. Charfeddine, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2010, 12, pp.2190-2193
identifiant
hal-00573158
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BibTex
titre
AlGaN/GaN HEMT on (111) single crystalline diamond
auteur
M. Alomari, A. Dussaigne, D. Martin, N. Grandjean, Christophe Gaquière, E. Kohn
article
Electronics Letters, 2010, 46, pp.299-300. ⟨10.1049/el.2010.2937⟩
identifiant
hal-00549443
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BibTex
titre
Thermal oxidation of lattice matched InAlN/GaN heterostructures
auteur
M. Alomari, A. Chuvilin, L. Toth, B. Pecz, J.F. Carlin, N. Grandjean, Christophe Gaquière, M.A. Di Forte-Poisson, S. Delage, E. Kohn
article
physica status solidi (c), 2010, 7, pp.13-16. ⟨10.1002/pssc.200982623⟩
identifiant
hal-00549908
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BibTex
titre
Three-terminal junctions operating as mixers, frequency doublers and detectors : a broad-band frequency numerical and experimental study at room temperature
auteur
I. Iniguez-De-La-Torre, T. Gonzalez, D. Pardo, C. Gardes, Yannick Roelens, S. Bollaert, A. Curutchet, Christophe Gaquière, J. Mateos
article
Semiconductor Science and Technology, 2010, 25, pp.125013-1-14. ⟨10.1088/0268-1242/25/12/125013⟩
identifiant
hal-00548604
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BibTex
titre
Parasitic effects and traps in AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate
auteur
O. Fathallah, M. Gassoumi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
European Physical Journal: Applied Physics, 2010, 51, pp.10304-1-5. ⟨10.1051/epjap/2010085⟩
identifiant
hal-00549476
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titre
Trap characterization in AlGaN/GaN HEMT by analyzing frequency dispersion in capacitance and conductance
auteur
L. Semra, A. Telia, A. Soltani
article
Surface and Interface Analysis, 2010, 42, pp.799-802. ⟨10.1002/sia.3462⟩
identifiant
hal-00549910
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titre
Plasma excitations in field effect transistors for terahertz detection and emission
auteur
W. Knap, D. Coquillat, N. Dyakonova, F. Teppe, O. Klimenko, H. Videlier, S. Nadar, J. Lusakowski, G. Valusis, F. Schuster, B. Giffard, T. Skotnicki, Christophe Gaquière, A. El Fatimy
article
Comptes Rendus. Physique, 2010, 11, pp.433-443. ⟨10.1016/j.crhy.2010.06.010⟩
identifiant
hal-00549459
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titre
Epitaxial growth of ZnO thin films on AlN substrates deposited at low temperature by magnetron sputtering
auteur
S. Rahmane, B. Abdallah, A. Soussou, E. Gautron, Pierre-Yves Jouan, L. Le Brizoual, Nicolas Barreau, A. Soltani, M. A. Djouadi
article
physica status solidi (a), 2010, 207, pp.1604-1608. ⟨10.1002/pssa.200983776⟩
identifiant
hal-00549911
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titre
DC electrical performances improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low thermal neutron radiation dose
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, Christophe Gaquière, N. Vellas, J.L. Trolet, M. Piccione
article
Electronics Letters, 2010, 46, pp.650-652. ⟨10.1049/el.2010.0070⟩
identifiant
hal-00549454
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titre
Characterization of nano-crystalline diamond films grown under continuous DC bias during plasma enhanced chemical vapor deposition
auteur
V. Mortet, L. Zhang, M. Eckert, A. Soltani, J. d'Haen, O. Douhéret, M. Moreau, S. Osswald, E. Neyts, David Troadec, P. Wagner, A. Bogaerts, G. van Tendeloo, K. Haenen
article
MRS Proceedings, 2010, 1203, pp.J05-03. ⟨10.1557/PROC-1203-J05-03⟩
identifiant
hal-00656630
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titre
Proposal and performance analysis of normally off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1-nm-thick InAlN barrier
auteur
J. Kuzmik, C. Ostermaier, G. Pozzovivo, B. Basnar, W. Schrenk, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, N. Grandjean, Y. Douvry, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, K. Cico, K. Frölich, J. Skriniarova, J. Kovacs, G. Strasser, D. Pogany, E. Gornik
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57, pp.2144-2154. ⟨10.1109/TED.2010.2055292⟩
identifiant
hal-00549465
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Conference papers

titre
Degradations during pulsed measurements in temperature of AlGaN/GaN HEMTs
auteur
Y. Douvry, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, N. Defrance, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Charlotte Sury, C. Dua, M. Oualli, M. Piazza, J.M. Bluet, W. Chikhaoui, C. Bru-Chevallier
article
European Solid-State Device Research Conference 2010, Sep 2010, Séville, Spain. pp.1
identifiant
hal-00585101
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titre
Sub-terahertz resistive mixing in a AlGaN/GaN HEMT
auteur
Kamel Madjour, Guillaume Ducournau, Sylvie Lepilliet, Tahsin Akalin, Jean-Francois Lampin, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Sylvain Laurent Delage, Christophe Gaquière
article
35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010, Sep 2010, Rome, Italy. pp.1-2, ⟨10.1109/ICIMW.2010.5612437⟩
identifiant
hal-00550020
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titre
Tunable room temperature THz emission from AlGaN/GaN high electron mobility transistors
auteur
Nina Diakonova, A. El Fatimy, Y. Meziani, T. Otsuji, Dominique Coquillat, Wojciech Knap, Frederic Teppe, S. Vandenbrouk, K. Madjour, Didier Theron, Christophe Gaquière, M. A. Poisson, S. Delage
article
35th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, Sep 2010, Rome, Italy. pp.1
identifiant
hal-00636136
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titre
Sub-Terahertz imaging with AlGaN/GaN MISFETs
auteur
Salman Nadar, Oleg Klimenko, Hadley Videlier, Dominique Coquillat, Nina Diakonova, Frederic Teppe, Wojciech Knap, K. Madjour, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, M. A. Poisson, J. Torres, J. Szczytko, A. Dobroiu, C. Otani
article
35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010, Sep 2010, Rome, Italy. pp.1, ⟨10.1109/ICIMW.2010.5612996⟩
identifiant
hal-00636141
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titre
Achievement and perspective of GaN technology for microwave applications
auteur
Sylvain Laurent Delage, Erwan Morvan, Nicolas Sarazin, Raphaël Aubry, Eric Chartier, Olivier Jardel, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Christian Dua, Jean-Claude Jacquet, Stéphane Piotrowicz, Anna Piotrowska, Eliana Kaminska, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière, Ulrich Heinlen, Ehrard Kohn, Mohammed Alomari, David Maier, Ján Kuzmík, Dionyz Pogany
article
18th International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications, MIKON-2010, Jun 2010, Vilnius, Lithuania. pp.314-318
identifiant
hal-00800875
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titre
Structural and optical properties of nanodots, nanowires, and multi-quantum wells of III-nitride grown by MOVPE nano-selective area Growth
auteur
W. H. Goh, G. Patriarche, P. L. Bonanno, S. Gautier, T. Moudakir, M. Abid, G. Orsal, A.A. Sirenko, Z. H. Cai, A. Martinez, A. Ramdane, L. Le Gratiet, David Troadec, A. Soltani, A. Ougazzaden
article
ICMOVPE XV, Jun 2010, Lake Tahoe, United States. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2010.08.053⟩
identifiant
hal-00554340
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titre
Deep structural analysis of novel BGaN material layers grown by MOVPE
auteur
S. Gautier, G. Patriarche, T. Moudakir, M. Abid, G. Orsal, K. Pantzas, David Troadec, A. Soltani, L. Largeau, O. Mauguin, A. Ougazzaden
article
ICMOVPE XV, Jun 2010, Lake Tahoe, United States. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2010.08.042⟩
identifiant
hal-00554350
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titre
MEMS advances and GaN based approaches
auteur
Marc Faucher, Virginie Brandli, Bertrand Grimbert, Achraf Ben Amar, Matthieu Werquin, Christophe Gaquière, Didier Theron, Lionel Buchaillot
article
34th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits in Europe, WOCSDICE 2010, May 2010, Darmstadt, Germany
identifiant
hal-00808201
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titre
Vers la caractérisation cellulaire par BioMEMS THz
auteur
Simon Laurette, A. Treizebre, Nour Eddine Bourzgui, Bertrand Bocquet
article
13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, Jan 2010, Paris, France. CD-ROM, Session MEMS Lab-on-chip, 1-4
identifiant
hal-00573235
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titre
Resonant HEMT transducers and integrated MEMS resonators based on AlGaN/GaN/Si heterostructures
auteur
Marc Faucher, Bertrand Grimbert, Virginie Brandli, Yvon Cordier, Matthieu Werquin, Lionel Buchaillot, Christophe Gaquière, Didier Theron
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2010, 2010, Newport Beach, CA, United States
identifiant
hal-00808202
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titre
Reliability assessment in different HTO test conditions of AlGaN/GaN HEMTs
auteur
N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, C. Sury, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, N. Defrance, Y. Douvry, C. Dua, M. Oualli, M. Piazza, C. Bru-Chevallier, J.M. Bluet, W. Chikhaoui
article
IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2010, 2010, United States. pp.139-145, ⟨10.1109/IRPS.2010.5488839⟩
identifiant
hal-00550009
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titre
Pushing conventional SiGe HBT technology towards 'dotfive' terahertz
auteur
A. Chantre, P. Chevalier, T. Lacave, G. Avenier, M. Buczko, Y. Campidelli, L. Depoyan, L. Berthier, Christophe Gaquière
article
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, France. pp.21-24
identifiant
hal-00550010
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titre
Temperature dependent degradation modes in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
Y. Douvry, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, N. Defrance, N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, C. Sury, C. Dua, M. Oualli, M. Piazza, J. Bluet, W. Chikhaoui, C. Bru-Chevallier
article
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, Paris, France. pp.114-117
identifiant
hal-00550022
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titre
SiGe HBTs towards THz operation in large signal condition
auteur
a . Pottrain, T. Lacave, P. Chevalier, D. Ducatteau, D. Gloria, Christophe Gaquière
article
European Microwave Week Workshops and Short Courses, Silicon Characterization from MHz to THz, 2010, Paris, France
identifiant
hal-00574425
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titre
Towards cell characterization by THz BioMEMS
auteur
Simon Laurette, A. Treizebre, Nour Eddine Bourzgui, Bertrand Bocquet
article
Journées Nationales Communes du GDR Micro et Nano Fluidique et du Club Micro Capteurs Chimiques, 2010, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00574491
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titre
Growth and characterization of hexagonal boron nitride by unbalanced RF magnetron sputtering
auteur
B. Ben Moussa, J. d'Haen, C. Borschel, L. Goris, A. Soltani, V. Mortet, C. Ronning, M. d'Olieslaeger, H. Boyen, K. Haenen
article
15th International Hasselt Diamond Workshop, SBDD XV, 2010, Hasselt, Belgium
identifiant
hal-00808251
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titre
Hexagonal boron nitride nanowalls synthesized by unbalanced RF magnetron sputtering
auteur
B. Ben Moussa, J. d'Haen, C. Borschel, M. Saitner, A. Soltani, V. Mortet, C. Ronning, M. d'Olieslaeger, H.G. Boyen, K. Haenen
article
Materials Research Society Fall Meeting, MRS Fall 2010, Symposium CC : Boron and boron compounds - From fundamentals to applications, 2010, Boston, MA, United States. pp.mrsf10-1307-cc06-09, 1-6, ⟨10.1557/opl.2011.505⟩
identifiant
hal-00800885
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titre
High transconductance AlGaN/GaN HEMT with thin barrier on Si(111) substrate
auteur
F. Lecourt, Y. Douvry, N. Defrance, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, S. Bouzid, M. Renvoise, D. Smith, H. Maher
article
40th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2010, 2010, Spain. pp.281-284, ⟨10.1109/ESSDERC.2010.5618362⟩
identifiant
hal-00549999
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titre
Effects of the drain width on the electrical behavior of deep defect in AlGaN/GaN/SiC HEMTs
auteur
O. Fathallah, M. Gassoumi, S. Saadaoui, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
27th International Conference on Microelectronics, MIEL 2010, 2010, pp.479-481, ⟨10.1109/MIEL.2010.5490440⟩
identifiant
hal-00550032
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titre
Improvement of AlN SAW performance by introduction of TiN nucleation layer on silicon substrate
auteur
A. Soltani, Abdelkrim Talbi, V. Mortet, A. Bassam, A. Oussous, E. Monroy, K. Haenen, Jean-Claude de Jaeger, Philippe Pernod
article
15th International Hasselt Diamond Workshop, SBDD XV, 2010, Hasselt, Belgium
identifiant
hal-00574426
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titre
Caractérisation sur plaque de varicap MOS subfemtofarad en technologie silicium
auteur
R. Debroucke, J.F. Larchanche, D. Ducatteau, H. Tanbakuchi, Christophe Gaquière
article
11èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM 2010, 2010, Brest, France
identifiant
hal-00574429
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titre
Etude, réalisation et caractérisation de résonateurs à ondes élastiques de surface - Application à un capteur de température et de pression
auteur
A. Soltani, Abdelkrim Talbi, J.C. Tricot, H. Happy, Nour Eddine Bourzgui
article
11èmes Journées Pédagogiques du CNFM, 2010, Saint-Malo, France
identifiant
hal-00574434
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titre
Thermal characterization of MBE-grown GaN/AlGaN/GaN on single crystalline diamond
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, E. Pichonat, O. Lancry, Christophe Gaquière, G. Tsiakatouras, G. Deligeorgis, A. Georgakilas, R. Balmer, D. Pogany
article
6th International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2010, 2010, Tampa, FL, United States
identifiant
hal-00573557
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titre
Preliminary studies for a microbioreactor development coupled to electromechanical system for enzyme reaction analysis in terahertz radiations
auteur
Abdennour Abbas, A. Treizebre, Philippe Supiot, Nour Eddine Bourzgui, Renato Froidevaux, Didier Guillochon, Dominique Vercaigne-Marko, Bertrand Bocquet
article
8th European Symposium on Biochemical Engineering Science, ESBES-8, 2010, Bologna, Italy
identifiant
hal-00574465
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titre
Optical and electric properties of boron doped diamond grown on single crystal (110) oriented substrates
auteur
V. Mortet, J. d'Haen, A. Soltani, G. Lekens, J. Barjon, P. Wagner, K. Haenen
article
15th International Hasselt Diamond Workshop, SBDD XV, 2010, Hasselt, Belgium
identifiant
hal-00808252
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titre
Deep traps in passivated AlGaN/GaN high electron mibility transistors on silicon substrate
auteur
H. Masbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
7th Maghreb-Europe Meeting on Materials and their Applications for Devices and Sensors, MADICA 2010, 2010, Tabarka, Tunisia
identifiant
hal-00808253
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titre
Caractérisation électrique et hyperfréquence d'épitaxie AlGaN/GaN sur substrat résistif Si(111)
auteur
F. Lecourt, Y. Douvry, N. Defrance, Virginie Hoel, Y. Cordier, Jean-Claude de Jaeger
article
13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, France. pp.CD-ROM, Session Matériaux 2, 1-4
identifiant
hal-00573207
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BibTex
titre
Analysis of AlGaN/GaN epi-material on resistive Si(111) substrate for MMIC applications in millimeter wave range
auteur
F. Lecourt, Y. Douvry, N. Defrance, Virginie Hoel, Y. Cordier, Jean-Claude de Jaeger
article
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, France. pp.33-36
identifiant
hal-00549995
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BibTex
titre
Tunable room temperature THz emission from AlGaN/GaN high electron mobility transistors
auteur
N. Dyakonova, A. El Fatimy, Y. Meziani, T. Otsuji, D. Coquillat, W. Knap, F. Teppe, S. Vandenbrouk, K. Madjour, D. Theron, Christophe Gaquière, M.A. Poisson, S. Delage
article
35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010, 2010, Italy. pp.1-2, ⟨10.1109/ICIMW.2010.5612620⟩
identifiant
hal-00550019
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BibTex
titre
High temperature stability of nitride-based power HEMT
auteur
D. Maier, M. Alomari, N. Grandjean, J.F. Carlin, M.A. Di Forte-Poisson, C. Dua, A. Chuvilin, David Troadec, Christophe Gaquière, U. Kaiser, S.L. Delage, E. Kohn
article
18th International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications, MIKON-2010, 2010, Vilnius, Lithuania. pp.1-4
identifiant
hal-00800892
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BibTex
titre
Evolution des performances électriques des transistors des filières GaN sous l’effet d’irradiation
auteur
Fanny Berthet, Yannick Guhel, B. Boudart, Jean Lionel Trolet, M. Piccione, Christophe Gaquière
article
Rencontres Jeunes Chercheurs, 2010, Annecy, France
identifiant
hal-01654495
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BibTex
titre
Comment aborder en pédagogie l'aspect 'système' d'une chaîne télécom ?
auteur
Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, T. Flamen
article
11èmes Journées Pédagogiques du CNFM, 2010, Saint-Malo, France
identifiant
hal-00573579
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BibTex
titre
Synthesis of hexagonal boron nitride by physical vapour deposition process
auteur
B. Ben Moussa, J. d'Haen, C. Borschel, A. Soltani, V. Mortet, C. Ronning, M. d'Olieslaeger, H. Boyen, K. Haenen
article
21st European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides, DIAMOND 2010, 2010, Budapest, Hungary
identifiant
hal-00808250
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BibTex
titre
AlGaN/GaN HEMT on Si (111) substrate for millimeter microwave power applications
auteur
S. Bouzid, Virginie Hoel, N. Defrance, H. Maher, F. Lecourt, M. Renvoise, D. Smith, Jean-Claude de Jaeger
article
8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2010, 2010, Slovakia. pp.111-114, ⟨10.1109/ASDAM.2010.5666316⟩
identifiant
hal-00549981
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BibTex
titre
AlGaN/GaN HEMTs reported on flexible polyimide substrate
auteur
Marie Lesecq, Virginie Hoel, A. Lecavelier, E. Pichonat, Jean-Claude de Jaeger, Y. Douvry, F. Lecourt, A. Ebongue, Y. Cordier
article
5th Space Agency-MOD Round Table Workshop on GaN Component Technologies, 2010, Netherlands. pp.9-12
identifiant
hal-00549997
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titre
SubfemtoFarad MOS varactor characterization tools
auteur
R. Debroucke, J. Larchanche, D. Theron, D. Ducatteau, H. Tanbakuchi, Christophe Gaquière
article
40th European Microwave Conference, EuMC 2010, 2010, France. pp.783-786
identifiant
hal-00550021
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titre
GaN-on-Si HEMTs above 10 W/mm at 2 GHz together with high thermal stability at 325°C
auteur
F Medjdoub, D. Marcon, J. Das, J. Derluyn, K. Cheng, S. Degroote, N. Vellas, Christophe Gaquière, Marie Germain, S. Decoutere
article
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, France. pp.37-40
identifiant
hal-00549996
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BibTex
titre
Characterization of the parasitic effects in InAlN/AlN/GaN HEMTs
auteur
N. Malbert, C. Sury, A. Curutchet, N. Labat, C. Dua, M. Oualli, Virginie Hoel, Y. Douvry, Jean-Claude de Jaeger, C. Bru-Chevallier, W. Chikaoui, J.M. Bluet
article
5th Space Agency-MOD Round Table Workshop on GaN Component Technologies, 2010, Netherlands. pp.84-87
identifiant
hal-00549998
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BibTex
titre
Role of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTs
auteur
J. Kuzmik, C. Ostermaier, G. Pozzovivo, B. Basnar, W. Schrenk, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, N. Grandjean, Y. Douvry, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, G. Strasser, D. Pogany, E. Gornik
article
8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2010, 2010, Slovakia. pp.163-166, ⟨10.1109/ASDAM.2010.5666325⟩
identifiant
hal-00550008
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BibTex
titre
Improvements of high performance 2-nm-thin InAlN/AlN barrier devices by interface engineering
auteur
C. Ostermaier, G. Pozzovivo, J.F. Carlin, B. Basnar, W. Schrenk, A.M. Andrews, Y. Douvry, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, L. Toth, B. Pecz, M. Gonschorek, E. Feltin, N. Grandjean, G. Strasser, D. Pogany, J. Kuzmik
article
30th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-30, 2010, Seoul, South Korea. pp.905-906, ⟨10.1063/1.3666669⟩
identifiant
hal-00800884
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BibTex
titre
P-doping and transport in (110) oriented single crystalline CVD diamond layers
auteur
Y. Balasubramaniam, A. Lazea, V. Mortet, J. d'Haen, F. Jomard, J. Barjon, A. Soltani, K. Haenen
article
21st European Conference on Diamond, Diamond-like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides, DIAMOND 2010, 2010, Budapest, Hungary
identifiant
hal-00808249
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BibTex
titre
Unbalanced RF magnetron sputtering of thin hexagonal boron nitride films
auteur
B. Ben Moussa, J. d'Haen, C. Borschel, M. Saitner, A. Soltani, V. Mortet, C. Ronning, M. d'Olieslaeger, H. Boyen, K. Haenen
article
4th International Conference on New Diamond and Nano Carbons, NDNC 2010, 2010, Suzhou, China
identifiant
hal-00808269
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BibTex
titre
Vertical profile optimization for +400 GHz fMAX Si/SiGe:C HBTs
auteur
T. Lacave, P. Chevalier, Y. Campidelli, M. Buczko, L. Depoyan, L. Berthier, G. Avenier, Christophe Gaquière, A. Chantre
article
2010 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2010, 2010, United States. pp.49-52, ⟨10.1109/BIPOL.2010.5667965⟩
identifiant
hal-00568594
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BibTex
titre
Influence of the selectively implanted collector integration on 400 GHz fmax Si/SiGe:C HBTs
auteur
T. Lacave, P. Chevalier, Y. Campidelli, L. Depoyan, L. Berthier, F. Andre, M. Buczko, G. Avenier, Christophe Gaquière, A. Chantre
article
218th Electrochemical Society Meeting, 218th ECS Meeting, 'SiGe, Ge, and Related Compounds 4 : Materials, Processing, and Devices', 2010, United States. pp.331-335, ⟨10.1149/1.3487563⟩
identifiant
hal-00550006
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BibTex
titre
Output power density higher than 1W/mm at 4GHz thanks to an original silicon LDEMOS transistor layout
auteur
D. Ducatteau, D. Fournier, G. Bekangba, P. Chevalier, Christophe Gaquière
article
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, France. pp.150-153
identifiant
hal-00550007
Accès au bibtex
BibTex
titre
Microwave power capabilities of InAlN/GaN HEMTs
auteur
Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière, Y. Douvry, N. Defrance, Virginie Hoel, S.L. Delage, M.A. Di Forte-Poisson, N. Sarazin, E. Morvan, M. Alomari, E. Kohn, A. Dussaigne, J.F. Carlin, C. Ostermaier, J. Kuzmik, D. Pogany
article
18th International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications, MIKON-2010, 2010, Vilnius, Lithuania. pp.324-327
identifiant
hal-00800883
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Patents

titre
Dispositif d'imagerie radiométrique portable, et procédé d'imagerie correspondant
auteur
Matthieu Werquin, Nicolas Thouvenin, Simon Vandenbrouck, Christophe Gaquière, Frédéric Bue-Erkmen, Nicolas Vellas
article
France, N° de brevet: FR2945121 (A1). 2010
identifiant
hal-00542222
Accès au bibtex
BibTex
titre
Dispositif microélectromécanique piézoélectrique
auteur
M. Faucher, D. Theron, Christophe Gaquière
article
N° de brevet: FR2944274 (A1). 2010
identifiant
hal-00527063
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2009

Journal articles

titre
Effects of self-heating on performance degradation in AlGaN/GaN-based devices
auteur
Brahim Benbakhti, Ali Soltani, Karol Kalna, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2009, 56 (10), pp.2178-2185. ⟨10.1109/TED.2009.2028400⟩
identifiant
hal-00473432
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titre
AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric
auteur
J.C. Gerbedoen, Ali Soltani, M. Mattalah, M. Moreau, P. Thevenin, Jean-Claude de Jaeger
article
Diamond and Related Materials, 2009, 18, pp.1039 - 1042. ⟨10.1016/j.diamond.2009.02.018⟩
identifiant
hal-00435395
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titre
Recent developments of wide-bandgap semiconductor based UV sensors
auteur
Ali Benmoussa, Ali Soltani, Udo Schühle, Ken Haenen, Y.M. Chong, W.J. Zhang, R. Dahal, J.Y. Lin, H.X. Jiang, Hassan Ali Barkad, B. Ben Moussa, David Bolsée, Christian Hermans, Udo Kroth, C. Laubis, Vincent Mortet, Jean-Claude de Jaeger, B. Giordanengo, M. Richter, Frank Scholze, Jean-François Hochedez
article
Diamond and Related Materials, 2009, 18 (5-8), pp.860-864. ⟨10.1016/j.diamond.2008.11.013⟩
identifiant
hal-00473642
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titre
Self-heating phenomena in high-power III-N transistors and new thermal characterization methods developed within EU project TARGET
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, E. Pichonat, Christophe Gaquière, E. Morvan, E. Kohn, J.P. Teyssier, D. Pogany
article
International Journal of Microwave and Wireless Technologies, 2009, 1, pp.153-160
identifiant
hal-00548556
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titre
Self-heating and trapping effects in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors
auteur
I. Saidi, M. Gassoumi, H. Maaref, H. Mejri, Christophe Gaquière
article
Journal of Applied Physics, 2009, 106, pp.054511-1-7. ⟨10.1063/1.3202317⟩
identifiant
hal-00473632
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https://hal.science/hal-00473632/file/Saidi_2009_1.3202317.pdf BibTex
titre
AlGaN/GaN HEMT high power densities on SiC/SiO2/poly-SiC substrates
auteur
N. Defrance, Virginie Hoel, Y. Douvry, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière, Xing Tang, Michel Rousseau, M.A. Di Forte-Poisson, J. Thorpe, H. Lahreche, R. Langer
article
IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.596-598. ⟨10.1109/LED.2009.2019972⟩
identifiant
hal-00473428
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titre
InAlN/GaN MOS-HEMT with thermally grown oxide
auteur
M. Alomari, F Medjdoub, E. Kohn, M.A. Di Forte-Poisson, S. Delage, J.F. Carlin, N. Grandjean, Christophe Gaquière
article
International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2009, 19, pp.137-144. ⟨10.1142/S0129156409006187⟩
identifiant
hal-00473433
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titre
Thin film magnetoelectric composites near spin reorientation transition
auteur
Nicolas Tiercelin, Vladimir Preobrazhensky, V. Mortet, Abdelkrim Talbi, A. Soltani, K. Haenen, Philippe Pernod
article
Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2009, 321, pp.1803-1807. ⟨10.1016/j.jmmm.2009.02.026⟩
identifiant
hal-00469667
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titre
RF doubling and rectification in three-terminal junctions : experimental characterization and Monte Carlo analysis
auteur
I. Iniguez-De-La-Torre, T. Gonzalez, D. Pardo, C. Gardes, Yannick Roelens, S. Bollaert, A. Curutchet, Christophe Gaquière, J. Mateos
article
Journal of Physics: Conference Series, 2009, 193, pp.012021-1-4. ⟨10.1088/1742-6596/193/1/012021⟩
identifiant
hal-00471812
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titre
Cold plasma functionalized terahertz BioMEMS for enzyme reaction analysis
auteur
Abdennour Abbas, A. Treizebre, Philippe Supiot, Nour Eddine Bourzgui, Didier Guillochon, Dominique Vercaigne-Marko, Bertrand Bocquet
article
Biosensors and Bioelectronics, 2009, 25, pp.154-160. ⟨10.1016/j.bios.2009.06.029⟩
identifiant
hal-00471814
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titre
Deep levels and nonlinear characterization of AlGaN/GaN HEMTs on silicon carbide substrate
auteur
M. Gassoumi, J.M. Bluet, Christophe Gaquière, G. Guillot, H. Maaref
article
Microelectronics Journal, 2009, 40, pp.1161-1165. ⟨10.1016/j.mejo.2007.02.005⟩
identifiant
hal-00473430
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titre
Loss characteristics in coplanar propagation waveguides fabricated on IIa diamond substrates
auteur
N. Defrance, J.C. Gerbedoen, A. Soltani, Jean-Claude de Jaeger, J. Morse
article
Diamond and Related Materials, 2009, 18, pp.881-883. ⟨10.1016/j.diamond.2009.02.002⟩
identifiant
hal-00473637
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titre
InAlN/GaN MOSHEMT with self-aligned thermally generated oxide recess
auteur
M. Alomari, F Medjdoub, J.F. Carlin, E. Feltin, N. Grandjean, A. Chuvilin, U. Kaiser, Christophe Gaquière, E. Kohn
article
IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.1131-1133. ⟨10.1109/LED.2009.2031659⟩
identifiant
hal-00473634
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titre
Ultrathin InAlN/AlN barrier HEMT with high performance in normally off operation
auteur
C. Ostermaier, G. Pozzovivo, J.F. Carlin, B. Basnar, W. Schrenk, Y. Douvry, Christophe Gaquière, J.C. Dejaeger, K. Cico, K. Frohlich, M. Gonschorek, N. Grandjean, G. Strasser, D. Pogany, J. Kuzmik
article
IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.1030-1032. ⟨10.1109/LED.2009.2029532⟩
identifiant
hal-00473635
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titre
Tunable room temperature terahertz sources based on two dimensional plasma instability in GaN HEMTs
auteur
A. El Fatimy, T. Suemitsu, T. Otsuji, N. Dyakonova, W. Knap, Y.M. Meziani, S. Vandenbrouk, K. Madjour, D. Theron, Christophe Gaquière, P. Prystawko, C. Skierbiszewski
article
Journal of Physics: Conference Series, 2009, 193, pp.012072-1-4. ⟨10.1088/1742-6596/193/1/012072⟩
identifiant
hal-00473645
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titre
Terahertz imaging using high electron mobility transistors as plasma wave detectors
auteur
S. Nadar, D. Coquillat, M. Sakowicz, H. Videlier, F. Teppe, N. Dyakonova, W. Knap, J.M. Peiris, J. Lyonnet, D. Seliuta, I. Kasalynas, G. Valusis, K. Madjour, D. Theron, Christophe Gaquière, M.A. Poisson
article
physica status solidi (c), 2009, 6, pp.2855-2857. ⟨10.1002/pssc.200982532⟩
identifiant
hal-00800810
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titre
Physical analysis of thermal effects on the optimization of GaN Gunn diodes
auteur
Xing Tang, Michel Rousseau, Christophe Dalle, Jean-Claude de Jaeger
article
Applied Physics Letters, 2009, 95, pp.142102-1-3. ⟨10.1063/1.3240873⟩
identifiant
hal-00473636
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titre
12 GHz F-max GaN/AlN/AlGaN nanowire MISFET
auteur
S. Vandenbrouck, K. Madjour, D. Theron, Y.J. Dong, Y. Li, C.M. Lieber, Christophe Gaquière
article
IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.322-324. ⟨10.1109/LED.2009.2014791⟩
identifiant
hal-00473429
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titre
Deep level investigation by capacitance and conductance transient spectroscopy in AlGaN/GaN/SiC HEMTs
auteur
M. Gassoumi, B. Grimbert, M.A. Poisson, Julien Fontaine, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2009, 11, pp.1713-1717
identifiant
hal-00473671
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titre
Ultracompact optical filter based on a stub resonator in GaInAsP/InP optical wire technology
auteur
Sophie Maricot, Marie Lesecq, Jean-Pierre Vilcot, Christiane Legrand, Marc François, Maxime Beaugeois
article
Optics Letters, 2009, 34, pp.1936-1938. ⟨10.1364/OL.34.001936⟩
identifiant
hal-00473045
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titre
Electron transport properties of gallium nitride for microscopic power device modelling
auteur
Brahim Benbakhti, Michel Rousseau, Ali Soltani, Jean-Claude de Jaeger
article
Journal of Physics: Conference Series, 2009, 193, pp.012005-1-4. ⟨10.1088/1742-6596/193/1/012005⟩
identifiant
hal-00473639
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titre
Self-heating phenomena in high-power III-N transistors and new thermal characterization methods developed within EU project TARGET
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, E. Pichonat, Christophe Gaquière, E. Morvan, E. Kohn, Jean-Pierre Teyssier, D. Pogany
article
International Journal of Microwave and Wireless Technologies, 2009, 1, pp.153 - 160. ⟨10.1017/S1759078709990444⟩
identifiant
hal-00514218
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titre
Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Charlotte Sury, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, N. Defrance, Yannick Douvry, Christian Dua, Mourad Oualli, C. Bru-Chevallier, J.M. Bluet, Walf Chikhaoui
article
Microelectronics Reliability, 2009, 49 (9-11), pp.1216-1221. ⟨10.1016/j.microrel.2009.07.015⟩
identifiant
hal-00401267
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titre
Recent ROB developments on wide bandgap based UV sensors
auteur
B. Giordanengo, A. Ben Moussa, Jean-François Hochedez, A. Soltani, P. de Moor, K. Minoglou, P. Malinowski, J.Y. Duboz, Y.M. Chong, Y.S. Zou, W.J. Zhang, S.T. Lee, R. Dahal, J. Li, J.Y. Lin, H.X. Jiang
article
EAS Publications Series, 2009, 37, pp.199-205. ⟨10.1051/eas/0937025⟩
identifiant
hal-00473643
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titre
Nonlinear modeling of InP devices for W-band applications
auteur
D. Resca, V. Di Giacomo, A. Raffo, R. Cignani, A. Santarelli, G. Vannini, F. Filicori, D. Schreurs, F Medjdoub, N. Thouvenin, Christophe Gaquière
article
International Journal of Microwave and Wireless Technologies, 2009, 1, pp.145-151. ⟨10.1017/S1759078709000099⟩
identifiant
hal-00473633
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titre
Selective area growth of GaN-based structures by molecular beam epitaxy on micrometer and nanometer size patterns
auteur
Yvon Cordier, Fabrice Semond, Jean-Christophe Moreno, Éric Frayssinet, Brahim Benbakhti, Z. Cao, Sébastien Chenot, Lee Nguyen, Olivier Tottereau, Ali Soltani, Karine Blary
article
Materials Science in Semiconductor Processing, 2009, 12, pp.16-20. ⟨10.1016/j.mssp.2009.07.003⟩
identifiant
hal-00473644
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titre
MMICs time-domain electrical physical simulator adapted to the parallel computation
auteur
A. El Moussati, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Dalle
article
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING : electronic networks, devices and fields, 2009, 22, pp.279-296. ⟨10.1002/jnm.706⟩
identifiant
hal-00473652
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BibTex
titre
Amplified piezoelectric transduction of nanoscale motion in gallium nitride electromechanical resonators
auteur
M. Faucher, B. Grimbert, Y. Cordier, N. Baron, A. Wilk, H. Lahreche, P. Bove, M. Francois, P. Tilmant, T. Gehin, C. Legrand, M. Werquin, L. Buchaillot, Christophe Gaquière, D. Theron
article
Applied Physics Letters, 2009, 94, pp.233506-1-3. ⟨10.1063/1.3153504⟩
identifiant
hal-00472724
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Conference papers

titre
Polymérisation par plasma pour la fabrication de circuits microfluidiques
auteur
Abdennour Abbas, Céline Vivien, Philippe Supiot, Nour Eddine Bourzgui, Bertrand Bocquet, Didier Guillochon
article
XIIème Congrès de la Société Française de Génie des Procédés, Oct 2009, Marseille, France. CD-ROM : Récents progrès en génie des procédés, n° 99, 801, 1-6, Lavoisier
identifiant
hal-00573533
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BibTex
titre
V-Band Amplifier MMICs Using Multi-Finger InP/GaAsSb DHBT Technology
auteur
J. Godin, V. Nodjiadjim, M. Riet, P. Berdaguer, S. Piotrowicz, O. Jardel, A. Scavennec, Jean-Christophe Nallatamby, Christophe Gaquière, M. Werquin
article
31st IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, CSISC 2009, Oct 2009, Greensboro - Caroline du Nord, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/csics.2009.5315658⟩
identifiant
hal-00474497
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titre
AlN on nanocrystalline diamond piezoelectric cantilevers for sensors/actuators
auteur
V. Mortet, A. Soltani, Abdelkrim Talbi, P. Pobedinskas, K. Haenen, Jean-Claude de Jaeger, Philippe Pernod, P. Wagner
article
Eurosensors XXIII, Sep 2009, Lausanne, Switzerland. pp.40-43, ⟨10.1016/j.proche.2009.07.010⟩
identifiant
hal-00474464
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https://hal.science/hal-00474464/file/1-s2.0-S1876619609000114-main.pdf BibTex
titre
Tunable room temperature terahertz sources based on two dimensional plasma instability in GaN HEMTs
auteur
A. El Fatimy, T. Suemitsu, T. Otsuji, N. Dyakonova, W. Knap, Y. M. Meziani, S. Vandenbrouk, K. Madjour, Didier Theron, Christophe Gaquière, P. Prystawko, C. Skierbiszewski
article
16th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 16), Aug 2009, France. pp.2072, ⟨10.1088/1742-6596/193/1/012072⟩
identifiant
hal-00546387
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titre
RF doubling and rectification in Three-Terminal Junctions: experimental characterization and Monte Carlo analysis
auteur
I. Iñiguez-De-La-Torre, T. González, D. Pardo, Chantal Gardes, Yannick Roelens, S. Bollaert, A. Curutchet, Christophe Gaquière, J. Mateos
article
EDISON 16, Aug 2009, France
identifiant
hal-00401237
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titre
Temperature measurements in AlGaN/GaN HEMTs using time-resolved UV micro-Raman spectroscopy
auteur
O. Lancry, E. Pichonat, Christophe Gaquière, S. Turrell
article
International Conference on Advanced Vibrational Spectroscopy, Jul 2009, Melbourne, Australia
identifiant
hal-00435182
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titre
Terahertz imaging using high electron mobility transistors as plasma wave detectors
auteur
S. Nadar, D. Coquillat, M. Sakowicz, H. Videlier, F. Teppe, N. Dyakonova, W. Knap, J.-M. Peiris, J. Lyonnet, D. Seliuta, I. Kasalynas, G. Valusis, K. Madjour, Didier Theron, Christophe Gaquière, M.-A. Poisson
article
15th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XV) Vilnius Univ, Vilnius, LITHUANIA, Jun 2009, Lithuania. pp.2855-2857, ⟨10.1002/PSSC.200982532⟩
identifiant
hal-00545979
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titre
Terahertz biomems for enzymatic catalysis monitoring
auteur
Abdennour Abbas, A. Treizebre, Nour Eddine Bourzgui, Didier Guillochon, Dominique Vercaigne-Marko, Philippe Supiot, Bertrand Bocquet
article
5th International Conference on Microtechnologies in Medicine and Biology, Jun 2009, Québec City, Canada. pp.214-215
identifiant
ird-00397688
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https://ird.hal.science/ird-00397688/file/Abbas_et_al_MMB-2009_Conference.pdf BibTex
titre
Plasma polymer process for microfluidic devices fabrication
auteur
Abdennour Abbas, Bertrand Bocquet, Nour Eddine Bourzgui, Céline Vivien, Phillipe Supiot
article
IEEE 36th International Conference on Plasma Science, May 2009, San Diego, California, United States
identifiant
hal-00443649
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titre
Interférométrie THz pour applications en biologie
auteur
Vianney Mille, A. Treizebre, Nour Eddine Bourzgui, Bertrand Bocquet
article
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, May 2009, Grenoble, France. pp.5F-22, 1-3
identifiant
hal-00573532
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titre
InAlN-based HEMT for microwave applications
auteur
S.L. Delage, N. Sarazin, M.A. Di Forte-Poisson, J.C. Jacquet, C. Dua, E. Morvan, C. Giesen, M. Heuken, B. Schineller, J.F. Carlin, M. Gonschorek, N. Grandjean, M. Py, A. Georgakilas, E. Iliopoulos, G. Konstantinidis, K. Cico, K. Fröhlich, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière, E. Kohn, M. Alomari, F. Medjoub, J. Kuzmik, D. Pogany, G. Pozzovivo
article
8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, TWHN 2009, 2009, Nagano, Japan
identifiant
hal-00575414
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titre
Caractérisation de mélangeurs à l'aide d'un analyseur de réseau non linéaire (LSNA)
auteur
N. Thouvenin, D. Ducatteau, Christophe Gaquière
article
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.6D-6, 1-4
identifiant
hal-00480427
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titre
Etude de différentes solutions d'adaptation pour la conception d'un amplificateur de classe 100W à base de HEMT AlGaN/GaN
auteur
G. Le Coustre, O. Jardel, S. Piotrowicz, E. Chartier, J.C. Jacquet, E. Morvan, M. Stanislaviak, P. Eudeline, Christophe Gaquière, S. Delage
article
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.5E-9, 1-4
identifiant
hal-00480440
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titre
Détection d'ondes térahertz dans les hétérojonctions AlGaN/GaN
auteur
Kamel Madjour, Simon Vandenbrouck, Guillaume Ducournau, Jean-Francois Lampin, Tahsin Akalin, Didier Theron, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Sylvain Laurent Delage, Christophe Gaquière
article
GDR-E Workshop : Semiconductor sources and detectors of THz frequencies, 2009, Montpellier, France
identifiant
hal-00575415
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titre
Impact of the gate layout on the performance of RF power nLDMOSFETs integrated in a 0.13-µm CMOS technology
auteur
D. Fournier, D. Ducatteau, E. Delos, M. Buczko, P. Scheer, D. Gloria, Christophe Gaquière, P. Chevalier
article
IEEE Topical Symposium on Power Amplifiers for Wireless Communications, PASymposium, 2009, San Diego, CA, United States
identifiant
hal-00575454
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titre
Study of ohmic contact formation on AlGaN/GaN HEMT with AlN spacer on silicon substrate
auteur
J. Gerbedoen, A. Soltani, M. Mattalah, A. Telia, D. Traodec, B. Abdallah, E. Gautron, Jean-Claude de Jaeger
article
4th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2009, 2009, Italy. pp.136-139
identifiant
hal-00474491
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titre
A conventional double-polysilicon FSA-SEG Si/SiGe:C HBT reaching 400 GHz fmax
auteur
P. Chevalier, F. Pourchon, T. Lacave, G. Avenier, Y. Campidelli, L. Depoyan, G. Troillard, M. Buczko, D. Gloria, D. Celi, Christophe Gaquière, A. Chantre
article
2009 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2009, 2009, Italy. pp.1-4, ⟨10.1109/BIPOL.2009.5314250⟩
identifiant
hal-00474462
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titre
Etude des ondes plasma dans les hétérojonctions AlGaN/GaN pour les applications THz
auteur
K. Madjour, S. Vandenbrouck, D. Coquillat, S. Nadar, Guillaume Ducournau, D. Theron, N. Diakonova, Ma. Poisson, W. Knap, Christophe Gaquière
article
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.5E-3, 1-4
identifiant
hal-00480439
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titre
Modélisation non-linéaire de TBH InP/GaAsSb/InP et validation par mesures de load-pull à 40 GHz
auteur
S. Laurent, A.A. Lisboa de Souza, Jean-Christophe Nallatamby, Michel Prigent, M. Werquin, Christophe Gaquière, M. Riet, P. Berdaguer
article
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.5E-15, 1-4
identifiant
hal-00480441
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titre
Improvement of the RF power performance of nLDMOSFETs on bulk and SOI substrates with 'ribbon' gate and source contacts layouts
auteur
D. Fournier, D. Ducatteau, Julien Fontaine, P. Scheer, O. Bon, B. Rauber, M. Buczko, D. Gloria, Christophe Gaquière, P. Chevalier
article
21st International Symposium on Power Semiconductor Devices ans ICs, ISPSD'09, 2009, Spain. pp.116-119, ⟨10.1109/ISPSD.2009.5158015⟩
identifiant
hal-00474496
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titre
Croissance de polymère ppTMDSO pour la réalisation de circuits micro-fluidiques
auteur
Abdennour Abbas, Philippe Supiot, Céline Vivien, Nour Eddine Bourzgui, Bertrand Bocquet
article
Réunion du Groupement de Recherche SurGeCo, GdR 3184, 2009, La Grande Motte, France
identifiant
hal-00575734
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titre
Characterization of nano-crystalline diamond films grown by continuous DC bias during plasma enhanced chemical vapor deposition
auteur
V. Mortet, L. Zhang, M. Eckert, A. Soltani, J. d'Haen, O. Douheret, M. Moreau, S. Osswald, E. Neyts, David Troadec, P. Wagner, A. Bogaerts, G. van Tendeloo, K. Haenen
article
Materials Research Society Fall Meeting, MRS Fall 2009, Symposium J : Diamond electronics and bioelectronics - Fundamentals to applications III, 2009, Boston, MA, United States. pp.1203-J05-03, 41-46, ⟨10.1557/PROC-1203-J05-03⟩
identifiant
hal-00800940
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titre
InAlN/GaN heterostructures for microwave power and beyond
auteur
E. Kohn, M. Alomari, A. Denisenko, M. Dipalo, D. Maier, F Medjdoub, C. Pietzka, S. Delage, M.A. Di Forte-Poisson, E. Morvan, N. Sarazin, J.C. Jacquet, C. Dua, J.F. Carlin, N. Grandjean, M. Py, M. Gonschorek, J. Kuzmik, D. Pogany, G. Pozzovivo, C. Ostermaier, L. Toth, B. Pecz, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière, K. Cico, K. Fröhlich, A. Kermaidis, E. Iliopoulos, G. Konstantinidis, C. Giessen, M. Heuken, B. Schineller
article
International Electron Devices Meeting, IEDM 2009, 2009, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/IEDM.2009.5424395⟩
identifiant
hal-00474463
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titre
Physical-thermal modelling of GaN Gunn oscillations
auteur
Xing Tang, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger
article
4th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2009, 2009, Italy. pp.168-171
identifiant
hal-00474493
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titre
Caractérisation et modélisation haute fréquence en modes mixtes de varicap MOS
auteur
R. Debroucke, Y. Morandini, S. Jan, J.F. Larchanche, Christophe Gaquière
article
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.3D-2, 1-4
identifiant
hal-00480426
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titre
Étude du comportement thermique de différents substrats à partir d'un modèle physico-thermique
auteur
Xing Tang, Michel Rousseau, N. Defrance, A. Soltani, Virginie Hoel, H. Gerard, R. Langer, Jean-Claude de Jaeger
article
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.6F-15, 1-4
identifiant
hal-00480442
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titre
Microwave power performance on AlGaN/GaN HEMTs on composite substrate
auteur
Jean-Claude de Jaeger, Virginie Hoel, N. Defrance, Y. Douvry, Christophe Gaquière, M.A. Poisson, J. Thorpe, H. Lahreche, R. Langer
article
4th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2009, 2009, Italy. pp.144-147
identifiant
hal-00474461
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titre
Time domain analyses of trapping effects of AlInN/GaN HEMT devices
auteur
Christophe Gaquière, D. Ducatteau, D. Theron, F Medjdoub, M.A. Poisson
article
International Microwave Symposium, IMS 2009, Workshop WWC : Advanced Measurement Techniques, Adapted for Different Memory Effects, 2009, Boston, MA, United States
identifiant
hal-00575423
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titre
Microwave power capabilities of AlGaN/GaN HEMTs on composite substrates
auteur
Jean-Claude de Jaeger, Virginie Hoel, N. Defrance, Christophe Gaquière, H. Gerard, Xing Tang, Michel Rousseau, H. Lahreche, R. Langer, J. Thorpe, M.A. Poisson
article
ESA/MOD Workshop on GaN Microwave Component Technologies, 2009, Germany. pp.76-86
identifiant
hal-00573165
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titre
Characterisation and modeling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
N. Malbert, A. Curutchet, N. Labat, C. Sury, C. Dua, M. Oualli, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, Y. Douvry, N. Defrance, C. Bru-Chevallier, J.M. Bluet, W. Chikhaoui
article
ESA/MOD Workshop on GaN Microwave Component Technologies, 2009, Germany. pp.139-153
identifiant
hal-00474460
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titre
InAlN-based HEMT for microwave applications
auteur
S.L. Delage, C. Giesen, M. Heuken, B. Schineller, M.A. Di Forte-Poisson, C. Dua, J.C. Jacquet, E. Morvan, N. Sarazin, J.F. Carlin, M. Gonschorek, N. Grandjean, M. Py, A. Georgakilas, E. Iliopoulos, G. Konstantinidis, K. Cico, K. Fröhlich, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière, E. Kohn
article
ESA/MOD Workshop on GaN Microwave Component Technologies, 2009, Germany. pp.66-75
identifiant
hal-00573164
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titre
Modelling and design of a wideband 6-18 GHz GaN resistive mixer
auteur
Giacomo V. Di, N. Thouvenin, Christophe Gaquière, A. Santarelli, F. Filicori
article
39th European Microwave Conference, EuMC 2009, 2009, Italy. pp.1812-1815, ⟨10.1109/EUMC.2009.5295933⟩
identifiant
hal-00474495
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titre
Theoretical optimization of Lamb waves devices based on AlN/diamond thin films structures
auteur
A. Soltani, Abdelkrim Talbi, V. Mortet, Jean-Claude de Jaeger, K. Haenen, Philippe Pernod
article
14th International Hasselt Diamond Workshop, SBDD XIV, 2009, Hasselt, Belgium
identifiant
hal-00575412
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titre
AlGaN/GaN/Si HEMT's and capacitance deep level transient spectroscopy (DLTS)
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
2nd International Meeting on Materials for Electronic Applications, IMMEA 2009, 2009, Hammamet, Tunisia
identifiant
hal-00575416
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titre
Physical thermal investigation of GaN Gunn diode for THz wave source
auteur
Xing Tang, Michel Rousseau, Christophe Dalle, Jean-Claude de Jaeger
article
5èmes Journées Térahertz, 2009, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00575449
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titre
Extraction of traps in AlGaN/GaN/Al2O3 HEMT's based on DC I-V characteristics
auteur
O. Fathallah, M. Gassoumi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, M.A. Poisson, H. Maaref
article
2nd International Meeting on Materials for Electronic Applications, IMMEA 2009, 2009, Hammamet, Tunisia
identifiant
hal-00575455
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titre
Filtres optiques accordables en technologie microguide sur InP
auteur
Marie Lesecq, Sophie Maricot, Jean-Pierre Vilcot, M. Bouazaoui
article
28èmes Journées Nationales d'Optique Guidée, OPTIQUE Lille 2009, 2009, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00575296
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titre
Amplification of nanoscale motion by piezoelectric transduction in GaN resonators
auteur
M. Faucher, B. Grimbert, Y. Cordier, N. Baron, A. Wilk, H. Lahreche, P. Bove, M. François, P. Tilmant, T. Gehin, C. Legrand, M. Werquin, L. Buchaillot, Christophe Gaquière, D. Theron
article
18th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2009, 2009, Günzburg-Ulm, Germany
identifiant
hal-00810577
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2008

Journal articles

titre
Residual stress relaxation in GaN/Sapphire circular pillars measured by Raman scattering spectroscopy
auteur
S.H. Margueron, P. Bourson, S. Gautier, A. Soltani, David Troadec, Jean-Claude de Jaeger, A.A. Sirenko, A. Ougazzaden
article
Journal of Crystal Growth, 2008, 310, pp.5321-5326. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2008.09.145⟩
identifiant
hal-00322862
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titre
ppTMDS as a new polymer technology for a high throughput bio-MEMS design
auteur
Vianney Mille, Nour Eddine Bourzgui, Céline Vivien, Philippe Supiot, Bertrand Bocquet
article
Journal of Micromechanics and Microengineering, 2008, 18, pp.125026-1-10. ⟨10.1088/0960-1317/18/12/125026⟩
identifiant
hal-00356901
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titre
Nonlinear Characterization and Modeling of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors
auteur
Arnaud Curutchet, Didier Theron, Matthieu Werquin, Damien Ducatteau, Henri Happy, Gilles Dambrine, Jean-Marc Bethoux, Vincent Derycke, Christophe Gaquière
article
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2008, 56 (7), pp.1505-1510. ⟨10.1109/TMTT.2008.925209⟩
identifiant
hal-00315911
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titre
Passive photonic components using InP optical wire technology
auteur
Marie Lesecq, Sophie Maricot, Jean-Pierre Vilcot, Maxime Beaugeois
article
IET Optoelectronics, 2008, 2, pp.69-75. ⟨10.1049/iet-opt:20060104⟩
identifiant
hal-00357302
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titre
Study of the hBN/InP interface by deep level transient and photoluminescence spectroscopies
auteur
M. Mattalah, A. Telia, A. Soltani, Jean-Claude de Jaeger, P. Thevenin, A. Bath, B. Akkal, H. Abid
article
Thin Solid Films, 2008, 516, pp.4122-4127. ⟨10.1016/j.tsf.2007.10.009⟩
identifiant
hal-00357796
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titre
Magnetoelectric effect near spin reorientation transition in giant magnetostrictive-aluminum nitride thin film structure
auteur
Nicolas Tiercelin, Abdelkrim Talbi, Vladimir Preobrazhensky, Philippe Pernod, V. Mortet, K. Haenen, A. Soltani
article
Applied Physics Letters, 2008, 93, pp.162902-1-3. ⟨10.1063/1.3001601⟩
identifiant
hal-00356659
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titre
Ballistic nanodevices for high frequency applications
auteur
C. Gardes, Yannick Roelens, S. Bollaert, J.S. Galloo, X. Wallart, A. Curutchet, Christophe Gaquière, J. Mateos, T. Gonzalez, B.G. Vasallo, L. Bednarz, I. Huynen
article
International Journal of Nanotechnology, 2008, 5, 796-808, Special Issue on Nanotechnology in France. Part I : C'nano Nord-Ouest. ⟨10.1504/IJNT.2008.018698⟩
identifiant
hal-00356665
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BibTex
titre
Characterization of deep levels in high electron mobility transistor by conductance deep level transient spectroscopy
auteur
M. Gassoumi, J.M. Bluet, G. Guillot, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Materials Science and Engineering: C, 2008, 28, pp.787-790. ⟨10.1016/j.msec.2007.10.068⟩
identifiant
hal-00357801
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titre
Characterization of AlN metal-semiconductor-metal diodes in the spectral range of 44-360 nm : photoemission assessments
auteur
A. Benmoussa, Jean-François Hochedez, R. Dahal, J. Li, J.Y. Lin, H.X. Jiang, A. Soltani, Jean-Claude de Jaeger, U. Kroth, M. Richter
article
Applied Physics Letters, 2008, 92, pp.022108 (1-3). ⟨10.1063/1.2834701⟩
identifiant
hal-00357794
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BibTex
titre
New developments on diamond photodetector for VUV solar observations
auteur
Ali Benmoussa, Ali Soltani, Ken Haenen, Udo Kroth, Vincent Mortet, Hassan Ali Barkad, David Bolsée, Christian Hermans, M. Richter, Jean-Claude de Jaeger, Jean-François Hochedez
article
Semiconductor Science and Technology, 2008, 23 (3), pp.035026. ⟨10.1088/0268-1242/23/3/035026⟩
identifiant
hal-00357795
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titre
Plasma oscillations in nanotransistors for room temperature detection and emission of terahertz radiation
auteur
A. El Fatimy, R. Tauk, S. Boubanga, F. Teppe, N. Dyakonova, W. Knap, J. Lyonnet, Y.M. Meziani, T. Otsuji, M.A. Poisson, E. Morvan, S. Bollaert, A. Shchepetov, Yannick Roelens, Didier Theron, A. Cappy, Christophe Gaquière
article
physica status solidi (c), 2008, 5, pp.244-248. ⟨10.1002/pssc.200776585⟩
identifiant
hal-00360007
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BibTex
titre
First microwave power performance of AlGaN/GaN HEMTs on SopSiC composite substrate
auteur
Virginie Hoel, N. Defrance, Jean-Claude de Jaeger, H. Gerard, Christophe Gaquière, H. Lahreche, R. Langer, A. Wilk, M. Lijadi, S. Delage
article
Electronics Letters, 2008, 44, pp.238-239. ⟨10.1049/el:20083258⟩
identifiant
hal-00357797
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BibTex
titre
Effect of fluoride plasma treatment on InAlN/GaN HEMTs
auteur
F Medjdoub, M. Alomari, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, Christophe Gaquière, N. Grandjean, E. Kohn
article
Electronics Letters, 2008, 44, pp.696-698. ⟨10.1049/el:20080864⟩
identifiant
hal-00357798
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BibTex
titre
Status of the emerging InAlN/GaN power HEMT technology
auteur
F Medjdoub, J.F. Carlin, Christophe Gaquière, N. Grandjean, E. Kohn
article
Open Electrical and Electronic Engineering Journal, 2008, 2, pp.1-7. ⟨10.2174/1874129000802010001⟩
identifiant
hal-00357799
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BibTex
titre
Nitride based nanotransistors as new sources and detectors of THz radiations
auteur
A. El Fatimy, F. Teppe, S. Boubanga, N. Dyakonova, B. Gil, D. Coquillat, D. Seliuta, G. Valusis, M.A. Poisson, E. Morvan, Christophe Gaquière, D. Theron, A. Cappy, W. Knap
article
physica status solidi (c), 2008, 5, pp.1947-1949. ⟨10.1002/pssc.200778507⟩
identifiant
hal-00360008
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BibTex
titre
Optical nanowires for microwave applications
auteur
Didier Decoster, Michèle Carette, Marie Lesecq, D. Lauvernier, Malek Zegaoui, D. Bernard, Jean-Pierre Vilcot, Jean Chazelas
article
Advanced Materials Research, 2008, 31, pp.230-235. ⟨10.4028/0-87849-471-5.230⟩
identifiant
hal-00357311
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BibTex
titre
Wide electrical tunability of a GaInAsP/InP microdisk resonator
auteur
Marie Lesecq, Sophie Maricot, Jean-Pierre Vilcot, Maxime Beaugeois
article
Optics Letters, 2008, 33, pp.1467-1469. ⟨10.1364/OL.33.001467⟩
identifiant
hal-00357305
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BibTex
titre
GaAlN/GaN HEMT heterostructures grown on SiCopSiC composite substrates for HEMT application
auteur
M.A. Di Forte-Poisson, M. Magis, Maurice Tordjman, J. Di Persio, R. Langer, L. Toth, Bela Pécz, M. Guziewicz, J. Thorpe, Raphaël Aubry, Erwan Morvan, Nicolas Sarazin, Christophe Gaquière, Gaudenzio Meneghesso, Virginie Hoel, Jean-Claude Jacquet, Sylvain Laurent Delage
article
Journal of Crystal Growth, 2008, 310 (23), pp.5232-5236. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2008.08.035⟩
identifiant
hal-00800708
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BibTex
titre
Crosstalk measurement of DOS-like switch using InP narrow deep-etched waveguides
auteur
Marie Lesecq, Maxime Beaugeois, Sophie Maricot, Jean-Pierre Vilcot
article
Optics Express, 2008, 16, pp.5181-5185. ⟨10.1364/OE.16.005181⟩
identifiant
hal-00357303
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BibTex
titre
Nonquasi-static large-signal model of GaN FETs through an equivalent voltage approach
auteur
Alberto Santarelli, Valeria Di Giacomo, Antonio Raffo, Fabio Filicori, Giorgio Vannini, Raphaël Aubry, Christophe Gaquière
article
International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering, 2008, 18, pp.507-516. ⟨10.1002/mmce.20326⟩
identifiant
hal-00357800
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BibTex
titre
193 nm deep-ultraviolet solar-blind cubic boron nitride based photodetectors
auteur
Ali Soltani, Hassan Ali Barkad, Maghnia Mattalah, Brahim Benbakhti, Jean-Claude de Jaeger, Y.M. Chong, Y.S. Zou, W.J. Zhang, S.T. Lee, Ali Benmoussa, B. Giordanengo, Jean-François Hochedez
article
Applied Physics Letters, 2008, 92 (5), pp.053501. ⟨10.1063/1.2840178⟩
identifiant
hal-00357793
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BibTex

Conference papers

titre
MOVPE growth of BGaN as barrier layer for threading dislocations
auteur
N. Maloufi, G. Orsal, S. Gautier, M. Alnot, M. Bouchaour, A. Soltani, A. Ougazzaden
article
International Workshop on Nitride semiconductors, Oct 2008, Montreux, Switzerland
identifiant
hal-00362816
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BibTex
titre
Modelling, fabrication and measurement of AlN based photodetectors
auteur
Hassan Ali Barkad, Ali Soltani, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger
article
19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide, Diamond 2008, Sep 2008, Sitges, Spain
identifiant
hal-00811738
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BibTex
titre
Temperature measurements in AlGaN/GaN HEMTs using time resolved UV micro-Raman spectroscopy
auteur
O. Lancry, E. Pichonat, J. Réhault, M. Moreau, Christophe Gaquière, S. Turrell
article
ICORS 2008, Aug 2008, Londres, United Kingdom
identifiant
hal-00332952
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BibTex
titre
InAlN/GaN MOSHEMT with thermally grown oxide
auteur
F Medjdoub, J.-F Carlin, M Alomari, M Gonschorek, E Feltin, M A Py, Christophe Gaquière, N Grandjean, E Kohn
article
Device Research Conference, Jun 2008, Santa barbara, United States
identifiant
hal-03281290
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-03281290/file/farid%20DRC%2008%20InAlN%20ox.pdf BibTex
titre
Characterization of carbon nanotube field effect transistors using an active load pull LSNA setup
auteur
Christophe Gaquière, Arnaud Curutchet, Didier Theron, Matthieu Werquin, Damien Ducatteau, Jean-Marc Bethoux, Henri Happy, Gilles Dambrine, Vincent Derycke
article
71st ARFTG Microwave Measurement Conference, IEEE MTT-S International Microwave Symposium, Jun 2008, Atlanta, GA, United States. pp.97-99, ⟨10.1109/MWSYM.2008.4633311⟩
identifiant
hal-00800982
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BibTex
titre
Characterization of carbon nanotube field-effect transistors using an active load pull LSNA setup
auteur
Christophe Gaquière, Arnaud Curutchet, Didier Theron, Matthieu Werquin, Damien Ducatteau, Jean-Marc Bethoux, Henri Happy, Gilles Dambrine, Vincent Derycke
article
71st ARFTG Microwave Measurement Conference, ARFTG 2008, Jun 2008, Atlanta, GA, United States. ⟨10.1109/ARFTG.2008.4633311⟩
identifiant
hal-00362030
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BibTex
titre
GaN technology for microwave applications
auteur
Sylvain Laurent Delage, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Erwan Morvan, Eric Chartier, M. Laurent, Raphaël Aubry, Serge Bernard, D. Lancereau, Stéphane Piotrowicz, B. Grimbert, Christophe Gaquière, Giles Dambrine, Jean-Claude de Jaeger
article
17th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications, MIKON 2008, May 2008, Wroclaw, Poland. pp.1-5
identifiant
hal-00800985
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BibTex
titre
Development of time-resolved UV Micro-Raman spectroscopy to analyse self-heating effects in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
O. Lancry, E. Pichonat, J. Réhault, M. Moreau, Christophe Gaquière
article
WOCSDICE 2008, May 2008, Leuven, Belgium
identifiant
hal-00332248
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BibTex
titre
Temperature measurements in AlGaN/GaN HEMTs using time-resolved UV micro-Raman spectroscopy
auteur
O. Lancry, E. Pichonat, J. Réhault, M. Moreau, S. Turrell, Christophe Gaquière
article
XXI International Conference on Raman Spectroscopy, ICORS 2008, 2008, Uxbridge, West London, United Kingdom. pp.303-304
identifiant
hal-00362032
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BibTex
titre
Correlation between the kink effect, collapse effect and traps in AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate
auteur
M. Gassoumi, O. Fathallah, Christophe Gaquière, G. Guillot, H. Maaref
article
International Conference on Extended Defects in Semiconductors, EDS 2008, 2008, Poitiers, France
identifiant
hal-00811736
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BibTex
titre
High-electron-mobility AlGaN/GaN heterostructures grown on Si(001) by molecular beam epitaxy for microwave applications
auteur
S. Joblot, Y. Cordier, F. Semond, P. Vennegues, Sébastien Chenot, P. Lorenzini, M. Portail, J. Massies, J.C. Gerbedoen, A. Soltani, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger
article
Materials Research Society Spring Meeting, MRS Spring 2008, Symposium C : Advances in GaN, GaAs, SiC, and Related Alloys on Silicon Substrates, 2008, San Francisco, CA, United States
identifiant
hal-00362029
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BibTex
titre
Towards high performance E-mode InAlN/GaN HEMTs
auteur
F Medjdoub, M. Alomari, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, Christophe Gaquière, N. Grandjean, E. Kohn
article
32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008, 2008, Belgium. pp.97-98
identifiant
hal-00361120
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BibTex
titre
InAlN/GaN MOSHEMT with thermally grown oxide
auteur
M. Alomari, F Medjdoub, J.F. Carlin, N. Grandjean, Christophe Gaquière, M.A. Poisson, S. Delage, E. Kohn
article
Lester Eastman Conference on High Performance Devices, 2008, Newark, DE, United States
identifiant
hal-00362034
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BibTex
titre
Performance of unstuck gamma gate AlGaN/GaN HEMTs on (001) silicon substrate at 10 GHz
auteur
J. Gerbedoen, A. Soltani, N. Defrance, Michel Rousseau, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, S. Joblot, Y. Cordier
article
3rd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2008, 2008, Netherlands. pp.330-333, ⟨10.1109/EMICC.2008.4772296⟩
identifiant
hal-00362379
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BibTex
titre
THz emission from AlGaN/GaN high mobility transistors
auteur
N. Dyakonova, D. Coquillat, F. Teppe, W. Knap, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.A. Poisson, S. Delage, Christophe Gaquière, S. Vandenbrouck, A. Cappy
article
V International Conference 'Basic Problems of Optics', 2008, St Petersburg, Russia
identifiant
hal-00811735
Accès au bibtex
BibTex
titre
Etude des effets parasites dans les transistors à haute mobilité à base de nitrure : HEMT AlGaN/GaN
auteur
M. Gassoumi, O. Fathallah, Christophe Gaquière, G. Guillot, H. Maaref
article
11èmes Journées Maghrébines des Sciences de Matériaux, JMSM 2008, 2008, Hammamet, Tunisie
identifiant
hal-00811731
Accès au bibtex
BibTex
titre
High power performances of GaN HEMT on SopSiC substrate
auteur
F. Zanon, F. Danesin, A. Tazzoli, G. Montanari, A. Chini, J. Thorpe, Christophe Gaquière, G. Meneghesso, E. Zanoni
article
32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008, 2008, Belgium. pp.33-34
identifiant
hal-00361121
Accès au bibtex
BibTex
titre
Development of time-resolved UV micro-Raman spectroscopy to analyse self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT's
auteur
O. Lancry, E. Pichonat, J. Réhault, M. Moreau, Christophe Gaquière
article
32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008, 2008, Belgium. pp.135-136
identifiant
hal-00361122
Accès au bibtex
BibTex
titre
THz emission from AlGaN/GaN high mobility transistors
auteur
N. Dyakonova, D. Coquillat, F. Teppe, W. Knap, M.A. Poisson, S. Delage, Christophe Gaquière, S. Vandenbrouk, A. Cappy
article
EOS Annual Meeting, Topical Meeting 2 : Terahertz - Science and Technology, 2008, Paris, France
identifiant
hal-00362036
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BibTex
titre
Micro-cantilevers pressure sensors
auteur
V. Mortet, A. Soltani, J. Potmesil, K. Haenen, M. d'Olieslaeger, Abdelkrim Talbi, M. Vanecek
article
International Workshop on Nanomechanical Cantilever Sensors 2008, NMC 2008, 2008, Mainz, Germany
identifiant
hal-00811734
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titre
Losses characteristics in CPW lines fabricated on CVD IIA diamond substrates
auteur
N. Defrance, J.C. Gerbedoen, A. Soltani, H. Gerard, Jean-Claude de Jaeger
article
19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide, Diamond 2008, 2008, Sitges, Spain
identifiant
hal-00811737
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titre
Analysis of trap states effects on the frequency-dependent capacitance and conductance of an AlGaN/GaN heterostructure
auteur
A. Telia, A. Meziani, A. Soltani
article
2nd International Conference Signals, Circuits and Systems, SCS 2008, 2008, Hammamet, Tunisia. pp.1-5, ⟨10.1109/ICSCS.2008.4746881⟩
identifiant
hal-00800977
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Spin reorientation transition in nanostructured giant magnetostrictive multilayers for enhanced magnetoelectric interaction of magnetostrictive/AlN hybrid films
auteur
Nicolas Tiercelin, Abdelkrim Talbi, Vladimir Preobrazhensky, Philippe Pernod, V. Mortet, K. Haenen, A. Soltani
article
Joint European Magnetics Symposia, JEMS'08, 2008, Dublin, Ireland
identifiant
hal-00361491
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titre
Investigation of the mechanism for TiN Schottky formation in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, H. Lahreche, M. Mattalah, Michel Rousseau, D. Theron, Jean-Claude de Jaeger
article
17th European Heterostructure Technology Workshop, HeTech'08, 2008, Venice, Italy
identifiant
hal-00811733
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titre
High frequency characterization of compact N+Poly/Nwell varactor using waffle-layout
auteur
Y. Morandini, J.F. Larchanche, Christophe Gaquière
article
8th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, SiRF 2008, 2008, United States. pp.167-170, ⟨10.1109/SMIC.2008.48⟩
identifiant
hal-00361118
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titre
Amélioration de la fréquence maximale d'oscillation de transistors nLDEMOS de puissance en nœud CMOS 0.13µm
auteur
D. Fournier, D. Ducatteau, M. Buczko, D. Gloria, Christophe Gaquière, P. Chevalier
article
12èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO'08, 2008, St Pierre d'Oléron, France
identifiant
hal-00362035
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titre
THz emission from AlGaN/GaN high mobility transistors
auteur
N. Dyakonova, D. Coquillat, F. Teppe, W. Knap, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.A. Poisson, S. Delage, Christophe Gaquière, S. Vandenbrouk, A. Cappy
article
V International Conference “Basic Problems of Optics, 2008, St Petersburg, Russia. pp.21
identifiant
hal-00390707
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titre
MOCHA, MOdelling and CHAracterization for SiP - Signal and power integrity analysis
auteur
A. Girardi, A. Conci, R. Izzi, T. Lessio, F.G. Canavero, I.S. Stievano, H. Dudek, D. Hardisty, M. Tarantini, M. Dieudonne, J. van Hese, T. Cunha, J.C. Pedro, Christophe Gaquière, N. Vellas
article
12th Workshop on Signal Propagation on Interconnects, SPI 2008, 2008, France. pp.85-86, ⟨10.1109/SPI.2008.4558357⟩
identifiant
hal-00361119
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titre
Microsystème résonant, simulation et micro fabrication
auteur
Nour Eddine Bourzgui, A. Treizebre
article
10èmes Journées Pédagogiques du CNFM, 2008, Saint-Malo, France. pp.1-6
identifiant
hal-00804729
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titre
AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, M. Mattalah, Jean-Claude de Jaeger, P. Thevenin
article
19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide, Diamond 2008, 2008, Sitges, Spain
identifiant
hal-00811732
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titre
GaAlN/GaN HEMT heterostructures grown on ‘SiCopSiC' composite substrates for HEMT application
auteur
M.A. Di Forte-Poisson, N. Sarazin, M. Magis, M. Tordjman, J. Di Persio, R. Langer, M. Guziewicz, L. Thoth, B. Pecz, J. Thorpe, E. Morvan, Christophe Gaquière, G. Meneghesso
article
14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, ICMOVPE-XIV, 2008, Metz, France
identifiant
hal-00362031
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titre
Enhanced magnetoelectric effect using spin reorientation transition in giant magnetostrictive-piezoelectric aluminium nitride thin film structure
auteur
Nicolas Tiercelin, Abdelkrim Talbi, Vladimir Preobrazhensky, Philippe Pernod, V. Mortet, K. Haenen, A. Soltani
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2008, Symposium F : Multiferroic and magnetoelectric materials, 2008, Strasbourg, France
identifiant
hal-00811719
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titre
InAlN HEMTs - Design - Technology - Performance
auteur
E. Kohn, M. Alomari, F Medjdoub, S. Delage, M.A. Poisson, N. Grandjean, J.F. Carlin, A. Konstantinidis, C. Giesen, Christophe Gaquière
article
Lester Eastman Conference on High Performance Devices, 2008, Newark, DE, United States
identifiant
hal-00362033
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titre
Recent achievement in the GaN epitaxy on silicon and engineered substrates process transfer for MBE high volume production
auteur
A. Wilk, M. Lijadi, R. Langer, P. Bove, J. Thorpe, H. Blanck, Virginie Hoel, N. Defrance, Jean-Claude de Jaeger
article
Materials Research Society Fall Meeting, MRS Fall 2008, Symposium on Performance and Reliability of Semiconductor Devices, 2008, Boston, MA, United States. pp.35-42, ⟨10.1557/PROC-1108-A04-01⟩
identifiant
hal-00800978
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2007

Journal articles

titre
Physical study of the dissipated power area in high electron mobility transistors for thermal modelling
auteur
Brahim Benbakhti, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger
article
Microelectronics Journal, 2007, 38 (1), pp.7-13. ⟨10.1016/j.mejo.2006.07.025⟩
identifiant
hal-00283492
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titre
All-optical tunability of InGaAsP/InP microdisk resonator by infrared light irradiation
auteur
Maxime Beaugeois, Bernard Pinchemel, Mohamed Bouazaoui, Marie Lesecq, Sophie Maricot, Jean-Pierre Vilcot
article
Optics Letters, 2007, 32, pp.35-37
identifiant
hal-00283080
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titre
Evaluation of AllnN/GaN HEMTs on sapphire substrate in microwave, time and temperature domains
auteur
F Medjdoub, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, J.E. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, N. Grandjean, E. Kohn
article
Electronics Letters, 2007, 43, pp.309-311. ⟨10.1049/el:20073170⟩
identifiant
hal-00283497
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titre
Development and analysis of low resistance ohmic contact to n-AlGaN/GaN HEMT
auteur
A. Soltani, A. Ben Moussa, S. Touati, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, J. Laureyns, Y. Cordier, C. Marhic, M. A. Djouadi, C. Dua
article
Diamond and Related Materials, 2007, 16, pp.262-266. ⟨10.1016/j.diamond.2006.06.022⟩
identifiant
hal-00267124
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titre
Characteristics of Al2O3/AllnN/GaN MOSHEMT
auteur
F Medjdoub, N. Sarazin, M. Tordjman, M. Magis, M.A. Di Forte-Poisson, M. Knez, E. Delos, Christophe Gaquière, S.L. Delage, E. Kohn
article
Electronics Letters, 2007, 43, pp.691-692. ⟨10.1049/el:20070425⟩
identifiant
hal-00283495
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titre
X-band power characterisation of AlInN/AlN/GaN HEMT grown on SiC substrate
auteur
Nicolas Sarazin, Olivier Jardel, Erwan Morvan, Raphaël Aubry, M. Laurent, M. Magis, Maurice Tordjman, M. Alloui, O. Drisse, J. Di Persio, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Sylvain Laurent Delage, Nicolas Vellas, Christophe Gaquière, Didier Theron
article
Electronics Letters, 2007, 43 (23), pp.1317-1318. ⟨10.1049/el:20072598⟩
identifiant
hal-00283494
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titre
Transient self-heating effects in multifinger AlGaN/GaN HEMTs, with metal airbridges
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, R. Lossy, H.J. Würfl, M.A. Di Forte-Poisson, J.P. Teyssier, Christophe Gaquière, D. Pogany
article
Solid-State Electronics, 2007, 51, pp.969-974. ⟨10.1016/j.sse.2007.04.001⟩
identifiant
hal-00283496
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titre
AlGaN/GaN HEMTs on a (001)-oriented silicon substrate based on 100-nm SiN recessed gate technology for microwave power amplification
auteur
S. Boulay, S. Touati, A. Sar, Virginie Hoel, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, S. Joblot, Y. Cordier, F. Semond, J. Massies
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2007, 54, pp.2843-2848. ⟨10.1109/TED.2007.907189⟩
identifiant
hal-00283493
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titre
Investigation of the thermal boundary resistance at the III-nitride/substrate interface using optical methods
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, D. Pogany, Christophe Gaquière, E. Pichonat, E. Morvan
article
Journal of Applied Physics, 2007, 101, pp.054508-1-6. ⟨10.1063/1.2435799⟩
identifiant
hal-00283973
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Conference papers

titre
Advanced results on nitride-based HEMTs for microwave power amplification
auteur
Jean-Claude de Jaeger, Brahim Benbakhti, S. Boulay, N. Defrance, Christophe Gaquière, H. Gerard, J.C. Gerbedoen, Bertrand Grimbert, Virginie Hoel, J. Lemaitre, Maghnia Mattalah, Michel Rousseau, Ali Soltani, Salim Touati, Sylvain Laurent Delage, Raphaël Aubry, Christian Brylinski, Erwan Morvan, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson
article
11th International Symposium on Microwave and Optical Technology, ISMOT-2007, Dec 2007, Monte Porzio Catone, Italy
identifiant
hal-00367426
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titre
Low-frequency dynamic drain current modeling in AlGaN-GaN HEMTs
auteur
Valeria Di Giacomo, Alberto Santarelli, Fabio Filicori, Antonio Raffo, Giorgio Vannini, Raphaël Aubry, Christophe Gaquière
article
2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, Oct 2007, Munich, Germany. pp.68-71, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412649⟩
identifiant
hal-00284404
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titre
GaN devices for high performance RF power amplifier
auteur
Christophe Gaquière, Brahim Benbakhti, S. Boulay, N. Defrance, Damien Ducatteau, H. Gerard, J-C Gerbedoen, Bertrand Grimbert, Virginie Hoel, J. Lemaitre, Michel Rousseau, Ali Soltani, Jean-Claude de Jaeger, F. Medjoub, Raphaël Aubry, Charu Dua, Christian Brylinski, Didier Floriot, G. Lecoustre, Erwan Morvan, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Sylvain Laurent Delage
article
2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, Oct 2007, Munich, Germany
identifiant
hal-00367425
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titre
Thermal behaviour of gate-less AlGaN/GaN heterostructures
auteur
Brahim Benbakhti, Michel Rousseau, Ali Soltani, Jacky Laureyns, Jean-Claude de Jaeger
article
2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, Oct 2007, Munich, Germany. pp.104-107, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412658⟩
identifiant
hal-00284419
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titre
Optical nanowires for microwave applications
auteur
Didier Decoster, Michel Carette, Marie Lesecq, D. Lauvernier, Malek Zegaoui, D. Loridant-Bernard, Jean-Pierre Vilcot, Jean Chazelas
article
4th International Conference on Materials for Advanced Technologies, ICMAT 2007, Jul 2007, Singapore, Singapore. pp.230-235, ⟨10.4028/0-87849-471-5.230⟩
identifiant
hal-00367399
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titre
Caractérisation et modélisation non linéaire de transistors hyperfréquences à effet de champ à base de nanotubes de carbone (CNFETs) à l'aide d'un analyseur de réseau large signal (LSNA)
auteur
Arnaud Curutchet, Jean-Marc Bethoux, Matthieu Werquin, Henri Happy, Didier Theron, Damien Ducatteau, Gilles Dambrine, Christophe Gaquière, Vincent Derycke
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, May 2007, Toulouse, France. pp.3C4-1-4
identifiant
hal-00370334
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titre
Analyse physique et thermique des structures TLM AlGaN/GaN
auteur
Brahim Benbakhti, Michel Rousseau, Ali Soltani, Jean-Claude de Jaeger
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, May 2007, Toulouse, France. pp.9B3-1-4
identifiant
hal-00370328
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titre
Caractérisation expérimentale de HEMTs de puissance destinée à la modélisation
auteur
N. Defrance, H. Gerard, Jean-Claude de Jaeger, B. Grimbert, Raphaël Aubry, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, May 2007, Toulouse, France. pp.1D14-1-4
identifiant
hal-00370330
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titre
Filtrage et démultiplexage en longueur dans les structures microguides InP-InGaAsP
auteur
Maxime Beaugeois, Marie Lesecq, Sophie Maricot, Bernard Pinchemel, Mohamed Bouazaoui, Jean-Pierre Vilcot
article
10èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM, May 2007, Lille, France
identifiant
hal-00285268
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titre
Optical switch using InP optical wire technology
auteur
Marie Lesecq, Maxime Beaugeois, Sophie Maricot, Christophe Boyaval, Christiane Legrand, Marc François, M. Muller, Francis Mollot, Mohamed Bouazaoui, Jean-Pierre Vilcot
article
Photonic Materials, Devices and Applications II, May 2007, Maspalomas, Spain. pp.659305-1-11, ⟨10.1117/12.721659⟩
identifiant
hal-00284394
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titre
Caractérisation et modélisation non linéaire de Transistors hyperfréquences à Effet de Champ à base de Nano tubes de Carbone (CNFETs) à l'aide d'un Analyseur de réseau Large Signal (LSNA)
auteur
Arnaud Curutchet, Jean-Marc Bethoux, Matthieu Werquin, Henri Happy, Didier Theron, Damien Ducatteau, Gilles Dambrine, Christophe Gaquière, Vincent Derycke
article
XVIèmes Journées Nationales Microondes, May 2007, Toulouse, France. pp.xx-xx
identifiant
hal-00197497
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titre
Etude des propriétés électroniques des surfaces et interfaces de semiconducteurs III-V par photoluminescence
auteur
M. Mattalah, A. Soltani, Jean-Claude de Jaeger, A. Akkal, H. Abid
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.1D7-1-4
identifiant
hal-00370329
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titre
AlGaN/GaN HEMTs on (001) oriented silicon substrate based on 100nm SiN recessed gate technology for low cost device fabrication
auteur
S. Boulay, S. Touati, A. Sar, Virginie Hoel, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, S. Joblot, Y. Cordier, F. Semond, J. Massies
article
2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, 2007, Germany. pp.96-99, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412656⟩
identifiant
hal-00284403
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titre
AlGaN/GaN HEMT device characterisation using an active loadpull large signal network analizer
auteur
Christophe Gaquière, M. Werquin, D. Ducatteau, E. Morvan, Jean-Claude de Jaeger
article
11th International Symposium on Microwave and Optical Technology, ISMOT-2007, 2007, Italy. pp.491-494
identifiant
hal-00284406
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titre
Thermal beheviours of AlGaN/GaN HEMT devices
auteur
Raphaël Aubry, Jean-Claude Jacquet, Erwan Morvan, Charu Dua, N. Defrance, H. Gerard, Jean-Claude de Jaeger, Sylvain Laurent Delage
article
ESA/DGA Workshop, 2007, Noordwijk, Netherlands
identifiant
hal-00367423
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titre
Fabrication of AlGaN/GaN HEMTs developed on new composites substrates
auteur
Virginie Hoel, S. Boulay, V. Raballand, H. Gerard, Jean-Claude de Jaeger, M.A. Poisson, C. Brylinski, H. Lahreche, R. Langer, P. Bove
article
Proceedings of the 31th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2007, 2007, Venice, Italy
identifiant
hal-00367694
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titre
Characterization of MOS varactors with Large Signal Network Analyser (LSNA) in CMOS 65nm bulk and SOI technologies
auteur
Y. Morandini, D. Ducateau, J.F. Larchanche, Christophe Gaquière, D. Gloria
article
Proceedings of the 69th ARFTG Microwave Measurement Conference, 2007, Honolulu, HI, United States
identifiant
hal-00367696
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titre
Growth and characterization of AlInN/GaN field effect transistors
auteur
J.F. Carlin, F Medjdoub, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, Christophe Gaquière, N. Grandjean, E. Kohn
article
Proceedings of the 7th International Conference of Nitride Semiconductors, ICNS-7, 2007, Las Vegas, NV, United States
identifiant
hal-00367697
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BibTex
titre
GaN devices for power amplifier design
auteur
T.M. Martin-Guerrero, D. Ducatteau, C. Camacho-Penalosa, Christophe Gaquière
article
TARGET Days : from Ideas to Results, in the frame of the International Conference ISMOT-2007, 2007, Roma, Italy
identifiant
hal-00285319
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BibTex
titre
Study of structural and electrical properties of BGa(Al)N alloys grown by MOVPE
auteur
S. Gautier, S. Oul Saad Hamadi, A. Soltani, T. Aggerstam, J. Martin, M. Bouchaour, T. Baghdadli, N. Maloufi, S. Lourdudoss, A. Ougazzaden
article
Proceedings of the 12th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, EW-MOVPE XII, 2007, Bratislava, Slovakia
identifiant
hal-00367701
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BibTex
titre
Conception et réalisation de transistors FP-HEMT AlGaN/GaN
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, Jean-Claude de Jaeger
article
10èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM, 2007, Lille, France
identifiant
hal-00285316
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titre
Electron device modelling for millimeter-wave wideband wireless systems
auteur
D. Resca, A. Santarelli, A. Raffo, G. Vannini, R. Cignani, F. Filicori, V. Di Giacomo, D. Schreurs, F. Medjoub, Christophe Gaquière, M. Pagani
article
TARGET Days : from Ideas to Results, in the frame of the International Conference ISMOT-2007, 2007, Roma, Italy
identifiant
hal-00285320
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BibTex
titre
Caractérisation non linéaire de varactances de type MOS et diodes avec un analyseur vectoriel non linéaire
auteur
Y. Morandini, D. Ducatteau, J.F. Larchanche, Christophe Gaquière
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.1D3-1-3
identifiant
hal-00370332
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BibTex
titre
Mise en place d'un modèle physique pour l'analyse électrothermique des transistors de puissance des filières de matériaux à grande bande interdite
auteur
Brahim Benbakhti, Michel Rousseau, Ali Soltani, Jacky Laureyns, Jean-Claude de Jaeger
article
Journées Thématiques du GDR Nanoélectronique sur la Simulation Multiphysique de Composants et Dispositifs Nanométriques, 2007, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00285317
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BibTex
titre
Evaluation of SiGeC HBT varactor using different collector access and base-collector junction configuration in BiCMOS technologies
auteur
Y. Morandini, J.F. Larchanche, Christophe Gaquière
article
IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM'07, 2007, United States. pp.246-249, ⟨10.1109/BIPOL.2007.4351880⟩
identifiant
hal-00284401
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BibTex
titre
Commutateur optique en technologie microguide sur InP
auteur
Marie Lesecq, Sophie Maricot, Maxime Beaugeois, Christiane Legrand, Marc François, M. Muller, Jean-Pierre Vilcot
article
TELECOM'2007 & 5èmes Journées Franco-Maghrébines des Micro-ondes et leurs Applications, 2007, Fès, Maroc
identifiant
hal-00285263
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BibTex
titre
Non linear RF device characterization in time domain using an active loadpull large signal network analyzer
auteur
D. Ducatteau, M. Werquin, B. Grimbert, E. Morvan, Didier Theron, Christophe Gaquière
article
24th IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference, IMTC 2007, 2007, Poland. pp.1-5, ⟨10.1109/IMTC.2007.379387⟩
identifiant
hal-00284398
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BibTex
titre
Differential P+/Nwell varactor high frequency characterization
auteur
Y. Morandini, D. Rapisarda, J.F. Larchanche, Christophe Gaquière
article
IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, ICMTS'07, 2007, Japan. pp.187-191, ⟨10.1109/ICMTS.2007.374480⟩
identifiant
hal-00284399
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BibTex
titre
Thermal measurements of microwave transistors and MMICs within TARGET NoE
auteur
J.P. Teyssier, Raphaël Sommet, D. Pogany, J. Kuzmik, Christophe Gaquière
article
TARGET Days : from Ideas to Results, in the frame of the International Conference ISMOT-2007, 2007, Roma, Italy
identifiant
hal-00285318
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titre
Réalisation de grille nitrure de longueur inférieure à 100nm pour des applications haute fréquence de HEMTs AlGaN/GaN
auteur
S. Boulay, Virginie Hoel, S. Touati, E. Delos, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, M.A. Poisson, S. Delage, Y. Cordier
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.5C1-1-4
identifiant
hal-00370327
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BibTex
titre
Breaking the AlGaN/GaN HEMT scaling limit with AlInN barriers
auteur
F Medjdoub, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, N. Grandjean, Christophe Gaquière, E. Kohn
article
Proceedings of the 31th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2007, 2007, Venice, Italy
identifiant
hal-00367695
Accès au bibtex
BibTex
titre
AlGaN/GaN HEMTs on epitaxies grown on composite substrate
auteur
Virginie Hoel, S. Boulay, H. Gerard, V. Raballand, E. Delos, Jean-Claude de Jaeger, M.A. Di Forte-Poisson, C. Brylinski, H. Lahreche, R. Langer, P. Bove
article
2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, 2007, Germany. pp.100-103, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412657⟩
identifiant
hal-00284402
Accès au bibtex
BibTex
titre
Barrier layer downscaling of InAlN/GaN HEMTs
auteur
F Medjdoub, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, M. Knez, David Troadec, Christophe Gaquière, A. Chuvilin, U. Kaiser, N. Grandjean, E. Kohn
article
65th Annual Device Research Conference, DRC 2007, 2007, United States. pp.109-110, ⟨10.1109/DRC.2007.4373673⟩
identifiant
hal-00284407
Accès au bibtex
BibTex
titre
Accuracy measurements of an original active loadpull based on large signal network analyzer
auteur
D. Ducatteau, M. Werquin, E. Delos, E. Morvan, D. Theron, Christophe Gaquière
article
Proceedings of the 2007 European Microwave Week, 2007, Munich, Germany
identifiant
hal-00367699
Accès au bibtex
BibTex
titre
Characterisation of AlGaN/GaN HEMT epitaxy and devices on composite substrates
auteur
G. Meneghesso, C. Ongaro, E. Zanoni, C. Brylinski, M.A. Di Forte-Poisson, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, R. Langer, H. Lahreche, P. Bove, J. Thorpe
article
IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2007, 2007, United States. pp.401-404, ⟨10.1109/IEDM.2007.4418957⟩
identifiant
hal-00284405
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titre
BioMEMS térahertz pour la spectroscopie diélectrique de solutions protéiques
auteur
Vianney Mille, Nour Eddine Bourzgui, Bertrand Bocquet
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, Toulouse, France. pp.5D24-1-4
identifiant
hal-00370323
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titre
Filtrage et démultiplexage dans les structures microguides InP/InGaAs
auteur
Maxime Beaugeois, Marie Lesecq, Sophie Maricot, Yan Pennec, Abdellatif Akjouj, Bernard Pinchemel, Bahram Djafari-Rouhani, Mohamed Bouazaoui, Jean-Pierre Vilcot
article
Actes de TELECOM'2007 & 5èmes Journées Franco-Maghrébines des Micro-ondes et leurs Applications, 2007, Fès, Maroc
identifiant
hal-00367411
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titre
Composants plasmoniques à base d'hétérojonction AlGaN/GaN pour les applications terahertz
auteur
S. Vandenbrouck, Didier Theron, Jean-Francois Lampin, L. Desplanque, Z. Bougrioua, Christophe Gaquière
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.8B3-1-4
identifiant
hal-00370333
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titre
Conception et réalisation de transistors de type FP-HEMT AlGaN/GaN
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, Michel Rousseau, N. Defrance, Y. Cordier, Jean-Claude de Jaeger
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.1D10-1-4
identifiant
hal-00370331
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titre
AlInN/GaN a suitable HEMT device for extremely high power high frequency applications
auteur
Christophe Gaquière, F Medjdoub, J.F. Carlin, S. Vandenbrouck, E. Delos, E. Feltin, N. Grandjean, E. Kohn
article
IEEE International Microwave Symposium, IEEE/MTT-S 2007, 2007, United States. pp.2145-2148, ⟨10.1109/MWSYM.2007.380349⟩
identifiant
hal-00284400
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titre
Low distortion power amplifier design based on GaN monolithic device
auteur
T.M. Martin-Guerrero, J.A. Garcia, F.Y. Ng-Molina, A. Mediavilla, C. Camacho-Penalosa, D. Ducatteau, Christophe Gaquière
article
Proceedings of the 11th International Symposium on Microwave and Optical Technology, ISMOT-2007, 2007, Monte Porzio Catone, Italy
identifiant
hal-00367700
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titre
Study of structural and electrical properties of BGa (Al) N alloys grown by MOVPE
auteur
S Gautier, Sidi Ould Saad Hamady, Ali Soltani, T Aggerstam, J Martin, M Bouchaour, T Baghdadli, N Maloufi, S Lourdudoss, A Ougazzaden
article
EW-MOVPE XII, 2007, Unknown, Unknown Region. pp.261
identifiant
hal-01277018
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titre
Impact of buffer doping on GaN device performance
auteur
M. Uren, D.G. Hayes, D.J. Wallis, K.P. Hilton, J.O. Maclean, A.J. Hydes, A. Simons, A.G. Munday, T. Martin, C. Roff, P. Mac Govern, J. Benedikt, P.J. Tasker, M. Kuball, A. Sarua, E. Morvan, N. Caillas, S. Delage, D. Ducatteau, B. Grimbert, Jean-Claude de Jaeger
article
ESA/DGA Workshop, 2007, Noordwijk, Netherlands
identifiant
hal-00367424
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titre
Recent achievement in the AlGaN/GaN HEMT epitaxy on silicon and engineering substrates exhibiting improved performances
auteur
H. Lahreche, A. Wilk, P. Bove, M. Lijadi, R. Langer, J. Thuret, Jean-Claude de Jaeger, Virginie Hoel, S. Delage
article
Proceedings of the 31th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2007, 2007, Venice, Italy
identifiant
hal-00367693
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titre
Estimation of the surface potential of unstrained InAlN/GaN HEMT's
auteur
M. Alomari, F Medjdoub, E. Kohn, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, N. Grandjean, D. Ducatteau, Christophe Gaquière
article
Proceedings of the 16th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech'07, 2007, Fréjus, France
identifiant
hal-00367698
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titre
Room temperature detection and emission of Terahertz radiation by plasma oscillations in nanometer size transistors
auteur
W. Knap, F. Teppe, A. El Fatimy, N. Dyakonova, S. Boubanga-Tombet, D. Coquillat, Christophe Gaquière, A. Shchepetov, S. Bollaert
article
Joint 32nd International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 15th International Conference on Terahertz Electronics, 2007, Cardiff, United Kingdom. pp.977
identifiant
hal-00390740
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titre
Microwave measurements of nanotube based-devices
auteur
Gilles Dambrine, H. Happy, A. Le Louarn, J.P. Bourgoin, Vincent Derycke, Christophe Gaquière, Jean-Francois Lampin
article
IMS Workshop on Nanoelectronic Devices : RF Characterization, Modeling, and Applications, 2007, Honolulu, HI, United States
identifiant
hal-00286242
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titre
Non linear microwave characterization and modelization of carbon nanotube FETs
auteur
Arnaud Curutchet, Christophe Gaquière, Damien Ducatteau, Didier Theron, Jean-Marc Bethoux, Henri Happy, Gilles Dambrine, Matthieu Werquin, Vincent Derycke
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD'07, 2007, Savannah, GA, United States
identifiant
hal-00285315
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Books

titre
EWMOVPE 2007, Vol
auteur
S Gautier, Sidi Ould Saad Hamady, Ali Soltani, T Aggerstam, N Maloufi, S Lourdudoss, A Ougazzaden
article
G, 261, 2007
identifiant
hal-01276978
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Patents

titre
Adaptateur d'impédance automatique coaxiale
auteur
Nicolas Vellas, Christophe Gaquière, Frédéric Bue-Erkmen, Damien Ducatteau
article
France, N° de brevet: FR2888670 (A1). 2007
identifiant
hal-00372344
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2006

Journal articles

titre
The effect of oxidation on physical properties of porous silicon layers for optical applications
auteur
Parastesh Pirasteh, Joël Charrier, Ali Soltani, Severine Haesaert, Lazhar Haji, C. Godon, Nicolas Errien
article
Applied Surface Science, 2006, Vol.253 (Issue 4), pp.1999-2002. ⟨10.1016/j.apsusc.2006.03.083⟩
identifiant
hal-00187580
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titre
Top Down' Approaches for the Study of Single-Cells: Micro-Engineering and Electrical Phenotype
auteur
Vincent Senez, Tahsin Akalin, S. Arscott, Nour Eddine Bourzgui, Bertrand Bocquet, Teruo Fujii, Erwan Lennon, Takahisa Yamamoto
article
Advances in Science and Technology, 2006, 53, pp.97-106. ⟨10.4028/www.scientific.net/AST.53.97⟩
identifiant
hal-02347520
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titre
Analysis of thermal effect influence in gallium-nitride-based TLM structures by means of a transport-thermal modeling
auteur
Brahim Benbakhti, Michel Rousseau, Ali Soltani, Jean-Claude de Jaeger
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, 53 (9), pp.2237-2242. ⟨10.1109/TED.2005.881014⟩
identifiant
hal-00127943
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titre
High temperature pulsed measurements of AlGaN/GaN HEMTs on high resistive Si(111) substrate
auteur
Matthieu Werquin, Damien Ducatteau, Nicolas Vellas, E. Delos, Yvon Cordier, Raphaël Aubry, Christophe Gaquière
article
Microwave and Optical Technology Letters, 2006, 48, pp.2303-2305. ⟨10.1002/mop.21897⟩
identifiant
hal-00154928
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titre
Top-down approaches for the study of single-cells : micro-engineering and electrical phenotype
auteur
Vincent Senez, Tahsin Akalin, S. Arscott, Nour Eddine Bourzgui, Bertrand Bocquet, Teruo Fujii, Erwan Lennon, Takahisa Yamamoto
article
Advances in Science and Technology, 2006, 53, pp.97-106. ⟨10.4028/www.scientific.net/AST.53.97⟩
identifiant
hal-00138742
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titre
Diamond detectors for LYRA, the solar VUV radiometer on board PROBA2
auteur
A. Benmoussa, Jean-François Hochedez, U. Schühle, W. Schmutz, K. Haenen, Y. Stockman, A. Soltani, F. Scholze, U. Kroth, V. Mortet, A. Theissen, C. Laubis, M. Richter, S. Kollerc, J.M. Defise, S. Koizumi
article
Diamond and Related Materials, 2006, 15 (4-8), pp.802-806. ⟨10.1016/j.diamond.2005.10.024⟩
identifiant
hal-00127947
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titre
Terahertz detection by GaN/AlGaN transistors
auteur
A. El Fatimy, S.B. Tombet, F. Teppe, W. Knap, D.B. Veksler, S. Rumyantsev, M.S. Shur, N. Pala, R. Gaska, Q. Fareed, X. Hu, D. Seliuta, G. Valusis, Christophe Gaquière, A. Cappy, D. Theron
article
Electronics Letters, 2006, 42, pp.1342-1344
identifiant
hal-00147740
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titre
Power measurement setup for large signal microwave characterization at 94 GHz
auteur
F Medjdoub, S. Vandenbrouck, Christophe Gaquière, E. Delos, M. Zaknoune, D. Theron
article
IEEE Electron Device Letters, 2006, 16, pp.218-220
identifiant
hal-00127945
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titre
Room-temperature terahertz emission from nanometer field-effect transistors
auteur
N. Dyakonova, A. El Fatimy, J. Łusakowski, W. Knap, M.I. Dyakonov, M.A. Poisson, E. Morvan, S. Bollaert, A. Shchepetov, Yannick Roelens, Christophe Gaquière, D. Theron, A. Cappy
article
Applied Physics Letters, 2006, 88, pp.141906-1-3
identifiant
hal-00127944
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titre
Room-temperature terahertz emission from nanometer field-effect transistors
auteur
N. Dyakonova, A.E. Fatimy, J. Lusakowski, W. Knap, M.I. Dyakonov, M.A. Poisson, E. Morvan, S. Bollaert, A. Shchepetov, Yannick Roelens, Christophe Gaquière, D. Theron, A. Cappy
article
Applied Physics Letters, 2006, 88, pp.141906-1-3
identifiant
hal-00126524
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titre
Traps centers and deep defects contribution in current instabilities for AlGaN/GaN HEMT's on silicon and sapphire substrates
auteur
N. Sghaier, M. Trabelsi, N. Yacoubi, J.M. Bluet, A. Souifi, G. Guillot, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger
article
Microelectronics Journal, 2006, 37, pp.363-370
identifiant
hal-00127942
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titre
Influence of the deposition parameters on the texture of boron nitride thin films synthesized in a microwave plasma-enhanced reactor
auteur
P. Thévenin, M. Eliaoui, A. Ahaitouf, A. Soltani, A. Bath
article
Surface and Coatings Technology, 2006, 200, pp.6444-6448
identifiant
hal-00127946
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titre
Terahertz detection by GaN/AlGaN transistors
auteur
Abdelouahad El Fatimy, Stephane Boubanga Tombet, Frederic Teppe, Wojciech Knap, D. B. Veksler, S. Rumyantsev, M. S. Shur, N. Pala, R. Gaska, Q. Fareed, X. Hu, D. Seliuta, G. Valusis, Christophe Gaquière, D. Theron, A. Cappy
article
Electronics Letters, 2006, 42, pp.1342-1344. ⟨10.1049/cl:20062452⟩
identifiant
hal-00540638
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titre
Room-temperature Terahertz Emission from Nanometer Field Effect Transistors
auteur
N. Dyakonova, Michel Dyakonov, A. El Fatimy, J. Lusakowski, W. Knap, M.-A. Poisson, E. Morvan, S. Bollaert, A. Shchepetov, Yannick Roelens, Christophe Gaquière, D. Theron, A. Cappy
article
Applied Physics Letters, 2006, 88 (14), pp.141906. ⟨10.1063/1.2191421⟩
identifiant
hal-00264792
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titre
Punch-through in short-channel AlGaN/GaN HFETs
auteur
M.J. Uren, K.J. Nash, R.S. Balmer, T. Martin, E. Morvan, N. Caillas, S.L. Delage, D. Ducatteau, B. Grimbert, Jean-Claude de Jaeger
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, 53, pp.395-398
identifiant
hal-00127940
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BibTex
titre
Output power density of 5.1W/mm at 18 GHz with an AlGaN/GaN HEMT on Si substrate
auteur
D. Ducatteau, A. Minko, Virginie Hoel, E. Morvan, E. Delos, B. Grimbert, H. Lareche, P. Bove, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, S.L. Delage
article
IEEE Electron Device Letters, 2006, 27, pp.7-9
identifiant
hal-00127941
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titre
Current conduction and saturation mechanism in AlGaN/GaN ungated structures
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, D. Pogany, Christophe Gaquière, E. Morvan
article
Journal of Applied Physics, 2006, 99, pp.123720-1-7. ⟨10.1063/1.2207572⟩
identifiant
hal-00154930
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https://hal.science/hal-00154930/file/Kuzmik2006.pdf BibTex
titre
LYRA, a solar UV radiometer on Proba2
auteur
Jean-François Hochedez, W. Schmutz, Y. Stockman, U. Schühle, A. Benmoussa, S. Koller, K. Haenen, D. Berghmans, J.-M. Defise, J.-P. Halain, A. Theissen, V. Delouille, V. Slemzin, D. Gillotay, Didier Fussen, M. Dominique, Filip Vanhellemont, D. Mcmullin, Matthieu Kretzschmar, A. Mitrofanov, B. Nicula, L. Wauters, H. Roth, E. Rozanov, I. Rüedi, C. Wehrli, A. Soltani, H. Hamano, R. van Der Linden, A. Zhukov, F. Clette, S. Koizumi, V. Mortet, Z. Remes, R. Petersen, M. Nesladek, M. d'Olieslaeger, J. Roggen, P. Rochus
article
Advances in Space Research, 2006, 37 (2), pp.303-312. ⟨10.1016/j.asr.2005.10.041⟩
identifiant
hal-00127948
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BibTex
titre
Characterization of superconductor coplanar resonators deposited on different substrates by thermal coevaporation
auteur
D. Seron, H. Kokabi, Georges Alquié, Yannick Roelens, Nour Eddine Bourzgui, Jean-Claude Carru
article
Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, 2006, 19, pp.661-667. ⟨10.1007/s10948-006-0127-1⟩
identifiant
hal-00243995
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titre
Small-signal characteristics of AlInN/GaN HEMTs
auteur
F Medjdoub, J.F. Carlin, M. Gonschorek, M.A. Py, N. Grandjean, S. Vandenbrouck, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, E. Kohn
article
Electronics Letters, 2006, 42, pp.779-780
identifiant
hal-00154929
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BibTex
titre
Investigation of traps in AlGaN/GaN HEMTs by current transient spectroscopy
auteur
M. Gassoumi, J.M. Bluet, F. Chekir, I. Dermoul, H. Maaref, G. Guillot, A. Minko, Virginie Hoel, Christophe Gaquière
article
Materials Science and Engineering: C, 2006, 26, pp.SI : 383-386
identifiant
hal-00154931
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Conference papers

titre
Ultra wide band dielectric spectroscopy of single cell in microfluidic devices
auteur
Vincent Senez, A. Treizebre, Erwan Lennon, Hind Ghandour, Vianney Mille, Thomas Heim, Tahsin Akalin, Takahisa Yamamoto, Nour Eddine Bourzgui, Dominique Legrand, Yasuyuki Sakai, Philippe Supiot, Joël Mazurier, Teruo Fujii, Bertrand Bocquet
article
10th International Conference on Miniaturized Systems for Chemistry and Life Sciences (uTAS2006), Nov 2006, Tokyo, Japan. pp.738-740
identifiant
hal-00130877
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BibTex
titre
Thermal characterization of HF power FETS
auteur
D. Pogany, J. Kuzmik, S. Bychikhin, E. Pichonat, Christophe Gaquière, K. Anderson, C. Fager, J. Würfl, M.A. Di Forte-Poisson
article
Target days, Oct 2006, Frascati, Italy
identifiant
hal-00337243
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BibTex
titre
Surface capping of AlInN/GaN HEMT structures
auteur
F Medjdoub, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, J.-F Carlin, M Gonschorek, E Feltin, M A Py, N Grandjean, E Kohn
article
European Workshop on III-Nitride Semiconductor Materials and Devices, Sep 2006, Heraklion, Greece
identifiant
hal-03281380
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https://hal.science/hal-03281380/file/EW3NS%20F_Medjdoub.pdf BibTex
titre
Study of field plate AlGaN/GaN HEMTs by means of a 2D-hydrodynamic model for power applications
auteur
Brahim Benbakhti, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger
article
European Microwave Integrated Circuits Conference, Sep 2006, Manchester, United Kingdom. 4 pp., ⟨10.1109/EMICC.2006.282657⟩
identifiant
hal-00152973
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BibTex
titre
Temperature analysis of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors using micro-Raman scaterring spectroscopy and transient interferometric mapping
auteur
E. Pichonat, J. Kuzmik, S. Bychikhin, D. Pogany, M.A. Di Forte-Poisson, B. Grimbert, Christophe Gaquière
article
Proceedings of the first European Microwave Integrated Circuits Conference, Sep 2006, Manchester, United Kingdom
identifiant
hal-00337246
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BibTex
titre
New technology for high throughput THz BioMEMS
auteur
Vianney Mille, Nour Eddine Bourzgui, Céline Vivien, Philippe Supiot, Bertrand Bocquet
article
28th Annual International Conference of the IEEE Engineering in Medicine and Biology Society, EMBS'06, Aug 2006, New York, NY, United States. pp.3505-3508, ⟨10.1109/IEMBS.2006.260289⟩
identifiant
hal-00243997
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titre
Analyse physique de transistors HEMTs AlGaN/GaN élaborés avec la technologie field plate
auteur
Brahim Benbakhti, Michel Rousseau, J-C Gerbedoen, Jean-Claude de Jaeger
article
10èmes Journées de la Matière Condensée, Aug 2006, Toulouse, France
identifiant
hal-00128165
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titre
Conception et réalisation de transistors HEMT AlGaN/GaN avec différentes topologies fieldplate
auteur
J.C. Gerbedoen, Ali Soltani, Brahim Benbakhti, Jean-Claude de Jaeger
article
10èmes Journées de la Matière Condensée, Aug 2006, Toulouse, France
identifiant
hal-00128164
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titre
Influence of surface trapping on determination of electron saturation velocity in AlGaN/GaN heterostructure
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, E. Pichonat, Christophe Gaquière, E. Morvan, D. Pogany
article
28th International Conference of the Physics of Semiconductors, Jul 2006, Vienne, Austria
identifiant
hal-00337251
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titre
Design of a X-band GaN oscillator: from the low frequency noise device characterization and large signal modeling to circuit design
auteur
Geoffroy Soubercaze-Pun, Jean-Guy Tartarin, Laurent Bary, Jacques Rayssac, E Morvan, B Grimbert, Jean-Claude de Jaeger, Jacques Graffeuil
article
IMS 2006, Jun 2006, San Francisco, United States. 4p, ⟨10.1109/MWSYM.2006.249760⟩
identifiant
hal-01343917
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https://hal.science/hal-01343917/file/IMS_2006_SanFrancisco.pdf BibTex
titre
Top-down approaches for the study of single-cells: micro-engineering and electrical phenotype
auteur
Vincent Senez, Tahsin Akalin, S. Arscott, Nour Eddine Bourzgui, Bertrand Bocquet, Teruo Fujii, Erwan Lennon, Takahisa Yamamoto
article
Advances in Science and Technology, Jun 2006, Sicily, Italy. pp.105-114
identifiant
hal-00147725
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BibTex
titre
Microfluidic Devices for Ultra Wide Band Electromagnetic Spectroscopy of Single Cell
auteur
Tahsin Akalin, S. Arscott, Bertrand Bocquet, Nour Eddine Bourzgui, Vianney Mille, Vincent Senez, A. Treizebre, Teruo Fujii, Erwan Lennon, Yasuyuki Sakai, Takahisa Yamamoto
article
2006 International Conference on Microtechnologies in Medicine and Biology, May 2006, Okinawa, Japan. pp.252-255, ⟨10.1109/MMB.2006.251542⟩
identifiant
hal-02347528
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BibTex
titre
Microfluidic devices for ultra wide band electromagnetic spectroscopy of single cell
auteur
Tahsin Akalin, S. Arscott, Bertrand Bocquet, Nour Eddine Bourzgui, Vincent Senez, A. Treizebre, Teruo Fujii, Erwan Lennon, Yasuyuki Sakai, Takahisa Yamamoto
article
International Conference on Microtechnologies in Medicine and Biology, May 2006, Okinawa, Japan. pp.252-255, ⟨10.1109/MMB.2006.251542⟩
identifiant
hal-00130878
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BibTex
titre
Caractérisation et modélisation non linéaire de Transistors à Effet de Champs à Nano tubes de Carbone (CNFETs) à l'aide d'un Analyseur de réseau non linéaire (LSNA)
auteur
Arnaud Curutchet, Jean-Marc Bethoux, Matthieu Werquin, Henri Happy, Didier Theron, Damien Ducatteau, Christophe Gaquière
article
GDR G2054 Nanoélectronique, Feb 2006, Grenoble, France
identifiant
hal-00197505
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BibTex
titre
Design of a X-band GaN oscillator : from the low frequency noise device characterization and large signal modeling to circuit design
auteur
Geoffroy Soubercaze-Pun, Jean-Guy Tartarin, Laurent Bary, Jacques Rayssac, E. Morvan, B. Grimbert, S.L. Delage, Jean-Claude de Jaeger, Jacques Graffeuil
article
2006, 4 pp
identifiant
hal-00128228
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BibTex
titre
Noise and dynamic cryogenic performance of metamorphic transistors from 20 to 42 GHz
auteur
S. Delcourt, Gilles Dambrine, Nour Eddine Bourzgui, Sylvie Lepilliet, C. Laporte, D. Smith, J.P. Fraysse
article
1st European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2006, 2006, United Kingdom. pp.9-12, ⟨10.1109/EMICC.2006.282736⟩
identifiant
hal-00241318
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BibTex
titre
Passive photonic components using InP optical wire technology : design, fabrication and characterization
auteur
Marie Lesecq, Sophie Maricot, Jean-Pierre Vilcot
article
Semiconductor and Integrated Optoelectronics Conference, SIOE 2006, 2006, Cardiff, Wales, United Kingdom
identifiant
hal-00130867
Accès au bibtex
BibTex
titre
New technology for high throughput BioMEMS
auteur
Vianney Mille, Nour Eddine Bourzgui, Bertrand Bocquet
article
Actes du Congrès Français de Microfluidique, 2006, Toulouse, France
identifiant
hal-00244019
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BibTex
titre
Optical switching : toward nanophotonics
auteur
Marie Lesecq, Jean-Pierre Vilcot, Sophie Maricot, M. Francois, C. Legrand, F. Mollot
article
1st France-Singapore Optical Switching Seminar, 2006, Singapore, Singapore
identifiant
hal-00130873
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BibTex
titre
Temperature analysis of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors using micro-Raman scattering spectroscopy and transient interferometric mapping
auteur
E. Pichonat, J. Kuzmik, S. Bychikhin, D. Pogany, M.A. Poisson, B. Grimbert, Christophe Gaquière
article
1st European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2006, 2006, United Kingdom. pp.54-57, ⟨10.1109/EMICC.2006.282748⟩
identifiant
hal-00247418
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BibTex
titre
Can InAlN/GaN be an alternative to high power/high temperature AlGaN/GaN devices ?
auteur
F Medjdoub, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, N. Grandjean, E. Kohn
article
IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2006, 2006, United States. pp.673-676, ⟨10.1109/IEDM.2006.346935⟩
identifiant
hal-00247419
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titre
Large signal microwave characterization of GaN HEMTs
auteur
D. Theron, M. Werquin, B. Grimbert, D. Ducatteau, S. Vandenbrouck, Christophe Gaquière
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD'06, 2006, Phoenix, AZ, United States
identifiant
hal-00128163
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titre
Composants photoniques passifs en technologie microguide sur InP
auteur
Marie Lesecq, Jean-Pierre Vilcot, Sophie Maricot
article
Club Optique et Microondes, 2006, Rouen, France
identifiant
hal-00130866
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titre
Room-temperature terahertz emission from nanometer field-effect transistors
auteur
N. Dyakonova, A.E. Fatimy, J. Lusakowski, W. Knap, M.I. Dyakonov, M.A. Poisson, E. Morvan, S. Bollaert, A. Shchepetov, Yannick Roelens, Christophe Gaquière, D. Theron, A. Cappy
article
Joint 31st International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 14th International Conference on Terahertz Electronics, IRMMW-THz2006, 2006, China. pp.145, ⟨10.1109/ICIMW.2006.368353⟩
identifiant
hal-00241317
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titre
Composants photoniques passifs en technologie microguide sur InP : conception, fabrication et caracterisation
auteur
Marie Lesecq, Sophie Maricot, Jean-Pierre Vilcot
article
11èmes Journées Nano-Micro Electronique et Optoélectronique, JNMO 2006, 2006, Aussois, France
identifiant
hal-00130874
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titre
Passive photonic components using InP optical wire technology for nano optics based optical switches and matrices
auteur
Marie Lesecq, Sophie Maricot, Jean-Pierre Vilcot
article
1st ISIS Workshop, 2006, Boppard am Rhein, Germany
identifiant
hal-00130871
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Patents

titre
Adaptateur d'impédance automatique compact en guide d'onde
auteur
Frédéric Bue-Erkmen, Christophe Gaquière, Nicolas Vellas, Damien Ducatteau
article
France, N° de brevet: FR2886768 (A1). 2006
identifiant
hal-00372350
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2005

Journal articles

titre
Humidity effects on the electrical properties of hexagonal boron nitride thin films
auteur
Ali Soltani, P. Thevenin, H. Bakhtiar, A. Bath
article
Thin Solid Films, 2005, 471 (1-2-3), pp.277-286. ⟨10.1016/j.tsf.2004.06.142⟩
identifiant
hal-00323137
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https://hal.science/hal-00323137/file/Soltani2005.pdf BibTex
titre
Microwave and noise performance of SiGe BiCMOS HBT under cryogenic temperatures
auteur
S. Pruvost, S. Delcourt, I. Telliez, M. Laurens, Nour Eddine Bourzgui, Francois Danneville, A. Monroy, Gilles Dambrine
article
IEEE Electron Device Letters, 2005, 26, pp.105-108
identifiant
hal-00125159
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titre
First results of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate using an argon-ion implant-isolation technology
auteur
M. Werquin, N. Vellas, Y. Guhel, D. Ducatteau, B. Boudart, J.C. Pesant, Z. Bougrioua, Marie Germain, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière
article
Microwave and Optical Technology Letters, 2005, 46, pp.311-315
identifiant
hal-00126457
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titre
94 GHz high power performances of InAs0.4P0.6 channel HEMTs on InP
auteur
F Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, Christophe Gaquière, D. Theron
article
Electronics Letters, 2005, 41, pp.63-64
identifiant
hal-00126459
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titre
High performances of InP channel power HEMT at 94 GHz
auteur
F Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, Christophe Gaquière, D. Theron
article
Electronics Letters, 2005, 41, pp.1406-1408
identifiant
hal-00154912
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titre
Impact of plasma pre-treatment before SiNx passivation on AlGaN/GaN HFETs electrical traps
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, Christophe Gaquière, E. Delos, D. Ducatteau, Z. Bougrioua, Marie Germain
article
Solid-State Electronics, 2005, 49, pp.1589-1594
identifiant
hal-00154914
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titre
InP HEMT downscaling for power applications at W band
auteur
F Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, Christophe Gaquière, F. Dessenne, Jean-Luc Thobel, D. Theron
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2005, 52, pp.2136-2143
identifiant
hal-00126460
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titre
Humidity effects on the electrical properties of hexagonal boron nitride thin films
auteur
A. Soltani, P. Thévenin, H. Bakhtiar, A. Bath
article
Thin Solid Films, 2005, 471, pp.277-286
identifiant
hal-00126461
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titre
Physical study of the avalanche breakdown phenomenon in HEMTs
auteur
M. Elkhou, Michel Rousseau, H. Gerard, Jean-Claude de Jaeger
article
Solid-State Electronics, 2005, 49, pp.535-544
identifiant
hal-00126451
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titre
High power and linearity performances of gallium nitride HEMT devices on sapphire substrate
auteur
M. Werquin, Christophe Gaquière, Y. Guhel, N. Vellas, D. Theron, B. Boudart, Virginie Hoel, Marie Germain, Jean-Claude de Jaeger, S. Delage
article
Electronics Letters, 2005, 41 (1), ⟨10.1049/el:20056735⟩
identifiant
hal-01646906
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titre
A high-power W-band pseudomorphic InGaAs channel PHEMT
auteur
Christophe Gaquière, J. Grunenputt, D. Jambon, E. Delos, D. Ducatteau, M. Werquin, D. Theron, P. Fellon
article
IEEE Electron Device Letters, 2005, 26, pp.533-534
identifiant
hal-00154915
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Conference papers

titre
Mise en œuvre d'un modèle physique électrothermique pour la simulation de transistors à effet de champ de puissance
auteur
Brahim Benbakhti, Michel Rousseau, Matthieu Werquin, Jean-Claude de Jaeger
article
Actes des 14èmes Journées Nationales Microndes, May 2005, Nantes, France
identifiant
hal-00126750
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titre
Conception d'un nouveau dispositif d'analyse hyperfréquence de biomolécules
auteur
Nour Eddine Bourzgui, Vianney Mille, Bertrand Bocquet
article
Actes des 4èmes Journées Franco-Maghrébines des Microondes et leurs Applications, Mar 2005, Rabat, Maroc
identifiant
hal-00247705
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titre
Utilisation de la technologie de grille nitrure pour la réalisation de HEMTs AlGaN/GaN
auteur
S. Touati, Virginie Hoel, E. Delos, A. Soltani, Jean-Claude de Jaeger, M.A. Poisson, S. Delage
article
Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France
identifiant
hal-00126752
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titre
Effect of the GaN buffer on short channel effects in AlGaN/GaN HFETs
auteur
M.J. Uren, K.J. Nash, J.L. Glasper, R.S. Balmer, T. Martin, E. Morvan, N. Caillas, S.L. Delage, D. Ducatteau, B. Grimbert, Jean-Claude de Jaeger
article
29th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2005, 2005, Cardiff, United Kingdom
identifiant
hal-00126468
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titre
Mesures de bruit sous pointes à 78K : application aux filières métamorphiques bas bruit dans la bande 6-50 GHz
auteur
S. Delcourt, Gilles Dambrine, Nour Eddine Bourzgui, Sylvie Lepilliet, C. Laporte, J.P. Fraysse, M. Maignan
article
Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France
identifiant
hal-00247446
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titre
Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hours on-state and off-state hot-electron stress
auteur
A. Sozza, C. Dua, E. Morvan, M.A. Poisson, S. Delage, F. Rampazzo, A. Tazzoli, F. Danesin, G. Meneghesso, E. Zanoni, A. Curutchet, N. Malbert, N. Labat, B. Grimbert, Jean-Claude de Jaeger
article
2005, 4 pp
identifiant
hal-00126762
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titre
InP and InAsP channel HEMT for millimeter wave applications
auteur
D. Theron, F Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, Christophe Gaquière
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2005, 2005, Miami, FL, United States
identifiant
hal-00126470
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titre
Analyse biologique THz par Bio MicroFluidic System (BioMFS)
auteur
Bertrand Bocquet, Vianney Mille, Nour Eddine Bourzgui
article
Actes des 3èmes Journées Térahertz, 2005, Aussois, France
identifiant
hal-00247707
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titre
MicroRaman analysis of resistance ohmic contact to n-AlGaN/GaN
auteur
A. Soltani, S. Touati, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, J. Laureyns, Y. Cordier, C. Marhic, A. Djouadi, C. Dua
article
Proceedings of the 16th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides, Diamond 2005, 2005, Toulouse, France
identifiant
hal-00131350
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titre
HEMTs with InP and InAsP channel for 94 GHz applications
auteur
D. Theron, F Medjdoub, M. Zaknoune, Christophe Gaquière, X. Wallart
article
14th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech'05, 2005, Smolenice, Slovakia
identifiant
hal-00126469
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titre
Caractérisation DC-pulsé grand signal de HEMTs de puissance
auteur
N. Defrance, H. Gerard, E. Morvan, Jean-Claude de Jaeger
article
Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France
identifiant
hal-00126751
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titre
Implementation of a 2D electron-thermal model for power semiconductor devices simulation : application on gallium nitride
auteur
Brahim Benbakhti, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger
article
Comsol Multiphysics Conference, 2005, Paris, France
identifiant
hal-00126464
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titre
Low frequency and linear high frequency noise performances of AlGaN/GaN grown on SiC substrate
auteur
Jean-Guy Tartarin, Geoffroy Soubercaze-Pun, Laurent Bary, C. Chambon, Sébastien Gribaldo, Olivier Llopis, Laurent Escotte, Robert Plana, S. Delage, Christophe Gaquière, Jacques Graffeuil
article
2005, pp.277-280
identifiant
hal-00154917
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titre
AlGaN/GaN : processing and characterisation at TIGER laboratory
auteur
Raphaël Aubry, Damien Ducatteau, Erwan Morvan, B. Grimbert, Thierry Dean, M. Francois, S. Touati, Virginie Hoel, J.C. Pesant, A. Leroy, D. Thenot, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Michel Rousseau, Eva Chartier
article
13th European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Applications Symposium, GAAS 2005, 2005, Paris, France
identifiant
hal-00126465
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titre
Comparison of load-pull measurement results of a 4 W pHEMT involving five european laboratories
auteur
J. Lees, J. Benedikt, B. Bunz, Christophe Gaquière, D. Ducatteau, E. Marquez-Segura, T.M. Martin-Guerrero, A. Barel
article
2005, pp.321-324
identifiant
hal-00154916
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titre
Récents résultats et perspectives du laboratoire TIGER dans le domaine des composants HEMT AlGaN/GaN
auteur
Sylvain Laurent Delage, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, M. Magis, J. Di Persio, Didier Theron, Maurice Tordjman, Jean-Claude de Jaeger, Jean-Claude Jacquet, Michel Rousseau, Raphaël Aubry, Christian Brylinski, Thierry Dean, Erwan Morvan, M. Francois
article
14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France
identifiant
hal-00126466
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titre
Noise assessment of AlGaN/GaN HEMTs on Si or SiC substrates : application to X-band low noise amplifiers
auteur
Jean-Claude de Jaeger, S.L. Delage, Gilles Dambrine, M.A. Poisson, Virginie Hoel, Sylvie Lepilliet, B. Grimbert, E. Morvan, Y. Mancuso, G. Gauthier, A. Lefrancois, Y. Cordier
article
2005, pp.229-232
identifiant
hal-00126458
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titre
Enhancement of cutoff frequency in AlGaN/GaN high electron mobility transistors using a silicon nitride based T-gate technology
auteur
S. Touati, Virginie Hoel, A. Soltani, Jean-Claude de Jaeger, M.A. Poisson, S. Delage
article
Proceedings of the 16th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides, Diamond 2005, 2005, Toulouse, France
identifiant
hal-00131349
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titre
Spectroscopie diélectrique THz de biomolécules en solution
auteur
Vianney Mille, Nour Eddine Bourzgui, Bertrand Bocquet
article
Actes des 1ères Journées du GDR Térahertz, 2005, Montpellier, France
identifiant
hal-00247709
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2004

Journal articles

titre
Hot carrier aging degradation phenomena in GaN based MESFETs
auteur
F. Rampazzo, G. Pierobon, D. Pacetta, Christophe Gaquière, D. Theron, B. Boudart, G. Meneghesso, E. Zanoni
article
Microelectronics Reliability, 2004, 44, pp.1375-1380
identifiant
hal-00154890
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titre
Analysis of low frequency drain current noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate
auteur
N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, A. Touboul, Christophe Gaquière, A. Minko
article
Fluctuation and Noise Letters, 2004, 4, pp.L319-L328
identifiant
hal-00162793
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titre
LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide. Application to HEMT's devices
auteur
Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, M. Magis, Maurice Tordjman, Raphaël Aubry, Nicolas Sarazin, M. Peschang, Erwan Morvan, Sylvain Laurent Delage, J. Di Persio, R. Quere, B. Grimbert, Virginie Hoel, E. Delos, Damien Ducatteau, Christophe Gaquière
article
Journal of Crystal Growth, 2004, 272 (1-4), pp.305-311. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2004.08.121⟩
identifiant
hal-00141957
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titre
High microwave and noise performance of 0.17µm AlGaN/GaN HEMTs on high-resistivity silicon substrates
auteur
A. Minko, Virginie Hoel, Sylvie Lepilliet, Gilles Dambrine, Jean-Claude de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies
article
IEEE Electron Device Letters, 2004, 25, pp.167-169
identifiant
hal-00141951
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titre
AlGaN/GaN HEMTs : technology and microwave performance
auteur
Jean-Claude de Jaeger
article
Microwave Engineering Europe, 2004, mai, pp.30
identifiant
hal-00141996
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BibTex
titre
Electronic properties of deep defects in n-type GaN
auteur
P. Muret, C. Ulzhöfer, J. Pernot, Y. Cordier, F. Semond, Christophe Gaquière, D. Theron
article
Superlattices and Microstructures, 2004, 36, pp.435-443
identifiant
hal-00141959
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BibTex
titre
AlGaN/GaN HEMTs on Si with power density performance of 1.9 W/mm at 10 GHz
auteur
A. Minko, Virginie Hoel, E. Morvan, B. Grimbert, A. Soltani, E. Delos, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, D. Theron, Jean-Claude de Jaeger, H. Lahreche, L. Wedzikowski, R. Langer, P. Bove
article
IEEE Electron Device Letters, 2004, 25, pp.453-455
identifiant
hal-00141952
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BibTex

Conference papers

titre
Nouveau dispositif d'analyse hyperfréquence des biomolécules
auteur
Nour Eddine Bourzgui, Vianney Mille, F Medjdoub, Bertrand Bocquet
article
Actes du 2ème Congrès Français de Microfluidique, Dec 2004, Toulouse, France
identifiant
hal-00248091
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BibTex
titre
Design of silicon-pTMDS bio-MEMS with millimeter and sub-millimeter waves transducers
auteur
Vianney Mille, Nour Eddine Bourzgui, F Medjdoub, Bertrand Bocquet
article
34th European Microwave Conference, EuMC 2004, Oct 2004, Amsterdam, Netherlands. pp.1/169-172
identifiant
hal-00248088
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titre
Analytical transport model of AlGaN/GaN HEMT based on electrical and thermal measurement
auteur
Jean-Claude Jacquet, Raphaël Aubry, H. Gerard, E. Delos, Nathalie Rolland, Yvon Cordier, A. Bussutil, Michel Rousseau, Sylvain Laurent Delage
article
12th European Gallium Arsenide and other compound semiconductors application symposium, Oct 2004, Amsterdam, Netherlands. pp.235-238
identifiant
hal-00142308
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BibTex
titre
THz microfluidic MEMS for cell membrane analysis
auteur
Tahsin Akalin, A. Treizebre, Nour Eddine Bourzgui, Bertrand Bocquet
article
Infrared and Millimeter Waves, Conference Digest of the 2004 Joint 29th International Conference on 2004 and 12th International Conference on Terahertz Electronics, Sep 2004, Karlsruhe, Germany. pp.413-414, ⟨10.1109/ICIMW.2004.1422137⟩
identifiant
hal-00147749
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BibTex
titre
Technological development of THz microfluidic microsystems for biological spectroscopy
auteur
Vianney Mille, Nour Eddine Bourzgui, F Medjdoub, L. Desplanque, Jean-Francois Lampin, Philippe Supiot, Bertrand Bocquet
article
Conference Digest of the 2004 Joint 29th International Conference on 2004 and 12th International Conference on Terahertz Electronics, Sep 2004, Karlsruhe, Germany. pp.549-550, ⟨10.1109/ICIMW.2004.1422207⟩
identifiant
hal-00162775
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BibTex
titre
Design of silicon-pTMDS bioMEMS by cold RPECVD
auteur
Bertrand Bocquet, Nour Eddine Bourzgui, Yannick Guhel, Vianney Mille
article
Nonimaging Optics and Efficient Illumination Systems, Aug 2004, Denver, CO, United States. pp.118-129
identifiant
hal-00140776
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BibTex
titre
LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide. Application to HEMT's devices
auteur
Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, M. Magis, Maurice Tordjman, Raphaël Aubry, Nicolas Sarazin, M. Peschang, Erwan Morvan, Sylvain Laurent Delage, J. Di Persio, Raymond Quéré, B. Grimbert, Virginie Hoel, E. Delos, Damien Ducatteau, Christophe Gaquière
article
The Twelfth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XII), May 2004, Lahina, United States. pp.107-112, ⟨10.1557/PROC-798-Y10.26⟩
identifiant
hal-00162796
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BibTex
titre
Bruit dans les nouveaux composants et matériaux ou bruit fiabilité
auteur
Jean-Guy Tartarin, Geoffroy Soubercaze-Pun, Abdelali Rennane, Laurent Bary, Robert Plana, Jean-Claude de Jaeger, S. Delage, Jacques Graffeuil
article
Workshop Action Spécifique Bruit : Bruit en régime linéaire et non-linéaire dans les composants et circuits de télécommunications, 2004, La Grande Motte, France
identifiant
hal-00141964
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BibTex
titre
A non uniform thermal de-embedding approach for cryogenic on-wafer high frequency noise measurements
auteur
S. Delcourt, Gilles Dambrine, Nour Eddine Bourzgui, Sylvie Lepilliet, C. Laporte, J.P. Fraysse, M. Maignan
article
2004, pp.1809-1812
identifiant
hal-00133882
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BibTex
titre
Microwave characterization of supraconducting YBCO coplanar resonators deposited by thermal coevaporation on different substrates
auteur
D. Seron, H. Kokabi, Georges Alquié, Yannick Roelens, Nour Eddine Bourzgui, J.C. Carru
article
8th Symposium on High-Temperature Superconductors in High-Frequency Fields, 2004, Parador de Aiguablava, Begur, Spain
identifiant
hal-00133913
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BibTex
titre
Low frequency noise behaviour in GaN HEMT's on silicon substrate
auteur
Laurent Bary, E. Angeli, Abdelali Rennane, Geoffroy Soubercaze-Pun, Jean-Guy Tartarin, Jean-Claude de Jaeger, Y. Cordier, S. Delage, Robert Plana, Jacques Graffeuil
article
2004, pp.286-295
identifiant
hal-00141967
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BibTex
titre
1/f noise and ballistic mobility in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors in high magnetic fields
auteur
S.L. Rumyantsev, M. Shur, W. Knap, N. Dyakonova, F. Pascal, A. Hoffman, Y. Guhel, Christophe Gaquière, D. Theron
article
2004, pp.277-85
identifiant
hal-00141970
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BibTex
titre
Recent developments and trends in GaN HFETs
auteur
D. Theron, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, S. Delage
article
2004, pp.547-550
identifiant
hal-00142306
Accès au bibtex
BibTex
titre
Using low frequency noise characterization of AlGaN/GaN HEMT as a tool for technology assessment and failure prediction
auteur
Jean-Guy Tartarin, Geoffroy Soubercaze-Pun, Abdelali Rennane, Laurent Bary, Jean-Claude de Jaeger, Marie Germain, S. Delage, Robert Plana, Jacques Graffeuil
article
2004, pp.296-306
identifiant
hal-00141968
Accès au bibtex
BibTex
titre
Microwave performances of gallium nitride based HEMT's devices
auteur
Christophe Gaquière, N. Vellas, M. Werquin, D. Ducatteau, E. Delos, E. Chartier, D. Lancereau, H. Gerard, M.A. Poisson, Y. Cordier, Marie Germain, E. Morvan, B. Grimbert, Virginie Hoel, Et Al.
article
European Microwave Week, 2004, Amsterdam, Netherlands
identifiant
hal-00141962
Accès au bibtex
BibTex
titre
Physical analysis of the breakdown phenomenon between single or double step gate recess HEMTs
auteur
M. Elkhou, Michel Rousseau, H. Gerard, Jean-Claude de Jaeger
article
2004, pp.571-574
identifiant
hal-00142307
Accès au bibtex
BibTex
titre
Influence of passivation on high-power AlGaN/GaN HEMT devices at 10 GHz
auteur
D. Ducatteau, M. Werquin, Christophe Gaquière, D. Theron, T. Martin, E. Delos, B. Grimbert, E. Morvan, N. Caillas, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, S. Delage
article
2004, pp.203-206
identifiant
hal-00142304
Accès au bibtex
BibTex
titre
Analysis of hot carrier aging degradation in GaN MESFETs
auteur
R. Pierobon, F. Rampazzo, D. Pacetta, Christophe Gaquière, D. Theron, B. Boudart, G. Meneghesso, E. Zanoni
article
2004, pp.143-146
identifiant
hal-00141969
Accès au bibtex
BibTex
titre
Mesures pulsées haute température en mode DC et RF de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium haute résistivité
auteur
M. Werquin, D. Ducatteau, N. Vellas, D. Jambon, D. Theron, E. Delos, N. Caillas, Y. Cordier, Jean-Claude de Jaeger, S. Delage, Christophe Gaquière
article
GDR Grand Gap, 2004, Fréjus, France
identifiant
hal-00141965
Accès au bibtex
BibTex
titre
On-wafer high frequency noise power measurements under cryogenic conditions : a new de-embedding approach [HEMT example]
auteur
S. Delcourt, Gilles Dambrine, Nour Eddine Bourzgui, Sylvie Lepilliet, C. Laporte, J.P. Fraysse, M. Maignan
article
2004, pp.913-916
identifiant
hal-00154887
Accès au bibtex
BibTex
titre
AlGaN/GaN HEMTs : technology and microwave performances
auteur
Jean-Claude de Jaeger, N. Caillas, E. Chartier, Gilles Dambrine, S. Delage, E. Delos, D. Ducatteau, D. Floriot, Christophe Gaquière, B. Grimbert, Virginie Hoel, E. Morvan, M.A. Poisson, Michel Rousseau, D. Theron
article
RF & Hyper Europe 2004, 2004, Paris, France
identifiant
hal-00141961
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titre
RF noise and power performances of AlGaN/GaN on Si(111) substrates
auteur
A. Minko, Virginie Hoel, Gilles Dambrine, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies, H. Lahreche, L. Wedzikowski, R. Langer, P. Bove
article
2004, pp.67-70
identifiant
hal-00142303
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titre
Tiger AlGaN/GaN HEMT technology
auteur
Erwan Morvan, B. Grimbert, Virginie Hoel, N. Caillas, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Charu Dua, Raphaël Aubry, Damien Ducatteau, E. Delos, Jean-Claude de Jaeger, Sylvain Laurent Delage
article
European Microwave Week, 2004, Amsterdam, Netherlands
identifiant
hal-00141982
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titre
Current instabilities and deep level investigation on AlGaN/GaN HEMT's on silicon and sapphire substrates
auteur
N. Sghaier, N. Yacoubi, J.M. Bluet, A. Souifi, G. Guillot, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger
article
2004, pp.672-675
identifiant
hal-00154889
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titre
Amélioration des performances des HEMTs AlGaN/GaN sur substrat Si
auteur
A. Minko, Virginie Hoel, Christophe Gaquière, D. Theron, Jean-Claude de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies, H. Lareche, L. Wedzikowski, R. Langer, P. Bove
article
GDR Grand Gap, 2004, Fréjus, France
identifiant
hal-00141966
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titre
Thermal de-embedding procedure for cryogenic on-wafer high frequency noise measurement
auteur
S. Delcourt, Gilles Dambrine, Nour Eddine Bourzgui, Francois Danneville, C. Laporte, J.P. Fraysse, M. Maignan
article
2004, pp.414-421
identifiant
hal-00133897
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titre
Low frequency noise and transport mechanisms in AlGaN/GaN HEMT devices
auteur
Jean-Guy Tartarin, Geoffroy Soubercaze-Pun, Abdelali Rennane, Laurent Bary, Robert Plana, Jean-Claude de Jaeger, Marie Germain, S. Delage, Jacques Graffeuil
article
European Microwave Week, 2004, Amsterdam, Netherlands
identifiant
hal-00141963
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titre
Performances of AlGaN/GaN HEMTs in planar technology
auteur
M. Werquin, N. Vellas, Y. Guhel, D. Ducatteau, B. Boudart, J.C. Pesant, Z. Bougrioua, Marie Germain, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière
article
2004, pp.303-306
identifiant
hal-00142305
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2003

Journal articles

titre
Two-dimensional hydrodynamic model including inertia effects in carrier momentum for power millimetre-wave semi-conductor devices
auteur
Michel Rousseau, J.D. Delemer, Jean-Claude de Jaeger, F. Dessenne
article
Solid-State Electronics, 2003, 47, pp.1297-1309
identifiant
hal-00146666
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titre
Low frequency drain noise comparison of AlGaN/GaN HEMTs grown on silicon, SiC and sapphire substrates
auteur
A. Curutchet, N. Malbert, N. Touboul, Christophe Gaquière, A. Minko, M. Uren
article
Microelectronics Reliability, 2003, 43, pp.1713-1718
identifiant
hal-00146665
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titre
MBE growth of AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si (111) substrate with RF small signal and power performances
auteur
Y. Cordier, F. Semond, P. Lorenzini, N. Grandjean, F. Natali, B. Damilano, J. Massies, Virginie Hoel, A. Minko, N. Vellas, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, B. Dessertenne, S. Cassette, Et Al.
article
Journal of Crystal Growth, 2003, 251, pp.811-815
identifiant
hal-00146661
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titre
Power results at 4 GHz of AlGaN/GaN HEMTs on high resistive silicon (111) substrate
auteur
N. Vellas, Christophe Gaquière, A. Minko, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond
article
IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2003, 13, pp.255-257
identifiant
hal-00146662
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titre
Two-dimensional hydrodynamic model including inertia effects in carrier momentum for power millimeter-wave semiconductor devices
auteur
Michel Rousseau, J.D. Delemer, Jean-Claude de Jaeger, F. Dessenne
article
Solid-State Electronics, 2003, 47, pp.1297-1309
identifiant
hal-00146093
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titre
Optical properties of hexagonal boron nitride thin layers
auteur
A. Soltani, H. Bakhtiar, P. Thévenin, A. Bath
article
Jurnal Fizik UTM, 2003, 9, pp.17-25
identifiant
hal-00146670
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Conference papers

titre
Biomolecule characterizations by millimeter waves
auteur
Bertrand Bocquet, Nour Eddine Bourzgui, Yannick Guhel, Vianney Mille
article
Proceedings of the 12th European Workshop on Heterostructure Technology, heTech 03, Oct 2003, Madrid, Spain
identifiant
hal-00146390
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titre
Millimeter and sub-millimeter waves for MEMS biosensors
auteur
Bertrand Bocquet, Nour Eddine Bourzgui, Yannick Guhel
article
11" IEEE International Conference on Terahertz Electronics, THz'2003, Sep 2003, Sendai, Japan. pp.46
identifiant
hal-00146387
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titre
Etude physique des HEMTs à base de nitrure de gallium
auteur
M. Elkhou, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger
article
2003, pp.6A-1
identifiant
hal-00146667
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titre
Sub 0.1 µm – InP based HEMTs for high power and high frequency
auteur
D. Theron, F Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, F. Dessenne, R. Fauquembergue, Jean-Claude de Jaeger
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2003, 2003, Atlanta, GA, United States
identifiant
hal-00146719
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titre
Modèle hydrodynamique de transistors HEMTs pour la conception de circuits hyperfréquences
auteur
M.H. Abdool-Raheem, Christophe Dalle, Jean-Claude de Jaeger
article
2003, pp.6A-7
identifiant
hal-00146688
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titre
Optimisation des performances statiques des HEMTs AlGaN/GaN par traitement plasma
auteur
S. Touati, Virginie Hoel, A. Minko, A. Soltani, Jean-Claude de Jaeger, A. Poisson, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies
article
GDR Grand Gap, 2003, Nice, France
identifiant
hal-00146718
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titre
HEMT métamorphique pour applications de puissance en bande V : influence de la couche de barrière
auteur
B. Bonte, M. Ardouin, M. Zaknoune, D. Theron, Y. Cordier, S. Bollaert, Jean-Claude de Jaeger
article
2003, pp.4A2-2
identifiant
hal-00146696
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titre
Optimisation des performances du transistor HEMT AlGaN/GaN sur substrat Si
auteur
A. Minko, Virginie Hoel, D. Theron, Jean-Claude de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies
article
GDR Grand Gap, 2003, Nice, France
identifiant
hal-00146717
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titre
Management thermique des transistors HEMT AlGaN/GaN
auteur
Raphaël Aubry, N. Caillas, C. Dua, H. Gerard, B. Dessertene, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Yvon Cordier, Didier Floriot, Jean-Claude de Jaeger, Sylvain Laurent Delage
article
GDR Grand Gap, 2003, Nice, France
identifiant
hal-00146694
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titre
Résonateurs coplanaires supraconducteurs YBaCuO
auteur
Yannick Roelens, Nour Eddine Bourzgui, Jean-Claude Carru
article
Actes de TELECOM 03 et 3èmes Journées Franco-Maghrébines des Microondes et leurs Applications, JFMMA 2003, 2003, Marrakech, Maroc
identifiant
hal-00146029
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titre
Premiers résultats de puissance à 4 GHz obtenus sur HEMTs AlGaN/GaN en technologie planar
auteur
N. Vellas, Y. Guhel, Christophe Gaquière, B. Boudart, J.C. Pesant, Z. Bougrioua, Marie Germain, Jean-Claude de Jaeger
article
2003, pp.4A2-1
identifiant
hal-00146692
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titre
Low frequency noise behaviour in AlGaN/GaN HEMT's
auteur
Abdelali Rennane, Laurent Bary, Jean-Guy Tartarin, Y. Guhel, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, Z. Bougrioua, S. Delage, Jacques Graffeuil, Robert Plana
article
12th European Workshop on Heterostructure Technology, heTech 2003, 2003, San Rafael, Spain
identifiant
hal-00146693
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titre
Optimisation des HEMTs AlGaN/GaN/Si
auteur
A. Minko, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies
article
2003, pp.1D-12
identifiant
hal-00146697
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titre
Etude physique du phénomène de claquage par avalanche dans les transistors à effet de champ
auteur
M. Elkhou, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger
article
2003, pp.2D-21
identifiant
hal-00146663
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titre
Low-frequency drain noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate
auteur
N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, A. Touboul, Christophe Gaquière, A. Minko
article
2003, pp.342-349
identifiant
hal-00162738
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titre
HEMT technology for power applications at 94 GHz and above
auteur
F Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, F. Dessenne, Jean-Claude de Jaeger, D. Theron
article
12th European Workshop on Heterostructure Technology, heTech 2003, 2003, San Rafael, Spain
identifiant
hal-00146695
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titre
LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide
auteur
Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Maurice Tordjman, A. Romann, M. Magis, Raphaël Aubry, Sylvain Laurent Delage, J. Di Persio, B. Grimbert, Christophe Gaquière
article
Proceedings of the Fifth International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-5, 2003, Nara, Japan
identifiant
hal-00146685
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titre
Improvement of conductivity and breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMT structures in passivation experiments
auteur
S. Shapoval, V. Gurtovoi, A. Kovalchuk, L. Eastman, A. Vertjachih, Christophe Gaquière, D. Theron
article
2003, pp.90-93
identifiant
hal-00149939
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titre
Influence d'une passivation précédée d'un traitement de surface sur le comportement électrique en régime statique d'un HEMT AlGaN/GaN
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, Christophe Gaquière, E. Delos, D. Ducatteau, Z. Bougrioua, Marie Germain, Jean-Claude de Jaeger
article
2003, pp.1D-11
identifiant
hal-00146690
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titre
Gallium nitride activity at TIGER
auteur
S. Delage, C. Brylinski, Jean-Claude de Jaeger
article
CEPA2 Microelectronics Workshop, 2003, Gothenburg, Sweden
identifiant
hal-00146713
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titre
ANN model for AlGaN/GaN HEMTs constructed from near-optimal-load large-signal measurements
auteur
D. Schreurs, J. Verspecht, E. Vandamme, N. Vellas, Christophe Gaquière, Marie Germain, G. Borghs
article
2003, pp.447-450
identifiant
hal-00162739
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titre
Caractérisations micro-ondes par résonateurs coplanaires des films supraconducteurs en YBaCuO déposés par coévaporation thermique
auteur
D. Seron, H. Kokabi, Georges Alquié, Yannick Roelens, Nour Eddine Bourzgui, Jean-Claude Carru
article
Optique Hertzienne et Diélectrique, OHD 2003, 2003, Calais, France
identifiant
hal-00146018
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titre
Analyse par micro-biosystème hyperfréquence
auteur
Nour Eddine Bourzgui, Yannick Guhel, Vianney Mille, Bertrand Bocquet
article
Actes de Optique Hertzienne et Dielectrique, OHD 2003, 2003, Calais, France
identifiant
hal-00146389
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titre
Evolution de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à différentes températures
auteur
B. Boudart, Jean-François Llibre, D. Briand, Boubekeur Tala-Ighil, H. Toutah, Yannick Guhel, Jean-Claude de Jaeger, Z. Bougrioua, Marianne Germain, Ingrid Moerman
article
13es Journées Nationales Microondes, 2003, Lille, France
identifiant
hal-01654259
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titre
Analyse du bruit basses fréquences du courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium et saphir
auteur
A. Curutchet, N. Malbert, N. Labat, A. Touboul, Christophe Gaquière, M. Uren
article
2003, pp.1D-7
identifiant
hal-00146664
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BibTex
titre
Evolutions de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à différentes températures
auteur
B. Boudart, Jean-François Llibre, D. Briand, B. Tala-Ighil, H. Toutah, Y. Guhel, Jean-Claude de Jaeger, Z. Bougrioua, Marie Germain, I. Moerman
article
2003, pp.1D-10
identifiant
hal-00146659
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BibTex
titre
Behavioural model for AlGaN/GaN HEMT's on sapphire and SiC constructed from multi-bias signal measurements
auteur
D. Schreus, N. Vellas, Christophe Gaquière, Marie Germain, G. Borghs
article
27th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2003, 2003, Fürigen, Switzerland
identifiant
hal-00146689
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titre
Influence de la température sur les caractéristiques pulsées statiques et hyperfréquences des HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium résistif (111)
auteur
M. Werquin, Christophe Gaquière, N. Vellas, E. Delos, D. Ducatteau, Y. Cordier, S. Delage, Jean-Claude de Jaeger
article
2003, pp.1D-13
identifiant
hal-00146691
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2002

Journal articles

titre
‘Effects of high temperature on the electrical behaviour of AlGaN/GaN HEMTs’
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, Virginie Hoel, M. Werquin, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, M. A. Poisson, I. Daumiller, E. Kohn
article
Microwave and Optical Technology Letters, 2002, 34, pp.4-6. ⟨10.1002/mop.10355⟩
identifiant
hal-02936050
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titre
High-power AlGaN/GaN HEMTs on resistive silicon substrate
auteur
Virginie Hoel, N. Vellas, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies
article
Electronics Letters, 2002, 38, pp.750-752
identifiant
hal-00149694
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titre
Effects of high temperature on the electrical behavior of AlGaN/GaN HEMTs
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, Virginie Hoel, M. Werquin, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, M.A. Poisson, I. Daumiller, E. Kohn
article
Microwave and Optical Technology Letters, 2002, 34, pp.4-6
identifiant
hal-00149695
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titre
Load impedance influence of the IDD(VDS) characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in large signal regime at 4 GHz
auteur
Nicolas Vellas, Christophe Gaquière, Frédéric Bue-Erkmen, Yannick Guhel, B. Boudart, Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, Jean-Claude de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, 2002, 23, pp.246-249
identifiant
hal-00149699
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BibTex
titre
The GaN yellow luminescence centre observed using optoelectronic modulation spectroscopy
auteur
C.H. Chiu, F. Omnes, Christophe Gaquière, P. Gibart, J.G. Swanson
article
Journal of Physics D: Applied Physics, 2002, 35, pp.609-614
identifiant
hal-00250398
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BibTex
titre
High linearity performance of gallium nitride HEMT devices on silicon substrate at 4 GHz
auteur
Nicolas Vellas, Christophe Gaquière, Yannick Guhel, Matthieu Werquin, Frédéric Bue-Erkmen, Sylvain Laurent Delage, B. Boudart, Fabrice Semond, Jean-Claude de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, 2002, 23 (8), pp.461-463. ⟨10.1109/LED.2002.801328⟩
identifiant
hal-00149698
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BibTex
titre
Influence of annealing treatments on the physical properties of c-BN films synthesized by IBAD technique
auteur
M. A. Djouadi, A. Soltani, P. Thévenin, A. Bath, G. Nouet
article
Advanced Engineering Materials, 2002, 4, pp.616-619
identifiant
hal-00149702
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Conference papers

titre
Complete microwave characterization at 36 GHz of YbaCuO thin films deposited on MgO substrates. Influence of the substrate preparation
auteur
M. Achani, Nour Eddine Bourzgui, Jean-Claude Carru, A.F. Degardin, Aurélie Gensbittel, A.J. Kreisler
article
5th European Workshop on Low Temperature Electronics, WOLTE 5, Jun 2002, Grenoble, France. pp.187-190
identifiant
hal-00250388
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BibTex
titre
Large signal behaviour of gallium nitride based HEMT's devices
auteur
Christophe Gaquière, Raphaël Aubry, Yannick Guhel, A. Minko, Nicolas Vellas, Matthieu Werquin, B. Boudart, Simone Cassette, Yvon Cordier, Sylvain Laurent Delage, E. Delos, Jean-Claude de Jaeger, Damien Ducatteau, H. Gerard
article
25th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2002, 2002, Chermogolovska, Russia
identifiant
hal-00149730
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BibTex
titre
Reliability of GaN based devices
auteur
G. Meneghesso, Christophe Gaquière, E. Zanoni
article
Proceedings of the 2002 European Microwave Week, 2002, Milano, Italy
identifiant
hal-00149728
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titre
Isolation de transistors dans la filière nitrure de gallium par implantation d'argon
auteur
Y. Guhel, J.C. Pesant, Jean-Claude de Jaeger, B. Boudart, P. Dhamelincourt, M.A. Poisson
article
9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, Saint Aigulf, France
identifiant
hal-00149716
Accès au bibtex
BibTex
titre
MBE growth of high quality AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si(111) substrate with RF small signal and power performances
auteur
Y. Cordier, F. Semond, P. Lorenzini, N. Grandjean, F. Natali, B. Damilano, J. Massies, Virginie Hoel, A. Minko, N. Vellas, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, B. Dessertenne, S. Cassette, Et Al.
article
2002, pp.99-100
identifiant
hal-00149696
Accès au bibtex
BibTex
titre
AlGaN/GaN HEMT for RF power applications
auteur
Jean-Claude de Jaeger, Z. Bougria, S. Cassette, E. Chartier, Y. Cordier, Gilles Dambrine, E. Delos, M.A. Poisson, S. Delage, B. Dessertenne, D. Ducatteau, M. Elkhou, D. Floriot, Christophe Gaquière, Et Al.
article
10th European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium, GAAS 2002, 2002, Milano, Italy
identifiant
hal-00149736
Accès au bibtex
BibTex
titre
AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si(111) substrate : from material assessment to RF power performances
auteur
Y. Cordier, F. Semond, P. Lorenzini, N. Grandjean, F. Natali, B. Damilano, J. Massies, Virginie Hoel, A. Minko, N. Vellas, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, B. Dessertenne, S. Cassette, Et Al.
article
2002, pp.61-64
identifiant
hal-00149701
Accès au bibtex
BibTex
titre
Nonlinear distortion analysis of Ka band MMIC's under single tone, two tone and NPR excitations
auteur
Christophe Gaquière, D. Ducatteau, P. Delemotte, Y. Crosnier, S. Tranchant, B. Carnez
article
2002, pp.229-231
identifiant
hal-00149712
Accès au bibtex
BibTex
titre
Etude des contacts ohmiques et Schottky sur nitrure de gallium pour composants à effets de champ
auteur
Christophe Gaquière, Raphaël Aubry, Yannick Guhel, A. Minko, Nicolas Vellas, Matthieu Werquin, B. Boudart, Simone Cassette, Yvon Cordier, Sylvain Laurent Delage, E. Delos, Jean-Claude de Jaeger, Damien Ducatteau, H. Gerard
article
GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France
identifiant
hal-00149717
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BibTex
titre
La filière GaN pour les applications hyperfréquences
auteur
Christophe Gaquière, Raphaël Aubry, Yannick Guhel, A. Minko, Nicolas Vellas, Matthieu Werquin, B. Boudart, Zahia Bougrioua, Simone Cassette, Yvon Cordier, Sylvain Laurent Delage, E. Delos, Jean-Claude de Jaeger, Damien Ducatteau
article
9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, Saint Aygulf, France
identifiant
hal-00149734
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BibTex
titre
Impédance de surface, profondeur de pénétration à 36 GHz de films minces supraconducteurs d'YbaCuO. Corrélation avec la microstructure
auteur
M. Achani, Nour Eddine Bourzgui, Jean-Claude Carru, A.F. Degardin, Aurélie Gensbittel, A.J. Kreisler
article
7èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM 2002, 2002, Toulouse, France
identifiant
hal-00250389
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BibTex
titre
Détermination de caractéristiques I(V) en régime dynamique grand signal de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur substrat saphir
auteur
N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, B. Boudart, D. Ducatteau, E. Delos, M.A. Poisson, Jean-Claude de Jaeger
article
3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, 2002, La Plagne, France
identifiant
hal-00149715
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BibTex
titre
Mise en évidence des effets de pièges sur le comportement électrique de transistors HEMT's AlGaN/GaN pour les applications hyperfréquences à haute linéarité
auteur
M. Werquin, Christophe Gaquière, Y. Guhel, N. Vellas, A. Minko, Virginie Hoel, D. Ducatteau, E. Delos, M.A. Poisson, F. Semond, Jean-Claude de Jaeger
article
GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France
identifiant
hal-00149739
Accès au bibtex
BibTex
titre
Analyse physique des HEMTs à base de nitrure de gallium
auteur
M. Elkhou, Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger
article
GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France
identifiant
hal-00149718
Accès au bibtex
BibTex
titre
Influence of recess extension on double heterostructure metamorphic HEMT for power application at 60 GHz
auteur
M. Ardouin, B. Bonte, M. Zaknoune, D. Theron, Y. Cordier, S. Bollaert, Jean-Claude de Jaeger
article
2002, pp.165-168
identifiant
hal-00149697
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BibTex
titre
High power performances of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate at F=4 GHz
auteur
N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, M. Werquin, D. Ducatteau, B. Boudart, Jean-Claude de Jaeger, Z. Bougrioua, Marie Germain, M. Leys, I. Moervan, S. Borghs
article
2002, 4 pp
identifiant
hal-00149700
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BibTex
titre
Caractérisation de transistors à effet de champ à base de GaN
auteur
Christophe Gaquière, Raphaël Aubry, Yannick Guhel, A. Minko, Nicolas Vellas, Matthieu Werquin, B. Boudart, Simone Cassette, Yvon Cordier, Sylvain Laurent Delage, E. Delos, Jean-Claude de Jaeger, Damien Ducatteau, H. Gerard
article
3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, 2002, La Plagne, France
identifiant
hal-00149714
Accès au bibtex
BibTex
titre
AlInAs/GaInAs HEMTs for power amplification at 60 GHz
auteur
M. Zaknoune, X. Wallart, F Medjdoub, M. Ardouin, B. Bonte, D. Theron, Jean-Claude de Jaeger
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2002, 2002, Austin, TX, United States
identifiant
hal-00149711
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titre
Mise en évidence des effets de pièges sur le comportement électrique de composants HEMTs dans la filière nitrure de gallium
auteur
M. Werquin, Christophe Gaquière, Y. Guhel, A. Minko, Virginie Hoel, D. Ducatteau, E. Delos, M.A. Poisson, F. Semond, Jean-Claude de Jaeger
article
3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Elements III, 2002, La Plagne, France
identifiant
hal-00149733
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titre
Les transistors à effet de champ pour l'amplification de puissance microonde : état de l'art et perspectives
auteur
Jean-Claude de Jaeger
article
5èmes Journées Microondes et Electromagnétisme, JMET 2002, 2002, Toulouse, France
identifiant
hal-00149737
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titre
Monte Carlo study of the breakdown of an AlInAs/GaInAs HEMT on InP with an InP etch stop layer
auteur
F Medjdoub, D. Theron, F. Dessenne, R. Fauquembergue, Jean-Claude de Jaeger
article
2002, pp.57-62
identifiant
hal-00149710
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titre
Improvement of performance at 60 GHz of metamorphic HEMT on GaAs using double recess technology
auteur
M. Ardouin, B. Bonte, M. Zaknoune, Y. Cordier, S. Bollaert, D. Theron, Jean-Claude de Jaeger
article
25th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2002, 2002, Chernogolovka, Russia
identifiant
hal-00149713
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titre
Etude expérimentale de résonateurs coplanaires supraconducteurs YBaCuO
auteur
Yannick Roelens, M. Achani, Nour Eddine Bourzgui, Jean-Claude Carru
article
7èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM 2002, 2002, Toulouse, France
identifiant
hal-00147858
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titre
Performance à 60 GHz de HEMTs métamorphiques sur GaAs utilisant une technologie à double recess
auteur
M. Zaknoune, M. Ardouin, B. Bonte, Y. Cordier, S. Bollaert, D. Theron, Jean-Claude de Jaeger
article
9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, Saint Aigulf, France
identifiant
hal-00149738
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titre
Mise en évidence des effets de pièges en régime dynamique grand signal (F = 4 GHz)
auteur
N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, M. Werquin, B. Boudart, D. Ducatteau, E. Delos, M.A. Poisson, Jean-Claude de Jaeger
article
GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France
identifiant
hal-00149720
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2001

Journal articles

titre
Static measurements of GaN MESFETs on (111) Si substrates
auteur
Virginie Hoel, Y. Guhel, B. Boudart, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, H. Lahreche, P. Gibart
article
Electronics Letters, 2001, 37 (17), pp.1095 - 1096. ⟨10.1049/el:20010740⟩
identifiant
hal-02936047
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titre
Enhancement-mode Al0.66InO.34As/Ga0.67In0.33As metamorphic HEMT : modeling and measurement
auteur
Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, Christophe Gaquière, Michel Rousseau, Yvon Cordier, Didier Theron, Jean-Claude de Jaeger
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 2001, 48 (6), pp.1037-1044. ⟨10.1109/16.925223⟩
identifiant
hal-00152595
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titre
Electrical effects of SiNx deposition on GaN MESFETs
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, Y. Guhel, Jean-Claude de Jaeger, M.A. Poisson
article
Electronics Letters, 2001, 37 (8), pp.527 - 528. ⟨10.1049/el:20010324⟩
identifiant
hal-02936046
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titre
Physical properties of cubic boron nitride films synthesized by PVD using a bi-step process
auteur
M. A. Djouadi, O. Banakh, A. Soltani, R. Sanjines, F. Levy
article
Thin Solid Films, 2001, 398-399, pp.205-209
identifiant
hal-00152633
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titre
Investigation of the optical and electro-optical (EO) properties of hexagonal boron nitride thin fims deposited by PECVD technique
auteur
A. El Yadouni, A. Soltani, P. Thevenin, A. Bougrioua, A. Bath, J.C. Loulergue
article
Optical Materials, 2001, 17, pp.319-322
identifiant
hal-00152600
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titre
Ionizing radiation study in submicron MOS structures by bipolar operation
auteur
H. Bakhtiar, C. Picard, A. Soltani, A. Hoffmann, P. Mialhe, J.P. Charles
article
ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2001, 9, pp.9-21
identifiant
hal-00152601
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titre
Parameter extraction and geometry effects on the electronic properties of submicron MOS transistors
auteur
H. Bakhtiar, A. Soltani, A. Hoffmann, J.P. Charles
article
Jurnal Fizik UTM, 2001, 8, pp.1-22
identifiant
hal-00152635
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titre
Formation and characterisation of c-BN thin films deposited by microwave PECVD
auteur
A. Soltani, P. Thevenin, A. Bath
article
Diamond and Related Materials, 2001, 10, pp.1369-1374
identifiant
hal-00152598
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titre
Static measurements of GaN MESFETs on (111) Si substrates
auteur
Virginie Hoel, Y. Guhel, B. Boudart, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, H. Lahreche, P. Gibart
article
Electronics Letters, 2001, 37, pp.1095-1096
identifiant
hal-00152620
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titre
Synthesis of hexagonal boron nitride thin films by a plasma assisted chemical vapour deposition method
auteur
P. Thevenin, A. Soltani, A. Bath
article
Journal de Physique IV Proceedings, 2001, 11, pp.803-810
identifiant
hal-00152634
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titre
Optical properties of boron nitride thin films deposited by microwave PECVD
auteur
A. Soltani, P. Thevenin, A. Bath
article
Materials Science and Engineering: B, 2001, B82, pp.170-172
identifiant
hal-00152599
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titre
2D-hydrodynamic energy model including breakdown phenomenon for power field effect transistor
auteur
Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger
article
VLSI Systems Design, 2001, 13, pp.323-328
identifiant
hal-00152593
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titre
Electrical effects of SiNX deposition on GaN MESFETs
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, Y. Guhel, Jean-Claude de Jaeger, M.A. Poisson
article
Electronics Letters, 2001, 37, pp.527-528
identifiant
hal-00152596
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titre
Current instabilities in GaN-based devices
auteur
I. Daumiller, Didier Theron, Christophe Gaquière, A. Vescan, R. Dietriech, A. Wieszt, H. Leier, R. Vetury, U.K. Mishra, I.P. Schmorkova, S. Keller, N.X. Nguyen, Cong Tu Nguyen, E. Kohn
article
IEEE Electron Device Letters, 2001, 22, pp.62-64
identifiant
hal-00152597
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Conference papers

titre
60 GHz 420 mW/mm low gate current GaInAs/InP composite channel HEMT on InP substrate
auteur
Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, X. Wallart, Didier Theron, Jean-Claude de Jaeger
article
XXV Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2001, May 2001, Cagliari, Sardinia, Italy
identifiant
hal-00152631
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titre
Influence du dopage dans les transistors HEMT à canal composite pour amplification de puissance en ondes millimétriques
auteur
Didier Theron, Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, X. Wallart, Jean-Claude de Jaeger
article
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, May 2001, Poitiers, France
identifiant
hal-00152653
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titre
Modélisation de HEMTs double puits pour l'intermodulation en bande Ka
auteur
Frédéric Bue-Erkmen, Christophe Gaquière, Pascal Delemotte, X. Hue, B. Boudart, Yves Crosnier
article
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, May 2001, Poitiers, France
identifiant
hal-00152655
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titre
Système de mesure NPR pour caractérisation non linéaire de transistors et circuits en bande Ka
auteur
Pascal Delemotte, Frédéric Bue-Erkmen, Christophe Gaquière, Yves Crosnier
article
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, May 2001, Poitiers, France
identifiant
hal-00152656
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titre
A 60 GHz high power composite channel GaInAs/InP HEMT on InP substrate with Lg=0.15 µm
auteur
Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, X. Wallart, Didier Theron, Jean-Claude de Jaeger
article
Conference Proceedings. 2001 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. 13th IPRM, May 2001, Nara, Japan. pp.196-199, ⟨10.1109/ICIPRM.2001.929091⟩
identifiant
hal-00152622
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titre
Performances en puissance à 60 GHz du HEMT à canal composite GaInAs/InP sur substrat InP avec LG = 0.15 µm
auteur
Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, X. Wallart, Didier Theron, Jean-Claude de Jaeger
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, Jan 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152915
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titre
Etude physique du phénomène de claquage dans les transistors à effet de champ à hétérojonctions
auteur
Michel Rousseau, M. Elkhou, Jean-Claude de Jaeger
article
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France
identifiant
hal-00152652
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titre
Détermination de caractéristiques I(V) en régime dynamique grand signal de transistors HEMTs AlGaN/GaN
auteur
N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, B. Boudart, E. Delos, Jean-Claude de Jaeger
article
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France
identifiant
hal-00152654
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titre
Premiers résultats de MESFET's GaN réalisés sur substrat slicium (111)
auteur
Virginie Hoel, Y. Guhel, B. Boudart, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, H. Lahreche, P. Gibart
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152908
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titre
Comportement électrique à haute température de transistors HEMT's AlGaN/GaN
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, Virginie Hoel, M. Werquin, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, M.A. Poisson, I. Daumiller, E. Kohn
article
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France
identifiant
hal-00152651
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titre
Etude de HEMTs sur GaN
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, Y. Guhel, Virginie Hoel, N. Vellas, M. Werquin, Jean-Claude de Jaeger
article
GDR Matériaux Grand Gap, 2001, Grenoble, France
identifiant
hal-00152669
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titre
Characterisation of GaN FETs under pulsed conditions : DC and RF measurements from room temperature up to 250°C
auteur
D. Theron, Christophe Gaquière, N. Vellas, B. Boudart, Y. Guhel, Jean-Claude de Jaeger
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2001, 2001, New Orleans, LA, United States
identifiant
hal-00152673
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titre
Effect of the load impedance on the power performance at 4 GHz
auteur
Christophe Gaquière, Nicolas Vellas, Frédéric Bue-Erkmen, Yannick Guhel, B. Boudart, Jean-Claude de Jaeger
article
11th European Heterostrucrure Technology Workshop, HETECH 01, 2001, Padova, Italy
identifiant
hal-00152678
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BibTex
titre
HEMT structures and technology on GaAs and InP for power amplification in millimeter wave range
auteur
D. Theron, Y. Cordier, X. Wallart, S. Bollaert, M. Zaknoune, B. Bonte, Christophe Gaquière, Michel Rousseau, F. Mollot, A. Cappy, R. Fauquembergue, Jean-Claude de Jaeger
article
2001, pp.53-56
identifiant
hal-00152625
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BibTex
titre
Etude de gravure sèche en vue de réaliser un recess de grille de HEMTs sur GaN
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, M.A. Poisson, Jean-Claude de Jaeger
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152672
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titre
NPR comparative study of MMICs and related pHEMT at 26 GHz
auteur
Pascal Delemotte, Frédéric Bue-Erkmen, Christophe Gaquière, Yves Crosnier, Sylvie Tranchant, Bernard Carnez
article
31st European Microwave Association, 2001, London, United Kingdom. pp.527-530
identifiant
hal-00152623
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titre
High performance AlGaN/GaN HEMTs on a resistive silicon substrate
auteur
Virginie Hoel, Y. Guhel, N. Vellas, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies
article
11th European Heterostrucrure Technology Workshop, HETECH 01, 2001, Padova, Italy
identifiant
hal-00152670
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BibTex
titre
Passivation de MESFET's sur GaN
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, Y. Guhel, F. Omnes, Jean-Claude de Jaeger
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152909
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BibTex
titre
ECR-silicon nitride passivation of III-V transistors
auteur
S. Shapoval, V. Gurtovoi, A. Kovalchuk, Christophe Gaquière
article
XXV Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2001, 2001, Cagliari, Sardinia, Italy
identifiant
hal-00152674
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BibTex
titre
Transistors à effet de champ basés sur les filières GaAs et InP pour l'amplification de puissance
auteur
Jean-Claude de Jaeger
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152906
Accès au bibtex
BibTex
titre
Etude des contacts ohmiques de HEMTs dans la filière GaN
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, T. Heim, N. Grandjean, F. Omnes, Jean-Claude de Jaeger
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152671
Accès au bibtex
BibTex
titre
Etude de l'effet de la topologie sur l'ionisation par impact à l'aide de mesures d'électroluminescence
auteur
Christophe Gaquière, B. Boudart, P.A. Dhamelincourt
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152675
Accès au bibtex
BibTex
titre
Calibrated linear and nonlinear pulsed RF measurements on an amplifier
auteur
P. Vael, Y. Rolain, Christophe Gaquière, H. Gerard
article
2001, pp.2187-2190
identifiant
hal-00152624
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Other publications

titre
Contribution à la caractérisation de transistors à effet de champ hyperfréquences pour l'amplification de puissance
auteur
Christophe Gaquière
article
2001
identifiant
hal-00152907
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2000

Journal articles

titre
Enhancement mode metamorphic In0.33Al0.67As/In0.34Ga0.66As HEMT on GaAs substrate with high breakdown voltage
auteur
Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, Yvon Cordier, Didier Theron, Jean-Claude de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, 2000, 21 (11), pp.512-514. ⟨10.1109/55.877193⟩
identifiant
hal-00158983
Accès au bibtex
BibTex
titre
Effects on linearity in Ka band of single or double recess PHEMTs
auteur
Christophe Gaquière, Frédéric Bue-Erkmen, Pascal Delemotte, Yves Crosnier, Bernard Carnez, D. Pons
article
IEEE Microwave and Guided Wave Letters, 2000, 10 (7), pp.267-269. ⟨10.1109/75.856984⟩
identifiant
hal-00158980
Accès au bibtex
BibTex
titre
Raman characterization of GaN synthetised by N implantation in GaAs substrate
auteur
B. Boudart, J.C. Pesant, Jean-Claude de Jaeger, P.A. Dhamelincourt
article
Journal of Raman Spectroscopy, 2000, 31, pp.615-618
identifiant
hal-00158978
Accès au bibtex
BibTex
titre
High power GaN MESFET's on sapphire substrate
auteur
Christophe Gaquière, S. Trassaert, B. Boudart, D. Theron, Y. Crosnier
article
IEEE Microwave and Guided Wave Letters, 2000, 10, pp.19-20
identifiant
hal-00158979
Accès au bibtex
BibTex
titre
Spatial mapping of electroluminescence due to impact ionization effect in high electron mobility transistors
auteur
Christophe Gaquière, B. Boudart, P.A. Dhamlincourt
article
Applied Spectroscopy, 2000, 54, pp.1423-1428
identifiant
hal-00158981
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BibTex

Conference papers

titre
Enhancement-mode metamorphic Al0.67In0.33As/Ga0.66In0.34 HEMT on GaAs substrate
auteur
Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, Yvon Cordier, Didier Theron, Jean-Claude de Jaeger
article
The Fourth International Conference of the Learning Sciences, Jun 2000, Ann Arbor, MI, United States. pp.IV-7, IV-8
identifiant
hal-00159007
Accès au bibtex
BibTex
titre
HEMT structures on GaAs or InP substrates for millimeter wave power amplification
auteur
Didier Theron, Yvon Cordier, X. Wallart, S. Bollaert, Mohammed Zaknoune, Mustafa Boudrissa, Bertrand Bonte, Christophe Gaquière, Francis Mollot, A. Cappy, R. Fauquembergue, Jean-Claude de Jaeger
article
24th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE'2000, May 2000, Aegean Sea, Greece
identifiant
hal-00159030
Accès au bibtex
BibTex
titre
GaN MESFETs for power and high temperature applications
auteur
B. Boudart, S. Trassaert, Christophe Gaquière, D. Theron, Y. Crosnier, François Huet, M.A. Poisson, I. Daumiller, E. Kohn
article
NearEst Miniworkshop on Advances in the Wide Bandgap Electronics and Opto-Electronics, 2000, Padova, Italy
identifiant
hal-00159032
Accès au bibtex
BibTex
titre
Dry etching for gate recessing on AlGaN/GaN HEMTs
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, M.A. Poisson, Jean-Claude de Jaeger
article
10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000, 2000, Ulm, Germany
identifiant
hal-00159034
Accès au bibtex
BibTex
titre
Deep traps related effects in GaN MESFET's grown on saphire substrate
auteur
A. Chini, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Manfredi, M. Pavesi, B. Boudart, Christophe Gaquière
article
10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000, 2000, Ulm, Germany
identifiant
hal-00159037
Accès au bibtex
BibTex
titre
Caractérisations RF, microondes et millimétriques de films supraconducteurs YbaCuO
auteur
M. Achani, Nour Eddine Bourzgui, Jean-Claude Carru, A. Dégardin, A. Kreisler
article
6èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM 2000, 2000, Paris, France
identifiant
hal-00250451
Accès au bibtex
BibTex
titre
2D hydrodynamic energy model including breakdown phenomen for power field effect transistors
auteur
Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger
article
2000, pp.110-111
identifiant
hal-00158998
Accès au bibtex
BibTex
titre
Influence of recess and epilayers in the 26-40 GHz band HEMT's intermodulation
auteur
Frédéric Bue-Erkmen, Christophe Gaquière, X. Hue, B. Boudart, Yves Crosnier, Jean-Claude de Jaeger, Bernard Carnez, D. Pons
article
30th European Microwave Conferences, 2000, Paris, France. pp.102-104
identifiant
hal-00158996
Accès au bibtex
BibTex
titre
Investigation of FET's avalanche breakdown phenomenon by means of a 2 D hydrodynamic energy model
auteur
Michel Rousseau, M. El Khou, Jean-Claude de Jaeger
article
12th III-V Semiconductor Device Simulation Workshop, 2000, Duisburg, Germany
identifiant
hal-00159028
Accès au bibtex
BibTex
titre
Intermodulation load pull measurement in the 26-40 GHz bandwidth
auteur
Christophe Gaquière, Frédéric Bue-Erkmen, Pascal Delemotte, Yves Crosnier
article
30th European Microwave Week, 2000, Paris, France
identifiant
hal-00159051
Accès au bibtex
BibTex
titre
Gate ionization current of an enhancement-mode metamorphic Al0.67In0.33As/Ga0.66In0.34As HEMT on GaAs substrate
auteur
Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, Yvon Cordier, Didier Theron, Jean-Claude de Jaeger
article
30th European Microwave Conferences, 2000, Paris, France. pp.90-93
identifiant
hal-00159006
Accès au bibtex
BibTex
titre
Diagnosis of trapping phenomena in GaN MESFET's
auteur
G. Meneghesso, A. Chini, E. Zanoni, M. Manfredi, M. Pavesi, B. Boudart, Christophe Gaquière
article
2000, pp.389-392
identifiant
hal-00159002
Accès au bibtex
BibTex
titre
Silicon nitride passivation on GaN MESFET's
auteur
Christophe Gaquière, B. Boudart, R. Amokrane, Y. Guhel, Y. Crosnier, Jean-Claude de Jaeger, F. Omnes
article
2000, pp.VIII-11, VIII-12
identifiant
hal-00159001
Accès au bibtex
BibTex
titre
First results of GaN MESFET's realized on (111) Si
auteur
Virginie Hoel, Y. Guhel, B. Boudart, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, H. Lahreche, P. Gibart
article
10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000, 2000, Ulm, Germany
identifiant
hal-00159036
Accès au bibtex
BibTex
titre
RF power MISFET's using thin LT GaAs as a passivator
auteur
D. Theron, B. Boudart, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2000, 2000, San Diego, CA, United States
identifiant
hal-00159031
Accès au bibtex
BibTex
titre
Ohmic contacts studies on AlGaN/GaN HEMTs
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, T. Heim, N. Grandjean, F. Omnes, Jean-Claude de Jaeger
article
10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000, 2000, Ulm, Germany
identifiant
hal-00159035
Accès au bibtex
BibTex

1999

Journal articles

titre
Raman characterization of SiNx deposition on undoped Ga0.47In0.53As material grown on InP substrate
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, M. Constant, A. Lorriaux, N. Lefebvre
article
Journal of Raman Spectroscopy, 1999, 30 (8), pp.715 - 719. ⟨10.1002/(SICI)1097-4555(199908)30:8<715::AID-JRS439>3.0.CO;2-T⟩
identifiant
hal-01647799
Accès au bibtex
BibTex
titre
Raman characterization of SiNx deposition on undoped Al0.48In0.52As and n+ Ga0.47In0.53As layers for InP high electron mobility transistor applications
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, S. Trassaert, M. Constant, A. Lorriaux, N. Lefebvre
article
Applied Physics Letters, 1999, 74 (21), pp.3221 - 3223. ⟨10.1063/1.124111⟩
identifiant
hal-01646787
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titre
Trap effects studies in GaN MESFETs by pulsed measurements
auteur
S. Trassaert, B. Boudart, Christophe Gaquière, Didier Theron, Y. Crosnier, F. Huet, M.A. Poisson
article
Electronics Letters, 1999, 35 (16), ⟨10.1049/el:19990887⟩
identifiant
hal-01647642
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Conference papers

titre
Pulsed measurements of GaN MESFET
auteur
B. Boudart, S. Trassaert, Christophe Gaquière, Didier Theron, Y. Crosnier, Fabrice Huet, M.A. Poisson
article
GAAS 99, 1999, Munich, Germany
identifiant
hal-01649413
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titre
Large signal and pulse instabilities in GaN HFETs
auteur
Erhard Kohn, E Strobel, I. Daumiller, Christophe Gaquière, B. Boudart, Didier Theron, N.X. Nguyen, C.N. Nguyen
article
1st Gallium Nitride Electronic Device Workshop, 1999, Cornell, United States
identifiant
hal-01654323
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1997

Journal articles

titre
Gate current analysis of LT-GaAs passivated MESFETs
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, Didier Theron
article
Electronics Letters, 1997, 33 (17), ⟨10.1049/el:19971002⟩
identifiant
hal-01647646
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Conference papers

titre
Analysis of the frequency dispersion of the transconductance in recessed and unrecessed low temperature GaAs FET’s
auteur
Didier Theron, B. Boudart, Christophe Gaquière, Georges Salmer, M. Lipka, B. Splingart, Erhard Kohn
article
Workshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO), 1997, Londres, United Kingdom
identifiant
hal-01654293
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titre
Analysis of the frequency dispersion of the transconductance in recessed and unrecessed low temperature GaAs FETs
auteur
Didier Theron, B. Boudart, Christophe Gaquière, Georges Salmer, M. Lipka, B. Splingart, Erhard Kohn
article
IEEE Workshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1997, londres, United Kingdom
identifiant
hal-01649377
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titre
Characterisation of LT GaAs FET’s as a function of the temperature
auteur
Didier Theron, B. Boudart, Christophe Gaquière, Georges Salmer, M. Lipka, B. Splingart, Erhard Kohn
article
IEEE Workshop Experimentally based FET device modelling & Related nonlinear circuit design, 1997, Kassel, Germany
identifiant
hal-01648141
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1996

Journal articles

titre
Small- and large-signal measurements of low-temperature GaAs FETs
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, S. Trassaert, Didier Theron, B. Splingart, M. Lipka, E. Kohn
article
Microwave and Optical Technology Letters, 1996, 12 (2), pp.57 - 59. ⟨10.1002/(SICI)1098-2760(19960605)12:2<57::AID-MOP2>3.0.CO;2-M⟩
identifiant
hal-01647683
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Conference papers

titre
LT GaAs HFET: a novel concept to overcome the breakdown limitation
auteur
Didier Theron, Mohamed Zaknoune, B. Boudart, Jean-Claude de Jaeger, Georges Salmer, M. Lipka, M. Birk, H. Heinecke, B. Splingart, Erhard Kohn, Hugues Thomas, D. V. Morgan, J. Schneider
article
23rd Symposium on compound semiconductors, 1996, St Petersburg, Russia
identifiant
hal-01648139
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1995

Conference papers

titre
Mesures pulsées de TEC à grille isolée par du GaAs basse température
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, S. Trassaert, Didier Theron, B. Splingart, M. Lipka, Erhard Kohn
article
9es Journées Nationales Microondes, 1995, Paris, France
identifiant
hal-01654242
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1994

Conference papers

titre
Réalisation et caractérisation de TEC GaAs à grille isolée par GaAs épitaxié à basse température
auteur
E Bourcier, Christophe Robert, Christophe Gaquière, B. Boudart, Didier Theron, Georges Salmer
article
5es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1994, Ecully, France
identifiant
hal-01654454
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1987

Journal articles

titre
Surface space charge effects in planar submicrometer GaAs and InP devices
auteur
C. Bru-Chevallier, Patrice de Carné, P. Dansas, Daniel Pascal, Michel Rousseau, Suzanne Laval
article
IEEE Transactions on Electron Devices, 1987, ED34 (8), pp.1611-1616
identifiant
hal-01977000
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