Publications HAL de la structure 1296;1066983;1067485;1067481

2022

Journal articles

titre
Combination of selective area sublimation of p-GaN and regrowth of AlGaN for the co-integration of enhancement mode and depletion mode high electron mobility transistors
auteur
Thi Huong Ngo, Rémi Comyn, Sébastien Chenot, Julien Brault, Benjamin Damilano, Stephane Vezian, Eric Frayssinet, Flavien Cozette, Nicolas Defrance, François Lecourt, Nathalie Labat, Hassan Maher, Yvon Cordier
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2022, 188, pp.108210. ⟨10.1016/j.sse.2021.108210⟩
identifiant
hal-03467546
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03467546/file/accepted%20manuscript.pdf BibTex
titre
Load-Pull Setup Development at 185 GHz for On-Wafer Characterization of SiGe HBT in BiCMOS 55 nm Technology
auteur
C. Maye, S. Lepilliet, E. Okada, M. Margalef-Rovira, I. Alaji, D. Gloria, G. Ducournau, Christophe Gaquière
article
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Institute of Electrical and Electronics Engineers, In press, pp.1-1. ⟨10.1109/TMTT.2021.3111170⟩
identifiant
hal-03507882
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2021

Journal articles

titre
Impact of III-nitride/Si interface preconditioning on breakdown voltage in GaN-on-silicon HEMT
auteur
Abdelkrim Khediri, Abbasia Talbi, Abdelatif Jaouad, Hassan Maher, Ali Soltani
article
Micromachines, MDPI, 2021, 12 (11), pp.1284. ⟨10.3390/mi12111284⟩
identifiant
hal-03403139
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titre
Stability of the threshold voltage in fluorine-implanted normally-off AlN/GaN HEMTs co-integrated with commercial normally-on GaN HEMT technology
auteur
Florent Albany, François Lecourt, Ewa Walasiak, Nicolas Defrance, Arnaud Curutchet, Hassan Maher, Yvon Cordier, Nathalie Labat, Nathalie Malbert
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2021, 126, pp.114291. ⟨10.1016/j.microrel.2021.114291⟩
identifiant
hal-03539673
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titre
Monte Carlo analysis of the influence of surface charges on GaN asymmetric nanochannels: bias and temperature dependence
auteur
E. Pérez-Martín, I. Íñiguez-De-La-Torre, Christophe Gaquière, T. González, J. Mateos
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2021, 130 (10), pp.104501. ⟨10.1063/5.0061905⟩
identifiant
hal-03501372
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titre
Electrical and thermal analysis of AlGaN/GaN HEMTs transferred onto diamond substrate through an aluminum nitride layer
auteur
Mahmoud Abou Daher, Marie Lesecq, Nicolas Defrance, Etienne Okada, Bertrand Boudart, Yannick Guhel, Jean-Guy Tartarin, Jean Claude de Jaeger
article
Microwave and Optical Technology Letters, Wiley, 2021, 63 (9), pp.2376-2380. ⟨10.1002/mop.32919⟩
identifiant
hal-03249292
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titre
Design of coupled slow-wave CPW millimeter-wave bandpass filter beyond 100 GHz in 55-nm BiCMOS technology
auteur
Abdelhalim Saadi, Marc Margalef-Rovira, Olivier Occello, Loic Vincent, Sylvie Lepilliet, Christophe Gaquière, Philippe Ferrari
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2021, 68 (9), pp.4259-4266. ⟨10.1109/TED.2021.3094780⟩
identifiant
hal-03347680
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titre
Estimation of channel temperature and thermal sensitivity for a 0.15 μm GaN HEMT
auteur
Abu Zahed Chowdhury, Mohammad Abdul Alim, Shariful Islam, Christophe Gaquière
article
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2021, 247, pp.111595. ⟨10.1016/j.mee.2021.111595⟩
identifiant
hal-03347666
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titre
Large-area femtosecond laser milling of silicon employing trench analysis
auteur
Arun Bhaskar, Justine Philippe, Flavie Braud, Etienne Okada, Vanessa Avramovic, Jean-François Robillard, Cedric Durand, Daniel Gloria, Christophe Gaquière, Emmanuel Dubois
article
Optics and Laser Technology, Elsevier, 2021, 138, pp.106866. ⟨10.1016/j.optlastec.2020.106866⟩
identifiant
hal-03091197
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03091197/file/2020-Bhaskar-JOLT-ARXIV-Large-area%20femtosecond%20laser%20milling%20of%20silicon.pdf BibTex
titre
An experimental and systematic insight into the temperature sensitivity for a 0.15-µm gate-length HEMT based on the GaN technology
auteur
Mohammad Alim, Christophe Gaquière, Giovanni Crupi
article
Micromachines, MDPI, 2021, 12 (5), pp.549. ⟨10.3390/mi12050549⟩
identifiant
hal-03261250
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03261250/file/ALIM_micromachines_2021_12_5.pdf BibTex
titre
Temperature-sensitivity of two microwave HEMT devices: AlGaAs/GaAs vs. AlGaN/GaN heterostructures
auteur
Mohammad Abdul Alim, Abu Zahed Chowdhury, Shariful Islam, Christophe Gaquière, Giovanni Crupi
article
Electronics, Penton Publishing Inc., 2021, 10 (9), pp.1115. ⟨10.3390/electronics10091115⟩
identifiant
hal-03278479
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03278479/file/Alim_Electronics%202021-10.pdf BibTex
titre
Coplanar waveguides on BCB measured up to 760 GHz
auteur
N. Zerounian, W. Aouimeur, A.S. Grimault-Jacquin, G Ducournau, Christophe Gaquière, F. Aniel
article
Journal of Electromagnetic Waves and Applications, Taylor & Francis, 2021, pp.1-11. ⟨10.1080/09205071.2021.1930588⟩
identifiant
hal-03279194
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titre
Design and characterization of (140-220) GHz frequency compensated power detector
auteur
Issa Alaji, Sylvie Lepilliet, Daniel Gloria, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2021, 69 (4), pp.2352-2356. ⟨10.1109/TMTT.2021.3062054⟩
identifiant
hal-03390228
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titre
Parasitic loop inductances reduction in the PCB layout in GaN-based power converters using S-parameters and EM simulations
auteur
Loris Pace, Nadir Idir, Thierry Duquesne, Jean-Claude de Jaeger
article
Energies, MDPI, 2021, 14 (5), pp.1495. ⟨10.3390/en14051495⟩
identifiant
hal-03168976
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03168976/file/LPACE_energies-14-01495_VF.pdf BibTex
titre
Design of tunable power detector towards 5G applications
auteur
Issa Alaji, Walid Aouimeur, Haitham Ghanem, Etienne Okada, Sylvie Lepilliet, Daniel Gloria, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
Microwave and Optical Technology Letters, Wiley, 2021, 63 (3), pp.823-828. ⟨10.1002/mop.32685⟩
identifiant
hal-03135959
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titre
2DEG transport properties over temperature for AlGaN/GaN HEMT and AlGaN/InGaN/GaN pHEMT
auteur
Md. Abdul Kaium Khan, Mohammad Abdul Alim, Christophe Gaquière
article
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2021, 238, pp.111508. ⟨10.1016/j.mee.2021.111508⟩
identifiant
hal-03124392
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titre
Experimental insight into the third-order intercepts and nonlinear distortion of GaN HEMTs
auteur
Mohammad A. Alim, Mayahsa M. Ali, Christophe Gaquière
article
International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering, Wiley, 2021, 31 (2), 10 p. ⟨10.1002/mmce.22513⟩
identifiant
hal-03321548
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titre
Selective GaN sublimation and local area regrowth for co-integration of enhancement mode and depletion mode Al(Ga)N/GaN high electron mobility transistors
auteur
Thi Huong Ngo, Rémi Comyn, Sébastien Chenot, Julien Brault, Benjamin Damilano, Stéphane Vézian, Eric Frayssinet, Flavien Cozette, Christophe Rodriguez, Nicolas Defrance, François Lecourt, Nathalie Labat, Hassan Maher, Yvon Cordier
article
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2021, 36 (2), pp.024001. ⟨10.1088/1361-6641/abcbd3⟩
identifiant
hal-03035072
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03035072/file/E-D-HEMT-co-integration-sublimation-epitaxy-rev01.pdf BibTex
titre
SiGe HBTs and BiCMOS technology for present and future millimeter-wave system
auteur
Thomas Zimmer, Josef Bock, Fred Buchali, Pascal Chevalier, Michael Collisi, Bjorn Debaillie, Marina Deng, Philippe Ferrari, Sebastien Fregonese, Christophe Gaquière, Haitham Ghanem, Horst Hettrich, Alper Karakuzulu, Tim Maiwald, Marc Margalef-Rovira, Caroline Maye, Michael Moller, Anindya Mukherjee, Holger Rucker, Paulius Sakalas, Rolf Schmid, Karina Schneider, Karsten Schuh, Wolfgang Templ, Akshay Visweswaran, Thomas Zwick
article
IEEE Journal of Microwaves, IEEE, 2021, 1 (1), pp.288-298. ⟨10.1109/jmw.2020.3031831⟩
identifiant
hal-03111157
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03111157/file/09318746.pdf BibTex
titre
ESD mm-wave-circuit protection: 3-dB couplers
auteur
Marc Margalef-Rovira, Géraldine Pelletier, Vanessa Avramovic, Sylvie Lepilliet, Johan Bourgeat, Jean-Marc Duchamp, Manuel J. Barragan, Emmanuel Pistono, Sylvain Bourdel, Christophe Gaquière, Philippe Ferrari
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2021, 68 (12), pp.5989-5994. ⟨10.1109/TED.2021.3115990⟩
identifiant
hal-03371300
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03371300/file/2021-TED.pdf BibTex
titre
Mm-wave through-load element for on-wafer measurement applications
auteur
Marc Margalef-Rovira, Olivier Occello, Abdelhalim Saadi, Vanessa Avramovic, Sylvie Lepilliet, Loïc Vincent, Manuel J. Barragan, Emmanuel Pistono, Sylvain Bourdel, Christophe Gaquière, Philippe Ferrari
article
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, IEEE, 2021, 68 (8), pp.3170-3183. ⟨10.1109/TCSI.2021.3072097⟩
identifiant
hal-03202213
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Conference papers

titre
Characterization and modeling of 650V GaN diodes for high frequency power conversion
auteur
Doublet Martin, N. Defrance, Loris Pace, Etienne Okada, Thierry Dusquesne, Emmanuel Collard, Yvon Arnaud, Nadir Idir, Jean-Claude de Jaeger
article
DMC conference, Jul 2021, BATH, United Kingdom. pp.1-5
identifiant
hal-03341230
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03341230/file/DOUBLET_MARTIN_1570708755_DMC_Characterization%20and%20Modeling%20of%20650V%20Diodes%20for%20High%20Frequency%20Power%20Conversion_2.pdf BibTex
titre
Investigation of electrical activity at the AlN/Si interface using scanning capacitance microscopy and scanning spreading resistance microscopy
auteur
Micka Bah, Damien Valente, Marie Lesecq, N. Defrance, Maxime Garcia Barros, Jean-Claude de Jaeger, Eric Frayssinet, Remi Comyn, Thi Huong Ngo, Daniel Alquier, Yvon Cordier
article
Wocsdice Exmatec 2021, Jun 2021, Bristol (virtual), United Kingdom. pp.131-132
identifiant
hal-03284079
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03284079/file/Investigation%20of%20electrical%20activity%20at%20the%20AlN%20Si%20interface%20using%20scanning%20capacitance%20microscopy%20and%20scanning%20spreading%20resistance%20microscopy.pdf BibTex
titre
Fluorine-based plasma treatment for AlGaN/GaN e-mode HEMTs and low on-voltage diodes
auteur
Quentin Fornasiero, Nicolas Defrance, Marie Lesecq, Eric Frayssinet, Yvon Cordier, Florian Chevalier, Nadir Idir, Jean-Claude de Jaeger
article
Wocsdice Exmatec 2021, Jun 2021, Bristol (virtual), United Kingdom. pp.50-52
identifiant
hal-03275589
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03275589/file/Fluorine%20based%20plasma%20treatment%20for%20AlGaN%20GaN%20E-mode%20HEMTs%20and%20Low%20On-Voltage%20diodes.pdf BibTex
titre
Mm-wave single-pole double-throw switches: HBT-vs MOSFET-based designs
auteur
Marc Margalef-Rovira, Christophe Gaquière, Antonio Augusto Lisboa de Souza, L. Vincent, Manuel J. Barragan, Emmanuel Pistono, Florence Podevin, Philippe Ferrari
article
19th IEEE International New Circuits and Systems Conference, NEWCAS 2021, Jun 2021, Toulon( virtual), France. ⟨10.1109/NEWCAS50681.2021.9462753⟩
identifiant
hal-03362262
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03362262/file/Margalef-Rovira_NEWCAS2021.pdf BibTex
titre
Bias-dependence of surface charge at low temperature in GaN self-switching diodes
auteur
E. Perez-Martin, I. Iniguez-De-La-Torre, T. Gonzalez, Christophe Gaquière, J. Mateos
article
13th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2021, Jun 2021, Sevilla, Spain. pp.90-93, ⟨10.1109/CDE52135.2021.9455737⟩
identifiant
hal-03362256
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03362256/file/P%C3%A9rez-Mart%C3%ADn_CDE2021a.pdf BibTex
titre
Third order notch over multi-bias and temperature in GaN and GaAs HEMTs
auteur
M.A. Alim, A.A. Rezazadeh, Christophe Gaquière
article
15th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2020, Jan 2021, Utrecht, Netherlands. pp.277-280, ⟨10.1109/EuMIC48047.2021.00081⟩
identifiant
hal-03362263
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03362263/file/Eumic_ALIM_Third_Order_Notch.pdf BibTex
titre
An advanced ageing methodology for robustness assessment of normally-off AlGaN/GaN HEMT
auteur
F. Albany, A. Curutchet, N. Labat, F. Lecourt, E. Walasiak, H. Maher, Y. Cordier, N. Defrance, N. Malbert
article
15th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2020, Jan 2021, Utrecht, Netherlands. 237-240, https://ieeexplore.ieee.org/abstract/document/9337362
identifiant
hal-03362260
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Preprints, Working Papers, ...

titre
Mitigation of substrate coupling effects in RF switch by localized substrate removal using laser processing
auteur
Arun Bhaskar, Justine Philippe, Etienne Okada, Flavie Braud, Jean-François Robillard, Cédric Durand, Frédéric Gianesello, Daniel Gloria, Christophe Gaquière, Emmanuel Dubois
article
2021
identifiant
hal-03350081
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03350081/file/2109.09452.pdf BibTex

2020

Journal articles

titre
Trap-related frequency dispersion of zero-bias microwave responsivity at low temperature in GaN-based self-switching diodes
auteur
E. Perez-Martin, T. Gonzalez, D. Vaquero, H. Sanchez-Martin, Christophe Gaquière, V. J. Raposo, J. Mateos, I. Iniguez-De-La-Torre
article
Nanotechnology, Institute of Physics, 2020, 31 (40), 405204, 7 p. ⟨10.1088/1361-6528/ab9d44⟩
identifiant
hal-03321549
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titre
Substrate engineering of inductors on SOI for improvement of Q-factor and application in LNA
auteur
Arun Bhaskar, Justine Philippe, Vanessa Avramovic, Flavie Braud, Jean-François Robillard, Cédric Durand, Daniel Gloria, Christophe Gaquière, Emmanuel Dubois
article
IEEE Journal of the Electron Devices Society, IEEE Electron Devices Society, 2020, 8, pp.959-969. ⟨10.1109/JEDS.2020.3019884⟩
identifiant
hal-03091190
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03091190/file/2020-Bhaskar-JEDS-Substrate%20Engineering%20of%20Inductors%20on%20SOI.pdf BibTex
titre
Electrical activity at the AlN/Si Interface: identifying the main origin of propagation losses in GaN-on-Si devices at microwave frequencies
auteur
Micka Bah, Damien Valente, Marie Lesecq, Nicolas Defrance, Maxime Garcia Barros, Jean-Claude de Jaeger, Eric Frayssinet, Rémi Comyn, Thi Huong Ngo, Daniel Alquier, Yvon Cordier
article
Scientific Reports, Nature Publishing Group, 2020, 10 (1), pp.14166. ⟨10.1038/s41598-020-71064-0⟩
identifiant
hal-02929022
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02929022/file/Bah_et_al-2020-Scientific_Reports.pdf BibTex
titre
Modeling and analysis of a broadband Schottky diode noise source up to 325 GHz based on 55-nm SiGe BiCMOS technology
auteur
Issa Alaji, Walid Aouimeur, Sylvie Lepilliet, Daniel Gloria, Christophe Gaquière, Francois Danneville, G. Ducournau, H. Ghanem, Joao Carlos Azevedo Goncalves, Pascal Chevalier
article
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2020, 68 (6), pp.2268-2277. ⟨10.1109/TMTT.2020.2980513⟩
identifiant
hal-03141657
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titre
Highly tunable high-Q inversion-mode MOS varactor in the 1-325-GHz band
auteur
Marc Margalef-Rovira, Abdelhalim Saadi, L. Vincent, S. Lepilliet, Christophe Gaquière, D. Gloria, C. Durand, Manuel J. Barragan, Emmanuel Pistono, Sylvain Bourdel, Philippe Ferrari
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2020, 67 (6), pp.2263-2269. ⟨10.1109/TED.2020.2989726⟩
identifiant
hal-02899947
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02899947/file/2020-T_ED_FINAL.pdf BibTex
titre
AlGaN/GaN high electron mobility transistors on diamond substrate obtained through aluminum nitride bonding technology
auteur
Mahmoud Abou Daher, Marie Lesecq, Pascal Tilmant, Nicolas Defrance, Michel Rousseau, Yvon Cordier, Jean-Claude de Jaeger, Jean-Guy Tartarin
article
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, AVS through the American Institute of Physics, 2020, 38 (3), pp.033201. ⟨10.1116/1.5143418⟩
identifiant
hal-02929037
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02929037/file/2020-JVB19-AR-00629.pdf BibTex
titre
A parametric technique for trap characterization in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
S. J. Duffy, B. Benbakhti, W. Zhang, K. Ahmeda, K. Kalna, M. Boucherta, M. Mattalah, H. O. Chahdi, Nour-Eddine Bourzgui, Ali Soltani
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2020, 67 (5), pp.1924-1930. ⟨10.1109/TED.2020.2980329⟩
identifiant
hal-03142223
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BibTex
titre
Metalorganic chemical vapor phase epitaxy growth of buffer layers on 3C-SiC/Si(111) templates for AlGaN/GaN high electron mobility transistors with low RF losses
auteur
Eric Frayssinet, Luan Nguyen, Marie Lesecq, Nicolas Defrance, Maxime Garcia Barros, Rémi Comyn, Thi Huong Ngo, Marcin Zielinski, Marc Portail, Jean-Claude de Jaeger, Yvon Cordier
article
physica status solidi (a), Wiley, 2020, 217 (7), pp.1900760. ⟨10.1002/pssa.201900760⟩
identifiant
hal-02929058
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02929058/file/Frayssinet_et_al-2020-physica_status_solidi_%28a%29.pdf BibTex
titre
Extraction of nonlinear Taylor series coefficients for GaN HEMT over multi-bias condition
auteur
Mohammad A. Alim, A. Tahsin, Ali A. Rezazadeh, Christophe Gaquière
article
Microelectronics Journal, Elsevier, 2020, 96, 104700, 6 p. ⟨10.1016/j.mejo.2020.104700⟩
identifiant
hal-03321569
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titre
Thermal response and correlation between mobility and kink effect in GaN HEMTs
auteur
Mohammad A. Alim, S. Afrin, A. A. Rezazadeh, Christophe Gaquière
article
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2020, 219, 111148, 5 p. ⟨10.1016/j.mee.2019.111148⟩
identifiant
hal-03322821
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titre
Mechanisms of a rectifying TiN gate contact for AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate
auteur
Hassane Ouazzani Chahdi, Brahim Benbakhti, Maghnia Mattalah, Jean Claude Gerbedoen, Abdelatif Jaouad, Nour Eddine Bourzgui, Ali Soltani
article
IEEE Transactions on Nanotechnology, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2020, 19, pp.682-688. ⟨10.1109/TNANO.2020.3019916⟩
identifiant
hal-03322826
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titre
Multibias and temperature dependence of the current-gain peak in GaN HEMT
auteur
Mohammad A. Alim, Muhammad A. Hasan, Ali A. Rezazadeh, Christophe Gaquière, Giovanni Crupi
article
International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering, 2020, 30 (4), ⟨10.1002/mmce.22129⟩
identifiant
hal-03140633
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titre
A 30.1 mW/µm2 SiGe:C HBT featuring an implanted collector in a 55-nm CMOS node
auteur
A. Gauthier, W. Aouimeur, E. Okada, N. Guitard, P. Chevalier, Christophe Gaquière
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2020, 41 (1), pp.12-14. ⟨10.1109/LED.2019.2954600⟩
identifiant
hal-03322806
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titre
Temperature dependence of the Taylor series coefficients and intermodulation distortion characteristics of GaN HEMT
auteur
Mohammad Abdul Alim, Mayahsa M. Ali, Ali A. Rezazadeh, Christophe Gaquière
article
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, IEEE, 2020, 39 (3), pp.552-559. ⟨10.1109/TCAD.2019.2897696⟩
identifiant
hal-03140634
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BibTex
titre
Design of mm-wave slow-wave coupled coplanar waveguides
auteur
Marc Margalef-Rovira, J. Lugo-Alvarez, A. Bautista, L. Vincent, S. Lepilliet, Abdelhalim Saadi, Florence Podevin, Manuel J. Barragan, Emmanuel Pistono, Sylvain Bourdel, Christophe Gaquière, Philippe Ferrari
article
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2020, 68 (12), pp.5014-5028. ⟨10.1109/TMTT.2020.3015974⟩
identifiant
hal-02958187
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02958187/file/2020-TMTT_Coupleurs%20CS-CPW_Rev_V1_no_CC.pdf BibTex

Conference papers

titre
Miniaturization of Transmission Lines: Meandered Slow-wave CPWs
auteur
Marc Margalef-Rovira, Tadeu Mota Frutuoso, Abdelhalim Saadi, Loïc Vincent, Manuel J. Barragan, Emmanuel Pistono, Christophe Gaquière, Philippe Ferrari
article
IEEE MTT-S International Conference on Microwaves for Intelligent Mobility (ICMIM 2020), Nov 2020, Linz (virtual), Austria. ⟨10.1109/ICMIM48759.2020.9299107⟩
identifiant
hal-03371412
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03371412/file/2020-ICMIM20_A_camera_ready.pdf BibTex
titre
A fully-integrated high-isolation transfer switch for G-band in-situ reflectometer applications
auteur
W. Aouimeur, Marc Margalef-Rovira, Estelle Lauga-Larroze, Daniel Gloria, Christophe Gaquière, Jean-Daniel Arnould
article
IEEE MTT-S International Conference on Microwaves for Intelligent Mobility, ICMIM 2020, Nov 2020, Linz, Austria. 4 p., ⟨10.1109/ICMIM48759.2020.9299098⟩
identifiant
hal-02934668
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titre
Analysis of trap states in AlGaN/GaN self-switching diodes via impedance measurements
auteur
E. Perez-Martin, D. Vaquero, H. Sanchez-Martin, Christophe Gaquière, V. J. Raposo, T. Gonzalez, J. Mateos, I. Iniguez-De-La-Torre
article
31st European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, ESREF 2020, Oct 2020, Athens, Greece. Microelectron. Reliab. 114, Special issue, 113806, ⟨10.1016/j.microrel.2020.113806⟩
identifiant
hal-03321561
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titre
Electrothermal modeling of GaN power transistor for high frequency power converter design
auteur
Loris Pace, Florian Chevalier, Arnaud Videt, N. Defrance, Nadir Idir, Jean-Claude de Jaeger
article
22nd European Conference on Power Electronics and Applications (EPE ECCE Europe), Sep 2020, Lyon, France. pp.1-10, ⟨10.23919/EPE20ECCEEurope43536.2020.9215782⟩
identifiant
hal-03276912
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titre
Evaluation of micro laser sintering metal 3D-printing technology for the development of waveguide passive devices up to 325 GHz
auteur
Victor Fiorese, Cybelle Belem-Gonçalves, C del Rio Boccio, D. Titz, Frederic Gianessello, Cyril Luxey, Guillaume Ducournau, Emmanuel Dubois, Christophe Gaquière, Daniel Gloria
article
IEEE/MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2020, Aug 2020, Los Angeles, United States. pp.1168-1171, ⟨10.1109/IMS30576.2020.9224102⟩
identifiant
hal-03091222
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03091222/file/2020-Fiorese-IMS-NoRefPub-Evaluation%20of%20Micro%20Laser%20Sintering%20Metal%203D-Printing%20Technology-09224102.pdf BibTex
titre
Power measurement setup development for on-wafer characterization at 185-191 GHz
auteur
Caroline Maye, Sylvie Lepilliet, Etienne Okada, Daniel Gloria, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière
article
2020 International Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits (INMMiC), Jul 2020, Cardiff, United Kingdom. pp.1-3, ⟨10.1109/INMMiC46721.2020.9160204⟩
identifiant
hal-03390468
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titre
mm-Wave Through-Load Switch for in-situ Vector Network Analyzer on a 55-nm BiCMOS Technology
auteur
Marc Margalef-Rovira, Abdelhalim Saadi, Sylvain Bourdel, Manuel J. Barragan, Emmanuel Pistono, Christophe Gaquière, Philippe Ferrari
article
18th IEEE International NEWCAS Conference (NEWCAS 2020), Jun 2020, Montreal, Canada. ⟨10.1109/NEWCAS49341.2020.9159829⟩
identifiant
hal-02958204
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02958204/file/2020-NEWCAS2020_2.pdf BibTex

Directions of work or proceedings

titre
A Highly Porous and Conductive Composite Gate Electrode for NO, NO2, O2, H2 and NH3 Exhaust Gas Sensors
auteur
Hassane Ouazzani Chahdi, Omar Helli, Nour-Eddine Bourzgui, Leo Breuil, David Danovich, Paul L Voss, Sundaram Suresh, Vincent Aubry, Yacine Halfaya, Abdallah Ougazzaden, Jean-Paul Salvestrini, Maher, Hassan, Ali Soltani
article
237th ECS Meeting with the 18th International Meeting on Chemical Sensors (IMCS 2020), May 2020, Montreal, Canada. Journal of The Electrochemical Society, IMCS 07 - MEMS/NEMS, FET Sensors, and Resonators, 31, pp.2310, 2020, ECS Meeting Abstracts, Volume MA2020-01, ⟨10.1149/MA2020-01312310mtgabs⟩
identifiant
hal-02879903
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titre
Sensors based on AlGaN/GaN HEMT for fast H2 and O2 detection and measurement at high temperature
auteur
Hassane Ouazzani Chahdi, Omar Helli, Nour-Eddine Bourzgui, Leo Breuil, David Danovitch, Paul Voss, Suresh Sundaram, Vincent Aubry, Yacine Halfaya, Abdallah Ougazzaden, Jean-Paul Salvestrini, Hassan Maher, Ali Soltani
article
2019 IEEE SENSORS, Oct 2019, Montreal, Canada. IEEE, pp.1-4, 2020, Proceedings of 18th IEEE Sensors Conference, IEEE SENSORS 2019, ⟨10.1109/SENSORS43011.2019.8956568⟩
identifiant
hal-02451449
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2019

Journal articles

titre
2 W / mm power density of an AlGaN/GaN HEMT grown on free-standing GaN substrate at 40 GHz
auteur
Mohamed-Reda Irekti, Marie Lesecq, Nicolas Defrance, Etienne Okada, Eric Frayssinet, Yvon Cordier, Jean-Guy Tartarin, Jean-Claude de Jaeger
article
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2019, 34 (12), pp.12LT01. ⟨10.1088/1361-6641/ab4e74⟩
identifiant
hal-02929065
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02929065/file/irektiSST2019.pdf BibTex
titre
Uprooting defects to enable high-performance III–V optoelectronic devices on silicon
auteur
Youcef Bioud, Abderraouf Boucherif, Maksym Myronov, Ali Soltani, Gilles Patriarche, Nadi Braidy, Mourad Jellite, Dominique Drouin, Richard Arès
article
Nature Communications, Nature Publishing Group, 2019, 10 (1), ⟨10.1038/s41467-019-12353-9⟩
identifiant
hal-02296180
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titre
About 250/285 GHz push–push oscillator using differential gate equalisation in digital 65‐nm CMOS
auteur
Bassem Fahs, Kefei Wu, Walid Aouimeur, Muhammad Waleed Mansha, Christophe Gaquière, Patrice Gamand, Wojciech Knap, Mona M. Hella
article
IET Microwaves Antennas and Propagation, Institution of Engineering and Technology, 2019, 13 (12), pp.2073-2080. ⟨10.1049/iet-map.2018.5308⟩
identifiant
hal-03133845
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titre
Measurement of Self-Heating Temperature in AlGaN/GaN HEMTs by Using Cerium Oxide Micro-Raman Thermometers
auteur
G. Brocero, Y. Guhel, P. Eudeline, J. Sipma, Christophe Gaquière, B. Boudart
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019, 66 (10), pp.4156-4163. ⟨10.1109/TED.2019.2935335⟩
identifiant
hal-02294042
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titre
Low‐loss broadband (DC to 220 GHz) S‐CPW to S‐CPS transition for S‐CPS coplanar probing
auteur
Abdelhalim Saadi, Marc Margalef-Rovira, L. Vincent, S. Lepilliet, Christophe Gaquière, Philippe Ferrari
article
Electronics Letters, IET, 2019, 55 (21), pp.1137-1139. ⟨10.1049/el.2019.2377⟩
identifiant
hal-03133346
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titre
Hole trap, leakage current and barrier inhomogeneity in (Pt/Au)-Al0.2Ga0.8N/GaN heterostructures
auteur
Salah Saadaoui, Olfa Fathallah, Fethi Albouchi, Mohamed Mongi Ben Salem, Christophe Gaquière, Hassen Maaref
article
Journal of Physics and Chemistry of Solids, Elsevier, 2019, 132, pp.157-161. ⟨10.1016/j.jpcs.2019.02.027⟩
identifiant
hal-03136454
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titre
Millimeter-wave noise source development on SiGe BiCMOS 55-nm technology for applications up to 260 GHz
auteur
Joao Carlos Azevedo Goncalves, Haitham Ghanem, Simon Bouvot, Daniel Gloria, Sylvie Lepilliet, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Francois Danneville
article
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019, 67 (9), pp.3732-3742. ⟨10.1109/TMTT.2019.2926289⟩
identifiant
hal-03133859
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titre
On the correlation between intermodulation distortion and RF transconductance for microwave GaN HEMT
auteur
Mayahsa M. Ali, Mohammad A Alim, Ali A. Rezazadeh, Christophe Gaquière
article
Semiconductor Science and Technology, 2019, 34 (7), pp.075014. ⟨10.1088/1361-6641/ab2395⟩
identifiant
hal-03140497
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titre
Cl2/Ar based atomic layer etching of AlGaN layers
auteur
Sébastien Aroulanda, Olivier Patard, Philippe Altuntas, Nicolas Michel, Jorge Pereira, Cédric Lacam, Piero Gamarra, Sylvain L. Delage, Nicolas Defrance, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière
article
Journal of Vacuum Science & Technology A, 2019, 37 (4), pp.041001. ⟨10.1116/1.5090106⟩
identifiant
hal-03139113
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titre
Extraction of packaged GaN power transistors parasitics using S-parameters
auteur
L. Pace, N. Defrance, A. Videt, N. Idir, Jean-Claude de Jaeger, V. Avramovic
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019, 66 (6), pp.2583-2588. ⟨10.1109/TED.2019.2909152⟩
identifiant
hal-03140657
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titre
Scalable Modeling of Transient Self-Heating of GaN High-Electron-Mobility Transistors Based on Experimental Measurements
auteur
A. Cutivet, G. Pavlidis, B. Hassan, M. Bouchilaoun, C. Rodriguez, Ali Soltani, S. Graham, F. Boone, H. Maher
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019, 66 (5), pp.2139-2145. ⟨10.1109/TED.2019.2906943⟩
identifiant
hal-02273386
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titre
Neutron irradiation effects on the electrical properties of previously electrically stressed AlInN/GaN HEMTs
auteur
Y. Guhel, J. Trolet, P. Mary, Christophe Gaquière, B. Boudart, Sébastien Petitdidier
article
IEEE Transactions on Nuclear Science, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2019, 66 (5), pp.810 - 819. ⟨10.1109/TNS.2019.2908055⟩
identifiant
hal-02117222
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titre
Thermal response for intermodulation distortion components of GaN HEMT for low and high frequency applications
auteur
Mohammad A. Alim, Mayahsa M. Ali, Ali A. Rezazadeh, Christophe Gaquière
article
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2019, 209, pp.53-59. ⟨10.1016/j.mee.2019.03.011⟩
identifiant
hal-03143596
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titre
Thermal influence on S22 kink behavior of a 0.15 μm gate length AlGaN/GaN/SiC HEMT for microwave applications
auteur
Mohammad A Alim, Ali A Rezazadeh, Christophe Gaquière, Giovanni Crupi
article
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2019, 34 (3), pp.035002. ⟨10.1088/1361-6641/aafc78⟩
identifiant
hal-03143595
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titre
Photonic demultiplexer based on electromagnetically induced transparency resonances
auteur
A. Mouadili, E. H. El Boudouti, Ali Soltani, A. Talbi, K. Haddadi, A. Akjouj, B. Djafari-Rouhani
article
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2019, 52 (7), ⟨10.1088/1361-6463/aaf11b⟩
identifiant
hal-03148972
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titre
Thermal Transient Extraction for GaN HEMTs by Frequency-Resolved Gate Resistance Thermometry with Sub-100 ns Time Resolution
auteur
Adrien Cutivet, Meriem Bouchilaoun, Bilal Hassan, Christophe Rodriguez, Ali Soltani, François Boone, Hassan Maher
article
physica status solidi (a), Wiley, 2019, 216, pp.1800503. ⟨10.1002/pssa.201800503⟩
identifiant
hal-02273385
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titre
High Frequency Analysis and Small-Signal Modeling of AlGaN/GaN HEMTs with SiO2/SiN Passivation
auteur
Moujahed Gassoumi, Abdelhamid Helali, Malek Gassoumi, Christophe Gaquière, Hassen Maaref
article
Silicon, Springer, 2019, 11 (1), pp.557-562. ⟨10.1007/s12633-018-9767-6⟩
identifiant
hal-03148960
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Conference papers

titre
Scalable small signal modeling of AlGaN/GaN HEMT based on distributed gate resistance
auteur
Bilal Hassan, Adrien Cutivet, Christophe Rodriguez, Flavien Cozette, Ali Soltani, François Boone, Hassan Maher
article
IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symposium (BCICTS), Nov 2019, Nashville, United States
identifiant
hal-02310001
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titre
Silicon Based Diode Noise Source Scaling For Noise Measurement Up To 325 GHz
auteur
H. Ghanem, J-C. Azevedo-Goncalves, S. Lepilliet, D. Gloria, Christophe Gaquière, F. Danneville, G. Ducournau
article
2019 44th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Sep 2019, Paris, France. pp.1-2, ⟨10.1109/IRMMW-THz.2019.8873929⟩
identifiant
hal-03115523
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titre
A method to determine wide bandgap power devices packaging interconnections
auteur
Loris Pace, N. Defrance, Jean-Claude de Jaeger, Arnaud Videt, Nadir Idir
article
23rd IEEE Workshop on Signal and Power Integrity (SPI), Jun 2019, Chambery, France. pp.1-4, ⟨10.1109/SaPIW.2019.8781641⟩
identifiant
hal-03276911
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titre
Co-integration of Enhancement and Depletion Modes of GaN-based Transistors for Next Generation RF Communication Circuits
auteur
Nicolas Defrance, Etienne Okada, Florent Albany, Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Éric Frayssinet, Yvon Cordier, Flavien Cozette, Maher, Hassan, E Walasiak, François Lecourt
article
WOCSDICE 2019, Jun 2019, CABOURG, France
identifiant
hal-02502499
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BibTex
titre
Utilisation de micro-thermomètres Raman pour la mesure de la température d’échauffement de transistors de la filière GaN
auteur
Guillaume Brocero, Yannick Guhel, Philippe Eudeline, Jean Pierre Sipma, Christophe Gaquière, Bertrand Boudart
article
21e JNM, May 2019, Caen, France
identifiant
hal-02117236
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BibTex
titre
Femtosecond laser micromachining of crystalline silicon for ablation of deep macro-sized cavities for silicon-on-insulator applications
auteur
Arun Bhaskar, Justine Philippe, Flavie Braud, Etienne Okada, Jean-Francois Robillard, Daniel Gloria, Christophe Gaquière, Emmanuel Dubois
article
SPIE Photonics West, Conference 10906 - Laser-based Micro- and Nanoprocessing XIII, Feb 2019, San Francisco, United States. 109060K, 13 p., ⟨10.1117/12.2507652⟩
identifiant
hal-02317233
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02317233/file/SPIE-Paper-vf-AB.pdf BibTex

2018

Journal articles

titre
Large Periphery GaN HEMTs Modeling Using Distributed Gate Resistance
auteur
Bilal Hassan, Adrien Cutivet, Meriem Bouchilaoun, Christophe Rodriguez, Ali Soltani, François Boone, Hassan Maher
article
physica status solidi (a), Wiley, 2018, pp.1800505. ⟨10.1002/pssa.201800505⟩
identifiant
hal-02273403
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BibTex
titre
Resistive nickel temperature sensor integrated into short-gate length AlGaN/GaN HEMT dedicated to RF applications
auteur
Flavien Cozette, Marie Lesecq, Adrien Cutivet, Nicolas Defrance, Michel Rousseau, Hassan Maher, Jean Claude de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2018, 39 (10), pp.1-1. ⟨10.1109/LED.2018.2864643⟩
identifiant
hal-02273384
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BibTex
titre
On-Wafer Series-Through Broadband Measurement of Sub-fF55-nm MOS RF Voltage-Tunable Capacitors
auteur
K. Daffe, G. Dambrine, C. Durand, Christophe Gaquière, K. Haddadi
article
IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2018, 28 (9), pp.831 - 833. ⟨10.1109/LMWC.2018.2851386⟩
identifiant
hal-01873048
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01873048/file/On-Wafer%20Series-Through%20Broadband%20Measurement%20of%20Sub-fF55nm%20MOS%20RF%20Voltage-Tunable%20Capacitors.pdf BibTex
titre
GaN nanodiode arrays with improved design for zero-bias sub-THz detection
auteur
H Sánchez-Martin, S. Sánchez-Martin, I Iniguez-De-La-Torre, S Pérez, J A Novoa, Guillaume Ducournau, B Grimbert, Christophe Gaquière, T González, J Mateos
article
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2018, 33 (9), pp.095016. ⟨10.1088/1361-6641/aad766⟩
identifiant
hal-03185613
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BibTex
titre
Fully Integrated Interferometry-Based Reflectometer for High-Impedance Instrumentation
auteur
Pietro Maris Ferreira, Cora Donche, Emilie Avignon-Meseldzija, Thomas Quémerais, Frederic Gianessello, Daniel Gloria, Tuami Lasri, Gilles Dambrine, Christophe Gaquière
article
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2018, PP (99), pp.1-8. ⟨10.1109/TMTT.2018.2831699⟩
identifiant
hal-01789805
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BibTex
titre
Effects of Na2SO4 on the optical and structural properties of Cu2ZnSnS4 thin films synthesized using co-electrodeposition technique
auteur
Hassan Kirou, Lahoucine Atourki, Khadija Abouabassi, Ali Soltani, Abdelmajid Almaggoussi, Abdeslam Elfanaoui, Khalid Bouabid, M'Barek Nya, Ahmed Ihlal
article
Optical Materials, Elsevier, 2018, 75, pp.471-482. ⟨10.1016/j.optmat.2017.11.004⟩
identifiant
hal-02273408
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BibTex
titre
Influence of AlN Growth Temperature on the Electrical Properties of Buffer Layers for GaN HEMTs on Silicon
auteur
Yvon Cordier, Remi Comyn, Eric Frayssinet, Mario Khoury, Marie Lesecq, Nicolas Defrance, Jean-Claude de Jaeger
article
physica status solidi (a), Wiley, 2018, 215 (9), ⟨10.1002/pssa.201700637⟩
identifiant
hal-03185112
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BibTex
titre
Optical and Thermal Performances of (Ga,In)N/GaN Light Emitting Diodes Transferred on a Flexible Tape
auteur
B. Damilano, M. Lesecq, D. Zhou, E. Frayssinet, S. Chenot, J. Brault, N. Defrance, A. Ebongue, Y. Cordier, V. Hoel
article
IEEE Photonics Technology Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2018, 30 (17), pp.1567-1570. ⟨10.1109/LPT.2018.2858000⟩
identifiant
hal-02304909
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02304909/file/Damilano2018_IEEE_PTL.pdf BibTex
titre
Extrinsic capacitance extraction for GaAs and GaN FETs from low to high temperatures
auteur
Mohammad A. Alim, Ali A. Rezazadeh, Christophe Gaquière, Giovanni Crupi
article
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2018, 33 (8), ⟨10.1088/1361-6641/aacd56⟩
identifiant
hal-03183491
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BibTex
titre
Strain-Reduction Induced Rise in Channel Temperature at Ohmic Contacts of GaN HEMTs
auteur
Steven Duffy, Brahim Benbakhti, Karol Kalna, Mohammed Boucherta, Wei Zhang, Nour-Eddine Bourzgui, Ali Soltani
article
IEEE Access, IEEE, 2018, 6, pp.42721-42728. ⟨10.1109/ACCESS.2018.2861323⟩
identifiant
hal-02273401
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BibTex
titre
Voltage controlled sub-THz detection with gated planar asymmetric nanochannels
auteur
H. Sanchez-Martin, J. Mateos, J. A. Novoa, J. A. Delgado-Notario, Y. M. Meziani, S. Perez, H. Theveneau, G. Ducournau, Christophe Gaquière, T. Gonzalez, I. Iniguez-De-La-Torre
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2018, 113 (4), ⟨10.1063/1.5041507⟩
identifiant
hal-03183499
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Conference papers

titre
On wafer millimetre wave power detection using a PN junction diode in BiCMOS 55 nm for in-situ large signal characterization
auteur
Joao Carlos Azevedo Goncalves, Issa Alaji, Daniel Gloria, Vincent Gidel, Frederic Gianesello, Sylvie Lepilliet, Guillaume Ducournau, Francois Danneville, Christophe Gaquière
article
48th European Microwave Conference (EuMC), Sep 2018, Madrid, Spain. ⟨10.23919/EuMC.2018.8541387⟩
identifiant
hal-03272705
Accès au bibtex
BibTex
titre
A Source and Drain Transient Currents Technique for Trap Characterisation in AIGaN/GaN HEMTs
auteur
S. Duffy, B. Benbakhti, W. Zhang, K. Kalna, K. Ahmeda, M. Boucherta, Nour-Eddine Bourzgui, H. Maher, Ali Soltani
article
2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2018, Madrid, Spain. pp.214-217, ⟨10.23919/EuMIC.2018.8539935⟩
identifiant
hal-02310028
Accès au bibtex
BibTex
titre
Femtosecond pulsed laser for advanced photonic packaging
auteur
Q. Hivin, J-M. Boucaud, Flavie Braud, C. Durand, F. Gianesello, Davide Bucci, J.F. Robillard, J-E. Broquin, Christophe Gaquière, Emmanuel Dubois
article
7th Electronic System-Integration Technology Conference, ESTC 2018, Sep 2018, Dresden, Germany. ⟨10.1109/ESTC.2018.8546374⟩
identifiant
hal-01961743
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BibTex
titre
Large-area femtosecond laser ablation of Silicon to create membrane with high performance CMOS-SOI RF functions
auteur
Arun Bhaskar, Justine Philippe, Matthieu Berthomé, Etienne Okada, Jean-Francois Robillard, Daniel Gloria, Christophe Gaquière, Emmanuel Dubois
article
2018 7th Electronic System-Integration Technology Conference (ESTC), Sep 2018, Dresden, Germany. pp.801-806, ⟨10.1109/ESTC.2018.8546407⟩
identifiant
hal-02317259
Accès au bibtex
BibTex
titre
Investigating the potential of SiGe Diode in BiCMOS 55nm for power detection and datacom applications at 300 GHz
auteur
Joao Carlos Azevedo Goncalves, Issa Alaji, Daniel Gloria, Sylvie Lepilliet, Francois Danneville, Christophe Gaquière, Guillaume Ducournau
article
43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Sep 2018, Nagoya, Japan. ⟨10.1109/IRMMW-THz.2018.8510217⟩
identifiant
hal-03272698
Accès au bibtex
BibTex
titre
Investigation of Nitrogen-Vacancy Defects in Aluminum Nitride films
auteur
A. Aghdaei, G. Laliberté, A. Akbari-Sharba, G. Gommé, Ali Soltani, H. Maher, D. Morris
article
Women in Physics Canada, Jul 2018, Sherbrooke, Canada
identifiant
hal-02310035
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BibTex
titre
A Compressive Millimeter-Wave Interferometric Imager for Security Applications
auteur
Ettien Kpre, Nicolas Vellas, Christophe Gaquière, Cyril Decroze, Thomas Fromenteze, Moctar Mouhamadou
article
2018 IEEE International Symposium on Antennas and Propagation & USNC/URSI National Radio Science Meeting, Jul 2018, Boston, United States. pp.619-620, ⟨10.1109/APUSNCURSINRSM.2018.8609122⟩
identifiant
hal-03181769
Accès au bibtex
BibTex
titre
Méthode de caractérisation de transistors GaN pour la conception des convertisseurs statiques hautes fréquences
auteur
Loris Pace, Nicolas Defrance, Arnaud Videt, Nadir Idir, Jean-Claude de Jaeger
article
Symposium de Génie Electrique, Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France
identifiant
hal-02981879
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02981879/file/SGE_2018_Loris_Pace_v5.pdf BibTex
titre
Large Periphery GaN HEMTs Modeling Using Distributed Gate Resistance
auteur
Bilal Hassan, Adrien Cutivet, Ali Soltani, Christophe Rodriguez, François Boone, Hassan Maher, Meriem Bouchilaoun
article
The coumpoud semiconductor week (CSW), May 2018, Boston, United States
identifiant
hal-02310052
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titre
Normally-OFF GaN HEMT Fabrication Using Soft and Selective Etching of the Si3N4 Cap Layer
auteur
Meriem Bouchilaoun, Ali Soltani, Christophe Rodriguez, Abdelatif Jaouad, Hassan Maher
article
The compound semiconductor week (CSW), May 2018, Boston, United States
identifiant
hal-02310044
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titre
Simulation of a Normally off GaN Vertical Fin Power Fet Transistor to Study Its Breakdown Mechanism
auteur
Marie-Clara Pépin, Hassan Maher, Christophe Rodriguez, Ali Soltani
article
The compound semiconductor week (CSW), May 2018, Boston, United States
identifiant
hal-02310041
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titre
Scaling of GaN HEMTs Thermal Transient Characteristics
auteur
Adrien Cutivet, Meriem Bouchilaoun, Bilal Hassan, Christophe Rodriguez, Ali Soltani, François Boone, Hassan Maher
article
The compound semiconductor week (CSW), May 2018, Boston, United States
identifiant
hal-02310050
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Reports

titre
Composants sur supports flexibles de la filière GaN
auteur
Virginie Hoel, M. Lesecq, N. Defrance
article
[Contrat] ANR. 2018
identifiant
hal-03341124
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2017

Journal articles

titre
Low Source/Drain Contact Resistance for AlGaN/GaN HEMTs with High Al Concentration and Si-HP [111] Substrate
auteur
S. Duffy, B. Benbakhti, M. Mattalah, W. Zhang, M. Bouchilaoun, M. Boucherta, K. Kalna, N. Bourzgui, H. Maher, A. Soltani
article
ECS Journal of Solid State Science and Technology, IOP Science, 2017, 6 (11), pp.S3040 - S3043. ⟨10.1149/2.0111711jss⟩
identifiant
hal-01914382
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titre
Thermal Impedance Extraction From Electrical Measurements for Double-Ended Gate Transistors
auteur
Adrien Cutivet, Meriem Bouchilaoun, Ahmed Chakroun, Christophe Rodriguez, Ali Soltani, Abdelatif Jaouad, François Boone, Hassan Maher
article
physica status solidi (c), Wiley, 2017, 14 (11), pp.1700225. ⟨10.1002/pssc.201700225⟩
identifiant
hal-01918126
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titre
Normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMT using ultra-thin Al0.45 Ga0.55N barrier layer
auteur
Ahmed Chakroun, Abdelatif Jaouad, Meriem Bouchilaoun, Osvaldo Arenas, Ali Soltani, Hassan Maher
article
physica status solidi (a), Wiley, 2017, 214 (8), ⟨10.1002/pssa.201600836⟩
identifiant
hal-01914374
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01914374/file/Chakroun2017.pdf BibTex
titre
AlGaN/GaN MOS-HEMT Device Fabricated Using a High Quality PECVD Passivation Process
auteur
Ahmed Chakroun, Abdelatif Jaouad, Ali Soltani, Osvaldo Arenas, Vincent Aimez, Richard Arès, Hassan Maher
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2017, 38 (6), pp.779 - 782. ⟨10.1109/LED.2017.2696946⟩
identifiant
hal-01914381
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titre
Parasitic channel induced by an on-state stress in AlInN/GaN HEMTs
auteur
S. Petitdidier, Y. Guhel, J. L. Trolet, P. Mary, Christophe Gaquière, B. Boudart
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2017, 110 (16), ⟨10.1063/1.4980114⟩
identifiant
hal-01646149
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titre
Recent improvements of flexible GaN-based HEMT technology
auteur
Sarra Mhedhbi, Marie Lesecq, Philippe Altuntas, Nicolas Defrance, Yvon Cordier, Benjamin Damilano, Gema Tabares Jimenez, Abel Ebongue, Virginie Hoel
article
physica status solidi (a), Wiley, 2017, 214 (4), 1600484, 5 p. ⟨10.1002/pssa.201600484⟩
identifiant
hal-03270098
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titre
Characterization of Dynamic Self-Heating in GaN HEMTs Using Gate Resistance Measurement
auteur
Adrien Cutivet, Flavien Cozette, Meriem Bouchilaoun, Ahmed Chakroun, Osvaldo Arenas, Marie Lesecq, Jean-Claude de Jaeger, Abdelatif Jaouad, François Boone, Hassan Maher
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2017, 38 (2), pp.240 - 243. ⟨10.1109/LED.2016.2641740⟩
identifiant
hal-01914376
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01914376/file/cutivet2016.pdf BibTex
titre
Analysis of degradation mechanisms in AlInN/GaN HEMTs by electroluminescence technique
auteur
F. Berthet, S. Petitdidier, Y. Guhel, J.L. Trolet, P. Mary, A. Vivier, Christophe Gaquière, B. Boudart
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2017, 127, pp.13 - 19. ⟨10.1016/j.sse.2016.10.039⟩
identifiant
hal-01646143
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titre
High performance heterostructure low barrier diodes for sub-THz detection
auteur
Salman Nadar, Mohammed Zaknoune, X. Wallart, Christophe Coinon, Emilien Peytavit, Guillaume Ducournau, Florent Gamand, Maxime Thirault, Matthieu Werquin, Sylvain Jonniau, Nicolas Thouvenin, Christophe Gaquière, Nicolas Vellas, Jean-Francois Lampin
article
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2017, 7 (6), pp.780-788. ⟨10.1109/TTHZ.2017.2755503⟩
identifiant
hal-03286184
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titre
Influence of neutron irradiation on electron traps induced by NGB stress in AlInN/GaN HEMTs
auteur
Sébastien Petitdidier, Yannick Guhel, Guillaume Brocero, Philippe Eudeline, Jean-Lionel Trolet, Patrick Mary, Christophe Gaquière, Bertrand Boudart
article
IEEE Transactions on Nuclear Science, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2017, pp.1 - 1. ⟨10.1109/TNS.2017.2708692⟩
identifiant
hal-01645121
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Conference papers

titre
Characterization and modeling of transient self-heating in GaN HEMTs
auteur
Adrien Cutivet, Meriem Bouchilaoun, Ahmed Chakroun, Ali Soltani, Abdelatif Jaouad, François Boone, Hassan Maher
article
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS12), Jul 2017, Strasbourg, France
identifiant
hal-02310127
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titre
Memristor Device Characterization by Scanning Microwave Microscopy
auteur
G. Sassine, N. Najjari, C Brillard, N. Defrance, O Haenssler, Didier Theron, F. Alibart, K. Haddadi
article
International Conference on Manipulation, Automation and Robotics at Small Scales (MARSS), Jul 2017, Montréal, Canada. ⟨10.1109/MARSS.2017.8016537⟩
identifiant
hal-02311382
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02311382/file/K_Haddadi_MARSS%202017_v2.pdf BibTex
titre
Low Source/Drain Contact Resistance for AlGaN/GaN HEMTs with High Al Concentration and Si-HP [111] Substrate
auteur
S. Duffy, B. Benbakhti, M. Mattalah, W. Zhang, M. Bouchilaoun, M. Boucherta, K. Kalna, N. Bourzgui, H. Maher, A. Soltani
article
UK Semiconductors, Jul 2017, Sheffield, United Kingdom. pp.S3040-S3043, ⟨10.1149/2.0111711jss⟩
identifiant
hal-02310065
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titre
Noise parameters of SiGe HBTs in mmW range: towards a full in situ measurement extraction
auteur
F. Danneville, M. Deng, S. Bouvot, J. Azevedo Goncalves, S. Lepilliet, G. Ducournau, Christophe Gaquière, G. Dambrine, A. Bossuet, T. Quemerais, Estelle Lauga-Larroze, J-M Fournier, P. Chevalier, D. Gloria
article
2017 International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF), Jun 2017, Vilnius, Lithuania. pp.1-4, ⟨10.1109/ICNF.2017.7985944⟩
identifiant
hal-02012863
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titre
Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré « on-state »
auteur
Hadhemi Lakhdar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Nicolas Defrance, Marie Lesecq, Jean Claude de Jaeger, Nathalie Malbert
article
JNM 2017, May 2017, Saint Malo, France
identifiant
hal-02462775
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titre
Premier Système de Mesure Petit Signaux Deux Ports Complètement Intégré en Bande G
auteur
W. Aouimeur, J. Moron Guerra, Ayssar Serhan, S. Lepilliet, Thomas QuÉmerais, Daniel Gloria, Estelle Lauga-Larroze, Jean-Daniel Arnould, Christophe Gaquière
article
Journées Nationales Micro-ondes, May 2017, Saint Malo, France
identifiant
hal-02020034
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titre
Évaluation de la fiabilité des composants HEMTs AlGaN / GaN à grille nanométrique sur substrat de silicium par des essais de vieillissement accéléré on-state
auteur
Hadhemi Lakhdar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Nicolas Defrance, Marie Lesecq, J.C. Dejaeger, Nathalie Malbert
article
JNM 2017, May 2017, St MALO, France
identifiant
hal-01718864
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titre
A G band frequency quadrupler in 55 nm BiCMOS for bist applications
auteur
W. Aouimeur, Estelle Lauga-Larroze, Jean-Daniel Arnould, J. Moron-Guerra, Christophe Gaquière, S. Lepilliet, T. Quemerais, D. Gloria, A. Serhan
article
2017 Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits Workshop (INMMiC), Apr 2017, Graz, France. pp.1-4
identifiant
hal-02012681
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titre
A 130 to 170 GHz integrated noise source based on avalanche silicon Schottky diode in BiCMOS 55 nm for in-situ noise characterization
auteur
Joao Carlos Azevedo Goncalves, Thomas Quemerais, Daniel Gloria, Gregory Avenier, Sylvie Lepilliet, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Francois Danneville
article
International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS), Mar 2017, Grenoble, France. ⟨10.1109/ICMTS.2017.7954271⟩
identifiant
hal-03272703
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titre
A D-band tuner for in-situ noise and power characterization in BiCMOS 55 nm
auteur
Simon Bouvot, Alice Bossuet, Thomas Quémerais, Guillaume Ducournau, François Danneville, Estelle Lauga-Larroze, Daniel Gloria, Jean-Michel Fournier, Christophe Gaquière
article
2017 IEEE 17th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), Jan 2017, Phoenix, United States. pp.103-106
identifiant
hal-02012861
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titre
A G band +2 dBm balanced frequency doubler in 55 nm SiGe BiCMOS
auteur
W. Aouimeur, J. Moron-Guerra, A. Serhan, S. Lepilliet, T. Quemerais, D. Gloria, Estelle Lauga-Larroze, Jean-Daniel Arnould, Christophe Gaquière
article
2017 IEEE 17th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF), Jan 2017, Phoenix, United States. pp.60-63
identifiant
hal-02012682
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titre
Influence d’irradiations neutroniques sur les pièges électriques induits par des stress électriques dans des HEMTs AlInN/GaN
auteur
Sébastien Petitdidier, Yannick Guhel, Jean Lionel Trolet, P. Mary, Christophe Gaquière, B. Boudart
article
20es Journées Nationales Microondes, 2017, Saint Malo, France
identifiant
hal-01652201
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titre
Influence d’un stress à canal ouvert sur les signaux d’électroluminescence émis par des transistors AlInN/GaN
auteur
Fanny Berthet, Guillaume Brocero, Sebastien Petitdidier, Yannick Guhel, Philippe Eudeline, Jean Lionel Trolet, Patrick Mary, A. Vivier, Christophe Gaquière, B. Boudart
article
20es Journées Nationales Microondes, 2017, Saint Malo, France
identifiant
hal-01652207
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2016

Journal articles

titre
A 10 dBm Output Power D-Band Power Source With 5 dB Conversion Gain in BiCMOS 55nm
auteur
Alice Bossuet, Thomas Quémerais, Christophe Gaquière, Estelle Lauga-Larroze, Jean-Michel Fournier, Sylvie Lépilliet, Daniel Gloria
article
IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016, 26 (11), pp.930-932
identifiant
hal-02011282
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titre
Experimental Study and Device Design of NO, NO 2 , and NH 3 Gas Detection for a Wide Dynamic and Large Temperature Range Using Pt/AlGaN/GaN HEMT
auteur
Chris Bishop, Yacine Halfaya, Ali Soltani, Suresh Sundaram, Xin Li, Jérémy Streque, Youssef El Gmili, Paul Voss, Jean Paul Salvestrini, Abdallah Ougazzaden
article
IEEE Sensors Journal, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016, 16 (18), pp.6828-6838. ⟨10.1109/JSEN.2016.2593050⟩
identifiant
hal-02385234
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titre
Impact of the bending on the electroluminescence of flexible InGaN/GaN light-emitting diodes
auteur
Gema Tabares, Sarra Mhedhbi, Marie Lesecq, Benjamin Damilano, Julien Brault, Sebastien Chenot, Abel Ebongue, Philippe Altuntas, Nicolas Defrance, Virginie Hoel, Yvon Cordier
article
IEEE Photonics Technology Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016, 28 (15), pp.1661-1664. ⟨10.1109/LPT.2016.2563258⟩
identifiant
hal-03270097
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BibTex
titre
Influence of Neutron Irradiation on Electron Traps Existing in GaN-Based Transistors
auteur
Fanny Berthet, Sébastien Petitdidier, Yannick Guhel, Jean Lionel Trolet, Patrick Mary, Christophe Gaquière, Bertrand Boudart
article
IEEE Transactions on Nuclear Science, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016, 63 (3), pp.1918 - 1926. ⟨10.1109/TNS.2016.2566683⟩
identifiant
hal-01647000
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titre
First power performance demonstration of flexible AlGaN/GaN high electron mobility transistor
auteur
S. Mhedhbi, Marie Lesecq, P. Altuntas, N. Defrance, Etienne Okada, Y. Cordier, B. Damilano, G. Tabares-Jimenez, A. Ebongue, V. Hoel
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016, 37 (5), pp.553-555. ⟨10.1109/LED.2016.2542921⟩
identifiant
hal-03270110
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BibTex
titre
Room Temperature Direct and Heterodyne Detection of 0.28–0.69-THz Waves Based on GaN 2-DEG Unipolar Nanochannels
auteur
Carlos Daher, Jeremie Torres, Ignacio Iñiguez-De-La-Torre, Philippe Nouvel, Luca Varani, Paul SangarÉ, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Javier Mateos, Tomas González
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016, 63 (1), pp.353 - 359. ⟨10.1109/TED.2015.2503987⟩
identifiant
hal-01638570
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BibTex
titre
Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress
auteur
Hadhemi Lakhdar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Nicolas Defrance, M. Lesecq, J.C. Dejaeger, Nathalie Malbert
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2016
identifiant
hal-01718762
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BibTex
titre
Modeling and characterization of piezoelectric beams based on an aluminum nitride thin-film layer
auteur
Etienne Herth, E. Algré, Jean-Yves Rauch, Jean-Claude Gerbedoen, Nicolas Defrance, Patrick Delobelle
article
physica status solidi (a), Wiley, 2016, 213 (1), pp.114 - 121. ⟨10.1002/pssa.201532302⟩
identifiant
hal-01446379
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Conference papers

titre
Characterization and modeling of traps and RF frequency dispersion in AlGaN/AlN/GaN HEMTs
auteur
Hector Sanchez-Martin, Oscar Garcia-Perez, Ignacio Iñiguez-De-La-Torre, Susana Perez, Tomas Gonzalez, Javier Mateos, Philippe Altuntas, Nicolas Defrance, Marie Lesecq, Virginie Hoel, Yvon Cordier, Stephanie Rennesson
article
11th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Oct 2016, London, United Kingdom. paper EuMIC10-03, 153-156, ⟨10.1109/EuMIC.2016.7777513⟩
identifiant
hal-03270103
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BibTex
titre
Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs Using Ultra-Thin Al0.45GaN0.55N Barrier and PECVDSiOx as Gate Insulator
auteur
Ahmed Chakroun, Abdelatif Jaouad, Meriem Bouchilaoun, Osvaldo Arenas, Ali Soltani, Hassan Maher
article
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWM2016), Oct 2016, Orlando, United States
identifiant
hal-02310128
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BibTex
titre
Sub-THz zero-bias detector with high performances based on heterostructure low barrier diode (HLBD)
auteur
S. Nadar, Mohammed Zaknoune, X. Wallart, C. Coinon, Emilien Peytavit, Guillaume Ducournau, F. Gamand, M. Thirault, M. Werquin, S. Jonniau, N. Thouvenin, Christophe Gaquière, N. Vellas, Jean-Francois Lampin
article
41st International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Sep 2016, Copenhagen, Denmark. ⟨10.1109/IRMMW-THz.2016.7758432⟩
identifiant
hal-03286180
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BibTex
titre
Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress
auteur
Hadhemi Lakhdhar, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Nicolas Defrance, Marie Lesecq, Jean Claude de Jaeger, Nathalie Malbert
article
ESREF 2016, Sep 2016, Händel-Halle, Germany
identifiant
hal-02462684
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BibTex
titre
Improved performance of flexible CMOS technology using ultimate thinning and transfer bonding
auteur
Emmanuel Dubois, J. Philippe, M. Berthome, J.F. Robillard, Christophe Gaquière, Francois Danneville, D. Gloria, C. Raynaud
article
6th Electronic System-Integration Technology Conference (ESTC), Sep 2016, Grenoble, France. ⟨10.1109/ESTC.2016.7764513⟩
identifiant
hal-03272693
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BibTex
titre
Conception d'un doubleur de fréquence +4 dBm en technologie BiCMOS 55 nm en bande W
auteur
W. Aouimeur, J. Moron Guerra, Estelle Lauga-Larroze, Jean-Daniel Arnould, Thomas QuÉmerais, Christophe Gaquière
article
Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique, May 2016, Toulouse, France
identifiant
hal-02019237
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2015

Journal articles

titre
AlGaN/GaN HEMT's photoresponse to high intensity THz radiation
auteur
Nina Diakonova, Dmytro But, Dominique Coquillat, Wojciech Knap, C. Drexler, P. Olbrich, J. Karch, M. Schafberger, S. D. Ganichev, G. Ducournau, Christophe Gaquière, M. -A. Poisson, S. Delage, G. Cywinski, C. Skierbiszewski
article
Opto-Electronics Review, Springer Verlag, 2015, 23 (3), pp.195-199. ⟨10.1515/oere-2015-0026⟩
identifiant
hal-01190762
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BibTex
titre
Characterization and analysis of electrical trap related effects on the reliability of AlInN/GaN HEMTs
auteur
S. Petitdidier, F. Berthet, Y. Guhel, J.L. Trolet, P. Mary, Christophe Gaquière, B. Boudart
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2015, 55 (9-10), pp.1719 - 1723. ⟨10.1016/j.microrel.2015.06.070⟩
identifiant
hal-01646909
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BibTex
titre
Sub-fF 130 nm MOS Varactor Characterization using 6 . 8 GHz Interferometry-based Reflectometer
auteur
Pietro Maris Ferreira, Cora Donche, Ambroise Delalin, Thomas Quémerais, Daniel Gloria, Tuami Lasri, Gilles Dambrine, Christophe Gaquière
article
IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2015, 25 (6), pp.418 - 420. ⟨10.1109/LMWC.2015.2421326⟩
identifiant
hal-01217908
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BibTex
titre
Power performance at 40 GHz of AlGaN/GaN high electron mobility transistors grown by molecular beam epitaxy on Si(111) substrate
auteur
Philippe Altuntas, Francois Lecourt, Adrien Cutivet, N. Defrance, Etienne Okada, Marie Lesecq, Stephanie Rennesson, Alain Agboton, Yvon Cordier, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2015, 36 (4), pp.303-305. ⟨10.1109/LED.2015.2404358⟩
identifiant
hal-03276913
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BibTex
titre
Properties of boron-doped epitaxial diamond layers grown on (110) oriented single crystal substrates
auteur
Vincent Mortet, Julien Pernot, François Jomard, Ali Soltani, Z. Remes, Julien Barjon, J. d'Haen, Ken Haenen
article
Diamond and Related Materials, Elsevier, 2015, 53, pp.29-34. ⟨10.1016/j.diamond.2015.01.006⟩
identifiant
hal-01364116
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BibTex
titre
Degradation assessment of LYRA after 5 years on orbit : Technology Demonstration
auteur
A. Benmoussa, B. Giordanengo, S. Gissot, I. E. Dammasch, M. Dominique, Jean-François Hochedez, A. Soltani, N. Bourzgui, T. Saito, U. Schühle, A. Gottwald, U. Kroth, A. R. Jones
article
Experimental Astronomy, Springer Link, 2015, 30 (1), pp.29-43. ⟨10.1007/s10686-014-9437-7⟩
identifiant
hal-01102475
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01102475/file/Expe-Astro-BenMoussa-2015.pdf BibTex
titre
Thermal characterization using optical methods of AlGaN/GaN HEMTs on SiC substrate in RF operating conditions
auteur
L. Baczkowski, J.C. Jacquet, O. Jardel, Christophe Gaquière, M. Moreau, D. Carisetti, L. Brunel, F. Vouzelaud, Y. Mancuso
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2015, 62, pp.3992 - 3998. ⟨10.1109/TED.2015.2493204⟩
identifiant
hal-01348823
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BibTex

Conference papers

titre
Application-oriented performance of RF CMOS technologies on flexible substrates
auteur
Justine Philippe, A. Lecavelier, M. Berthome, J.F. Robillard, Christophe Gaquière, Francois Danneville, D. Gloria, C. Raynaud, Emmanuel Dubois
article
IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2015, Washington, United States. ⟨10.1109/IEDM.2015.7409707⟩
identifiant
hal-03272696
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BibTex
titre
A 135-150 GHz frequency quadrupler with 0.5 dBm peak output power in 55 nm SiGe BiCMOS technology
auteur
Alice Bossuet, Thomas Quémerais, Sylvie Lépilliet, Jean-Michel Fournier, Estelle Lauga-Larroze, Christophe Gaquière, Daniel Gloria
article
2015 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - BCTM, Oct 2015, Boston, United States. pp.186-189
identifiant
hal-02012856
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BibTex
titre
Conception d'un quadrupleur de fréquence en technologie BiCMOS 55 nm en bande G
auteur
W. Aouimeur, Estelle Lauga-Larroze, Guerra J.M., Thomas QuÉmerais, A. Serhan, Christophe Gaquière, Jean-Daniel Arnould
article
GDR ONDES, Oct 2015, Lyon, France
identifiant
hal-02019222
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BibTex
titre
Large-signal modeling up to W-band of AlGaN/GaN based high-electron-mobility transistors
auteur
A. Cutivet, P. Altuntas, N. Defrance, Etienne Okada, Vanessa Avramovic, Marie Lesecq, V. Hoel, Jean-Claude de Jaeger, F. Boone, H. Maher
article
10th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC), Sep 2015, Paris, France. pp.93-96, ⟨10.1109/EuMIC.2015.7345076⟩
identifiant
hal-03276915
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titre
Atténuateur Actif pour les Applications en Bande D réalisé en technologie BiCMOS 55 nm
auteur
Alice Bossuet, Thomas QuÉmerais, Estelle Lauga-Larroze, Jean-Michel Fournier, Christophe Gaquière, Daniel Gloria
article
19èmes Journées Nationales Micro-ondes, Jun 2015, Bordeaux, France
identifiant
hal-02021512
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titre
Dielectric Properties Extraction of Coplanar Propagation Waveguides on High Resistivity Silicon Substrates
auteur
Qing Lv, Hua Zhao, Nicolas Defrance, Chao Fu, Kamel Haddadi, Lujuan Ma
article
International Conference on Mechatronics, Electronic, Industrial and Control Engineering (MEIC), Apr 2015, Shenyang, PEOPLES R, Chine. pp.539-542
identifiant
hal-03224668
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titre
0.69 THz room temperature heterodyne detection using GaN nanodiodes
auteur
Carlos Daher, Jeremie Torres, Ignacio Iñiguez-De-La-Torre, Philippe Nouvel, Luca Varani, Paul SangarÉ, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Javier Mateos, And Tomás González
article
19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, 2015, Salamanca, Spain. ⟨10.1088/1742-6596/647/1/012006⟩
identifiant
hal-01920765
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titre
Hybrid plasma modes in transistors: linear and non-linear responses, Monte Carlo simulation
auteur
Carlos Daher, Jeremie Torres, Ignacio Iñiguez-De-La-Torre, Philippe Nouvel, Luca Varani, Paul SangarÉ, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Javier Mateos, Tomas Gonzalez
article
19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, 2015, Edison, United States
identifiant
hal-01921028
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titre
Room temperature terahertz heterodyne detection using unipolar nanodiodes
auteur
Carlos Daher, Jeremie Torres, Ignacio Iñiguez-De-La-Torre, Philippe Nouvel, Luca Varani, Paul SangarÉ, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Javier Mateos, Tomas Gonzalez
article
19th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, 2015, Salamanca, Spain
identifiant
hal-01920759
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Book sections

titre
Automated System-Level Design for Reliability : RF front-end application
auteur
Pietro Maris Ferreira, Jack Ou, Christophe Gaquière, Philippe Benabes
article
Mourad Fakhfakh, Esteban Tlelo-Cuautle, Patrick Siarry. Computational Intelligence in Analog and Mixed-Signal (AMS) and Radio-Frequency (RF) Circuit Design, Springer International Publishing, 2015, ⟨10.1007/978-3-319-19872-9_13⟩
identifiant
hal-01222066
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2014

Journal articles

titre
Operation of GaN Planar Nanodiodes as THz Detectors and Mixers
auteur
Ignacio Iñiguez-De-La-Torre, Carlos Daher, Jean-Francois Millithaler, Jeremi Torres, Philippe Nouvel, Luca Varani, Paul SangarÉ, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Tomas González, Javier Mateos
article
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2014, 4 (6), pp.670 - 677. ⟨10.1109/TTHZ.2014.2356296⟩
identifiant
hal-01636512
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titre
Optimized V-shape design of GaN nanodiodes for the generation of Gunn oscillations
auteur
J.F. Millithaler, I. Iniguez-De-La-Torre, A. Iniguez-De-La-Torre, T. Gonz Alez, P. Sangaré, G. Ducournau, Christophe Gaquière, J. Mateos
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2014, 104, 073509, 4 p. ⟨10.1063/1.4866166⟩
identifiant
hal-00951554
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titre
Physique des fluides aux échelles microscopiques pour l'ingénierie des microsystèmes : fabrication et caractérisation
auteur
Renaud Dufour, Simon Laurette, Thomas Dargent, Maxime Harnois, Nour-Eddine Bourzgui, Vincent Thomy
article
Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, EDP Sciences, 2014, 13, 0002, 7 p. ⟨10.1051/j3ea/2014002⟩
identifiant
hal-00996921
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titre
Dispersion properties and low infrared optical losses in epitaxial AlN on sapphire substrate in the visible and infrared range
auteur
Ali Soltani, Arnaud Stolz, Joël Charrier, Maghnia Mattalah, Jean-Claude Gerbedoen, Hassan Ali Barkad, Vincent Mortet, Michel Rousseau, Nour Bourzgui, A. Ben Moussa, Jean-Claude de Jaeger
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2014, 115, pp.163515. ⟨10.1063/1.4873236⟩
identifiant
hal-00987345
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titre
High performance TiN gate contact on AlGaN/GaN transistor using a mechanically strain induced P-doping
auteur
Ali Soltani, Michel Rousseau, Jean-Claude Gerbedoen, Maghnia Mattalah, P.L. Bonanno, A. Telia, Nour Bourzgui, Gilles Patriarche, A. Ougazzaden, A. Ben Moussa
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2014, 104, 233506, 5 p. ⟨10.1063/1.4882415⟩
identifiant
hal-01009966
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titre
Effect of passivation on microwave power performances of AlGaN/GaN/Si HEMTs
auteur
H. Mosbahi, M. Charfeddine, M. Gassoumi, H. Mejri, Christophe Gaquière, Bertrand Grimbert, M.A. Zaidi, H. Maaref
article
Sensors & Transducers Journal, International Frequency Sensor Association (IFSA), 2014, 27, pp.277-279
identifiant
hal-01005128
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titre
On the effect of δ-doping in self-switching diodes
auteur
Andreas Westlund, Ignacio Iñiguez-De-La-Torre, Per-Åke Nilsson, Tomas González, Javier Mateos, Paul SangarÉ, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Ludovic Desplanque, Xavier Wallart, Jan Grahn
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2014, 105 (9), 093505, 5 p. ⟨10.1063/1.4894806⟩
identifiant
hal-01061584
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titre
In situ integrated tuner approach for load-pull measurement of Si/SiGe:C HBT at 200 GHz
auteur
Issam Hasnaoui, Alexandre Pottrain, Thomas Lacave, Pascal Chevalier, Daniel Gloria, Christophe Gaquière
article
Electronics Letters, IET, 2014, 50, pp.1070-1072. ⟨10.1049/el.2014.0186⟩
identifiant
hal-01055077
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titre
GaN high electron mobility transistors on silicon substrates with MBE/PVD AlN seed layers
auteur
Yvon Cordier, E. Frayssinet, M. Chmielowska, M. Nemoz, A. Courville, P. Vennegues, P. de Mierry, S. Chenot, J. Camus, K. Ait Aissa, Quentin Simon, L. Le Brizoual, M. A. Djouadi, Nicolas Defrance, Marie Lesecq, Philippe Altuntas, Adrien Cutivet, Alain Agboton, Jean-Claude de Jaeger
article
physica status solidi (c), Wiley, 2014, 11 (3-4), pp.498-501. ⟨10.1002/pssc.201300453⟩
identifiant
hal-00966112
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titre
Electronic and physico-chemical properties of nanometric boron delta-doped diamond structures
auteur
Gauthier Chicot, Alexandre Fiori, P.N. Volpe, Thu Nhi Tran Thi, Jean-Claude Gerbedoen, Jessica Bousquet, M.P. Alegre, J.C. Pinero, D. Araujo, F. Jomard, Ali Soltani, Jean-Claude de Jaeger, J. Morse, J. Härtwig, Nicolas Tranchant, C. Mer-Calfati, Jean-Charles Arnault, Julien Delahaye, Thierry Grenet, David Eon, Franck Omnès, Julien Pernot, Etienne Bustarret
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2014, 116, pp.083702. ⟨10.1063/1.4893186⟩
identifiant
hal-01058487
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01058487/file/article_GauthierChicot.pdf BibTex

Conference papers

titre
On the correlation between kink effect and effective mobility in InAlN/GaN HEMTs
auteur
P. Altuntas, N. Defrance, Marie Lesecq, A. Agboton, R. Ouhachi, Etienne Okada, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, E. Frayssinet, Y. Cordier
article
9th European Microwave Integrated Circuit Conference (EuMIC), Oct 2014, Rome, Italy. pp.88-91, ⟨10.1109/EuMIC.2014.6997798⟩
identifiant
hal-03276914
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titre
Theoretical and experimental investigation of Lamb waves characteristics in AlN/TiN and AlN/TiN/NCD composite membranes
auteur
A. Soltani, A. Talbi, J-C Gerbedoen, J-C de Jaeger, P. Pernod, V. Mortet, A. Bassam
article
IEEE International Ultrasonics Symposium (IUS), Sep 2014, Chicago, United States. pp.2047-2050, ⟨10.1109/ULTSYM.2014.0510⟩
identifiant
hal-03276910
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titre
1 – 20 GHz kΩ -range BiCMOS 55 nm Reflectometer
auteur
Pietro Maris Ferreira, Cora Donche, Kamel Haddadi, Tuami Lasri, Thomas Quemerais, Gilles Dambrine, Daniel Gloria, Christophe Gaquière
article
IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS), Jun 2014, Trois-Rivieres, QC, Canada. ⟨10.1109/NEWCAS.2014.6934063⟩
identifiant
hal-01222113
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titre
1-20 GHz k Omega-range BiCMOS 55 nm Reflectometer
auteur
Pietro M. Ferreira, Cora Donche, Kamel Haddadi, Tuami Lasri, Gilles Dambrine, Christophe Gaquière, Thomas Quemerais, Daniel Gloria
article
12th IEEE International New Circuits and Systems Conference (IEEE NEWCAS), Jun 2014, Trois-Rivieres, Canada. pp.385-388
identifiant
hal-03224670
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titre
MILLIPRISM : millimeter wave passive radiometric imaging system
auteur
J.F. Lampin, M. Zaknoune, X. Wallart, L. Desplanque, E. Peytavit, G. Ducournau, M. Thirault, M. Werquin, S. Jonniau, N. Thouvenin, Christophe Gaquière, N. Vellas
article
8ème Workshop Interdisciplinaire sur la Sécurité Globale, WISG 2014, 2014, Troyes, France
identifiant
hal-00939873
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titre
[Invited] Millimeter-wave noise and power characterization using in situ tuner
auteur
Thomas Quemerais, Daniel Gloria, Sandrine Oeuvrard, Christophe Gaquière, François Danneville, Gilles Dambrine, Marina Deng
article
62nd IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2014, Workshop WMI - Challenges and advances in wafer-level calibration and characterization of millimeter and sub-millimeter wave devices and systems, 2014, Tampa, FL, United States
identifiant
hal-01044780
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titre
Caractérisation électrique d'une structure passive en hyperfréquence par mesures et modélisation de lignes CPW
auteur
Adrien Cutivet, A. Thevenot, A. Chakroun, Nicolas Defrance, H. Maher, F. Boone
article
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p
identifiant
hal-01020312
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titre
Design and radiation hardness of next generation solar UV radiometers
auteur
Samuel Gissot, Ali Benmoussa, Boris Giordanengo, Ali Soltani, Terubumi Saito, Udo Schühle, Udo Kroth, Alexander Gottwald
article
IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference, NSREC 2014, 2014, Paris, France. paper W-24, 6 p
identifiant
hal-01063876
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titre
Fabrication et caractérisation DC de composant HEMTs In(Ga)AlN/GaN sur silicium
auteur
Léon-Thierry Okala, Marie Lesecq, Philippe Altuntas, Jean-Claude de Jaeger
article
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p
identifiant
hal-01020314
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titre
Variation des paramètres d'un transistor bipolaire Si/SiGe:C BiCMOS9MW, en fonction de la contrainte apportée par la densité des connexions métalliques
auteur
Elodie Canderle, Pascal Chevalier, Christophe Gaquière
article
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p
identifiant
hal-01020310
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titre
Current-voltage characteristics of (Mo/Au)/AlGaN/GaN/Si Schottky diodes
auteur
H. Mosbahi, M. Charfeddine, M. Gassoumi, Christophe Gaquière, M.A. Zaidi, H. Maaref
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2014, Symposium X - Materials research for group IV semiconductors : growth, characterization and technological developments, 2014, Lille, France
identifiant
hal-00961393
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titre
Hypersonic band gap in an AlN-TiN bilayer phononic crystal slab
auteur
Stéphanie Hemon, Abdellatif Akjouj, Ali Soltani, Yan Pennec, Abdelkrim Talbi, Vincent Mortet, Bahram Djafari-Rouhani
article
Joint 25th Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, and 14èmes Journées de la Matière Condensée, CMD25-JMC14, 2014, Paris, France
identifiant
hal-01015255
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titre
Surface acoustic wave bandgaps for conical pillars on a piezoelectric substrate
auteur
Abdelali Mrabti, Mourad Oudich, Abdellatif Akjouj, Yan Pennec, Bahram Djafari-Rouhani, Abdelkrim Talbi, Jérémy Streque, Yu Du, Ali Soltani, Philippe Pernod
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2014, Symposium D - Phonons and fluctuations in low dimensional structures, 2014, Lille, France
identifiant
hal-00962392
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Patents

titre
Device and method for direct demodulation of signals with carrier frequencies up to the THz range
auteur
Lucie Tholme, Luca Varani, Philippe Nouvel, Aimin Song, Carlos Daher, Stéphane Blin, Jan Vilhelm Grahn, Jérémie Torres, Javier Mateos, Christophe Gaquière
article
France, Patent n° : EP2731264 (A1). Brevet [#622]. 2014
identifiant
hal-00998991
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titre
Device and method for mixing electromagnetic waves with frequencies up to the THz range
auteur
Luca Varani, Philippe Nouvel, Alexandre Penot, Javier Mateos, Jan Vilhelm Grahn, Christophe Gaquière, Aimin Song, Jérémie Torres
article
France, Patent n° : EP2731263 (A1). Brevet [#620]. 2014
identifiant
hal-00998981
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Poster communications

titre
Room temperature THz heterodyne detector based on GaN unipolar nanochannels
auteur
C. Daher, I. Iniguez de la Torre, J. Torres, P. Nouvel, L. Varani, P. Sangaré, B Grimbert, M. Faucher, G. Ducourneau, Christophe Gaquière, J. Mateos, T. Gonzalez
article
Proceedings of 41st International Symposium on Compound Semiconductor, ISCS 2014, Compound Semiconductor Week, CSW 2014, 2014, Montpellier, France
identifiant
hal-02454503
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2013

Journal articles

titre
Optical properties of aluminum nitride thin films grown by direct-current magnetron sputtering close to epitaxy
auteur
Arnaud Stolz, Ali Soltani, Bassam Abdallah, Joël Charrier, Dominique Deresmes, Pierre-Yves Jouan, Mohamed Abdou Djouadi, El Hadj Dogheche, Jean-Claude de Jaeger
article
Thin Solid Films, Elsevier, 2013, 534, pp.442-445. ⟨10.1016/j.tsf.2013.01.086⟩
identifiant
hal-01264133
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titre
Terahertz detection in zero-bias InAs self-switching diodes at room temperature
auteur
A. Westlund, P. Sangare, G. Ducournau, P.A. Nilsson, Christophe Gaquière, L. Desplanque, X. Wallart, J. Grahn
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2013, 103, pp.133504-1-4. ⟨10.1063/1.4821949⟩
identifiant
hal-00872026
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titre
Radio-frequency and low noise characteristics of SOI technology on plastic for flexible electronics
auteur
A. Lecavelier Des Etangs-Levallois, M. Lesecq, F. Danneville, Y. Tagro, S. Lepilliet, V. Hoel, D. Troadec, D. Gloria, C. Raynaud, E. Dubois
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2013, 90, pp.73-78. ⟨10.1016/j.sse.2013.02.049⟩
identifiant
hal-00914203
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titre
Leakage current, capacitance hysteresis and deep traps in Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC high-electron-mobility transistors
auteur
S. Saadaoui, M.M. Ben Salem, O. Fathallah, M. Gassoumi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Physica B: Condensed Matter, Elsevier, 2013, 412, pp.126-129. ⟨10.1016/j.physb.2012.11.031⟩
identifiant
hal-00796437
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BibTex
titre
Non-linear nanochannels for room temperature terahertz heterodyne detection
auteur
J. Torres, P. Nouvel, A. Penot, L. Varani, P. Sangare, B. Grimbert, M. Faucher, G. Ducournau, Christophe Gaquière, I. Iniguez-De-La-Torre, J. Mateos, T. Gonzalez
article
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2013, 28, 125024, 6 p. ⟨10.1088/0268-1242/28/12/125024⟩
identifiant
hal-00907348
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BibTex
titre
Developments, characterization and proton irradiation damage tests of AlN detectors for VUV solar observations
auteur
A. Ben Moussa, A. Soltani, J.C. Gerbedoen, T. Saito, S. Averin, S. Gissot, B. Giordanengo, G. Berger, U. Kroth, J.C. de Jaeger, A. Gottwald
article
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, Elsevier, 2013, 312, pp.48-53. ⟨10.1016/j.nimb.2013.05.091⟩
identifiant
hal-00872009
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BibTex
titre
Experimental demonstration of direct terahertz detection at room-temperature in AlGaN/GaN asymmetric nanochannels
auteur
P. Sangare, G. Ducournau, B. Grimbert, V. Brandli, M. Faucher, Christophe Gaquière, A. Iniguez-De-La-Torre, I. Iniguez-De-La-Torre, J.F. Millithaler, J. Mateos, T. Gonzalez
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2013, 113, pp.034305-1-6. ⟨10.1063/1.4775406⟩
identifiant
hal-00796434
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BibTex
titre
Optical properties of aluminum nitride thin films grown by direct-current magnetron sputtering close to epitaxy
auteur
A. Stolz, A. Soltani, B. Abdallah, Joël Charrier, D. Deresmes, Pierre-Yves Jouan, M. A. Djouadi, El Hadj Dogheche, J.C. de Jaeger
article
Thin Solid Films, Elsevier, 2013, 534, pp.442-445. ⟨10.1016/j.tsf.2013.01.086⟩
identifiant
hal-00819476
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titre
Electron transport in passivated AlGaN/GaN/Si HEMTs
auteur
M. Gassoumi, H. Mosbahi, A. Soltani, V. Sbrugnera-Avramovic, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Mejri, H. Maaref
article
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2013, 16, pp.1775-1778. ⟨10.1016/j.mssp.2013.06.025⟩
identifiant
hal-00872024
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BibTex
titre
Effect of surface passivation by SiN/SiO2 of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors on Si substrate by deep level transient spectroscopy method
auteur
M. Gassoumi, H. Mosbahi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Semiconductors, 2013, 47, pp.1002-1005
identifiant
hal-00806585
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BibTex
titre
Fabrication, characterization, and physical analysis of AlGaN/GaN HEMTs on flexible substrates
auteur
N. Defrance, F. Lecourt, Y. Douvry, M. Lesecq, V. Hoel, A. Lecavelier Des Etangs-Levallois, Y. Cordier, A. Ebongue, J.C. de Jaeger
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013, 60, pp.1054-1059. ⟨10.1109/TED.2013.2238943⟩
identifiant
hal-00797212
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BibTex
titre
Direct-current and radio-frequency characteristics of passivated AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, H. Mejri, I. Saidi, Christophe Gaquière, M.A. Zaidi, H. Maaref
article
Current Applied Physics, Elsevier, 2013, 13, pp.1359-1364. ⟨10.1016/j.cap.2013.04.003⟩
identifiant
hal-00872006
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BibTex
titre
[Invited] Assessment of transistors based on GaN on silicon substrate in view of integration with silicon technology
auteur
A. Soltani, Y. Cordier, J.C. Gerbedoen, S. Joblot, E. Okada, M. Chmielowska, M.R. Ramdani, J.C. de Jaeger
article
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2013, 28, pp.094003-1-6. ⟨10.1088/0268-1242/28/9/094003⟩
identifiant
hal-00872010
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BibTex
titre
Robust surface-potential-based compact model for GaN HEMT IC design
auteur
S. Khandelwal, C. Yadav, S. Agnihotri, Y.S. Chauhan, A. Curutchet, T. Zimmer, J.C. Dejaeger, N. Defrance, T.A. Fjeldly
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013, 60, pp.3216-3222. ⟨10.1109/TED.2013.2265320⟩
identifiant
hal-00872023
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BibTex
titre
Power performance at 40 GHz on quaternary barrier InAlGaN/GaN HEMT
auteur
F. Lecourt, A. Agboton, N. Ketteniss, H. Behmenburg, N. Defrance, V. Hoel, H. Kalisch, A. Vescan, M. Heuken, J.C. de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013, 34, pp.978-980. ⟨10.1109/LED.2013.2266123⟩
identifiant
hal-00872022
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BibTex
titre
Optimization of Al0.29Ga0.71N/GaN high electron mobility heterostructures for high-power/frequency performances
auteur
S. Rennesson, F. Lecourt, N. Defrance, M. Chmielowska, Sébastien Chenot, M. Lesecq, V. Hoel, E. Okada, Y. Cordier, J.C. de Jaeger
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013, 60, pp.3105-3111. ⟨10.1109/TED.2013.2272334⟩
identifiant
hal-00872025
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BibTex
titre
A converging route towards very high frequency, mechanically flexible, and performance stable integrated electronics
auteur
A. Lecavelier Des Etangs-Levallois, Z. K. Chen, M. Lesecq, S. Lepilliet, Y. Tagro, F. Danneville, J.F. Robillard, V. Hoel, D. Troadec, D. Gloria, C. Raynaud, J. Ratajczak, E. Dubois
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2013, 113, pp.153701-1-9. ⟨10.1063/1.4801803⟩
identifiant
hal-00819466
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BibTex
titre
AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate with 206-GHz FMAX
auteur
S. Bouzid-Driad, H. Maher, N. Defrance, V. Hoel, J.C. de Jaeger, M. Renvoise, P. Frijlink
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013, 34, pp.36-38. ⟨10.1109/LED.2012.2224313⟩
identifiant
hal-00796433
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BibTex
titre
Power performance of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors on (110) silicon substrate at 40 GHz
auteur
A. Soltani, J.C. Gerbedoen, Y. Cordier, D. Ducatteau, M Rousseau, M. Chmielowska, M. Ramdani, J.C. de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2013, 34, pp.490-492. ⟨10.1109/LED.2013.2244841⟩
identifiant
hal-00809856
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Conference papers

titre
Electron delay analysis and image charge effect in AlGaN/GaN HEMT on silicon substrate
auteur
A. Agboton, N. Defrance, P. Altuntas, V. Avramovic, A. Cutivet, R. Ouhachi, Jean-Claude de Jaeger, S. Bouzid-Driad, H. Maher, M. Renvoise, P. Frijlink
article
43rd Conference on European Solid-State Device Research, Sep 2013, Bucharest, Romania
identifiant
hal-03285110
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titre
Pulsed power operation of power limiters integrating a phase transition material
auteur
Aurelian Crunteanu, Emilien Lemoine, Jonathan Leroy, Damien Passerieux, Philippe Lévêque, Pierre Blondy, Christophe Gaquière, D. Ducatteau, Jean-Christophe Orlianges, Corinne Champeaux
article
IEEE MTT−S International Microwave Symposium, Jun 2013, Seattle, United States. Paper ID: TH3G-6, ⟨10.1109/MWSYM.2013.6697605⟩
identifiant
hal-00911266
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titre
Impact of BEOL stress on BiCMOS9MW HBTs
auteur
Elodie Canderle, P. Chevalier, G. Avenier, N. Derrier, D. Céli, Christophe Gaquière
article
27th IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2013, 2013, Bordeaux, France. session 13 : Advanced SiGe BiCMOS Processes, paper 13.1, 223-226, ⟨10.1109/BCTM.2013.6798181⟩
identifiant
hal-00996056
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titre
Monte Carlo analysis of thermal effects in self-switching diodes
auteur
J.F. Millithaler, I. Iniguez-De-La-Torre, T. Gonzalez, J. Mateos, P. Sangare, G. Ducournau, Christophe Gaquière
article
9th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2013, 2013, Valladolid, Spain. pp.45-48, ⟨10.1109/CDE.2013.6481338⟩
identifiant
hal-00806588
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titre
Electron delay analysis and image charge effect in AlGaN/GaN HEMT technology
auteur
Alain Agboton, Nicolas Defrance, Philippe Altuntas, Vanessa Avramovic, Adrien Cutivet, Rezki Ouhachi, Jean-Claude de Jaeger, S. Bouzid-Driad, H. Maher, M. Renvoise, P. Frijlink
article
43rd European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2013, 2013, Bucharest, Romania. pp.57-60, ⟨10.1109/ESSDERC.2013.6818818⟩
identifiant
hal-00997378
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titre
Amplificateur de puissance GaN à haut rendement avec polarisation dynamique
auteur
F. Gamand, M.D. Li, Christophe Gaquière
article
18èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2013, 2013, Paris, France. papier J1-DA2-2, 4 p
identifiant
hal-00878391
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titre
Polarization engineering of AlGaN/GaN HEMTs for high power applications at 40 GHz
auteur
Stéphanie Rennesson, François Lecourt, Nicolas Defrance, M. Chmielowska, S. Chenot, Marie Lesecq, Virginie Hoel, Etienne Okada, Yvon Cordier, Jean-Claude de Jaeger
article
Joint 5th International Workshop on Silicon Carbide Hetero-Epitaxy and 5th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications, HeteroSiC-WASMPE 2013, 2013, Nice, France
identifiant
hal-00987957
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titre
[Invité] Etat de l'art et défis du GaN pour l'électronique
auteur
R. Aubry, Y. Cordier, J.C. de Jaeger, N. Grandjean, M. Rocchi, P. Saunier, F. Semond, Jean-Guy Tartarin
article
14èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO 2013, Table ronde, 2013, Evian, France
identifiant
hal-00878877
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titre
Caractérisation de l'auto-échauffement des TBHs SiGe:C par l'extraction de l'impédance thermique
auteur
I. Hasnaoui, A. Pottrain, D. Gloria, P. Chevalier, E. Canderle, Christophe Gaquière
article
18èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2013, 2013, Paris, France. papier J1-DA1-2, 4 p
identifiant
hal-00878390
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titre
AlGaN/GaN HEMTs on HR silicon substrate (111) with an AlN seed film grown by PVD
auteur
P. Altuntas, N. Defrance, M. Lesecq, A. Cutivet, A. Agboton, Y. Cordier, M. Chmielowska, S. Rennesson, J. Camus, K. Ait Aissa, L. Le Brizoual, M. A. Djouadi, J.C. de Jaeger
article
22nd European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2013, 2013, Glasgow, Scotland, United Kingdom. paper 5.6, 2 p
identifiant
hal-00877773
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titre
Noise in terahertz detectors based on semiconductor nanochannels
auteur
J.F. Millithaler, I. Iniguez-De-La-Torre, T. Gonzalez, J. Mateos, P. Sangare, G. Ducournau, Christophe Gaquière
article
22nd International Conference on Noise and Fluctuations, ICNF 2013, 2013, Montpellier, France. 4 p., ⟨10.1109/ICNF.2013.6578885⟩
identifiant
hal-00877771
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titre
Geometry optimization for sub-THz Gunn emission : a V-shape GaN nanodevice
auteur
I. Iniguez-De-La-Torre, J.F. Millithaler, A. Iniguez-De-La-Torre, J. Mateos, P. Sangare, G. Ducournau, Christophe Gaquière, T. Gonzales
article
18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures, EDISON18, 2013, Matsue, Japan
identifiant
hal-00823433
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titre
Effect of passivation on pinch-off current leakage characteristics of AlGaN/GaN/Si HEMTs
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, H. Mejri, Christophe Gaquière, B. Grimbert, M.A. Zaidi, H. Maaref
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2013, Symposium D - Advanced inorganic materials and structures for photovoltaics, 2013, Strasbourg, France
identifiant
hal-00819700
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titre
[Invité] Caractérisation des composants silicium en gamme de fréquence millimétrique
auteur
Christophe Gaquière
article
Journées Thématiques du GdR Ondes, RF/millimétrique et optique intégrée, 2013, Grenoble, France
identifiant
hal-00811822
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titre
Epitaxial growth of AlN thin films at low temperature by magnetron sputtering technique
auteur
J. Camus, Quentin Simon, K. Ait Aissa, S. Bensalem, L. Le Brizoual, G. Tessier, Y. Scudeller, M. A. Djouadi, Y. Cordier, E. Frayssinet, M. Chmielowska, M. Nemoz, P. Vennegues, Sébastien Chenot, N. Defrance, M. Lesecq, P. Altuntas, A. Cutivet, A. Agboton, J.C. de Jaeger
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2013, Symposium J - Semiconductor nanostructures towards electronic and optoelectronic device applications IV, 2013, Strasbourg, France
identifiant
hal-00878878
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titre
Optimization of AlGaN/GaN high electron mobility heterostructues on silicon for low cost power devices operating at 40 GHz
auteur
Stéphanie Rennesson, M. Chmielowska, S. Chenot, Yvon Cordier, François Lecourt, Nicolas Defrance, Marie Lesecq, Virginie Hoel, Etienne Okada, Jean-Claude de Jaeger
article
10th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-10, 2013, Washington, DC, United States
identifiant
hal-00987956
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titre
Room temperature THz detection and emission with semiconductor nanodevices
auteur
J. Mateos, J.F. Millithaler, I. Iniguez-De-La-Torre, A. Iniguez-De-La-Torre, B.G. Vasallo, S. Perez, T. Gonzalez, P. Sangare, G. Ducournau, Christophe Gaquière, Y. Alimi, L. Zhang, A. Rezazadeh, A.M. Song, A. Westlund, J. Grahn
article
9th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2013, 2013, Valladolid, Spain. pp.215-218, ⟨10.1109/CDE.2013.6481381⟩
identifiant
hal-00806587
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titre
200 GHz communication system using unipolar InAs THz rectifiers
auteur
G. Ducournau, A. Westlund, P. Sangare, Christophe Gaquière, P.A. Nislon, L. Desplanque, J.L. Codron, X. Wallart, I. Iniguez de la Torre, J.F. Millithaler, T. Gonzales, J. Mateos, J. Grahn
article
38th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2013, 2013, Mainz, Germany. paper MO11-3, 2 p., ⟨10.1109/IRMMW-THz.2013.6665492⟩
identifiant
hal-00914236
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titre
Semiconductor nanodevices for room temperature THz detection and emission
auteur
J. Mateos, J.F. Millithaler, I. Iniguez-De-La-Torre, A. Iniguez-De-La-Torre, B.G. Vasallo, S. Perez, P. Sangare, G. Ducournau, Christophe Gaquière, Y. Alimi, L. Zhang, A. Rezazadeh, A.M. Song, A. Westlund, J. Grahn, T. Gonzalez
article
International Workshop on Terahertz Science and Technology, OTST 2013, 2013, Kyoto, Japan
identifiant
hal-00811823
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titre
Effect of pinch-off current leakage characteristics of AlGaN/GaN/Si HEMTs
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, H. Mejri, Christophe Gaquière, B. Grimbert, M.A. Zaidi, H. Maaref
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2013, Symposium L - Group III nitrides, 2013, Strasbourg, France
identifiant
hal-00819698
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titre
RF power potential of high-k metal gate 28 nm CMOS technology
auteur
R. Ouhachi, A. Pottrain, D. Ducatteau, E. Okada, Christophe Gaquière, D. Gloria
article
International Semiconductor Conference, CAS 2013, 2013, Sinaia, Romania. paper 9057, 181-184, ⟨10.1109/SMICND.2013.6688649⟩
identifiant
hal-00922406
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titre
94-GHz load pull measurements of SiGe HBT by extracting output power density in W-band
auteur
I. Hasnaoui, E. Canderle, P. Chevalier, D. Gloria, Christophe Gaquière
article
8th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2013, and 43rd European Microwave Conference, EuMC 2013, European Microwave Week 2013, 2013, Nuremberg, Germany. paper EuMC/EuMIC04-4, 400-403
identifiant
hal-00922493
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titre
AlN/SI interfaces properties revealed by broadband characterization of coplanar waveguides
auteur
A. Cutivet, A. Agboton, P. Altuntas, F. Lecourt, M. Lesecq, N. Defrance, Y. Cordier, M. Chmielowska, S. Rennesson, J. Camus, K. Ait Aissa, L. Le Brizoual, M. A. Djouadi, J.C. de Jaeger, F. Boone, H. Maher
article
37th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2013, 2013, Warnemünde, Germany. pp.37-38
identifiant
hal-00828412
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titre
Extraordinary room temperature THz heterodyne detector: the self-switching nanodiode
auteur
J. Torres, P. Nouvel, A. Penot, L. Varani, P. Sangare, B. Grimbert, M. Faucher, G. Ducourneau, Christophe Gaquière, I. Iniguez-De-La-Torre, J. Mateos, T. Gonzalez
article
18th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructure, 2013, Matsue, Japan
identifiant
hal-01926264
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titre
STARGAN : études de structures avancées de la filière nitrure de gallium (GaN)
auteur
F. Lecourt, Y. Douvry, M. Lesecq, N. Defrance, A. Agboton, E. Okoda, V. Hoel, J.C. de Jaeger, M. Chmielowska, S. Rennesson, S. Chenot, Y. Cordier, L. Lacheze, S. Bouzid, P. Frijlink
article
Journées Nationales en Nanosciences et Nanotechnologies, J3N 2013, 2013, Marseille, France
identifiant
hal-00941541
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titre
Highly oriented (00.2) aluminum nitride close to single crystal using (111) titanium nitride buffer layer for microwave high power electro-acoustic devices
auteur
A. Soltani, A. Talbi, V. Mortet, A. Bassam, J.C. Gerbedoen, G. Patriarche, J.C. de Jaeger, P. Pernod
article
IEEE International Ultrasonics Symposium, IUS 2013, 2013, Prague, Czech Republic
identifiant
hal-00944055
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titre
Larges bandes interdites phononiques dans une structure de piliers coniques déposés sur un substrat piézoélectrique
auteur
Abdelali Mrabti, Mourad Oudich, Abdellatif Akjouj, Yan Pennec, Bahram Djafari-Rouhani, Abdelkrim Talbi, Jérémy Streque, Yu Du, Ali Soltani, Philippe Pernod
article
16èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2013, 2013, Grenoble, France. papier 95, 3 p
identifiant
hal-00977478
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2012

Journal articles

titre
Annihilation of electrical trap effects by irradiating AlGaN/GaN HEMTs with low thermal neutrons radiation fluence
auteur
F. Berthet, Y. Guhel, H. Gualous, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, Christophe Gaquière
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2012, 52 (9-10), pp.2159 - 2163. ⟨10.1016/j.microrel.2012.07.007⟩
identifiant
hal-01646904
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titre
Large signal microwave performances of high-k metal gate 28 nm CMOS technology
auteur
R. Ouhachi, A. Pottrain, D. Ducatteau, E. Okada, D. Gloria, Christophe Gaquière
article
Electronics Letters, IET, 2012, 48, pp.1627-1629. ⟨10.1049/el.2012.3443⟩
identifiant
hal-00788176
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titre
Terahertz interferometer for integrated Goubau-line waveguides
auteur
S. Laurette, A. Treizebre, N.E. Bourzgui, B. Bocquet
article
Progress In Electromagnetics Research Letters, EMW Publishing, 2012, 30, pp.49-58
identifiant
hal-00788303
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titre
High power density performances of SiGe HBT from BiCMOS technology at W-band
auteur
A. Pottrain, T. Lacave, D. Ducatteau, D. Gloria, P. Chevalier, Christophe Gaquière
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2012, 33, pp.182-184. ⟨10.1109/LED.2011.2177631⟩
identifiant
hal-00788168
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titre
435mS/mm transconductance for AlGaN/GaN HEMTs on HR-Si substrate with optimised gate-source spacing
auteur
S. Bouzid, H. Maher, N. Defrance, V. Hoel, F. Lecourt, M. Renvoise, J.C. de Jaeger, P. Frijlink
article
Electronics Letters, IET, 2012, 48, pp.69-71. ⟨10.1049/el.2011.3605⟩
identifiant
hal-00787867
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BibTex
titre
Electromechanical transconductance properties of a GaN MEMS resonator with fully integrated HEMT transducers
auteur
M. Faucher, Y. Cordier, M. Werquin, L. Buchaillot, Christophe Gaquière, D. Theron
article
Journal of Microelectromechanical Systems, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2012, 21, pp.370-378. ⟨10.1109/JMEMS.2011.2179010⟩
identifiant
hal-00787408
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BibTex
titre
Impact of low gamma radiation dose on electrical trap related effects in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
F. Berthet, Y. Guhel, B. Boudart, H. Gualous, J.L. Trolet, M. Piccione, Christophe Gaquière
article
Electronics Letters, IET, 2012, 48, pp.1078-1079. ⟨10.1049/el.2012.1966⟩
identifiant
hal-00788173
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BibTex
titre
Anomaly and defects characterization by I-V and current deep level transient spectroscopy of Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC high electron-mobility transistors
auteur
S. Saadaoui, M.M. Ben Salem, M. Gassoumi, H. Maaref, Christophe Gaquière
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2012, 111, pp.073713-1-6. ⟨10.1063/1.3702458⟩
identifiant
hal-00787870
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BibTex
titre
Annihilation of electrical trap effects by irradiating AlGaN/GaN HEMTs with low thermal neutrons radiation fluence
auteur
F. Berthet, Y. Guhel, H. Gualous, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, Christophe Gaquière
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2012, 52, pp.2159-2163. ⟨10.1016/j.microrel.2012.07.007⟩
identifiant
hal-00790438
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BibTex
titre
Searching for THz Gunn oscillations in GaN planar nanodiodes
auteur
A. Iniguez-De-La-Torre, I. Iniguez-De-La-Torre, J. Mateos, T. Gonzalez, P. Sangare, M. Faucher, B. Grimbert, V. Brandli, G. Ducournau, Christophe Gaquière
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2012, 111, pp.113705-1-9. ⟨10.1063/1.4724350⟩
identifiant
hal-00788170
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BibTex
titre
Bias dependence of gallium nitride micro-electro-mechanical systems actuation using a two-dimensional electron gas
auteur
A. Ben Amar, M. Faucher, B. Grimbert, Y. Cordier, M. François, P. Tilmant, M. Werquin, V. Zhang, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, L. Buchaillot, D. Theron
article
Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters, Japan Society of Applied Physics, 2012, 5, pp.067201-1-3. ⟨10.1143/APEX.5.067201⟩
identifiant
hal-00787414
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BibTex
titre
[Review] Characterization and analysis of electrical trap related effects on the reliability of AlGaN/GaN HEMTs
auteur
F. Berthet, Y. Guhel, H. Gualous, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, V. Sbrugnera, B. Grimbert, Christophe Gaquière
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2012, 72, pp.15-21. ⟨10.1016/j.sse.2011.12.002⟩
identifiant
hal-00788193
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BibTex
titre
Electrical characterization of AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, H. Mejri, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Journal of Electron Devices, Beirut Euro-Mediterranean Institute for Sustainable Development, 2012, 15, pp.1225-1231
identifiant
hal-00788172
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BibTex
titre
Evidence of surface states for AlGaN/GaN/SiC HEMTs passivated Si3N4 by CDLTS
auteur
M. Gassoumi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Semiconductors, 2012, 46, pp.382-385. ⟨10.1134/S1063782612030104⟩
identifiant
hal-00788194
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BibTex
titre
The effect of gate length variation on InAlGaN/GaN HFET device characteristics
auteur
N. Ketteniss, H. Behmenburg, F. Lecourt, N. Defrance, V. Hoel, J.C. de Jaeger, M. Heuken, H. Kalisch, A. Vescan
article
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2012, 27, pp.035009-1-4. ⟨10.1088/0268-1242/27/3/035009⟩
identifiant
hal-00788167
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BibTex
titre
Grain size tuning of nanocrystalline chemical vapor deposited diamond by continuous electrical bias growth : experimental and theoretical study
auteur
V. Mortet, L. Zhang, M. Eckert, J. d'Haen, A. Soltani, M. Moreau, D. Troadec, E. Neyts, J.C. de Jaeger, J. Verbeeck, A. Bogaerts, G. van Tendeloo, K. Haenen, P. Wagner
article
physica status solidi (a), Wiley, 2012, 209, pp.1675-1682. ⟨10.1002/pssa.201200581⟩
identifiant
hal-00788174
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BibTex
titre
Efficient physical-thermal model for thermal effects in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
auteur
M Rousseau, A. Soltani, J.C. de Jaeger
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2012, 101, pp.122101-1-3. ⟨10.1063/1.4753815⟩
identifiant
hal-00787873
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BibTex
titre
Analysis of the SiO2/Si3N4 passivation bilayer thickness on the rectifier behavior of AlGaN/GaN HEMTs on (111) silicon substrate
auteur
M. Mattalah, A. Soltani, J.C. Gerbedoen, A. Ahaitouf, N. Defrance, Y. Cordier, J.C. de Jaeger
article
physica status solidi (c), Wiley, 2012, 9, pp.1083-1087. ⟨10.1002/pssc.201100211⟩
identifiant
hal-00790433
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BibTex
titre
Effect of heterostructure design on current-voltage characteristics in AlxGa1-xN/GaN double-barriers resonant tunneling diode
auteur
M. Boucherit, A. Soltani, M Rousseau, J.L. Farvacque, J.C. de Jaeger
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2012, 112, pp.114305-1-5. ⟨10.1063/1.4767382⟩
identifiant
hal-00787875
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BibTex
titre
Dual-purpose BGaN layers on performance of nitride-based high electron mobility transistors
auteur
V. Ravindran, M. Boucherit, A. Soltani, S. Gautier, T. Moudakir, J. Dickerson, P.L. Voss, M.A. Di Forte-Poisson, J.C. de Jaeger, A. Ougazzaden
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2012, 100, pp.243503-1-4. ⟨10.1063/1.4729154⟩
identifiant
hal-00787871
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BibTex
titre
Influence of thermal and fast neutron irradiation on DC electrical performances of AlGaN/GaN transistors
auteur
F. Berthet, Y. Guhel, B. Boudart, H. Gualous, J.L. Trolet, M. Piccione, Christophe Gaquière
article
IEEE Transactions on Nuclear Science, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2012, 59, pp.2556-2561. ⟨10.1109/TNS.2012.2209894⟩
identifiant
hal-00788175
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BibTex
titre
A 10-MHz GaN HEMT DC/DC boost converter for power amplifier applications
auteur
F. Gamand, M.D. Li, Christophe Gaquière
article
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, IEEE, 2012, 59, pp.776-779. ⟨10.1109/TCSII.2012.2228397⟩
identifiant
hal-00787876
Accès au bibtex
BibTex
titre
Theoretical study of Lamb acoustic waves characteristics in a AlN/diamond composite membranes for super high frequency range operating devices
auteur
A. Talbi, A. Soltani, V. Mortet, J.C. Gerbedoen, J.C. de Jaeger, P. Pernod
article
Diamond and Related Materials, Elsevier, 2012, 22, pp.66-69. ⟨10.1016/j.diamond.2011.10.027⟩
identifiant
hal-00787352
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Conference papers

titre
Characterization on AlGaN/GaN/Si HEMTs devices passivated with SiN/SiO2
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, V. Sbrugnera-Avramovic, Christophe Gaquière, B. Grimbert, H. Maaref
article
36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2
identifiant
hal-00801155
Accès au bibtex
BibTex
titre
Characterization and analysis of different surface passivation for AlGaN/GaN HEMTs
auteur
F. Lecourt, N. Defrance, S. Rennesson, V. Hoel, Y. Cordier, J.C. de Jaeger
article
36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2
identifiant
hal-00801154
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titre
Analysis of surface charging effects in passivated AlGaN/GaN HEMTS on SiC substrate
auteur
M. Gassoumi, O. Fathalla, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
11th Expert Meeting on Evaluation & Control of Coumpound Semiconductor Materials and Technologies, EXMATEC 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2
identifiant
hal-00802567
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titre
160W InAlN/GaN HEMTs amplifier at 2 GHz with optimized thermal management
auteur
S. Piotrowicz, O. Jardel, J.C. Jacquet, D. Lancereau, R. Aubry, E. Morvan, N. Sarazin, J. Dufraisse, C. Dua, M. Oualli, E. Chartier, M.A. Di-Forte Poisson, Christophe Gaquière, S.L. Delage
article
34th IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, CSICS 2012, 2012, La Jolla, CA, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/CSICS.2012.6340059⟩
identifiant
hal-00801142
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titre
Fabrication, characterization and analysis of AlN thin films grown on HR-silicon by MBE and PVD methods
auteur
N. Defrance, M. Lesecq, F. Lecourt, V. Hoel, J.C. de Jaeger
article
11th Expert Meeting on Evaluation & Control of Coumpound Semiconductor Materials and Technologies, EXMATEC 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2
identifiant
hal-00801190
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titre
Initiation à la microfluidique par la simulation, la réalisation et la caractérisation de microsystèmes
auteur
S. Laurette, R. Dufour, T. Dargent, M. Harnois, N.E. Bourzgui, V. Thomy
article
12èmes Journées Pédagogiques CNFM, 2012, Saint Malo, France. pp.1-6
identifiant
hal-00806632
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titre
Optimization of AlGaN/GaN HEMT Schottky contact for microwave applications
auteur
S. Bouzid-Driad, H. Maher, M. Renvoise, P. Frijlink, M. Rocchi, N. Defrance, V. Hoel, J.C. de Jaeger
article
7th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2012, 2012, Amsterdam, Netherlands. pp.119-122
identifiant
hal-00814976
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titre
Extrinsic base resistance optimization in DPSA-SEG SiGe:C HBTs
auteur
E. Canderle, P. Chevalier, A. Montagne, L. Moynet, G. Avenier, P. Boulenc, M. Buczko, Y. Carminati, J. Rosa, Christophe Gaquière, A. Chantre
article
26th IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2012, 2012, Portland, OR, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/BCTM.2012.6352650⟩
identifiant
hal-00801192
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titre
GaN MEMS resonators : from demonstration to microsystem-compatible performances
auteur
M. Faucher, A. Ben Amar, V. Zhang, Y. Cordier, M. Werquin, V. Brandli, B. Grimbert, F. Vaurette, P. Tilmant, M. François, C. Boyaval, S. Lepilliet, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, L. Buchaillot, D. Theron
article
36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-4
identifiant
hal-00801104
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titre
Implantation d'un modulateur numérique QPSK dans un circuit FPGA
auteur
N.E. Bourzgui, H. Happy
article
12èmes Journées Pédagogiques CNFM, 2012, Saint Malo, France
identifiant
hal-00798844
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titre
Analysis of surface charging effects in passivated AlGaN/GaN HEMTs
auteur
M. Gassoumi, H. Mosbahi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2012, Symposium Q : Novel materials and fabrication methods for new emerging devices, 2012, Strasbourg, France
identifiant
hal-00798219
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titre
THz applications at room temperature based on self switch diodes using wide bandgap material
auteur
Christophe Gaquière, G. Ducournau, P. Sangare, B. Grimbert, M. Faucher, I. Iniguez-De-La-Torre, A. Iniguez-De-La-Torre, T. Gonzalez, J. Mateos
article
IEEE IMS Workshops & Short Courses : THz Devices and Systems Based on Nanotechnology, 2012, Montréal, Canada
identifiant
hal-00798262
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titre
Anomaly and defects characterization by IDS(VDS) and drain-current DLTS of Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC HEMT's
auteur
S. Saadaoui, M.M. Ben Salem, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2
identifiant
hal-00801156
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titre
High transconductance on AlGaN/GaN HEMT on (110) silicon substrate
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, Y. Cordier, J.C. de Jaeger
article
7th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2012, 2012, Amsterdam, Netherlands. pp.413-416
identifiant
hal-00814978
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titre
Radio frequency and low noise characteristics of SOI technology on plastic for flexible electronics
auteur
A. Lecavelier Des Etangs-Levallois, E. Dubois, M. Lesecq, F. Danneville, Y. Tagro, S. Lepilliet, D. Gloria, C. Raynaud
article
8th European Workshop on Silicon on Insulator Technology, Devices and Circuits, EuroSOI 2012, 2012, Montpellier, France. pp.73-78, ⟨10.1016/j.sse.2013.02.049⟩
identifiant
hal-00797713
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titre
Study of ohmic contact formation on diamond surfaces
auteur
J.C. Gerbedoen, G. Patriarche, C. Mer-Calfati, Jean-Charles Arnault, A. Soltani, J.C. de Jaeger
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2012, Symposium K : Surface modifications of carbon-related materials II, 2012, Strasbourg, France
identifiant
hal-00798205
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titre
Improvement of direct current and radio frequency characteristics of AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, B. Grimbert, H. Maaref
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2012, Symposium Y : Advanced materials and characterization techniques for solar cells, 2012, Strasbourg, France
identifiant
hal-00798201
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titre
AlGaN/GaN based field effect transistors for terahertz detection and imaging
auteur
M. Sakowicz, M.B. Lifshits, O.A. Klimenko, D. Coquillat, N. Dyakonova, F. Teppe, Christophe Gaquière, M.A. Poisson, S. Delage, W. Knap
article
SPIE 2012 Photonics West, Gallium Nitride Materials and Devices VII, 2012, San Francisco, CA, United States. pp.82621V-1-5, ⟨10.1117/12.908236⟩
identifiant
hal-00801202
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titre
State of the art 200 GHz power measurements on SiGe:C HBT using an innovative load pull measurement setup
auteur
A. Pottrain, T. Lacave, D. Gloria, P. Chevalier, Christophe Gaquière
article
60th IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2012, 2012, Montréal, Canada. pp.1-3, ⟨10.1109/MWSYM.2012.6259409⟩
identifiant
hal-00801191
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titre
[Invited] High frequency characterization of nanotechnologies : toward new instrumentations and techniques
auteur
G. Dambrine, K. Haddadi, Christophe Gaquière, T. Lasri, Y. Tagro, L. Poulain, A. Pottrain
article
36th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-4
identifiant
hal-00801042
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Patents

titre
Amélioration des propriétés de transport dans les transistors HEMT composés de semi-conducteurs borés à larges bande interdite (III-B)-N
auteur
A. Ougazzaden, M.A. Poisson, V. Ravindran, A. Soltani, J.C. de Jaeger
article
N° de brevet: FR2974242 (A1). 2012
identifiant
hal-00743478
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2011

Journal articles

titre
Characterization of the self-heating of AlGaN/GaN HEMTs during an electrical stress by using Raman spectroscopy
auteur
F. Berthet, Y. Guhel, H. Gualous, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, Christophe Gaquière
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2011, 51 (9-11), pp.1796 - 1800. ⟨10.1016/j.microrel.2011.07.022⟩
identifiant
hal-01646870
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titre
Indirect interband transition in hexagonal GaN
auteur
O Lancry, J.-L Farvacque, E Pichonat, Christophe Gaquière
article
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2011, 44 (7), pp.75105. ⟨10.1088/0022-3727/44/7/075105⟩
identifiant
hal-00594972
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00594972/file/PEER_stage2_10.1088%252F0022-3727%252F44%252F7%252F075105.pdf BibTex
titre
Characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistor grown on silicon carbide devices with a gate length Lg = 0.15 µm
auteur
M. Gassoumi, M.M. Ben Salem, S. Saadaoui, W. Chikhaoui, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Sensor letters, American Scientific Publishers, 2011, 9, pp.2178-2181. ⟨10.1166/sl.2011.1788⟩
identifiant
hal-00795894
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titre
Electrical characterization of traps in AlGaN/GaN FAT-HEMT's on silicon substrate by C-V and DLTS measurements
auteur
M. Charfeddine, M. Gassoumi, H. Mosbahi, Christophe Gaquière, M.A. Zaidi, H. Maaref
article
Journal of Modern Physics, Scientific Research Publishing (SCIRP), 2011, 2, pp.1229-1234. ⟨10.4236/jmp.2011.210152⟩
identifiant
hal-00783410
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titre
The effects of gate length variation and trapping effects on the transient response of AlGaN/GaN HEMT's on SiC substrates
auteur
M. Gassoumi, M.M. Ben Salem, S. Saadaoui, B. Grimbert, Julien Fontaine, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2011, 88, pp.370-372. ⟨10.1016/j.mee.2010.09.027⟩
identifiant
hal-00572669
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titre
Thermal characterization of MBE-grown GaN/AlGaN/GaN device on single crystalline diamond
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, D. Pogany, E. Pichonat, O. Lancry, Christophe Gaquière, G. Tsiakatouras, G. Deligeorgis, A. Georgakilas
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2011, 109, pp.086106-1-3. ⟨10.1063/1.3581032⟩
identifiant
hal-00591315
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titre
Identification and localization of electronic traps in AlGaN/GaN HEMTs on Al2O3 substrates using CDLTS
auteur
O. Fathallah, M. Gassoumi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Sensor letters, American Scientific Publishers, 2011, 9, pp.2380-2383. ⟨10.1166/sl.2011.1786⟩
identifiant
hal-00795919
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titre
Correlation between hysteresis phenomena and hole-like trap in capacitance-voltage characteristics of AlGaN/GaN of Schottky barrier diode
auteur
M. Gassoumi, S. Saadaoui, M.M. Ben Salem, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
European Physical Journal: Applied Physics, EDP Sciences, 2011, 55, pp.30101-1-4. ⟨10.1051/epjap/2011110136⟩
identifiant
hal-00639884
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titre
150-GHz RF SOI-CMOS technology in ultrathin regime on organic substrate
auteur
A. Lecavelier Des Etangs-Levallois, E. Dubois, M. Lesecq, F. Danneville, L. Poulain, Y. Tagro, S. Lepilliet, D. Gloria, C. Raynaud, D. Troadec
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2011, 32, pp.1510-1512. ⟨10.1109/LED.2011.2166241⟩
identifiant
hal-00639864
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titre
Diamond overgrown InAlN/GaN HEMT
auteur
M. Alomari, M. Dipalo, S. Rossi, M.A. Di Forte-Poisson, S. Delage, J.F. Carlin, N. Grandjean, Christophe Gaquière, L. Toth, B. Pecz, E. Kohn
article
Diamond and Related Materials, Elsevier, 2011, 20, pp.604-608. ⟨10.1016/j.diamond.2011.01.006⟩
identifiant
hal-00591327
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titre
Characterization of the self-heating of AlGaN/GaN HEMTs during an electrical stress by using Raman spectroscopy
auteur
F. Berthet, Y. Guhel, H. Gualous, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, Christophe Gaquière
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2011, 51, pp.1796-1800. ⟨10.1016/j.microrel.2011.07.022⟩
identifiant
hal-00795891
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titre
RF performance of InAlN/AlN/GaN HEMTs on sapphire substrate
auteur
F. Lecourt, N. Ketteniss, H. Behmenburg, N. Defrance, V. Hoel, M. Eickelkamp, A. Vescan, C. Giesen, M. Heuken, J.C. de Jaeger
article
Electronics Letters, IET, 2011, 47, pp.212-214. ⟨10.1049/el.2010.7512⟩
identifiant
hal-00573157
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titre
Surface passivation effects on AlGaN/GaN high electron mobility transistors with SiO2
auteur
M. Gassoumi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Sensor letters, American Scientific Publishers, 2011, 9, pp.2175-2177. ⟨10.1166/sl.2011.1787⟩
identifiant
hal-00795918
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titre
InAlN/GaN HEMTs on sapphire substrate with 2.9-W/mm output power density at 18 GHz
auteur
F. Lecourt, N. Ketteniss, H. Behmenburg, N. Defrance, V. Hoel, M. Eickelkamp, A. Vescan, C. Giesen, M. Heuken, J.C. de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2011, 32, pp.1537-1539. ⟨10.1109/LED.2011.2166949⟩
identifiant
hal-00639917
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titre
Investigation of the negative differential resistance reproducibility in AlN/GaN double-barrier resonant tunnelling diodes
auteur
M. Boucherit, A. Soltani, E. Monroy, M Rousseau, D. Deresmes, Maxime Berthe, Corentin Durand, J.C. de Jaeger
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2011, 99, pp.182109-1-3. ⟨10.1063/1.3659468⟩
identifiant
hal-00783409
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titre
Physique des fluides aux échelles microscopiques pour l'ingénierie des microsystèmes : l'apprentissage par la simulation
auteur
S. Laurette, R. Dufour, F. Bendriaa, V. Thomy, N.E. Bourzgui
article
Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, EDP Sciences, 2011, 10, pp.0001-1-9. ⟨10.1051/j3ea/2011013⟩
identifiant
hal-00806669
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titre
Electrical characterization of (Ni/Au)/Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC Schottky barrier diode
auteur
S. Saadaoui, M.M. Ben Salem, M. Gassoumi, H. Maaref, Christophe Gaquière
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2011, 110, pp.013701-1-6. ⟨10.1063/1.3600229⟩
identifiant
hal-00639910
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titre
Indirect interband transition in hexagonal GaN
auteur
O. Lancry, J.L. Farvacque, E. Pichonat, Christophe Gaquière
article
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2011, 44, pp.075105-1-4. ⟨10.1088/0022-3727/44/7/075105⟩
identifiant
hal-00572640
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titre
Poole-Frenkel assisted emissions from a barrier trap in AlGaN/GaN/Si HEMTs
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, H. Mejri, Christophe Gaquière, M.A. Zaidi, H. Maaref
article
Journal of Electron Devices, Beirut Euro-Mediterranean Institute for Sustainable Development, 2011, 11, pp.538-543
identifiant
hal-00639919
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titre
High performance of AlGaN/GaN HEMTs reported on adhesive flexible tape
auteur
M. Lesecq, V. Hoel, A. Lecavelier Des Etangs-Levallois, E. Pichonat, Y. Douvry, J.C. de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2011, 32, pp.143-145. ⟨10.1109/LED.2010.2091251⟩
identifiant
hal-00572650
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Conference papers

titre
Ionization effect on SiGe HBT power limitation in the millimeter wave frequency range
auteur
A. Pottrain, T. Lacave, D. Gloria, P. Chevalier, F. Purchon, N. Derrier, Christophe Gaquière
article
6th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2011, 2011, Manchester, United Kingdom. pp.212-215
identifiant
hal-00800126
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titre
Characterization and modeling for the piezoelectric actuator of AlGaN/GaN-resonators
auteur
A. Ben Amar, M. Faucher, B. Grimbert, V. Brandli, L. Buchaillot, Christophe Gaquière, D. Theron
article
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2
identifiant
hal-00800035
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titre
Impact of gate length on the device performance of passivated InAlN/GaN HFET
auteur
N. Ketteniss, F. Lecourt, H. Behmenburg, A. Noculak, N. Defrance, V. Hoel, J.C. de Jaeger, M. Heuken, A. Vescan
article
35th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2011, 2011, Italy. pp.1-2
identifiant
hal-00603114
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BibTex
titre
AlGaN/GaN HEMTs reported on flexible substrate
auteur
N. Defrance, M. Lesecq, F. Lecourt, V. Hoel, J.C. de Jaeger, Y. Cordier, A. Ebongue
article
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2
identifiant
hal-00800114
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titre
Wide bandgap self switch nanodevices for THz applications at room temperature
auteur
Christophe Gaquière, G. Ducournau, P. Sangare, B. Grimbert, M. Faucher, I. Iniguez-De-La-Torre, A. Iniguez-De-La-Torre, T. Gonzalez, J. Mateos
article
41st European Microwave Conference, EuMC 2011, 2011, Manchester, United Kingdom. pp.1150-1152
identifiant
hal-00800102
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BibTex
titre
Amélioration des performances électriques en régime statique et hyperfréquence de transistors HEMTs pseudomorphiques de la filière GaAs en utilisant des rayonnements ionisants
auteur
F. Berthet, Y. Guhel, H. Galous, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, N. Vellas, Christophe Gaquière
article
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, France. pp.6E9, 1-4
identifiant
hal-00603138
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titre
Etude des performances en puissance des TBH Si/SiGe pour les applications millimétriques
auteur
A. Pottrain, T. Lacave, D. Gloria, P. Chevalier, D. Ducatteau, S. Lepilliet, Christophe Gaquière
article
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, France. pp.6E2, 1-4
identifiant
hal-00603137
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titre
High RF performance of AlGaN/GaN HEMT on (110)-oriented silicon substrate
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, Y. Cordier, J.C. de Jaeger
article
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2
identifiant
hal-00800113
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BibTex
titre
Accurate multibias equivalent-circuit extraction for AlGaN/GaN/Si HEMTs passivated SiO2/Si3N4
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, B. Grimbert, H. Maaref
article
European Materials Research Society Fall Meeting, E-MRS Fall 2011, Symposium H : Novel materials for electronics, optoelectronics, photovoltaics and energy saving applications, 2011, Warsaw, Poland
identifiant
hal-00807603
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BibTex
titre
[Invited] AlGaN/GaN and InAlN/GaN HEMTs technology for high frequency wireless communication and applications needing conformability
auteur
J.C. de Jaeger, V. Hoel, M. Lesecq, N. Defrance, F. Lecourt, Y. Douvry, Christophe Gaquière, H. Maher, S. Bouzid, M. Heuken, C. Giesen, N. Ketteniss, H. Behmenburg, M. Eickelkamp, A. Vescan, Y. Cordier, A. Ebongue
article
European Microwave Week, EuMIC, Workshop W09 - Wideband GaN devices and applications, 2011, Manchester, United Kingdom
identifiant
hal-00807597
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BibTex
titre
75-nm-T-shaped-gate InAlN/AlN/GaN HEMT on sapphire with 100 GHz cutoff frequency
auteur
F. Lecourt, N. Defrance, V. Hoel, J.C. de Jaeger, N. Ketteniss, H. Behmenburg, M. Eickelkamp, A. Vescan, C. Giesen, M. Heuken
article
6th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2011, 2011, Manchester, United Kingdom. pp.136-139
identifiant
hal-00800110
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BibTex
titre
Gallium nitride approach for MEMS resonators with highly tunable piezo-amplified transducers
auteur
M. Faucher, Y. Cordier, F. Semond, V. Brandli, B. Grimbert, A. Ben Amar, M. Werquin, C. Boyaval, Christophe Gaquière, D. Théron, L. Buchaillot
article
24th International Conference on Micro Electro Mechanical Systems, MEMS 2011, 2011, Mexico. pp.581-584, ⟨10.1109/MEMSYS.2011.5734491⟩
identifiant
hal-00579046
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BibTex
titre
Compact nonlinear modeling for GaN-based power amplifier design
auteur
Christophe Gaquière, V. Di Giacomo
article
IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2011, Workshop WFC - The design flow of microwave amplifiers : Challenges and future trends, 2011, Baltimore, MD, United States
identifiant
hal-00807596
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titre
Impact of gate length on pulsed IV characteristics of passivated InAlN/GaN HFETs
auteur
M. Heuken, A. Vescan, F. Lecourt, H. Behmenburg, N. Defrance, V. Hoel, J.C. de Jaeger, H. Kalisch, N. Ketteniss
article
9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, 2011, Glasgow, United Kingdom
identifiant
hal-00807610
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BibTex
titre
Développement d'un banc de caractérisation non linéaire dans le domaine fréquentiel pour la caractérisation et la modélisation de transistors de puissance
auteur
R. Ouhachi, A. Pottrain, T. Lacave, D. Ducatteau, P. Chevalier, D. Gloria, Christophe Gaquière
article
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, France. papier 118, 2F6, 1-4
identifiant
hal-00603134
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titre
10-MHz DC/DC converter based on GaN HEMT for RF applications
auteur
F. Gamand, V. Di Giacomo, Christophe Gaquière
article
33rd International Telecommunications Energy Conference, INTELEC 2011, 2011, Amsterdam, Netherlands. pp.1-4, ⟨10.1109/INTLEC.2011.6099887⟩
identifiant
hal-00800105
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titre
CMOS digital tunable capacitance with tuning ratio up to 13 and 10dBm linearity for RF and millimeter-wave design
auteur
R. Debroucke, A. Pottrain, D. Titz, F. Gianesello, D. Gloria, C. Luxey, Christophe Gaquière
article
IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, RFIC 2011, 2011, Baltimore, MD, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/RFIC.2011.5940648⟩
identifiant
hal-00800111
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titre
Performances of InAlN/AlN/GaN HEMTs on sapphire substrate
auteur
F. Lecourt, N. Ketteniss, H. Behmenburg, N. Defrance, V. Hoel, M. Eickelkamp, A. Vescan, C. Giesen, M. Heuken, J.C. de Jaeger
article
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2
identifiant
hal-00800127
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titre
Diamond overgrowth study for high performance GaN based HEMTs
auteur
M. Alomari, S. Rossi, E. Kohn, N. Grandjean, S.L. Delage, Christophe Gaquière, L. Toth, W.C. Fan
article
22nd European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides, Diamond 2011, 2011, Garmisch-Partenkirchen, Germany
identifiant
hal-00807604
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titre
Calibration of the non linear vector network analyzer (PNA-X) for probe measurements
auteur
R. Ouhachi, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, T. Lacave, P. Chevalier, D. Gloria
article
6th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2011, 2011, Manchester, United Kingdom. pp.81-84
identifiant
hal-00800112
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titre
Nanocomposants AlGaN/GaN : application à la détection THz
auteur
P. Sangare, B. Grimbert, M. Faucher, S. Lepilliet, G. Ducournau, Christophe Gaquière
article
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, France. papier 305, 2C4, 1-4
identifiant
hal-00603132
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titre
Caractérisation et analyse des effets de pièges électriques sur la fiabilité de HEMTS AlGaN/GaN
auteur
F. Berthet, Y. Guhel, H. Galous, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, V. Sbrugnera, B. Grimbert, Christophe Gaquière
article
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, France. pp.4C3, 1-4
identifiant
hal-00603136
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titre
UV-ozone treatment on single cristal diamond for very low losses coplanar waveguide
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, P.N. Volpe, N. Defrance, J.C. de Jaeger
article
22nd European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides, Diamond 2011, 2011, Garmisch-Partenkirchen, Germany
identifiant
hal-00807611
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titre
Novel AlGaN/GaN electronic nano-devices : application for sub-terahertz waves detection
auteur
P.A.D. Sangare, G. Ducournau, B. Grimbert, M. Faucher, Christophe Gaquière
article
6èmes Journées Terahertz, 2011, La Grande-Motte, France
identifiant
hal-00807612
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titre
[Invité] Micro et nanorésonateurs électromécaniques radio-fréquences. Principes et applications
auteur
M. Faucher, Bernard Legrand, B. Walter, E. Algre, A. Ben-Amar, Y. Cordier, Christophe Gaquière, D. Theron, L. Buchaillot
article
TELECOM'2011 & 7èmes Journées Franco-Maghrébines des Micro-ondes et leurs Applications, 2011, Tanger, Maroc. CDROM, papier 554, 1-6
identifiant
hal-00806730
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titre
Optimization of AlN/GaN double-barrier resonant-tunnelling diode based on the non-equilibrium Green's function formalism
auteur
M. Boucherit, A. Soltani, M Rousseau, J.L. Farvaque, J.C. de Jaeger
article
9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, 2011, Glasgow, United Kingdom
identifiant
hal-00807607
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titre
Fabrication et caractérisation haute fréquence de lignes coplanaires sur substrat souple, en utilisant la technique d'impression par jet d'encre
auteur
J. Thielleux, E. Pichonat, P.Y. Cresson, Erick Paleczny, M. Lesecq, H. Happy
article
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, France. papier 230, 7F6, 1-4
identifiant
hal-00597143
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titre
Investigation of the negative differential resistance reproducibility in AlN/GaN double barrier resonant tunneling diodes in DC operation
auteur
M. Boucherit, A. Soltani, D. Deresmes, Maxime Berthe, E. Monroy, M Rousseau, J.C. de Jaeger
article
9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, 2011, Glasgow, United Kingdom
identifiant
hal-00807608
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titre
Performance of nanoribbons AlGaN/GaN MISHEMT
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, D. Ducatteau, J.C. de Jaeger
article
9th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-9, 2011, Glasgow, United Kingdom
identifiant
hal-00807609
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titre
Silicon high frequency test structures improvement for millimeter wave varactors characterization, optimization and modeling
auteur
F. Sonnerat, R. Debroucke, Y. Morandini, D. Gloria, Jean-Daniel Arnould, Christophe Gaquière
article
24th IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, ICMTS 2011, 2011, Amsterdam, Netherlands. pp.101-104, ⟨10.1109/ICMTS.2011.5976868⟩
identifiant
hal-00800125
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titre
AttoF MOS varactor RF measurement VNA coupled with interferometer
auteur
R. Debroucke, D. Gloria, D. Ducatteau, D. Theron, H. Tanbakuchi, Christophe Gaquière
article
77th ARFTG Microwave Measurement Conference, 2011, Baltimore, MD, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/ARFTG77.2011.6034572⟩
identifiant
hal-00800124
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2010

Journal articles

titre
Design, fabrication and physical analysis of TiN/AlN deep UV photodiodes
auteur
H A Barkad, A Soltani, M Mattalah, J-C Gerbedoen, M Rousseau, J-C de Jaeger, A Benmoussa, V Mortet, K Haenen, B Benbakhti, 4 Deee, Rankine Building, Oakfield Avenue, M Moreau, R Dupuis, A Ougazzaden
article
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2010, 43 (46), pp.465104. ⟨10.1088/0022-3727/43/46/465104⟩
identifiant
hal-00569746
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00569746/file/PEER_stage2_10.1088%252F0022-3727%252F43%252F46%252F465104.pdf BibTex
titre
Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low gamma radiation dose
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, Christophe Gaquière
article
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2010, 87 (11), pp.2443 - 2447. ⟨10.1016/j.mee.2010.04.022⟩
identifiant
hal-01646869
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titre
Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low gamma radiation dose
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, Christophe Gaquière
article
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2010, 87 (11), pp.2443 - 2447. ⟨10.1016/j.mee.2010.04.022⟩
identifiant
hal-01646873
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titre
Field effect transistors for terahertz detection and emission
auteur
Wojciech Knap, Salman Nadar, Hadley Videlier, S. Boubanga-Tombet, Dominique Coquillat, Nina Diakonova, Frederic Teppe, K. Karpierz, J. Lusakowski, M. Sakowicz, I. Kasalynas, D. Seliuta, G. Valusis, T. Otsuji, Y. Meziani, El Fatimy A., S. Vandenbrouk, K. Madjour, D. Theron, Christophe Gaquière
article
Journal of Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, Springer Verlag, 2010, 32, pp.618-628. ⟨10.1007/s10762-010-9647-7⟩
identifiant
hal-00597123
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titre
LP MOCVD growth of InAlN/GaN HEMT heterostructure : comparison of sapphire, bulk SiC and composite SiCopSiC substrates for HEMT device applications
auteur
M.A. Di Forte-Poisson, N. Sarazin, M. Magis, M. Tordjman, J. Di Persio, R. Langer, E. Iliopoulos, A. Georgakilas, P. Kominou, M. Guziewicz, E. Kaminska, A. Piotrowska, Christophe Gaquière, M. Oualli, E. Chartier, E. Morvan, S. Delage
article
physica status solidi (c), Wiley, 2010, 7, pp.1317-1324. ⟨10.1002/pssc.200983114⟩
identifiant
hal-00549909
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titre
Analysis of deep levels in AlGaN/GaN/Al2O3 heterostructures by CDLTS under a gate pulse
auteur
M. Gassoumi, O. Fathallah, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Physica B: Condensed Matter, Elsevier, 2010, 405, pp.2337-2339. ⟨10.1016/j.physb.2010.02.042⟩
identifiant
hal-00549453
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titre
AlInN/AlN/GaN HEMT technology on SiC with 10-W/mm and 50% PAE at 10 GHz
auteur
N. Sarazin, E. Morvan, M.A. Di Forte Poisson, M. Oualli, Christophe Gaquière, O. Jardel, O. Drisse, M. Tordjman, M. Magis, S.L. Delage
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010, 31, pp.11-13. ⟨10.1109/LED.2009.2035145⟩
identifiant
hal-00549451
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titre
AlGaN/GaN HEMT on (111) single crystalline diamond
auteur
M. Alomari, A. Dussaigne, D. Martin, N. Grandjean, Christophe Gaquière, E. Kohn
article
Electronics Letters, IET, 2010, 46, pp.299-300. ⟨10.1049/el.2010.2937⟩
identifiant
hal-00549443
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titre
AlGaN/GaN high electron mobility transistors as a voltage-tunable room temperature terahertz sources
auteur
A. El Fatimy, N. Dyakonova, Y. Meziani, T. Otsuji, W. Knap, S. Vandenbrouk, K. Madjour, D. Théron, Christophe Gaquière, M.A. Poisson, S. Delage, P. Pristawko, C. Skierbiszewski
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2010, 107, pp.024504-1-4. ⟨10.1063/1.3291101⟩
identifiant
hal-00549452
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titre
Parasitic effects and traps in AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate
auteur
O. Fathallah, M. Gassoumi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
European Physical Journal: Applied Physics, EDP Sciences, 2010, 51, pp.10304-1-5. ⟨10.1051/epjap/2010085⟩
identifiant
hal-00549476
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titre
Thermal oxidation of lattice matched InAlN/GaN heterostructures
auteur
M. Alomari, A. Chuvilin, L. Toth, B. Pecz, J.F. Carlin, N. Grandjean, Christophe Gaquière, M.A. Di Forte-Poisson, S. Delage, E. Kohn
article
physica status solidi (c), Wiley, 2010, 7, pp.13-16. ⟨10.1002/pssc.200982623⟩
identifiant
hal-00549908
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titre
Proposal and performance analysis of normally off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1-nm-thick InAlN barrier
auteur
J. Kuzmik, C. Ostermaier, G. Pozzovivo, B. Basnar, W. Schrenk, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, N. Grandjean, Y. Douvry, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, K. Cico, K. Frölich, J. Skriniarova, J. Kovacs, G. Strasser, D. Pogany, E. Gornik
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010, 57, pp.2144-2154. ⟨10.1109/TED.2010.2055292⟩
identifiant
hal-00549465
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titre
Development of time-resolved UV micro-Raman spectroscopy to measure temperature in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
O. Lancry, E. Pichonat, J. Rehault, M. Moreau, R. Aubry, Christophe Gaquière
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2010, 54, pp.1434-1437. ⟨10.1016/j.sse.2010.05.029⟩
identifiant
hal-00549461
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titre
Design, fabrication and physical analysis of TiN/AlN deep UV photodiodes
auteur
H.A. Barkad, A. Soltani, M. Mattalah, J.C. Gerbedoen, M Rousseau, J.C. de Jaeger, A. Benmoussa, V. Mortet, K. Haenen, B. Benbakhti, M. Moreau, R. Dupuis, A. Ougazzaden
article
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2010, 43, pp.465104-1-5. ⟨10.1088/0022-3727/43/46/465104⟩
identifiant
hal-00549460
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titre
Three-terminal junctions operating as mixers, frequency doublers and detectors : a broad-band frequency numerical and experimental study at room temperature
auteur
I. Iniguez-De-La-Torre, T. Gonzalez, D. Pardo, C. Gardes, Y. Roelens, S. Bollaert, A. Curutchet, Christophe Gaquière, J. Mateos
article
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2010, 25, pp.125013-1-14. ⟨10.1088/0268-1242/25/12/125013⟩
identifiant
hal-00548604
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titre
Low microwave noise of AlGaN/GaN HEMTs fabricated on SiCopSiC substrates
auteur
V. Hoel, N. Defrance, Y. Douvry, J.C. de Jaeger, N. Vellas, Christophe Gaquière, M.A. Di Forte-Poisson, J. Thorpe, R. Langer
article
Electronics Letters, IET, 2010, 46, pp.84-85. ⟨10.1049/el.2010.2576⟩
identifiant
hal-00549457
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titre
Thermal resistance of AlGaN/GaN HEMTs on SopSiC composite substrate
auteur
N. Defrance, Y. Douvry, V. Hoel, J.C. Gerbedoen, A. Soltani, M Rousseau, J.C. de Jaeger, R. Langer, H. Lahreche
article
Electronics Letters, IET, 2010, 46, pp.949-950. ⟨10.1049/el.2010.0431⟩
identifiant
hal-00549463
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titre
AlGaN/GaN HEMTs on (001) silicon substrate with power density performance of 2.9 W/mm at 10 GHz
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, S. Joblot, J.C. de Jaeger, Christophe Gaquière, Y. Cordier, F. Semond
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010, 57, pp.1497-1503. ⟨10.1109/TED.2010.2048792⟩
identifiant
hal-00549455
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titre
Thermal behavior analysis of GaN based epi-material on different substrates by means of a physical-thermal model
auteur
Xing Tang, M Rousseau, N. Defrance, V. Hoel, A. Soltani, R. Langer, J.C. de Jaeger
article
physica status solidi (a), Wiley, 2010, 207, pp.1820-1826. ⟨10.1002/pssa.200925321⟩
identifiant
hal-00549464
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titre
DC electrical performances improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low thermal neutron radiation dose
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, Christophe Gaquière, N. Vellas, J.L. Trolet, M. Piccione
article
Electronics Letters, IET, 2010, 46, pp.650-652. ⟨10.1049/el.2010.0070⟩
identifiant
hal-00549454
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titre
Electron traps studied in AlGaN/GaN HEMT on Si substrate using capacitance deep level transient spectroscopy
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M. Charfeddine, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2010, 12, pp.2190-2193
identifiant
hal-00573158
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titre
Plasma excitations in field effect transistors for terahertz detection and emission
auteur
W. Knap, D. Coquillat, N. Dyakonova, F. Teppe, O. Klimenko, H. Videlier, S. Nadar, J. Lusakowski, G. Valusis, F. Schuster, B. Giffard, T. Skotnicki, Christophe Gaquière, A. El Fatimy
article
Comptes Rendus. Physique, Académie des sciences (Paris), 2010, 11, pp.433-443. ⟨10.1016/j.crhy.2010.06.010⟩
identifiant
hal-00549459
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BibTex
titre
Power improvement of AlGaAs/InGaAs PHEMTs by using low gamma radiation dose
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, Christophe Gaquière
article
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2010, 87, pp.2443-2447. ⟨10.1016/j.mee.2010.04.022⟩
identifiant
hal-00549458
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titre
Deep levels in AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate are characterized by current deep level transient spectroscopy
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, Christophe Gaquière, M.A. Zaidi, H. Maaref
article
Optoelectronics and Advanced Materials - Rapid Communications, INOE Publishing House, 2010, 4, pp.1783-1785
identifiant
hal-00567897
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titre
Testing the temperature limits of GaN-based HEMT devices
auteur
D. Maier, M. Alomari, N. Grandjean, J.F. Carlin, M.A. Di Forte-Poisson, C. Dua, A. Chuvilin, D. Troadec, Christophe Gaquière, U. Kaiser, S.L. Delage, E. Kohn
article
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010, 10, pp.427-436. ⟨10.1109/TDMR.2010.2072507⟩
identifiant
hal-00579038
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titre
Development of Time-resolved UV Micro-Raman Spectroscopy to measure temperature in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
O. Lancry, E. Pichonat, J. Réhault, M. Moreau, R. Aubry, Christophe Gaquière
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2010, 54, pp.1434 - 1437. ⟨10.1016/j.sse.2010.05.029⟩
identifiant
hal-00514166
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Conference papers

titre
Degradations during pulsed measurements in temperature of AlGaN/GaN HEMTs
auteur
Y. Douvry, V. Hoel, J.C. de Jaeger, N. Defrance, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Charlotte Sury, C. Dua, M. Oualli, M. Piazza, J.M. Bluet, W. Chikhaoui, C. Bru-Chevallier
article
European Solid-State Device Research Conference 2010, Sep 2010, Séville, Spain. pp.1
identifiant
hal-00585101
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titre
Sub-Terahertz imaging with AlGaN/GaN MISFETs
auteur
Salman Nadar, Oleg Klimenko, Hadley Videlier, Dominique Coquillat, Nina Diakonova, Frederic Teppe, Wojciech Knap, K. Madjour, G. Ducournau, Christophe Gaquière, M. A. Poisson, J. Torres, J. Szczytko, A. Dobroiu, C. Otani
article
35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010, Sep 2010, Rome, Italy. pp.1, ⟨10.1109/ICIMW.2010.5612996⟩
identifiant
hal-00636141
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titre
Achievement and perspective of GaN technology for microwave applications
auteur
S.L. Delage, E. Morvan, N. Sarazin, R. Aubry, E. Chartier, O. Jardel, M.A. Di Forte-Poisson, C. Dua, J.C. Jacquet, S. Piotrowicz, A. Piotrowska, E. Kaminska, J.C. de Jaeger, Christophe Gaquière, U. Heinle, E. Kohn, M. Alomari, D. Maier, J. Kuzmik, D. Pogany
article
18th International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications, MIKON-2010, 2010, Vilnius, Lithuania. pp.314-318
identifiant
hal-00800875
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BibTex
titre
Output power density higher than 1W/mm at 4GHz thanks to an original silicon LDEMOS transistor layout
auteur
D. Ducatteau, D. Fournier, G. Bekangba, P. Chevalier, Christophe Gaquière
article
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, France. pp.150-153
identifiant
hal-00550007
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BibTex
titre
Deep traps in passivated AlGaN/GaN high electron mibility transistors on silicon substrate
auteur
H. Masbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
7th Maghreb-Europe Meeting on Materials and their Applications for Devices and Sensors, MADICA 2010, 2010, Tabarka, Tunisia
identifiant
hal-00808253
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BibTex
titre
Temperature dependent degradation modes in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
Y. Douvry, V. Hoel, J.C. de Jaeger, N. Defrance, N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, C. Sury, C. Dua, M. Oualli, M. Piazza, J. Bluet, W. Chikhaoui, C. Bru-Chevallier
article
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, France. pp.114-117
identifiant
hal-00550022
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titre
SiGe HBTs towards THz operation in large signal condition
auteur
a . Pottrain, T. Lacave, P. Chevalier, D. Ducatteau, D. Gloria, Christophe Gaquière
article
European Microwave Week Workshops and Short Courses, Silicon Characterization from MHz to THz, 2010, Paris, France
identifiant
hal-00574425
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titre
Pushing conventional SiGe HBT technology towards 'dotfive' terahertz
auteur
A. Chantre, P. Chevalier, T. Lacave, G. Avenier, M. Buczko, Y. Campidelli, L. Depoyan, L. Berthier, Christophe Gaquière
article
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, France. pp.21-24
identifiant
hal-00550010
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BibTex
titre
Role of the gate-to-drain distance in the performance of the normally-off InAlN/GaN HEMTs
auteur
J. Kuzmik, C. Ostermaier, G. Pozzovivo, B. Basnar, W. Schrenk, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, N. Grandjean, Y. Douvry, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, G. Strasser, D. Pogany, E. Gornik
article
8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2010, 2010, Slovakia. pp.163-166, ⟨10.1109/ASDAM.2010.5666325⟩
identifiant
hal-00550008
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BibTex
titre
Caractérisation sur plaque de varicap MOS subfemtofarad en technologie silicium
auteur
R. Debroucke, J.F. Larchanche, D. Ducatteau, H. Tanbakuchi, Christophe Gaquière
article
11èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM 2010, 2010, Brest, France
identifiant
hal-00574429
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titre
Thermal characterization of MBE-grown GaN/AlGaN/GaN on single crystalline diamond
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, E. Pichonat, O. Lancry, Christophe Gaquière, G. Tsiakatouras, G. Deligeorgis, A. Georgakilas, R. Balmer, D. Pogany
article
6th International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2010, 2010, Tampa, FL, United States
identifiant
hal-00573557
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titre
High transconductance AlGaN/GaN HEMT with thin barrier on Si(111) substrate
auteur
F. Lecourt, Y. Douvry, N. Defrance, V. Hoel, J.C. de Jaeger, S. Bouzid, M. Renvoise, D. Smith, H. Maher
article
40th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2010, 2010, Spain. pp.281-284, ⟨10.1109/ESSDERC.2010.5618362⟩
identifiant
hal-00549999
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titre
Characterization of the parasitic effects in InAlN/AlN/GaN HEMTs
auteur
N. Malbert, C. Sury, A. Curutchet, N. Labat, C. Dua, M. Oualli, V. Hoel, Y. Douvry, J.C. de Jaeger, C. Bru-Chevallier, W. Chikaoui, J.M. Bluet
article
5th Space Agency-MOD Round Table Workshop on GaN Component Technologies, 2010, Netherlands. pp.84-87
identifiant
hal-00549998
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titre
Microwave power capabilities of InAlN/GaN HEMTs
auteur
J.C. de Jaeger, Christophe Gaquière, Y. Douvry, N. Defrance, V. Hoel, S.L. Delage, M.A. Di Forte-Poisson, N. Sarazin, E. Morvan, M. Alomari, E. Kohn, A. Dussaigne, J.F. Carlin, C. Ostermaier, J. Kuzmik, D. Pogany
article
18th International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications, MIKON-2010, 2010, Vilnius, Lithuania. pp.324-327
identifiant
hal-00800883
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titre
Towards cell characterization by THz BioMEMS
auteur
S. Laurette, A. Treizebre, N.E. Bourzgui, B. Bocquet
article
Journées Nationales Communes du GDR Micro et Nano Fluidique et du Club Micro Capteurs Chimiques, 2010, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00574491
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titre
Reliability assessment in different HTO test conditions of AlGaN/GaN HEMTs
auteur
N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, C. Sury, V. Hoel, J.C. de Jaeger, N. Defrance, Y. Douvry, C. Dua, M. Oualli, M. Piazza, C. Bru-Chevallier, J.M. Bluet, W. Chikhaoui
article
IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2010, 2010, United States. pp.139-145, ⟨10.1109/IRPS.2010.5488839⟩
identifiant
hal-00550009
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titre
Etude, réalisation et caractérisation de résonateurs à ondes élastiques de surface - Application à un capteur de température et de pression
auteur
A. Soltani, A. Talbi, J.C. Tricot, H. Happy, N.E. Bourzgui
article
11èmes Journées Pédagogiques du CNFM, 2010, Saint-Malo, France
identifiant
hal-00574434
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titre
Analysis of AlGaN/GaN epi-material on resistive Si(111) substrate for MMIC applications in millimeter wave range
auteur
F. Lecourt, Y. Douvry, N. Defrance, V. Hoel, Y. Cordier, J.C. de Jaeger
article
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, France. pp.33-36
identifiant
hal-00549995
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titre
Sub-terahertz resistive mixing in a AlGaN/GaN HEMT
auteur
K. Madjour, G. Ducournau, S. Lepilliet, T. Akalin, J.F. Lampin, M.A. Poisson, S. Delage, Christophe Gaquière
article
35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010, 2010, Italy. pp.1-2, ⟨10.1109/ICIMW.2010.5612437⟩
identifiant
hal-00550020
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titre
SubfemtoFarad MOS varactor characterization tools
auteur
R. Debroucke, J. Larchanche, D. Theron, D. Ducatteau, H. Tanbakuchi, Christophe Gaquière
article
40th European Microwave Conference, EuMC 2010, 2010, France. pp.783-786
identifiant
hal-00550021
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titre
Comment aborder en pédagogie l'aspect 'système' d'une chaîne télécom ?
auteur
G. Ducournau, Christophe Gaquière, T. Flamen
article
11èmes Journées Pédagogiques du CNFM, 2010, Saint-Malo, France
identifiant
hal-00573579
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titre
Vertical profile optimization for +400 GHz fMAX Si/SiGe:C HBTs
auteur
T. Lacave, P. Chevalier, Y. Campidelli, M. Buczko, L. Depoyan, L. Berthier, G. Avenier, Christophe Gaquière, A. Chantre
article
2010 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2010, 2010, United States. pp.49-52, ⟨10.1109/BIPOL.2010.5667965⟩
identifiant
hal-00568594
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titre
Influence of the selectively implanted collector integration on 400 GHz fmax Si/SiGe:C HBTs
auteur
T. Lacave, P. Chevalier, Y. Campidelli, L. Depoyan, L. Berthier, F. Andre, M. Buczko, G. Avenier, Christophe Gaquière, A. Chantre
article
218th Electrochemical Society Meeting, 218th ECS Meeting, 'SiGe, Ge, and Related Compounds 4 : Materials, Processing, and Devices', 2010, United States. pp.331-335, ⟨10.1149/1.3487563⟩
identifiant
hal-00550006
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titre
Improvements of high performance 2-nm-thin InAlN/AlN barrier devices by interface engineering
auteur
C. Ostermaier, G. Pozzovivo, J.F. Carlin, B. Basnar, W. Schrenk, A.M. Andrews, Y. Douvry, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, L. Toth, B. Pecz, M. Gonschorek, E. Feltin, N. Grandjean, G. Strasser, D. Pogany, J. Kuzmik
article
30th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-30, 2010, Seoul, South Korea. pp.905-906, ⟨10.1063/1.3666669⟩
identifiant
hal-00800884
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titre
Caractérisation électrique et hyperfréquence d'épitaxie AlGaN/GaN sur substrat résistif Si(111)
auteur
F. Lecourt, Y. Douvry, N. Defrance, V. Hoel, Y. Cordier, J.C. de Jaeger
article
13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, France. pp.CD-ROM, Session Matériaux 2, 1-4
identifiant
hal-00573207
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titre
Vers la caractérisation cellulaire par BioMEMS THz
auteur
S. Laurette, A. Treizebre, N.E. Bourzgui, B. Bocquet
article
13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, France. CD-ROM, Session MEMS Lab-on-chip, 1-4
identifiant
hal-00573235
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titre
Resonant HEMT transducers and integrated MEMS resonators based on AlGaN/GaN/Si heterostructures
auteur
M. Faucher, B. Grimbert, V. Brandli, Y. Cordier, M. Werquin, L. Buchaillot, Christophe Gaquière, D. Theron
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2010, 2010, Newport Beach, CA, United States
identifiant
hal-00808202
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titre
High temperature stability of nitride-based power HEMT
auteur
D. Maier, M. Alomari, N. Grandjean, J.F. Carlin, M.A. Di Forte-Poisson, C. Dua, A. Chuvilin, D. Troadec, Christophe Gaquière, U. Kaiser, S.L. Delage, E. Kohn
article
18th International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications, MIKON-2010, 2010, Vilnius, Lithuania. pp.1-4
identifiant
hal-00800892
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titre
AlGaN/GaN HEMT on Si (111) substrate for millimeter microwave power applications
auteur
S. Bouzid, V. Hoel, N. Defrance, H. Maher, F. Lecourt, M. Renvoise, D. Smith, J.C. de Jaeger
article
8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2010, 2010, Slovakia. pp.111-114, ⟨10.1109/ASDAM.2010.5666316⟩
identifiant
hal-00549981
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titre
Evolution des performances électriques des transistors des filières GaN sous l’effet d’irradiation
auteur
Fanny Berthet, Yannick Guhel, B. Boudart, Jean Lionel Trolet, M. Piccione, Christophe Gaquière
article
Rencontres Jeunes Chercheurs, 2010, Annecy, France
identifiant
hal-01654495
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titre
Preliminary studies for a microbioreactor development coupled to electromechanical system for enzyme reaction analysis in terahertz radiations
auteur
A. Abbas, A. Treizebre, P. Supiot, N.E. Bourzgui, R. Froidevaux, D. Guillochon, D. Vercaigne-Marko, B. Bocquet
article
8th European Symposium on Biochemical Engineering Science, ESBES-8, 2010, Bologna, Italy
identifiant
hal-00574465
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titre
GaN-on-Si HEMTs above 10 W/mm at 2 GHz together with high thermal stability at 325°C
auteur
F. Medjdoub, D. Marcon, J. Das, J. Derluyn, K. Cheng, S. Degroote, N. Vellas, Christophe Gaquière, Marie Germain, S. Decoutere
article
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, France. pp.37-40
identifiant
hal-00549996
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titre
AlGaN/GaN HEMTs reported on flexible polyimide substrate
auteur
M. Lesecq, V. Hoel, A. Lecavelier, E. Pichonat, J.C. de Jaeger, Y. Douvry, F. Lecourt, A. Ebongue, Y. Cordier
article
5th Space Agency-MOD Round Table Workshop on GaN Component Technologies, 2010, Netherlands. pp.9-12
identifiant
hal-00549997
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titre
Tunable room temperature THz emission from AlGaN/GaN high electron mobility transistors
auteur
N. Dyakonova, A. El Fatimy, Y. Meziani, T. Otsuji, D. Coquillat, W. Knap, F. Teppe, S. Vandenbrouk, K. Madjour, D. Theron, Christophe Gaquière, M.A. Poisson, S. Delage
article
35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010, 2010, Italy. pp.1-2, ⟨10.1109/ICIMW.2010.5612620⟩
identifiant
hal-00550019
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titre
Effects of the drain width on the electrical behavior of deep defect in AlGaN/GaN/SiC HEMTs
auteur
O. Fathallah, M. Gassoumi, S. Saadaoui, B. Grimbert, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
27th International Conference on Microelectronics, MIEL 2010, 2010, pp.479-481, ⟨10.1109/MIEL.2010.5490440⟩
identifiant
hal-00550032
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titre
MEMS advances and GaN based approaches
auteur
M. Faucher, V. Brandli, B. Grimbert, A. Ben Amar, M. Werquin, Christophe Gaquière, D. Theron, L. Buchaillot
article
34th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits in Europe, WOCSDICE 2010, 2010, Darmstadt, Germany
identifiant
hal-00808201
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titre
Improvement of AlN SAW performance by introduction of TiN nucleation layer on silicon substrate
auteur
A. Soltani, A. Talbi, V. Mortet, A. Bassam, A. Oussous, E. Monroy, K. Haenen, J.C. de Jaeger, P. Pernod
article
15th International Hasselt Diamond Workshop, SBDD XV, 2010, Hasselt, Belgium
identifiant
hal-00574426
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Patents

titre
Dispositif d'imagerie radiométrique portable, et procédé d'imagerie correspondant
auteur
Matthieu Werquin, Nicolas Thouvenin, Simon Vandenbrouck, Christophe Gaquière, Frédéric Bue-Erkmen, Nicolas Vellas
article
N° de brevet: FR2945121 (A1). 2010
identifiant
hal-00542222
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titre
Dispositif microélectromécanique piézoélectrique
auteur
M. Faucher, D. Theron, Christophe Gaquière
article
N° de brevet: FR2944274 (A1). 2010
identifiant
hal-00527063
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2009

Journal articles

titre
Terahertz imaging using high electron mobility transistors as plasma wave detectors
auteur
S. Nadar, D. Coquillat, M. Sakowicz, H. Videlier, F. Teppe, N. Dyakonova, W. Knap, J.M. Peiris, J. Lyonnet, D. Seliuta, I. Kasalynas, G. Valusis, K. Madjour, D. Theron, Christophe Gaquière, M.A. Poisson
article
physica status solidi (c), Wiley, 2009, 6, pp.2855-2857. ⟨10.1002/pssc.200982532⟩
identifiant
hal-00800810
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titre
Recent developments of wide-bandgap semiconductor based UV sensors
auteur
A. Ben Moussa, A. Soltani, U. Schühle, K. Haenen, Y.M. Chong, W.J. Zhang, R. Dahal, J.Y. Lin, H.X. Jiang, H.A. Barkad, B. Ben Moussa, D. Bolsee, C. Hermans, U. Kroth, C. Laubis, V. Mortet, J.C. de Jaeger, B. Giordanengo, M. Richter, F. Scholze, Jean-François Hochedez
article
Diamond and Related Materials, Elsevier, 2009, 18 (5-8), pp.860-864. ⟨10.1016/j.diamond.2008.11.013⟩
identifiant
hal-00473642
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titre
InAlN/GaN MOS-HEMT with thermally grown oxide
auteur
M. Alomari, F. Medjdoub, E. Kohn, M.A. Di Forte-Poisson, S. Delage, J.F. Carlin, N. Grandjean, Christophe Gaquière
article
International Journal of High Speed Electronics and Systems, World Scientific Publishing, 2009, 19, pp.137-144. ⟨10.1142/S0129156409006187⟩
identifiant
hal-00473433
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titre
RF doubling and rectification in three-terminal junctions : experimental characterization and Monte Carlo analysis
auteur
I. Iniguez-De-La-Torre, T. Gonzalez, D. Pardo, C. Gardes, Y. Roelens, S. Bollaert, A. Curutchet, Christophe Gaquière, J. Mateos
article
Journal of Physics: Conference Series, IOP Publishing, 2009, 193, pp.012021-1-4. ⟨10.1088/1742-6596/193/1/012021⟩
identifiant
hal-00471812
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titre
Amplified piezoelectric transduction of nanoscale motion in gallium nitride electromechanical resonators
auteur
M. Faucher, B. Grimbert, Y. Cordier, N. Baron, A. Wilk, H. Lahreche, P. Bove, M. Francois, P. Tilmant, T. Gehin, C. Legrand, M. Werquin, L. Buchaillot, Christophe Gaquière, D. Theron
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2009, 94, pp.233506-1-3. ⟨10.1063/1.3153504⟩
identifiant
hal-00472724
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titre
Cold plasma functionalized terahertz BioMEMS for enzyme reaction analysis
auteur
A. Abbas, A. Treizebre, P. Supiot, N.E. Bourzgui, D. Guillochon, D. Vercaigne-Marko, B. Bocquet
article
Biosensors and Bioelectronics, Elsevier, 2009, 25, pp.154-160. ⟨10.1016/j.bios.2009.06.029⟩
identifiant
hal-00471814
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BibTex
titre
Ultracompact optical filter based on a stub resonator in GaInAsP/InP optical wire technology
auteur
S. Maricot, M. Lesecq, J.P. Vilcot, C. Legrand, M. Francois, M. Beaugeois
article
Optics Letters, Optical Society of America - OSA Publishing, 2009, 34, pp.1936-1938. ⟨10.1364/OL.34.001936⟩
identifiant
hal-00473045
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titre
AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, M. Mattalah, M. Moreau, P. Thevenin, J.C. de Jaeger
article
Diamond and Related Materials, Elsevier, 2009, 18, pp.1039-1042
identifiant
hal-00473641
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titre
12 GHz F-max GaN/AlN/AlGaN nanowire MISFET
auteur
S. Vandenbrouck, K. Madjour, D. Theron, Y.J. Dong, Y. Li, C.M. Lieber, Christophe Gaquière
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009, 30, pp.322-324. ⟨10.1109/LED.2009.2014791⟩
identifiant
hal-00473429
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titre
Tunable room temperature terahertz sources based on two dimensional plasma instability in GaN HEMTs
auteur
A. El Fatimy, T. Suemitsu, T. Otsuji, N. Dyakonova, W. Knap, Y.M. Meziani, S. Vandenbrouk, K. Madjour, D. Theron, Christophe Gaquière, P. Prystawko, C. Skierbiszewski
article
Journal of Physics: Conference Series, IOP Publishing, 2009, 193, pp.012072-1-4. ⟨10.1088/1742-6596/193/1/012072⟩
identifiant
hal-00473645
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BibTex
titre
Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
N. Malbert, A. Curutchet, C. Sury, V. Hoel, J.C. de Jaeger, N. Defrance, Y. Douvry, C. Dua, M. Oualli, C. Bru-Chevallier, J.M. Bluet, W. Chikhaoui
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2009
identifiant
hal-00401267
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titre
AlGaN/GaN HEMT high power densities on SiC/SiO2/poly-SiC substrates
auteur
N. Defrance, V. Hoel, Y. Douvry, J.C. de Jaeger, Christophe Gaquière, Xing Tang, M Rousseau, M.A. Di Forte-Poisson, J. Thorpe, H. Lahreche, R. Langer
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009, 30, pp.596-598. ⟨10.1109/LED.2009.2019972⟩
identifiant
hal-00473428
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BibTex
titre
Self-heating phenomena in high-power III-N transistors and new thermal characterization methods developed within EU project TARGET
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, E. Pichonat, Christophe Gaquière, E. Morvan, E. Kohn, J.P. Teyssier, D. Pogany
article
International Journal of Microwave and Wireless Technologies, Cambridge University Press/European Microwave Association 2009, 1, pp.153-160
identifiant
hal-00548556
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BibTex
titre
Electron transport properties of gallium nitride for microscopic power device modelling
auteur
B. Benbakhti, M Rousseau, A. Soltani, J.C. de Jaeger
article
Journal of Physics: Conference Series, IOP Publishing, 2009, 193, pp.012005-1-4. ⟨10.1088/1742-6596/193/1/012005⟩
identifiant
hal-00473639
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BibTex
titre
Deep level investigation by capacitance and conductance transient spectroscopy in AlGaN/GaN/SiC HEMTs
auteur
M. Gassoumi, B. Grimbert, M.A. Poisson, Julien Fontaine, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2009, 11, pp.1713-1717
identifiant
hal-00473671
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BibTex
titre
Effects of self-heating on performance degradation in AlGaN/GaN-based devices
auteur
B. Benbakhti, A. Soltani, K. Kalna, M Rousseau, J.C. de Jaeger
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009, 56, pp.2178-2185. ⟨10.1109/TED.2009.2028400⟩
identifiant
hal-00473432
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BibTex
titre
Physical analysis of thermal effects on the optimization of GaN Gunn diodes
auteur
Xing Tang, M Rousseau, C. Dalle, J.C. de Jaeger
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2009, 95, pp.142102-1-3. ⟨10.1063/1.3240873⟩
identifiant
hal-00473636
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BibTex
titre
MMICs time-domain electrical physical simulator adapted to the parallel computation
auteur
A. El Moussati, J.C. de Jaeger, C. Dalle
article
INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING : electronic networks, devices and fields, 2009, 22, pp.279-296. ⟨10.1002/jnm.706⟩
identifiant
hal-00473652
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BibTex
titre
Deep levels and nonlinear characterization of AlGaN/GaN HEMTs on silicon carbide substrate
auteur
M. Gassoumi, J.M. Bluet, Christophe Gaquière, G. Guillot, H. Maaref
article
Microelectronics Journal, Elsevier, 2009, 40, pp.1161-1165. ⟨10.1016/j.mejo.2007.02.005⟩
identifiant
hal-00473430
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BibTex
titre
Loss characteristics in coplanar propagation waveguides fabricated on IIa diamond substrates
auteur
N. Defrance, J.C. Gerbedoen, A. Soltani, J.C. de Jaeger, J. Morse
article
Diamond and Related Materials, Elsevier, 2009, 18, pp.881-883. ⟨10.1016/j.diamond.2009.02.002⟩
identifiant
hal-00473637
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BibTex
titre
Ultrathin InAlN/AlN barrier HEMT with high performance in normally off operation
auteur
C. Ostermaier, G. Pozzovivo, J.F. Carlin, B. Basnar, W. Schrenk, Y. Douvry, Christophe Gaquière, J.C. Dejaeger, K. Cico, K. Frohlich, M. Gonschorek, N. Grandjean, G. Strasser, D. Pogany, J. Kuzmik
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009, 30, pp.1030-1032. ⟨10.1109/LED.2009.2029532⟩
identifiant
hal-00473635
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BibTex
titre
Nonlinear modeling of InP devices for W-band applications
auteur
D. Resca, V. Di Giacomo, A. Raffo, R. Cignani, A. Santarelli, G. Vannini, F. Filicori, D. Schreurs, F. Medjdoub, N. Thouvenin, Christophe Gaquière
article
International Journal of Microwave and Wireless Technologies, Cambridge University Press/European Microwave Association 2009, 1, pp.145-151. ⟨10.1017/S1759078709000099⟩
identifiant
hal-00473633
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BibTex
titre
Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, C. Sury, V. Hoel, J.C. de Jaeger, N. Defrance, Y. Douvry, C. Dua, M. Oualli, C. Bru-Chevallier, J.M. Bluet, W. Chikhaoui
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2009, 49, pp.1216-1221. ⟨10.1016/j.microrel.2009.07.015⟩
identifiant
hal-00473638
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BibTex
titre
InAlN/GaN MOSHEMT with self-aligned thermally generated oxide recess
auteur
M. Alomari, F. Medjdoub, J.F. Carlin, E. Feltin, N. Grandjean, A. Chuvilin, U. Kaiser, Christophe Gaquière, E. Kohn
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009, 30, pp.1131-1133. ⟨10.1109/LED.2009.2031659⟩
identifiant
hal-00473634
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titre
Self-heating and trapping effects in AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors
auteur
I. Saidi, M. Gassoumi, H. Maaref, H. Mejri, Christophe Gaquière
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2009, 106, pp.054511-1-7. ⟨10.1063/1.3202317⟩
identifiant
hal-00473632
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titre
AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, M. Mattalah, M. Moreau, P. Thevenin, J.C. de Jaeger
article
Diamond and Related Materials, Elsevier, 2009, 18, pp.1039 - 1042. ⟨10.1016/j.diamond.2009.02.018⟩
identifiant
hal-00435395
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titre
Self-heating phenomena in high-power III-N transistors and new thermal characterization methods developed within EU project TARGET
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, E. Pichonat, Christophe Gaquière, E. Morvan, E. Kohn, Jean-Pierre Teyssier, D. Pogany
article
International Journal of Microwave and Wireless Technologies, Cambridge University Press/European Microwave Association 2009, 1, pp.153 - 160. ⟨10.1017/S1759078709990444⟩
identifiant
hal-00514218
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Conference papers

titre
V-Band Amplifier MMICs Using Multi-Finger InP/GaAsSb DHBT Technology
auteur
J. Godin, V. Nodjiadjim, M. Riet, P. Berdaguer, S. Piotrowicz, O. Jardel, A. Scavennec, Jean-Christophe Nallatamby, Christophe Gaquière, M. Werquin
article
31st IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, CSISC 2009, Oct 2009, Greensboro - Caroline du Nord, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/csics.2009.5315658⟩
identifiant
hal-00474497
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titre
Tunable room temperature terahertz sources based on two dimensional plasma instability in GaN HEMTs
auteur
A. El Fatimy, T. Suemitsu, T. Otsuji, N. Dyakonova, W. Knap, Y. M. Meziani, S. Vandenbrouk, K. Madjour, D. Théron, Christophe Gaquière, P. Prystawko, C. Skierbiszewski
article
16th International Conference on Electron Dynamics in Semiconductors, Optoelectronics and Nanostructures (EDISON 16), Aug 2009, France. pp.2072, ⟨10.1088/1742-6596/193/1/012072⟩
identifiant
hal-00546387
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titre
RF doubling and rectification in Three-Terminal Junctions: experimental characterization and Monte Carlo analysis
auteur
I. Iñiguez-De-La-Torre, T. González, D. Pardo, Chantal Gardes, Y. Roelens, S. Bollaert, A. Curutchet, Christophe Gaquière, J. Mateos
article
EDISON 16, Aug 2009, France
identifiant
hal-00401237
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titre
Temperature measurements in AlGaN/GaN HEMTs using time-resolved UV micro-Raman spectroscopy
auteur
O. Lancry, E. Pichonat, Christophe Gaquière, S. Turrell
article
International Conference on Advanced Vibrational Spectroscopy, Jul 2009, Melbourne, Australia
identifiant
hal-00435182
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titre
Terahertz imaging using high electron mobility transistors as plasma wave detectors
auteur
S. Nadar, D. Coquillat, M. Sakowicz, H. Videlier, F. Teppe, N. Dyakonova, W. Knap, J.-M. Peiris, J. Lyonnet, D. Seliuta, I. Kasalynas, G. Valusis, K. Madjour, D. Théron, Christophe Gaquière, M.-A. Poisson
article
15th International Semiconducting and Insulating Materials Conference (SIMC-XV) Vilnius Univ, Vilnius, LITHUANIA, Jun 2009, Lithuania. pp.2855-2857, ⟨10.1002/PSSC.200982532⟩
identifiant
hal-00545979
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titre
TERAHERTZ BIOMEMS FOR ENZYMATIC CATALYSIS MONITORING
auteur
Abdennour Abbas, Anthony Trezeibre, Nourredine Bourzgui, Didier Guillochon, Dominique Vercaigne-Marko, Philippe Supiot, Bertrand Bocquet
article
5th International Conference on Microtechnologies in Medicine and Biology, Jun 2009, Québec City, Canada
identifiant
ird-00397688
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https://hal.ird.fr/ird-00397688/file/Abbas_et_al_MMB-2009_Conference.pdf BibTex
titre
PLASMA POLYMER PROCESS FOR MICROFLUIDIC DEVICES FABRICATION
auteur
Abdennour Abbas, Bertrand Bocquet, Nourredine Bourzgui, Céline Vivien, Phillipe Supiot
article
IEEE 36th International Conference on Plasma Science, May 2009, San Diego, California, United States
identifiant
hal-00443649
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titre
Impact of the gate layout on the performance of RF power nLDMOSFETs integrated in a 0.13-µm CMOS technology
auteur
D. Fournier, D. Ducatteau, E. Delos, M. Buczko, P. Scheer, D. Gloria, Christophe Gaquière, P. Chevalier
article
IEEE Topical Symposium on Power Amplifiers for Wireless Communications, PASymposium, 2009, San Diego, CA, United States
identifiant
hal-00575454
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titre
Time domain analyses of trapping effects of AlInN/GaN HEMT devices
auteur
Christophe Gaquière, D. Ducatteau, D. Theron, F. Medjdoub, M.A. Poisson
article
International Microwave Symposium, IMS 2009, Workshop WWC : Advanced Measurement Techniques, Adapted for Different Memory Effects, 2009, Boston, MA, United States
identifiant
hal-00575423
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titre
Caractérisation et modélisation haute fréquence en modes mixtes de varicap MOS
auteur
R. Debroucke, Y. Morandini, S. Jan, J.F. Larchanche, Christophe Gaquière
article
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.3D-2, 1-4
identifiant
hal-00480426
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titre
Plasma polymer process for microfluidic devices fabrication
auteur
A. Abbas, N.E. Bourzgui, B. Bocquet, P. Supiot, C. Vivien
article
36th IEEE International Conference on Plasma Science, ICOPS 2009, 2009, San Diego, CA, United States
identifiant
hal-00575733
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titre
Extraction of traps in AlGaN/GaN/Al2O3 HEMT's based on DC I-V characteristics
auteur
O. Fathallah, M. Gassoumi, B. Grimbert, Christophe Gaquière, M.A. Poisson, H. Maaref
article
2nd International Meeting on Materials for Electronic Applications, IMMEA 2009, 2009, Hammamet, Tunisia
identifiant
hal-00575455
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titre
Croissance de polymère ppTMDSO pour la réalisation de circuits micro-fluidiques
auteur
A. Abbas, P. Supiot, C. Vivien, N.E. Bourzgui, B. Bocquet
article
Réunion du Groupement de Recherche SurGeCo, GdR 3184, 2009, La Grande Motte, France
identifiant
hal-00575734
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titre
InAlN-based HEMT for microwave applications
auteur
S.L. Delage, N. Sarazin, M.A. Di Forte-Poisson, J.C. Jacquet, C. Dua, E. Morvan, C. Giesen, M. Heuken, B. Schineller, J.F. Carlin, M. Gonschorek, N. Grandjean, M. Py, A. Georgakilas, E. Iliopoulos, G. Konstantinidis, K. Cico, K. Fröhlich, J.C. de Jaeger, Christophe Gaquière, E. Kohn, M. Alomari, F. Medjoub, J. Kuzmik, D. Pogany, G. Pozzovivo
article
8th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics, TWHN 2009, 2009, Nagano, Japan
identifiant
hal-00575414
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titre
Etude de différentes solutions d'adaptation pour la conception d'un amplificateur de classe 100W à base de HEMT AlGaN/GaN
auteur
G. Le Coustre, O. Jardel, S. Piotrowicz, E. Chartier, J.C. Jacquet, E. Morvan, M. Stanislaviak, P. Eudeline, Christophe Gaquière, S. Delage
article
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.5E-9, 1-4
identifiant
hal-00480440
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titre
Polymérisation par plasma pour la fabrication de circuits microfluidiques
auteur
A. Abbas, C. Vivien, P. Supiot, N. Bourzgui, B. Bocquet, D. Guillochon
article
XIIème Congrès de la Société Française de Génie des Procédés, 2009, France. CD-ROM : Récents progrès en génie des procédés, n° 99, 801, 1-6, Lavoisier
identifiant
hal-00573533
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titre
Interférométrie THz pour applications en biologie
auteur
V. Mille, A. Treizebre, N. Bourzgui, B. Bocquet
article
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.5F-22, 1-3
identifiant
hal-00573532
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titre
Détection d'ondes térahertz dans les hétérojonctions AlGaN/GaN
auteur
K. Madjour, S. Vandenbrouck, G. Ducournau, J.F. Lampin, T. Akalin, D. Théron, M.A. Poisson, S. Delage, Christophe Gaquière
article
GDR-E Workshop : Semiconductor sources and detectors of THz frequencies, 2009, Montpellier, France
identifiant
hal-00575415
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titre
AlGaN/GaN/Si HEMT's and capacitance deep level transient spectroscopy (DLTS)
auteur
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
2nd International Meeting on Materials for Electronic Applications, IMMEA 2009, 2009, Hammamet, Tunisia
identifiant
hal-00575416
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titre
Improvement of the RF power performance of nLDMOSFETs on bulk and SOI substrates with 'ribbon' gate and source contacts layouts
auteur
D. Fournier, D. Ducatteau, Julien Fontaine, P. Scheer, O. Bon, B. Rauber, M. Buczko, D. Gloria, Christophe Gaquière, P. Chevalier
article
21st International Symposium on Power Semiconductor Devices ans ICs, ISPSD'09, 2009, Spain. pp.116-119, ⟨10.1109/ISPSD.2009.5158015⟩
identifiant
hal-00474496
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titre
Characterisation and modeling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
N. Malbert, A. Curutchet, N. Labat, C. Sury, C. Dua, M. Oualli, V. Hoel, J.C. de Jaeger, Y. Douvry, N. Defrance, C. Bru-Chevallier, J.M. Bluet, W. Chikhaoui
article
ESA/MOD Workshop on GaN Microwave Component Technologies, 2009, Germany. pp.139-153
identifiant
hal-00474460
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titre
Filtres optiques accordables en technologie microguide sur InP
auteur
M. Lesecq, S. Maricot, J.P. Vilcot, M. Bouazaoui
article
28èmes Journées Nationales d'Optique Guidée, OPTIQUE Lille 2009, 2009, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00575296
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titre
Study of ohmic contact formation on AlGaN/GaN HEMT with AlN spacer on silicon substrate
auteur
J. Gerbedoen, A. Soltani, M. Mattalah, A. Telia, D. Traodec, B. Abdallah, E. Gautron, J.C. de Jaeger
article
4th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2009, 2009, Italy. pp.136-139
identifiant
hal-00474491
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titre
InAlN/GaN heterostructures for microwave power and beyond
auteur
E. Kohn, M. Alomari, A. Denisenko, M. Dipalo, D. Maier, F. Medjdoub, C. Pietzka, S. Delage, M.A. Di Forte-Poisson, E. Morvan, N. Sarazin, J.C. Jacquet, C. Dua, J.F. Carlin, N. Grandjean, M. Py, M. Gonschorek, J. Kuzmik, D. Pogany, G. Pozzovivo, C. Ostermaier, L. Toth, B. Pecz, J.C. de Jaeger, Christophe Gaquière, K. Cico, K. Fröhlich, A. Kermaidis, E. Iliopoulos, G. Konstantinidis, C. Giessen, M. Heuken, B. Schineller
article
International Electron Devices Meeting, IEDM 2009, 2009, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/IEDM.2009.5424395⟩
identifiant
hal-00474463
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titre
InAlN-based HEMT for microwave applications
auteur
S.L. Delage, C. Giesen, M. Heuken, B. Schineller, M.A. Di Forte-Poisson, C. Dua, J.C. Jacquet, E. Morvan, N. Sarazin, J.F. Carlin, M. Gonschorek, N. Grandjean, M. Py, A. Georgakilas, E. Iliopoulos, G. Konstantinidis, K. Cico, K. Fröhlich, J.C. de Jaeger, Christophe Gaquière, E. Kohn
article
ESA/MOD Workshop on GaN Microwave Component Technologies, 2009, Germany. pp.66-75
identifiant
hal-00573164
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titre
Terahertz BIOMEMS for enzymatic catalysis monitoring
auteur
A. Abbas, A. Trezeibre, N. Bourzgui, D. Guillochon, D. Vercaigne-Marko, P. Supiot, B. Bocquet
article
5th International Conference on Microtechnologies in Medicine and Biology, MMB 2009, 2009, Canada. pp.214-215
identifiant
hal-00474105
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titre
Caractérisation de mélangeurs à l'aide d'un analyseur de réseau non linéaire (LSNA)
auteur
N. Thouvenin, D. Ducatteau, Christophe Gaquière
article
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.6D-6, 1-4
identifiant
hal-00480427
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titre
Étude du comportement thermique de différents substrats à partir d'un modèle physico-thermique
auteur
Xing Tang, M Rousseau, N. Defrance, A. Soltani, V. Hoel, H. Gerard, R. Langer, J.C. de Jaeger
article
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.6F-15, 1-4
identifiant
hal-00480442
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titre
Microwave power capabilities of AlGaN/GaN HEMTs on composite substrates
auteur
J.C. de Jaeger, V. Hoel, N. Defrance, Christophe Gaquière, H. Gerard, Xing Tang, M Rousseau, H. Lahreche, R. Langer, J. Thorpe, M.A. Poisson
article
ESA/MOD Workshop on GaN Microwave Component Technologies, 2009, Germany. pp.76-86
identifiant
hal-00573165
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titre
Amplification of nanoscale motion by piezoelectric transduction in GaN resonators
auteur
M. Faucher, B. Grimbert, Y. Cordier, N. Baron, A. Wilk, H. Lahreche, P. Bove, M. François, P. Tilmant, T. Gehin, C. Legrand, M. Werquin, L. Buchaillot, Christophe Gaquière, D. Theron
article
18th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2009, 2009, Günzburg-Ulm, Germany
identifiant
hal-00810577
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titre
Physical-thermal modelling of GaN Gunn oscillations
auteur
Xing Tang, M Rousseau, J.C. de Jaeger
article
4th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2009, 2009, Italy. pp.168-171
identifiant
hal-00474493
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titre
Physical thermal investigation of GaN Gunn diode for THz wave source
auteur
Xing Tang, M Rousseau, C. Dalle, J.C. de Jaeger
article
5èmes Journées Térahertz, 2009, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00575449
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titre
Microwave power performance on AlGaN/GaN HEMTs on composite substrate
auteur
J.C. de Jaeger, V. Hoel, N. Defrance, Y. Douvry, Christophe Gaquière, M.A. Poisson, J. Thorpe, H. Lahreche, R. Langer
article
4th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2009, 2009, Italy. pp.144-147
identifiant
hal-00474461
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titre
Etude des ondes plasma dans les hétérojonctions AlGaN/GaN pour les applications THz
auteur
K. Madjour, S. Vandenbrouck, D. Coquillat, S. Nadar, G. Ducournau, D. Theron, N. Diakonova, Ma. Poisson, W. Knap, Christophe Gaquière
article
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.5E-3, 1-4
identifiant
hal-00480439
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titre
A conventional double-polysilicon FSA-SEG Si/SiGe:C HBT reaching 400 GHz fmax
auteur
P. Chevalier, F. Pourchon, T. Lacave, G. Avenier, Y. Campidelli, L. Depoyan, G. Troillard, M. Buczko, D. Gloria, D. Celi, Christophe Gaquière, A. Chantre
article
2009 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM 2009, 2009, Italy. pp.1-4, ⟨10.1109/BIPOL.2009.5314250⟩
identifiant
hal-00474462
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titre
Modélisation non-linéaire de TBH InP/GaAsSb/InP et validation par mesures de load-pull à 40 GHz
auteur
S. Laurent, A.A. Lisboa de Souza, Jean-Christophe Nallatamby, Michel Prigent, M. Werquin, Christophe Gaquière, M. Riet, P. Berdaguer
article
16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.5E-15, 1-4
identifiant
hal-00480441
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BibTex
titre
Modelling and design of a wideband 6-18 GHz GaN resistive mixer
auteur
Giacomo V. Di, N. Thouvenin, Christophe Gaquière, A. Santarelli, F. Filicori
article
39th European Microwave Conference, EuMC 2009, 2009, Italy. pp.1812-1815, ⟨10.1109/EUMC.2009.5295933⟩
identifiant
hal-00474495
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BibTex
titre
AlN on nanocrystalline diamond piezoelectric cantilevers for sensors/actuators
auteur
V. Mortet, A. Soltani, A. Talbi, P. Pobedinskas, K. Haenen, J.C. de Jaeger, P. Pernod, P. Wagner
article
Eurosensors XXIII, 2009, Switzerland. pp.40-43, ⟨10.1016/j.proche.2009.07.010⟩
identifiant
hal-00474464
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BibTex
titre
Theoretical optimization of Lamb waves devices based on AlN/diamond thin films structures
auteur
A. Soltani, A. Talbi, V. Mortet, J.C. de Jaeger, K. Haenen, P. Pernod
article
14th International Hasselt Diamond Workshop, SBDD XIV, 2009, Hasselt, Belgium
identifiant
hal-00575412
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BibTex

2008

Journal articles

titre
Residual stress relaxation in GaN/Sapphire circular pillars measured by Raman scattering spectroscopy
auteur
S.H. Margueron, P. Bourson, S. Gautier, A. Soltani, D. Troadec, J.C de Jaeger, A.A. Sirenko, A. Ougazzaden
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2008, 310, pp.5321-5326. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2008.09.145⟩
identifiant
hal-00322862
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BibTex
titre
Nonlinear Characterization and Modeling of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors
auteur
Arnaud Curutchet, Didier Theron, Christophe Gaquière, M. Werquin, D. Ducatteau, J.M. Bethoux, Henri Happy, G. Dambrine, Vincent Derycke
article
ieee mtt, 2008, 56 (7), pp.1505-1510. ⟨10.1109/TMTT.2008.925209⟩
identifiant
hal-00315911
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BibTex
titre
Ballistic nanodevices for high frequency applications
auteur
C. Gardes, Y. Roelens, S. Bollaert, J.S. Galloo, X. Wallart, A. Curutchet, Christophe Gaquière, J. Mateos, T. Gonzalez, B.G. Vasallo, L. Bednarz, I. Huynen
article
International Journal of Nanotechnology, Inderscience, 2008, 5, 796-808, Special Issue on Nanotechnology in France. Part I : C'nano Nord-Ouest. ⟨10.1504/IJNT.2008.018698⟩
identifiant
hal-00356665
Accès au bibtex
BibTex
titre
Status of the emerging InAlN/GaN power HEMT technology
auteur
F. Medjdoub, J.F. Carlin, Christophe Gaquière, N. Grandjean, E. Kohn
article
Open Electrical and Electronic Engineering Journal, Bentham Open, 2008, 2, pp.1-7. ⟨10.2174/1874129000802010001⟩
identifiant
hal-00357799
Accès au bibtex
BibTex
titre
ppTMDS as a new polymer technology for a high throughput bio-MEMS design
auteur
V. Mille, N.E. Bourzgui, C. Vivien, P. Supiot, B. Bocquet
article
Journal of Micromechanics and Microengineering, IOP Publishing, 2008, 18, pp.125026-1-10. ⟨10.1088/0960-1317/18/12/125026⟩
identifiant
hal-00356901
Accès au bibtex
BibTex
titre
GaAlN/GaN HEMT heterostructures grown on SiCopSiC composite substrates for HEMT application
auteur
M.A. Di Forte-Poisson, M. Magis, M. Tordjman, J. Di Persio, R. Langer, L. Toth, B. Pecz, M. Guziewicz, J. Thorpe, R. Aubry, E. Morvan, N. Sarazin, Christophe Gaquière, G. Meneghesso, V. Hoel, J.C. Jacquet, S. Delage
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2008, 310, pp.5232-5236. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2008.08.035⟩
identifiant
hal-00800708
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BibTex
titre
Nonquasi-static large-signal model of GaN FETs through an equivalent voltage approach
auteur
A. Santarelli, V. Di Giacomo, A. Raffo, F. Filicori, G. Vannini, R. Aubry, Christophe Gaquière
article
International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering, Wiley, 2008, 18, pp.507-516. ⟨10.1002/mmce.20326⟩
identifiant
hal-00357800
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BibTex
titre
New developments on diamond photodetector for VUV solar observations
auteur
A. Benmoussa, A. Soltani, K. Haenen, U. Kroth, V. Mortet, H.A. Barkad, D. Bolsee, C. Hermans, M. Richter, J.C. de Jaeger, Jean-François Hochedez
article
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2008, 23 (3), pp.035026. ⟨10.1088/0268-1242/23/3/035026⟩
identifiant
hal-00357795
Accès au bibtex
BibTex
titre
193 nm deep-ultraviolet solar-blind cubic boron nitride based photodetectors
auteur
A. Soltani, H.A. Barkad, M. Mattalah, B. Benbakhti, J.C. de Jaeger, Y.M. Chong, Y.S. Zou, W.J. Zhang, S.T. Lee, A. Benmoussa, B. Giordanengo, Jean-François Hochedez
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2008, 92 (5), pp.053501. ⟨10.1063/1.2840178⟩
identifiant
hal-00357793
Accès au bibtex
BibTex
titre
Crosstalk measurement of DOS-like switch using InP narrow deep-etched waveguides
auteur
M. Lesecq, M. Beaugeois, S. Maricot, J.P. Vilcot
article
Optics Express, Optical Society of America - OSA Publishing, 2008, 16, pp.5181-5185. ⟨10.1364/OE.16.005181⟩
identifiant
hal-00357303
Accès au bibtex
BibTex
titre
Study of the hBN/InP interface by deep level transient and photoluminescence spectroscopies
auteur
M. Mattalah, A. Telia, A. Soltani, J.C. de Jaeger, P. Thevenin, A. Bath, B. Akkal, H. Abid
article
Thin Solid Films, Elsevier, 2008, 516, pp.4122-4127. ⟨10.1016/j.tsf.2007.10.009⟩
identifiant
hal-00357796
Accès au bibtex
BibTex
titre
Nonlinear characterization and modeling of carbon nanotube field-effect transistors
auteur
A. Curutchet, D. Theron, M. Werquin, D. Ducatteau, H. Happy, G. Dambrine, J.M. Bethoux, Vincent Derycke, Christophe Gaquière
article
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2008, 56, pp.1505-1510. ⟨10.1109/TMTT.2008.925209⟩
identifiant
hal-00362358
Accès au bibtex
BibTex
titre
Wide electrical tunability of a GaInAsP/InP microdisk resonator
auteur
M. Lesecq, S. Maricot, J.P. Vilcot, M. Beaugeois
article
Optics Letters, Optical Society of America - OSA Publishing, 2008, 33, pp.1467-1469. ⟨10.1364/OL.33.001467⟩
identifiant
hal-00357305
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titre
Optical nanowires for microwave applications
auteur
D. Decoster, Michèle Carette, M. Lesecq, D. Lauvernier, M. Zegaoui, D. Bernard, J.P. Vilcot, J. Chazelas
article
Advanced Materials Research, Trans Tech Publications, 2008, 31, pp.230-235
identifiant
hal-00357311
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titre
Residual stress relaxation in GaN/sapphire circular pillars measured by Raman scattering spectroscopy
auteur
S.H. Margueron, P. Bourson, S. Gautier, A. Soltani, D. Troadec, J.C. de Jaeger, A.A. Sirenko, A. Ougazzaden
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2008, 310, pp.5321-5326. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2008.09.145⟩
identifiant
hal-00800674
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titre
Nitride based nanotransistors as new sources and detectors of THz radiations
auteur
A. El Fatimy, F. Teppe, S. Boubanga, N. Dyakonova, B. Gil, D. Coquillat, D. Seliuta, G. Valusis, M.A. Poisson, E. Morvan, Christophe Gaquière, D. Theron, A. Cappy, W. Knap
article
physica status solidi (c), Wiley, 2008, 5, pp.1947-1949. ⟨10.1002/pssc.200778507⟩
identifiant
hal-00360008
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titre
Plasma oscillations in nanotransistors for room temperature detection and emission of terahertz radiation
auteur
A. El Fatimy, R. Tauk, S. Boubanga, F. Teppe, N. Dyakonova, W. Knap, J. Lyonnet, Y.M. Meziani, T. Otsuji, M.A. Poisson, E. Morvan, S. Bollaert, A. Shchepetov, Y. Roelens, D. Théron, A. Cappy, Christophe Gaquière
article
physica status solidi (c), Wiley, 2008, 5, pp.244-248. ⟨10.1002/pssc.200776585⟩
identifiant
hal-00360007
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titre
Characterization of AlN metal-semiconductor-metal diodes in the spectral range of 44-360 nm : photoemission assessments
auteur
A. Benmoussa, Jean-François Hochedez, R. Dahal, J. Li, J.Y. Lin, H.X. Jiang, A. Soltani, J.C. de Jaeger, U. Kroth, M. Richter
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2008, 92, pp.022108 (1-3). ⟨10.1063/1.2834701⟩
identifiant
hal-00357794
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titre
Effect of fluoride plasma treatment on InAlN/GaN HEMTs
auteur
F. Medjdoub, M. Alomari, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, Christophe Gaquière, N. Grandjean, E. Kohn
article
Electronics Letters, IET, 2008, 44, pp.696-698. ⟨10.1049/el:20080864⟩
identifiant
hal-00357798
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titre
Characterization of deep levels in high electron mobility transistor by conductance deep level transient spectroscopy
auteur
M. Gassoumi, J.M. Bluet, G. Guillot, Christophe Gaquière, H. Maaref
article
Materials Science and Engineering: C, Elsevier, 2008, 28, pp.787-790. ⟨10.1016/j.msec.2007.10.068⟩
identifiant
hal-00357801
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titre
First microwave power performance of AlGaN/GaN HEMTs on SopSiC composite substrate
auteur
V. Hoel, N. Defrance, J.C. de Jaeger, H. Gerard, Christophe Gaquière, H. Lahreche, R. Langer, A. Wilk, M. Lijadi, S. Delage
article
Electronics Letters, IET, 2008, 44, pp.238-239. ⟨10.1049/el:20083258⟩
identifiant
hal-00357797
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titre
Passive photonic components using InP optical wire technology
auteur
M. Lesecq, S. Maricot, J.P. Vilcot, M. Beaugeois
article
IET Optoelectronics, Institution of Engineering and Technology, 2008, 2, pp.69-75. ⟨10.1049/iet-opt:20060104⟩
identifiant
hal-00357302
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Conference papers

titre
Temperature measurements in AlGaN/GaN HEMTs using time resolved UV micro-Raman spectroscopy
auteur
O. Lancry, E. Pichonat, J. Réhault, M. Moreau, Christophe Gaquière, S. Turrell
article
ICORS 2008, Aug 2008, Londres, United Kingdom
identifiant
hal-00332952
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titre
Development of time-resolved UV Micro-Raman spectroscopy to analyse self-heating effects in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
O. Lancry, E. Pichonat, J. Réhault, M. Moreau, Christophe Gaquière
article
WOCSDICE 2008, May 2008, Leuven, Belgium
identifiant
hal-00332248
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titre
Characterization of carbon nanotube field effect transistors using an active load pull LSNA setup
auteur
Christophe Gaquière, A. Curutchet, D. Theron, M. Werquin, D. Ducatteau, J.M. Bethoux, R. Happy, G. Dambrine, Vincent Derycke
article
71st ARFTG Microwave Measurement Conference, IEEE MTT-S International Microwave Symposium, 2008, Atlanta, GA, United States. pp.97-99, ⟨10.1109/MWSYM.2008.4633311⟩
identifiant
hal-00800982
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titre
Etude des effets parasites dans les transistors à haute mobilité à base de nitrure : HEMT AlGaN/GaN
auteur
M. Gassoumi, O. Fathallah, Christophe Gaquière, G. Guillot, H. Maaref
article
11èmes Journées Maghrébines des Sciences de Matériaux, JMSM 2008, 2008, Hammamet, Tunisie
identifiant
hal-00811731
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titre
Correlation between the kink effect, collapse effect and traps in AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate
auteur
M. Gassoumi, O. Fathallah, Christophe Gaquière, G. Guillot, H. Maaref
article
International Conference on Extended Defects in Semiconductors, EDS 2008, 2008, Poitiers, France
identifiant
hal-00811736
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titre
THz emission from AlGaN/GaN high mobility transistors
auteur
N. Dyakonova, D. Coquillat, F. Teppe, W. Knap, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.A. Poisson, S. Delage, Christophe Gaquière, S. Vandenbrouk, A. Cappy
article
V International Conference “Basic Problems of Optics, 2008, St Petersburg, Russia. pp.21
identifiant
hal-00390707
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titre
High power performances of GaN HEMT on SopSiC substrate
auteur
F. Zanon, F. Danesin, A. Tazzoli, G. Montanari, A. Chini, J. Thorpe, Christophe Gaquière, G. Meneghesso, E. Zanoni
article
32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008, 2008, Belgium. pp.33-34
identifiant
hal-00361121
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titre
InAlN/GaN MOSHEMT with thermally grown oxide
auteur
M. Alomari, F. Medjdoub, J.F. Carlin, N. Grandjean, Christophe Gaquière, M.A. Poisson, S. Delage, E. Kohn
article
Lester Eastman Conference on High Performance Devices, 2008, Newark, DE, United States
identifiant
hal-00362034
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titre
Losses characteristics in CPW lines fabricated on CVD IIA diamond substrates
auteur
N. Defrance, J.C. Gerbedoen, A. Soltani, H. Gerard, J.C. de Jaeger
article
19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide, Diamond 2008, 2008, Sitges, Spain
identifiant
hal-00811737
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titre
InAlN HEMTs - Design - Technology - Performance
auteur
E. Kohn, M. Alomari, F. Medjdoub, S. Delage, M.A. Poisson, N. Grandjean, J.F. Carlin, A. Konstantinidis, C. Giesen, Christophe Gaquière
article
Lester Eastman Conference on High Performance Devices, 2008, Newark, DE, United States
identifiant
hal-00362033
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titre
Recent achievement in the GaN epitaxy on silicon and engineered substrates process transfer for MBE high volume production
auteur
A. Wilk, M. Lijadi, R. Langer, P. Bove, J. Thorpe, H. Blanck, V. Hoel, N. Defrance, J.C. de Jaeger
article
Materials Research Society Fall Meeting, MRS Fall 2008, Symposium on Performance and Reliability of Semiconductor Devices, 2008, Boston, MA, United States. pp.35-42, ⟨10.1557/PROC-1108-A04-01⟩
identifiant
hal-00800978
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titre
Modelling, fabrication and measurement of AlN based photodetectors
auteur
H.A. Barkad, A. Soltani, M Rousseau, J.C. de Jaeger
article
19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide, Diamond 2008, 2008, Sitges, Spain
identifiant
hal-00811738
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titre
Development of time-resolved UV micro-Raman spectroscopy to analyse self-heating effects in AlGaN/GaN HEMT's
auteur
O. Lancry, E. Pichonat, J. Réhault, M. Moreau, Christophe Gaquière
article
32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008, 2008, Belgium. pp.135-136
identifiant
hal-00361122
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titre
Temperature measurements in AlGaN/GaN HEMTs using time-resolved UV micro-Raman spectroscopy
auteur
O. Lancry, E. Pichonat, J. Réhault, M. Moreau, S. Turrell, Christophe Gaquière
article
XXI International Conference on Raman Spectroscopy, ICORS 2008, 2008, Uxbridge, West London, United Kingdom. pp.303-304
identifiant
hal-00362032
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titre
GaAlN/GaN HEMT heterostructures grown on ‘SiCopSiC' composite substrates for HEMT application
auteur
M.A. Di Forte-Poisson, N. Sarazin, M. Magis, M. Tordjman, J. Di Persio, R. Langer, M. Guziewicz, L. Thoth, B. Pecz, J. Thorpe, E. Morvan, Christophe Gaquière, G. Meneghesso
article
14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, ICMOVPE-XIV, 2008, Metz, France
identifiant
hal-00362031
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titre
High-electron-mobility AlGaN/GaN heterostructures grown on Si(001) by molecular beam epitaxy for microwave applications
auteur
S. Joblot, Y. Cordier, F. Semond, P. Vennegues, Sébastien Chenot, P. Lorenzini, M. Portail, J. Massies, J.C. Gerbedoen, A. Soltani, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger
article
Materials Research Society Spring Meeting, MRS Spring 2008, Symposium C : Advances in GaN, GaAs, SiC, and Related Alloys on Silicon Substrates, 2008, San Francisco, CA, United States
identifiant
hal-00362029
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titre
MOCHA, MOdelling and CHAracterization for SiP - Signal and power integrity analysis
auteur
A. Girardi, A. Conci, R. Izzi, T. Lessio, F.G. Canavero, I.S. Stievano, H. Dudek, D. Hardisty, M. Tarantini, M. Dieudonne, J. van Hese, T. Cunha, J.C. Pedro, Christophe Gaquière, N. Vellas
article
12th Workshop on Signal Propagation on Interconnects, SPI 2008, 2008, France. pp.85-86, ⟨10.1109/SPI.2008.4558357⟩
identifiant
hal-00361119
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titre
High frequency characterization of compact N+Poly/Nwell varactor using waffle-layout
auteur
Y. Morandini, J.F. Larchanche, Christophe Gaquière
article
8th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, SiRF 2008, 2008, United States. pp.167-170, ⟨10.1109/SMIC.2008.48⟩
identifiant
hal-00361118
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titre
Towards high performance E-mode InAlN/GaN HEMTs
auteur
F. Medjdoub, M. Alomari, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, Christophe Gaquière, N. Grandjean, E. Kohn
article
32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008, 2008, Belgium. pp.97-98
identifiant
hal-00361120
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titre
Amélioration de la fréquence maximale d'oscillation de transistors nLDEMOS de puissance en nœud CMOS 0.13µm
auteur
D. Fournier, D. Ducatteau, M. Buczko, D. Gloria, Christophe Gaquière, P. Chevalier
article
12èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO'08, 2008, St Pierre d'Oléron, France
identifiant
hal-00362035
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titre
THz emission from AlGaN/GaN high mobility transistors
auteur
N. Dyakonova, D. Coquillat, F. Teppe, W. Knap, M.A. Poisson, S. Delage, Christophe Gaquière, S. Vandenbrouk, A. Cappy
article
EOS Annual Meeting, Topical Meeting 2 : Terahertz - Science and Technology, 2008, Paris, France
identifiant
hal-00362036
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titre
Performance of unstuck gamma gate AlGaN/GaN HEMTs on (001) silicon substrate at 10 GHz
auteur
J. Gerbedoen, A. Soltani, N. Defrance, M Rousseau, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, S. Joblot, Y. Cordier
article
3rd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2008, 2008, Netherlands. pp.330-333, ⟨10.1109/EMICC.2008.4772296⟩
identifiant
hal-00362379
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titre
Investigation of the mechanism for TiN Schottky formation in AlGaN/GaN HEMTs
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, H. Lahreche, M. Mattalah, M Rousseau, D. Theron, J.C. de Jaeger
article
17th European Heterostructure Technology Workshop, HeTech'08, 2008, Venice, Italy
identifiant
hal-00811733
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titre
Characterization of carbon nanotube field-effect transistors using an active load pull LSNA setup
auteur
Christophe Gaquière, A. Curutchet, D. Théron, M. Werquin, D. Ducatteau, J.M. Bethoux, H. Happy, G. Dambrine, Vincent Derycke
article
71st ARFTG Microwave Measurement Conference, ARFTG 2008, 2008, Atlanta, GA, United States
identifiant
hal-00362030
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titre
THz emission from AlGaN/GaN high mobility transistors
auteur
N. Dyakonova, D. Coquillat, F. Teppe, W. Knap, M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.A. Poisson, S. Delage, Christophe Gaquière, S. Vandenbrouck, A. Cappy
article
V International Conference 'Basic Problems of Optics', 2008, St Petersburg, Russia
identifiant
hal-00811735
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titre
Microsystème résonant, simulation et micro fabrication
auteur
N.E. Bourzgui, A. Treizebre
article
10èmes Journées Pédagogiques du CNFM, 2008, Saint-Malo, France. pp.1-6
identifiant
hal-00804729
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titre
AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, M. Mattalah, J.C. de Jaeger, P. Thevenin
article
19th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide, Diamond 2008, 2008, Sitges, Spain
identifiant
hal-00811732
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BibTex
titre
GaN technology for microwave applications
auteur
S.L. Delage, M.A. Poisson, E. Morvan, E. Chartier, M. Laurent, R. Aubry, Serge Bernard, D. Lancereau, S. Piotrowicz, B. Grimbert, Christophe Gaquière, G. Damdrine, J.C. de Jaeger
article
17th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications, MIKON 2008, 2008, Wroclaw, Poland. pp.1-5
identifiant
hal-00800985
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2007

Journal articles

titre
AlGaN/GaN HEMTs on a (001)-oriented silicon substrate based on 100-nm SiN recessed gate technology for microwave power amplification
auteur
S. Boulay, S. Touati, A. Sar, V. Hoel, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, S. Joblot, Y. Cordier, F. Semond, J. Massies
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2007, 54, pp.2843-2848. ⟨10.1109/TED.2007.907189⟩
identifiant
hal-00283493
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titre
Investigation of the thermal boundary resistance at the III-nitride/substrate interface using optical methods
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, D. Pogany, Christophe Gaquière, E. Pichonat, E. Morvan
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2007, 101, pp.054508-1-6. ⟨10.1063/1.2435799⟩
identifiant
hal-00283973
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BibTex
titre
Development and analysis of low resistance ohmic contact to n-AlGaN/GaN HEMT
auteur
A. Soltani, A. Benmoussa, S. Touati, V. Hoel, J.C. de Jaeger, J. Laureyns, Y. Cordier, C. Marhic, M. A. Djouadi, C. Dua
article
Diamond and Related Materials, Elsevier, 2007, 16, pp.262-266. ⟨10.1016/j.diamond.2006.06.022⟩
identifiant
hal-00283970
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BibTex
titre
Evaluation of AllnN/GaN HEMTs on sapphire substrate in microwave, time and temperature domains
auteur
F. Medjdoub, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, J.E. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, N. Grandjean, E. Kohn
article
Electronics Letters, IET, 2007, 43, pp.309-311. ⟨10.1049/el:20073170⟩
identifiant
hal-00283497
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BibTex
titre
Characteristics of Al2O3/AllnN/GaN MOSHEMT
auteur
F. Medjdoub, N. Sarazin, M. Tordjman, M. Magis, M.A. Di Forte-Poisson, M. Knez, E. Delos, Christophe Gaquière, S.L. Delage, E. Kohn
article
Electronics Letters, IET, 2007, 43, pp.691-692. ⟨10.1049/el:20070425⟩
identifiant
hal-00283495
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BibTex
titre
All-optical tunability of InGaAsP/InP microdisk resonator by infrared light irradiation
auteur
M. Beaugeois, B. Pinchemel, M. Bouazaoui, M. Lesecq, S. Maricot, J.P. Vilcot
article
Optics Letters, Optical Society of America - OSA Publishing, 2007, 32, pp.35-37
identifiant
hal-00283080
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BibTex
titre
X-band power characterisation of AlInN/AlN/GaN HEMT grown on SiC substrate
auteur
N. Sarazin, O. Jardel, E. Morvan, R. Aubry, M. Laurent, M. Magis, M. Tordjman, M. Alloui, O. Drisse, J. Di Persio, M.A. Di Forte-Poisson, S.L. Delage, N. Vellas, Christophe Gaquière, D. Theron
article
Electronics Letters, IET, 2007, 43, pp.1317-1318. ⟨10.1049/el:20072598⟩
identifiant
hal-00283494
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BibTex
titre
Physical study of the dissipated power area in high electron mobility transistors for thermal modelling
auteur
B. Benbakhti, M Rousseau, J.C. de Jaeger
article
Microelectronics Journal, Elsevier, 2007, 38, pp.7-13. ⟨10.1016/j.mejo.2006.07.025⟩
identifiant
hal-00283492
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BibTex
titre
Transient self-heating effects in multifinger AlGaN/GaN HEMTs, with metal airbridges
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, R. Lossy, H.J. Würfl, M.A. Di Forte-Poisson, J.P. Teyssier, Christophe Gaquière, D. Pogany
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2007, 51, pp.969-974. ⟨10.1016/j.sse.2007.04.001⟩
identifiant
hal-00283496
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BibTex
titre
Investigation of the thermal boundary resistance at the III-Nitride/substrate interface using optical methods
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, D. Pogany, Christophe Gaquière, E. Pichonat, E. Morvan
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2007, 101, pp.054508-1-054508-6. ⟨10.1063/1.2435799⟩
identifiant
hal-00267225
Accès au bibtex
BibTex
titre
Development and analysis of low resistance ohmic contact to n-AlGaN/GaN HEMT
auteur
A. Soltani, A. Ben Moussa, S. Touati, V. Hoël, J.C. de Jaeger, J. Laureyns, Y. Cordier, C. Marhic, M. A. Djouadi, C. Dua
article
Diamond and Related Materials, Elsevier, 2007, 16, pp.262-266. ⟨10.1016/j.diamond.2006.06.022⟩
identifiant
hal-00267124
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Conference papers

titre
Caractérisation et modélisation non linéaire de Transistors hyperfréquences à Effet de Champ à base de Nano tubes de Carbone (CNFETs) à l'aide d'un Analyseur de réseau Large Signal (LSNA)
auteur
Arnaud Curutchet, J.M. Bethoux, M. Werquin, Henri Happy, Didier Theron, D. Ducatteau, G. Dambrine, Christophe Gaquière, Vincent Derycke
article
XVIèmes Journées Nationales Microondes, May 2007, Toulouse, France. pp.xx-xx
identifiant
hal-00197497
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BibTex
titre
Non linear RF device characterization in time domain using an active loadpull large signal network analyzer
auteur
D. Ducatteau, M. Werquin, B. Grimbert, E. Morvan, D. Théron, Christophe Gaquière
article
24th IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference, IMTC 2007, 2007, Poland. pp.1-5, ⟨10.1109/IMTC.2007.379387⟩
identifiant
hal-00284398
Accès au bibtex
BibTex
titre
Non linear microwave characterization and modelization of carbon nanotube FETs
auteur
A. Curutchet, Christophe Gaquière, D. Ducatteau, D. Theron, J.M. Bethoux, H. Happy, G. Dambrine, M. Werquin, Vincent Derycke
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD'07, 2007, Savannah, GA, United States
identifiant
hal-00285315
Accès au bibtex
BibTex
titre
GaN devices for power amplifier design
auteur
T.M. Martin-Guerrero, D. Ducatteau, C. Camacho-Penalosa, Christophe Gaquière
article
TARGET Days : from Ideas to Results, in the frame of the International Conference ISMOT-2007, 2007, Roma, Italy
identifiant
hal-00285319
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BibTex
titre
Thermal measurements of microwave transistors and MMICs within TARGET NoE
auteur
J.P. Teyssier, Raphaël Sommet, D. Pogany, J. Kuzmik, Christophe Gaquière
article
TARGET Days : from Ideas to Results, in the frame of the International Conference ISMOT-2007, 2007, Roma, Italy
identifiant
hal-00285318
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BibTex
titre
Evaluation of SiGeC HBT varactor using different collector access and base-collector junction configuration in BiCMOS technologies
auteur
Y. Morandini, J.F. Larchanche, Christophe Gaquière
article
IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, BCTM'07, 2007, United States. pp.246-249, ⟨10.1109/BIPOL.2007.4351880⟩
identifiant
hal-00284401
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BibTex
titre
Filtrage et démultiplexage en longueur dans les structures microguides InP-InGaAsP
auteur
M. Beaugeois, M. Lesecq, S. Maricot, B. Pinchemel, M. Bouazaoui, J.P. Vilcot
article
10èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM, 2007, Lille, France
identifiant
hal-00285268
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BibTex
titre
BioMEMS térahertz pour la spectroscopie diélectrique de solutions protéiques
auteur
V. Mille, N.E. Bourzgui, B. Bocquet
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.5D24-1-4
identifiant
hal-00370323
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titre
Caractérisation et modélisation non linéaire de transistors hyperfréquences à effet de champ à base de nanotubes de carbone (CNFETs) à l'aide d'un analyseur de réseau large signal (LSNA)
auteur
A. Curutchet, J.M. Bethoux, M. Werquin, H. Happy, D. Theron, D. Ducatteau, G. Dambrine, Christophe Gaquière, Vincent Derycke
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.3C4-1-4
identifiant
hal-00370334
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titre
Caractérisation expérimentale de HEMTs de puissance destinée à la modélisation
auteur
N. Defrance, H. Gerard, J.C. de Jaeger, B. Grimbert, R. Aubry, M.A. Di Forte-Poisson
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.1D14-1-4
identifiant
hal-00370330
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titre
Room temperature detection and emission of Terahertz radiation by plasma oscillations in nanometer size transistors
auteur
W. Knap, F. Teppe, A. El Fatimy, N. Dyakonova, S. Boubanga-Tombet, D. Coquillat, Christophe Gaquière, A. Shchepetov, S. Bollaert
article
Joint 32nd International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 15th International Conference on Terahertz Electronics, 2007, Cardiff, United Kingdom. pp.977
identifiant
hal-00390740
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titre
Composants plasmoniques à base d'hétérojonction AlGaN/GaN pour les applications terahertz
auteur
S. Vandenbrouck, D. Théron, J.F. Lampin, L. Desplanque, Z. Bougrioua, Christophe Gaquière
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.8B3-1-4
identifiant
hal-00370333
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titre
Accuracy measurements of an original active loadpull based on large signal network analyzer
auteur
D. Ducatteau, M. Werquin, E. Delos, E. Morvan, D. Theron, Christophe Gaquière
article
Proceedings of the 2007 European Microwave Week, 2007, Munich, Germany
identifiant
hal-00367699
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titre
Conception et réalisation de transistors FP-HEMT AlGaN/GaN
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, J.C. de Jaeger
article
10èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM, 2007, Lille, France
identifiant
hal-00285316
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titre
Characterisation of AlGaN/GaN HEMT epitaxy and devices on composite substrates
auteur
G. Meneghesso, C. Ongaro, E. Zanoni, C. Brylinski, M.A. Di Forte-Poisson, V. Hoel, J.C. de Jaeger, R. Langer, H. Lahreche, P. Bove, J. Thorpe
article
IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2007, 2007, United States. pp.401-404, ⟨10.1109/IEDM.2007.4418957⟩
identifiant
hal-00284405
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titre
AlGaN/GaN HEMT device characterisation using an active loadpull large signal network analizer
auteur
Christophe Gaquière, M. Werquin, D. Ducatteau, E. Morvan, J.C. de Jaeger
article
11th International Symposium on Microwave and Optical Technology, ISMOT-2007, 2007, Italy. pp.491-494
identifiant
hal-00284406
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titre
AlInN/GaN a suitable HEMT device for extremely high power high frequency applications
auteur
Christophe Gaquière, F. Medjdoub, J.F. Carlin, S. Vandenbrouck, E. Delos, E. Feltin, N. Grandjean, E. Kohn
article
IEEE International Microwave Symposium, IEEE/MTT-S 2007, 2007, United States. pp.2145-2148, ⟨10.1109/MWSYM.2007.380349⟩
identifiant
hal-00284400
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titre
AlGaN/GaN HEMTs on (001) oriented silicon substrate based on 100nm SiN recessed gate technology for low cost device fabrication
auteur
S. Boulay, S. Touati, A. Sar, V. Hoel, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, S. Joblot, Y. Cordier, F. Semond, J. Massies
article
2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, 2007, Germany. pp.96-99, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412656⟩
identifiant
hal-00284403
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titre
Differential P+/Nwell varactor high frequency characterization
auteur
Y. Morandini, D. Rapisarda, J.F. Larchanche, Christophe Gaquière
article
IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, ICMTS'07, 2007, Japan. pp.187-191, ⟨10.1109/ICMTS.2007.374480⟩
identifiant
hal-00284399
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titre
Low-frequency dynamic drain current modeling in AlGaN-GaN HEMTs
auteur
V. Di Giacomo, A. Santarelli, F. Filicori, A. Raffo, G. Vannini, R. Aubry, Christophe Gaquière
article
2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, 2007, Germany. pp.68-71, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412649⟩
identifiant
hal-00284404
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titre
Barrier layer downscaling of InAlN/GaN HEMTs
auteur
F. Medjdoub, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, M. Knez, D. Troadec, Christophe Gaquière, A. Chuvilin, U. Kaiser, N. Grandjean, E. Kohn
article
65th Annual Device Research Conference, DRC 2007, 2007, United States. pp.109-110, ⟨10.1109/DRC.2007.4373673⟩
identifiant
hal-00284407
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titre
Optical switch using InP optical wire technology
auteur
M. Lesecq, M. Beaugeois, S. Maricot, C. Boyaval, C. Legrand, M. Francois, M. Muller, F. Mollot, M. Bouazaoui, J.P. Vilcot
article
Photonic Materials, Devices and Applications II, 2007, Spain. pp.659305-1-11, ⟨10.1117/12.721659⟩
identifiant
hal-00284394
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titre
Commutateur optique en technologie microguide sur InP
auteur
M. Lesecq, S. Maricot, M. Beaugeois, C. Legrand, M. François, M. Muller, J.P. Vilcot
article
TELECOM'2007 & 5èmes Journées Franco-Maghrébines des Micro-ondes et leurs Applications, 2007, Fès, Maroc
identifiant
hal-00285263
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titre
Réalisation de grille nitrure de longueur inférieure à 100nm pour des applications haute fréquence de HEMTs AlGaN/GaN
auteur
S. Boulay, V. Hoel, S. Touati, E. Delos, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, M.A. Poisson, S. Delage, Y. Cordier
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.5C1-1-4
identifiant
hal-00370327
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titre
AlGaN/GaN HEMTs on epitaxies grown on composite substrate
auteur
V. Hoel, S. Boulay, H. Gerard, V. Raballand, E. Delos, J.C. de Jaeger, M.A. Di Forte-Poisson, C. Brylinski, H. Lahreche, R. Langer, P. Bove
article
2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, 2007, Germany. pp.100-103, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412657⟩
identifiant
hal-00284402
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titre
Optical nanowires for microwave applications
auteur
D. Decoster, Michel Carette, M. Lesecq, D. Lauvernier, M. Zegaoui, D. Bernard, J.P. Vilcot, J. Chazelas
article
4th International Conference on Materials for Advanced Technologies, ICMAT 2007, 2007, Singapore, Singapore
identifiant
hal-00367399
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titre
Growth and characterization of AlInN/GaN field effect transistors
auteur
J.F. Carlin, F. Medjdoub, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, Christophe Gaquière, N. Grandjean, E. Kohn
article
Proceedings of the 7th International Conference of Nitride Semiconductors, ICNS-7, 2007, Las Vegas, NV, United States
identifiant
hal-00367697
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titre
Thermal beheviours of AlGaN/GaN HEMT devices
auteur
R. Aubry, J.C. Jacquet, E. Morvan, C. Dua, N. Defrance, H. Gerard, J.C. de Jaeger, S.L. Delage
article
ESA/DGA Workshop, 2007, Noordwijk, Netherlands
identifiant
hal-00367423
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titre
Impact of buffer doping on GaN device performance
auteur
M. Uren, D.G. Hayes, D.J. Wallis, K.P. Hilton, J.O. Maclean, A.J. Hydes, A. Simons, A.G. Munday, T. Martin, C. Roff, P. Mac Govern, J. Benedikt, P.J. Tasker, M. Kuball, A. Sarua, E. Morvan, N. Caillas, S. Delage, D. Ducatteau, B. Grimbert, J.C. de Jaeger
article
ESA/DGA Workshop, 2007, Noordwijk, Netherlands
identifiant
hal-00367424
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titre
Thermal behaviour of gate-less AlGaN/GaN heterostructures
auteur
B. Benbakhti, M Rousseau, A. Soltani, J. Laureyns, J.C. de Jaeger
article
2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, 2007, Germany. pp.104-107, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412658⟩
identifiant
hal-00284419
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titre
Characterization of MOS varactors with Large Signal Network Analyser (LSNA) in CMOS 65nm bulk and SOI technologies
auteur
Y. Morandini, D. Ducateau, J.F. Larchanche, Christophe Gaquière, D. Gloria
article
Proceedings of the 69th ARFTG Microwave Measurement Conference, 2007, Honolulu, HI, United States
identifiant
hal-00367696
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titre
Low distortion power amplifier design based on GaN monolithic device
auteur
T.M. Martin-Guerrero, J.A. Garcia, F.Y. Ng-Molina, A. Mediavilla, C. Camacho-Penalosa, D. Ducatteau, Christophe Gaquière
article
Proceedings of the 11th International Symposium on Microwave and Optical Technology, ISMOT-2007, 2007, Monte Porzio Catone, Italy
identifiant
hal-00367700
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titre
GaN devices for high performance RF power amplifier
auteur
Christophe Gaquière, B. Benbakhti, S. Boulay, N. Defrance, D. Ducatteau, H. Gerard, J.C. Gerbedoen, B. Grimbert, V. Hoel, J. Lemaitre, M Rousseau, A. Soltani, J.C. de Jaeger, F. Medjoub, R. Aubry, C. Dua, C. Brylinski, D. Floriot, G. Lecoustre, E. Morvan, M.A. Poisson, S. Delage
article
2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, 2007, Munich, Germany
identifiant
hal-00367425
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titre
Analyse physique et thermique des structures TLM AlGaN/GaN
auteur
B. Benbakhti, M Rousseau, A. Soltani, J.C. de Jaeger
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.9B3-1-4
identifiant
hal-00370328
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titre
Estimation of the surface potential of unstrained InAlN/GaN HEMT's
auteur
M. Alomari, F. Medjdoub, E. Kohn, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, N. Grandjean, D. Ducatteau, Christophe Gaquière
article
Proceedings of the 16th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech'07, 2007, Fréjus, France
identifiant
hal-00367698
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titre
Etude des propriétés électroniques des surfaces et interfaces de semiconducteurs III-V par photoluminescence
auteur
M. Mattalah, A. Soltani, J.C. de Jaeger, A. Akkal, H. Abid
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.1D7-1-4
identifiant
hal-00370329
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titre
Caractérisation non linéaire de varactances de type MOS et diodes avec un analyseur vectoriel non linéaire
auteur
Y. Morandini, D. Ducatteau, J.F. Larchanche, Christophe Gaquière
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.1D3-1-3
identifiant
hal-00370332
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titre
Conception et réalisation de transistors de type FP-HEMT AlGaN/GaN
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, M Rousseau, N. Defrance, Y. Cordier, J.C. de Jaeger
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.1D10-1-4
identifiant
hal-00370331
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BibTex
titre
Advanced results on nitride-based HEMTs for microwave power amplification
auteur
J.C. de Jaeger, B. Benbakhti, S. Boulay, N. Defrance, Christophe Gaquière, H. Gerard, J.C. Gerbedoen, B. Grimbert, V. Hoel, J. Lemaitre, M. Mattalah, M Rousseau, A. Soltani, S. Touati, S. Delage, R. Aubry, C. Brylinski, E. Morvan, M.A. Poisson
article
11th International Symposium on Microwave and Optical Technology, ISMOT-2007, 2007, Monte Porzio Catone, Italy
identifiant
hal-00367426
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titre
Mise en place d'un modèle physique pour l'analyse électrothermique des transistors de puissance des filières de matériaux à grande bande interdite
auteur
B. Benbakhti, M Rousseau, A. Soltani, J. Laureyns, J.C. de Jaeger
article
Journées Thématiques du GDR Nanoélectronique sur la Simulation Multiphysique de Composants et Dispositifs Nanométriques, 2007, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00285317
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titre
Filtrage et démultiplexage dans les structures microguides InP/InGaAs
auteur
M. Beaugeois, M. Lesecq, S. Maricot, Y. Pennec, A. Akjouj, B. Pinchemel, B. Djafari-Rouhani, M. Bouzaoui, J.P. Vilcot
article
Actes de TELECOM'2007 & 5èmes Journées Franco-Maghrébines des Micro-ondes et leurs Applications, 2007, Fès, Maroc
identifiant
hal-00367411
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titre
Electron device modelling for millimeter-wave wideband wireless systems
auteur
D. Resca, A. Santarelli, A. Raffo, G. Vannini, R. Cignani, F. Filicori, V. Di Giacomo, D. Schreurs, F. Medjoub, Christophe Gaquière, M. Pagani
article
TARGET Days : from Ideas to Results, in the frame of the International Conference ISMOT-2007, 2007, Roma, Italy
identifiant
hal-00285320
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titre
Fabrication of AlGaN/GaN HEMTs developed on new composites substrates
auteur
V. Hoel, S. Boulay, V. Raballand, H. Gerard, J.C. de Jaeger, M.A. Poisson, C. Brylinski, H. Lahreche, R. Langer, P. Bove
article
Proceedings of the 31th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2007, 2007, Venice, Italy
identifiant
hal-00367694
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titre
Breaking the AlGaN/GaN HEMT scaling limit with AlInN barriers
auteur
F. Medjdoub, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, N. Grandjean, Christophe Gaquière, E. Kohn
article
Proceedings of the 31th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2007, 2007, Venice, Italy
identifiant
hal-00367695
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titre
Microwave measurements of nanotube based-devices
auteur
G. Dambrine, H. Happy, A. Le Louarn, J.P. Bourgoin, Vincent Derycke, Christophe Gaquière, J.F. Lampin
article
IMS Workshop on Nanoelectronic Devices : RF Characterization, Modeling, and Applications, 2007, Honolulu, HI, United States
identifiant
hal-00286242
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titre
Recent achievement in the AlGaN/GaN HEMT epitaxy on silicon and engineering substrates exhibiting improved performances
auteur
H. Lahreche, A. Wilk, P. Bove, M. Lijadi, R. Langer, J. Thuret, J.C. de Jaeger, V. Hoel, S. Delage
article
Proceedings of the 31th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2007, 2007, Venice, Italy
identifiant
hal-00367693
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Patents

titre
Adaptateur d'impédance automatique coaxiale
auteur
N. Vellas, Christophe Gaquière, F. Bue, D. Ducatteau
article
N° de brevet: FR2888670 (A1). 2007
identifiant
hal-00372344
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2006

Journal articles

titre
The effect of oxidation on physical properties of porous silicon layers for optical applications
auteur
Parastesh Pirasteh, Joël Charrier, Ali Soltani, Severine Haesaert, Lazhar Haji, C. Godon, N. Errien
article
Applied Surface Science, Elsevier, 2006, Vol.253 (Issue 4), pp.1999-2002. ⟨10.1016/j.apsusc.2006.03.083⟩
identifiant
hal-00187580
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titre
Top Down' Approaches for the Study of Single-Cells: Micro-Engineering and Electrical Phenotype
auteur
Vincent Senez, T. Akalin, S. Arscott, N.E. Bourzgui, B. Bocquet, T. Fujii, E. Lennon, Takahisa Yamamoto
article
Advances in Science and Technology, 2006, 53, pp.97-106. ⟨10.4028/www.scientific.net/AST.53.97⟩
identifiant
hal-02347520
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titre
Investigation of traps in AlGaN/GaN HEMTs by current transient spectroscopy
auteur
M. Gassoumi, J.M. Bluet, F. Chekir, I. Dermoul, H. Maaref, G. Guillot, A. Minko, V. Hoel, Christophe Gaquière
article
Materials Science and Engineering: C, Elsevier, 2006, 26, pp.SI : 383-386
identifiant
hal-00154931
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BibTex
titre
Output power density of 5.1W/mm at 18 GHz with an AlGaN/GaN HEMT on Si substrate
auteur
D. Ducatteau, A. Minko, V. Hoel, E. Morvan, E. Delos, B. Grimbert, H. Lareche, P. Bove, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, S.L. Delage
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2006, 27, pp.7-9
identifiant
hal-00127941
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titre
Current conduction and saturation mechanism in AlGaN/GaN ungated structures
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, D. Pogany, Christophe Gaquière, E. Morvan
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2006, 99, pp.123720-1-7. ⟨10.1063/1.2207572⟩
identifiant
hal-00154930
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00154930/file/Kuzmik2006.pdf BibTex
titre
Top-down approaches for the study of single-cells : micro-engineering and electrical phenotype
auteur
V. Senez, T. Akalin, S. Arscott, N.E. Bourzgui, B. Bocquet, T. Fujii, E. Lennon, T. Yamamoto
article
Advances in Science and Technology, 2006, 53, pp.97-106
identifiant
hal-00138742
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BibTex
titre
Punch-through in short-channel AlGaN/GaN HFETs
auteur
M.J. Uren, K.J. Nash, R.S. Balmer, T. Martin, E. Morvan, N. Caillas, S.L. Delage, D. Ducatteau, B. Grimbert, J.C. de Jaeger
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2006, 53, pp.395-398
identifiant
hal-00127940
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BibTex
titre
Terahertz detection by GaN/AlGaN transistors
auteur
A. El Fatimy, S.B. Tombet, F. Teppe, W. Knap, D.B. Veksler, S. Rumyantsev, M.S. Shur, N. Pala, R. Gaska, Q. Fareed, X. Hu, D. Seliuta, G. Valusis, Christophe Gaquière, A. Cappy, D. Theron
article
Electronics Letters, IET, 2006, 42, pp.1342-1344
identifiant
hal-00147740
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BibTex
titre
Room-temperature terahertz emission from nanometer field-effect transistors
auteur
N. Dyakonova, A.E. Fatimy, J. Lusakowski, W. Knap, M.I. Dyakonov, M.A. Poisson, E. Morvan, S. Bollaert, A. Shchepetov, Y. Roelens, Christophe Gaquière, D. Theron, A. Cappy
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2006, 88, pp.141906-1-3
identifiant
hal-00126524
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BibTex
titre
High temperature pulsed measurements of AlGaN/GaN HEMTs on high resistive Si(111) substrate
auteur
M. Werquin, D. Ducatteau, N. Vellas, E. Delos, Y. Cordier, R. Aubry, Christophe Gaquière
article
Microwave and Optical Technology Letters, Wiley, 2006, 48, pp.2303-2305
identifiant
hal-00154928
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BibTex
titre
Power measurement setup for large signal microwave characterization at 94 GHz
auteur
F. Medjdoub, S. Vandenbrouck, Christophe Gaquière, E. Delos, M. Zaknoune, D. Theron
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2006, 16, pp.218-220
identifiant
hal-00127945
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BibTex
titre
Small-signal characteristics of AlInN/GaN HEMTs
auteur
F. Medjdoub, J.F. Carlin, M. Gonschorek, M.A. Py, N. Grandjean, S. Vandenbrouck, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, E. Kohn
article
Electronics Letters, IET, 2006, 42, pp.779-780
identifiant
hal-00154929
Accès au bibtex
BibTex
titre
Room-temperature terahertz emission from nanometer field-effect transistors
auteur
N. Dyakonova, A. El Fatimy, J. Łusakowski, W. Knap, M.I. Dyakonov, M.A. Poisson, E. Morvan, S. Bollaert, A. Shchepetov, Y. Roelens, Christophe Gaquière, D. Theron, A. Cappy
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2006, 88, pp.141906-1-3
identifiant
hal-00127944
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BibTex
titre
Analysis of thermal effect influence in gallium-nitride-based TLM structures by means of a transport-thermal modeling
auteur
B. Benbakhti, M Rousseau, A. Soltani, J.C. de Jaeger
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2006, 53, pp.2237-2242
identifiant
hal-00127943
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BibTex
titre
Traps centers and deep defects contribution in current instabilities for AlGaN/GaN HEMT's on silicon and sapphire substrates
auteur
N. Sghaier, M. Trabelsi, N. Yacoubi, J.M. Bluet, A. Souifi, G. Guillot, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger
article
Microelectronics Journal, Elsevier, 2006, 37, pp.363-370
identifiant
hal-00127942
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BibTex
titre
Characterization of superconductor coplanar resonators deposited on different substrates by thermal coevaporation
auteur
D. Seron, H. Kokabi, Georges Alquié, Y. Roelens, N.E. Bourzgui, J.C. Carru
article
Journal of Superconductivity and Novel Magnetism, Springer Verlag, 2006, 19, pp.661-667. ⟨10.1007/s10948-006-0127-1⟩
identifiant
hal-00243995
Accès au bibtex
BibTex
titre
Room-temperature Terahertz Emission from Nanometer Field Effect Transistors
auteur
N. Dyakonova, Michel Dyakonov, A. El Fatimy, J. Lusakowski, W. Knap, M.-A. Poisson, E. Morvan, S. Bollaert, A. Shchepetov, Y. Roelens, Christophe Gaquière, D. Theron, A. Cappy
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2006, 88 (14), pp.141906. ⟨10.1063/1.2191421⟩
identifiant
hal-00264792
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BibTex

Conference papers

titre
Thermal characterization of HF power FETS
auteur
D. Pogany, J. Kuzmik, S. Bychikhin, E. Pichonat, Christophe Gaquière, K. Anderson, C. Fager, J. Würfl, M.A. Di Forte-Poisson
article
Target days, Oct 2006, Frascati, Italy
identifiant
hal-00337243
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titre
Surface capping of AlInN/GaN HEMT structures
auteur
F. Medjdoub, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, J.-F Carlin, M Gonschorek, E Feltin, M Py, N Grandjean, E Kohn
article
European Workshop on III-Nitride Semiconductor Materials and Devices, Sep 2006, Heraklion, Greece
identifiant
hal-03281380
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03281380/file/EW3NS%20F_Medjdoub.pdf BibTex
titre
Temperature analysis of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors using micro-Raman scaterring spectroscopy and transient interferometric mapping
auteur
E. Pichonat, J. Kuzmik, S. Bychikhin, D. Pogany, M.A. Di Forte-Poisson, B. Grimbert, Christophe Gaquière
article
Proceedings of the first European Microwave Integrated Circuits Conference, Sep 2006, Manchester, United Kingdom
identifiant
hal-00337246
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titre
Influence of surface trapping on determination of electron saturation velocity in AlGaN/GaN heterostructure
auteur
J. Kuzmik, S. Bychikhin, E. Pichonat, Christophe Gaquière, E. Morvan, D. Pogany
article
28th International Conference of the Physics of Semiconductors, Jul 2006, Vienne, Austria
identifiant
hal-00337251
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titre
Design of a X-band GaN oscillator: from the low frequency noise device characterization and large signal modeling to circuit design
auteur
Geoffroy Soubercaze-Pun, Jean-Guy Tartarin, Laurent Bary, Jacques Rayssac, E Morvan, B Grimbert, J-C de Jaeger, Jacques Graffeuil
article
IMS 2006, Jun 2006, San Francisco, United States. 4p, ⟨10.1109/MWSYM.2006.249760⟩
identifiant
hal-01343917
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01343917/file/IMS_2006_SanFrancisco.pdf BibTex
titre
Microfluidic Devices for Ultra Wide Band Electromagnetic Spectroscopy of Single Cell
auteur
T. Akalin, S. Arscott, B. Bocquet, N.E. Bourzgui, V. Mille, V. Senez, A. Treizebre, T. Fujii, E. Lennon, Y. Sakai, T. Yamamoto
article
2006 International Conference on Microtechnologies in Medicine and Biology, May 2006, Okinawa, France. pp.252-255, ⟨10.1109/MMB.2006.251542⟩
identifiant
hal-02347528
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titre
Caractérisation et modélisation non linéaire de Transistors à Effet de Champs à Nano tubes de Carbone (CNFETs) à l'aide d'un Analyseur de réseau non linéaire (LSNA)
auteur
Arnaud Curutchet, J.M. Bethoux, M. Werquin, Henri Happy, Didier Theron, D. Ducatteau, Christophe Gaquière
article
GDR G2054 Nanoélectronique, Feb 2006, -, France
identifiant
hal-00197505
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titre
Conception et réalisation de transistors HEMT AlGaN/GaN avec différentes topologies fieldplate
auteur
J.C. Gerbedoen, A. Soltani, B. Benbakhti, J.C. de Jaeger
article
10èmes Journées de la Matière Condensée, 2006, Toulouse, France
identifiant
hal-00128164
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titre
Noise and dynamic cryogenic performance of metamorphic transistors from 20 to 42 GHz
auteur
S. Delcourt, G. Dambrine, N.E. Bourzgui, S. Lepilliet, C. Laporte, D. Smith, J.P. Fraysse
article
1st European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2006, 2006, United Kingdom. pp.9-12, ⟨10.1109/EMICC.2006.282736⟩
identifiant
hal-00241318
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titre
Room-temperature terahertz emission from nanometer field-effect transistors
auteur
N. Dyakonova, A.E. Fatimy, J. Lusakowski, W. Knap, M.I. Dyakonov, M.A. Poisson, E. Morvan, S. Bollaert, A. Shchepetov, Y. Roelens, Christophe Gaquière, D. Theron, A. Cappy
article
Joint 31st International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 14th International Conference on Terahertz Electronics, IRMMW-THz2006, 2006, China. pp.145, ⟨10.1109/ICIMW.2006.368353⟩
identifiant
hal-00241317
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titre
Can InAlN/GaN be an alternative to high power/high temperature AlGaN/GaN devices ?
auteur
F. Medjdoub, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, N. Grandjean, E. Kohn
article
IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2006, 2006, United States. pp.673-676, ⟨10.1109/IEDM.2006.346935⟩
identifiant
hal-00247419
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titre
Ultra wide band dielectric spectroscopy of single cell in microfluidic devices
auteur
V. Senez, A. Treizebré, E. Lennon, H. Ghandour, V. Mille, T. Heim, T. Akalin, T. Yamamoto, N. Bourzgui, Delphine Legrand, Y. Sakai, P. Supiot, J. Mazurier, T. Fujii, B. Bocquet
article
2006, pp.738-740
identifiant
hal-00130877
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titre
Passive photonic components using InP optical wire technology for nano optics based optical switches and matrices
auteur
M. Lesecq, S. Maricot, J.P. Vilcot
article
1st ISIS Workshop, 2006, Boppard am Rhein, Germany
identifiant
hal-00130871
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titre
New technology for high throughput BioMEMS
auteur
V. Mille, N.E. Bourzgui, B. Bocquet
article
Actes du Congrès Français de Microfluidique, 2006, Toulouse, France
identifiant
hal-00244019
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titre
Design of a X-band GaN oscillator : from the low frequency noise device characterization and large signal modeling to circuit design
auteur
Geoffroy Soubercaze-Pun, Jean-Guy Tartarin, Laurent Bary, Jacques Rayssac, E. Morvan, B. Grimbert, S.L. Delage, J.C. de Jaeger, Jacques Graffeuil
article
2006, 4 pp
identifiant
hal-00128228
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titre
Passive photonic components using InP optical wire technology : design, fabrication and characterization
auteur
M. Lesecq, S. Maricot, J.P. Vilcot
article
Semiconductor and Integrated Optoelectronics Conference, SIOE 2006, 2006, Cardiff, Wales, United Kingdom
identifiant
hal-00130867
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titre
New technology for high throughput THz BioMEMS
auteur
V. Mille, N.E. Bourzgui, C. Vivien, P. Supiot, B. Bocquet
article
28th Annual International Conference of the IEEE Engineering in Medicine and Biology Society, EMBS'06, 2006, United States. pp.3505-3508, ⟨10.1109/IEMBS.2006.260289⟩
identifiant
hal-00243997
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titre
Optical switching : toward nanophotonics
auteur
M. Lesecq, J.P. Vilcot, S. Maricot, M. Francois, C. Legrand, F. Mollot
article
1st France-Singapore Optical Switching Seminar, 2006, Singapore, Singapore
identifiant
hal-00130873
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titre
Composants photoniques passifs en technologie microguide sur InP
auteur
M. Lesecq, J.P. Vilcot, S. Maricot
article
Club Optique et Microondes, 2006, Rouen, France
identifiant
hal-00130866
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titre
Top-down approaches for the study of single-cells: micro-engineering and electrical phenotype
auteur
V. Senez, T. Akalin, S. Arscott, N.E. Bourzgui, B. Bocquet, T. Fuji, E. Lennon, T. Yamamoto
article
2006, pp.105-114
identifiant
hal-00147725
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titre
Large signal microwave characterization of GaN HEMTs
auteur
D. Theron, M. Werquin, B. Grimbert, D. Ducatteau, S. Vandenbrouck, Christophe Gaquière
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD'06, 2006, Phoenix, AZ, United States
identifiant
hal-00128163
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titre
Composants photoniques passifs en technologie microguide sur InP : conception, fabrication et caracterisation
auteur
M. Lesecq, S. Maricot, J.P. Vilcot
article
11èmes Journées Nano-Micro Electronique et Optoélectronique, JNMO 2006, 2006, Aussois, France
identifiant
hal-00130874
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titre
Microfluidic devices for ultra wide band electromagnetic spectroscopy of single cell
auteur
T. Akalin, S. Arscott, B. Bocquet, N.E. Bourzgui, V. Senez, A. Treizebré, T. Fujii, E. Lennon, Y. Sakai, T. Yamamoto
article
2006, pp.252-255
identifiant
hal-00130878
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titre
Temperature analysis of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors using micro-Raman scattering spectroscopy and transient interferometric mapping
auteur
E. Pichonat, J. Kuzmik, S. Bychikhin, D. Pogany, M.A. Poisson, B. Grimbert, Christophe Gaquière
article
1st European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2006, 2006, United Kingdom. pp.54-57, ⟨10.1109/EMICC.2006.282748⟩
identifiant
hal-00247418
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titre
Study of field plate AlGaN/GaN HEMTs by means of a 2D-hydrodynamic model for power applications
auteur
B. Benbakhti, M Rousseau, J.C. de Jaeger
article
2006, 4 pp
identifiant
hal-00152973
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titre
Analyse physique de transistors HEMTs AlGaN/GaN élaborés avec la technologie field plate
auteur
B. Benbakhti, M Rousseau, J.C. Gerbedoen, J.C. de Jaeger
article
10èmes Journées de la Matière Condensée, 2006, Toulouse, France
identifiant
hal-00128165
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Patents

titre
Adaptateur d'impédance automatique compact en guide d'onde
auteur
F. Bue, Christophe Gaquière, N. Vellas, D. Ducatteau
article
N° de brevet: FR2886768 (A1). 2006
identifiant
hal-00372350
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2005

Journal articles

titre
First results of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate using an argon-ion implant-isolation technology
auteur
M. Werquin, N. Vellas, Y. Guhel, D. Ducatteau, B. Boudart, J.C. Pesant, Z. Bougrioua, Marie Germain, J.C. de Jaeger, Christophe Gaquière
article
Microwave and Optical Technology Letters, Wiley, 2005, 46, pp.311-315
identifiant
hal-00126457
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titre
Physical study of the avalanche breakdown phenomenon in HEMTs
auteur
M. Elkhou, M Rousseau, H. Gerard, J.C. de Jaeger
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2005, 49, pp.535-544
identifiant
hal-00126451
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titre
High power and linearity performances of gallium nitride HEMT devices on sapphire substrate
auteur
M. Werquin, Christophe Gaquière, Y. Guhel, N. Vellas, D. Theron, B. Boudart, V. Hoel, Marie Germain, J.C. de Jaeger, S. Delage
article
Electronics Letters, IET, 2005, 41 (1), ⟨10.1049/el:20056735⟩
identifiant
hal-01646906
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titre
94 GHz high power performances of InAs0.4P0.6 channel HEMTs on InP
auteur
F. Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, Christophe Gaquière, D. Theron
article
Electronics Letters, IET, 2005, 41, pp.63-64
identifiant
hal-00126459
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titre
High performances of InP channel power HEMT at 94 GHz
auteur
F. Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, Christophe Gaquière, D. Theron
article
Electronics Letters, IET, 2005, 41, pp.1406-1408
identifiant
hal-00154912
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titre
A high-power W-band pseudomorphic InGaAs channel PHEMT
auteur
Christophe Gaquière, J. Grunenputt, D. Jambon, E. Delos, D. Ducatteau, M. Werquin, D. Theron, P. Fellon
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2005, 26, pp.533-534
identifiant
hal-00154915
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BibTex
titre
Impact of plasma pre-treatment before SiNx passivation on AlGaN/GaN HFETs electrical traps
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, Christophe Gaquière, E. Delos, D. Ducatteau, Z. Bougrioua, Marie Germain
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2005, 49, pp.1589-1594
identifiant
hal-00154914
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BibTex
titre
High power and linearity performances of gallium nitride HEMT devices on sapphire substrate
auteur
M. Werquin, Christophe Gaquière, Y. Guhel, N. Vellas, B. Boudart, V. Hoel, Marie Germain, J.C. de Jaeger, S. Delage
article
Electronics Letters, IET, 2005, 41, pp.46-47
identifiant
hal-00126452
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BibTex
titre
Humidity effects on the electrical properties of hexagonal boron nitride thin films
auteur
Ali Soltani, Philippe Thevenin, Hazri Bakhtiar, Armand Bath
article
Thin Solid Films, Elsevier, 2005, 471, pp.277-286. ⟨10.1016/j.tsf.2004.06.142⟩
identifiant
hal-00323137
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BibTex
titre
InP HEMT downscaling for power applications at W band
auteur
F. Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, Christophe Gaquière, F. Dessenne, J.L. Thobel, D. Theron
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2005, 52, pp.2136-2143
identifiant
hal-00126460
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titre
Microwave and noise performance of SiGe BiCMOS HBT under cryogenic temperatures
auteur
S. Pruvost, S. Delcourt, I. Telliez, M. Laurens, N.E. Bourzgui, F. Danneville, A. Monroy, G. Dambrine
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2005, 26, pp.105-108
identifiant
hal-00125159
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Conference papers

titre
Effect of the GaN buffer on short channel effects in AlGaN/GaN HFETs
auteur
M.J. Uren, K.J. Nash, J.L. Glasper, R.S. Balmer, T. Martin, E. Morvan, N. Caillas, S.L. Delage, D. Ducatteau, B. Grimbert, J.C. de Jaeger
article
29th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2005, 2005, Cardiff, United Kingdom
identifiant
hal-00126468
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BibTex
titre
Noise assessment of AlGaN/GaN HEMTs on Si or SiC substrates : application to X-band low noise amplifiers
auteur
J.C. de Jaeger, S.L. Delage, G. Dambrine, M.A. Poisson, V. Hoel, S. Lepilliet, B. Grimbert, E. Morvan, Y. Mancuso, G. Gauthier, A. Lefrancois, Y. Cordier
article
2005, pp.229-232
identifiant
hal-00126458
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BibTex
titre
Conception d'un nouveau dispositif d'analyse hyperfréquence de biomolécules
auteur
N.E. Bourzgui, V. Mille, B. Bocquet
article
Actes des 4èmes Journées Franco-Maghrébines des Microondes et leurs Applications, 2005, Rabat, Maroc
identifiant
hal-00247705
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titre
MicroRaman analysis of resistance ohmic contact to n-AlGaN/GaN
auteur
A. Soltani, S. Touati, V. Hoel, J.C. de Jaeger, J. Laureyns, Y. Cordier, C. Marhic, A. Djouadi, C. Dua
article
Proceedings of the 16th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides, Diamond 2005, 2005, Toulouse, France
identifiant
hal-00131350
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BibTex
titre
Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hours on-state and off-state hot-electron stress
auteur
A. Sozza, C. Dua, E. Morvan, M.A. Poisson, S. Delage, F. Rampazzo, A. Tazzoli, F. Danesin, G. Meneghesso, E. Zanoni, A. Curutchet, N. Malbert, N. Labat, B. Grimbert, J.C. de Jaeger
article
2005, 4 pp
identifiant
hal-00126762
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BibTex
titre
InP and InAsP channel HEMT for millimeter wave applications
auteur
D. Theron, F. Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, Christophe Gaquière
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2005, 2005, Miami, FL, United States
identifiant
hal-00126470
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BibTex
titre
Comparison of load-pull measurement results of a 4 W pHEMT involving five european laboratories
auteur
J. Lees, J. Benedikt, B. Bunz, Christophe Gaquière, D. Ducatteau, E. Marquez-Segura, T.M. Martin-Guerrero, A. Barel
article
2005, pp.321-324
identifiant
hal-00154916
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BibTex
titre
Analyse biologique THz par Bio MicroFluidic System (BioMFS)
auteur
B. Bocquet, V. Mille, N.E. Bourzgui
article
Actes des 3èmes Journées Térahertz, 2005, Aussois, France
identifiant
hal-00247707
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BibTex
titre
Enhancement of cutoff frequency in AlGaN/GaN high electron mobility transistors using a silicon nitride based T-gate technology
auteur
S. Touati, V. Hoel, A. Soltani, J.C. de Jaeger, M.A. Poisson, S. Delage
article
Proceedings of the 16th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides, Diamond 2005, 2005, Toulouse, France
identifiant
hal-00131349
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BibTex
titre
Mesures de bruit sous pointes à 78K : application aux filières métamorphiques bas bruit dans la bande 6-50 GHz
auteur
S. Delcourt, G. Dambrine, N.E. Bourzgui, S. Lepilliet, C. Laporte, J.P. Fraysse, M. Maignan
article
Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France
identifiant
hal-00247446
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BibTex
titre
Caractérisation DC-pulsé grand signal de HEMTs de puissance
auteur
N. Defrance, H. Gerard, E. Morvan, J.C. de Jaeger
article
Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France
identifiant
hal-00126751
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BibTex
titre
Mise en œuvre d'un modèle physique électrothermique pour la simulation de transistors à effet de champ de puissance
auteur
B. Benbakhti, M Rousseau, M. Werquin, J.C. de Jaeger
article
Actes des 14èmes Journées Nationales Microndes, 2005, Nantes, France
identifiant
hal-00126750
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BibTex
titre
AlGaN/GaN : processing and characterisation at TIGER laboratory
auteur
R. Aubry, D. Ducatteau, E. Morvan, B. Grimbert, T. Dean, M. Francois, S. Touati, V. Hoel, J.C. Pesant, A. Leroy, D. Thenot, M.A. Di Forte-Poisson, M Rousseau, E. Chartier, Al. And
article
13th European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Applications Symposium, GAAS 2005, 2005, Paris, France
identifiant
hal-00126465
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BibTex
titre
Utilisation de la technologie de grille nitrure pour la réalisation de HEMTs AlGaN/GaN
auteur
S. Touati, V. Hoel, E. Delos, A. Soltani, J.C. de Jaeger, M.A. Poisson, S. Delage
article
Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France
identifiant
hal-00126752
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BibTex
titre
HEMTs with InP and InAsP channel for 94 GHz applications
auteur
D. Theron, F. Medjdoub, M. Zaknoune, Christophe Gaquière, X. Wallart
article
14th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech'05, 2005, Smolenice, Slovakia
identifiant
hal-00126469
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BibTex
titre
Spectroscopie diélectrique THz de biomolécules en solution
auteur
V. Mille, N. Bourzgui, B. Bocquet
article
Actes des 1ères Journées du GDR Térahertz, 2005, Montpellier, France
identifiant
hal-00247709
Accès au bibtex
BibTex
titre
Récents résultats et perspectives du laboratoire TIGER dans le domaine des composants HEMT AlGaN/GaN
auteur
S.L. Delage, M.A. Di Forte-Poisson, M. Magis, J. Di Persio, D. Theron, M. Tordjman, J.C. de Jaeger, J.C. Jacquet, M Rousseau, R. Aubry, C. Brylinski, T. Dean, E. Morvan, M. Francois, Al. And
article
14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France
identifiant
hal-00126466
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BibTex
titre
Implementation of a 2D electron-thermal model for power semiconductor devices simulation : application on gallium nitride
auteur
B. Benbakhti, M Rousseau, J.C. de Jaeger
article
Comsol Multiphysics Conference, 2005, Paris, France
identifiant
hal-00126464
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BibTex
titre
Low frequency and linear high frequency noise performances of AlGaN/GaN grown on SiC substrate
auteur
Jean-Guy Tartarin, Geoffroy Soubercaze-Pun, Laurent Bary, C. Chambon, Sébastien Gribaldo, Olivier Llopis, Laurent Escotte, Robert Plana, S. Delage, Christophe Gaquière, Jacques Graffeuil
article
2005, pp.277-280
identifiant
hal-00154917
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2004

Journal articles

titre
LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide. Application to HEMT's devices
auteur
M.A. Di Forte-Poisson, M. Magis, M. Tordjman, R. Aubry, N. Sarazin, M. Peschang, E. Morvan, S.L. Delage, J. Di Persio, R. Quere, B. Grimbert, V. Hoel, E. Delos, D. Ducatteau, Christophe Gaquière
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2004, 272, pp.305-311
identifiant
hal-00141957
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titre
High microwave and noise performance of 0.17µm AlGaN/GaN HEMTs on high-resistivity silicon substrates
auteur
A. Minko, V. Hoel, S. Lepilliet, G. Dambrine, J.C. de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2004, 25, pp.167-169
identifiant
hal-00141951
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BibTex
titre
Electronic properties of deep defects in n-type GaN
auteur
P. Muret, C. Ulzhöfer, J. Pernot, Y. Cordier, F. Semond, Christophe Gaquière, D. Theron
article
Superlattices and Microstructures, Elsevier, 2004, 36, pp.435-443
identifiant
hal-00141959
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BibTex
titre
Hot carrier aging degradation phenomena in GaN based MESFETs
auteur
F. Rampazzo, G. Pierobon, D. Pacetta, Christophe Gaquière, D. Theron, B. Boudart, G. Meneghesso, E. Zanoni
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2004, 44, pp.1375-1380
identifiant
hal-00154890
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BibTex
titre
AlGaN/GaN HEMTs on Si with power density performance of 1.9 W/mm at 10 GHz
auteur
A. Minko, V. Hoel, E. Morvan, B. Grimbert, A. Soltani, E. Delos, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, D. Theron, J.C. de Jaeger, H. Lahreche, L. Wedzikowski, R. Langer, P. Bove
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2004, 25, pp.453-455
identifiant
hal-00141952
Accès au bibtex
BibTex
titre
AlGaN/GaN HEMTs : technology and microwave performance
auteur
J.C. de Jaeger
article
Microwave Engineering Europe, 2004, mai, pp.30
identifiant
hal-00141996
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BibTex
titre
Analysis of low frequency drain current noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate
auteur
N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, A. Touboul, Christophe Gaquière, A. Minko
article
Fluctuation and Noise Letters, World Scientific Publishing, 2004, 4, pp.L319-L328
identifiant
hal-00162793
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Conference papers

titre
A non uniform thermal de-embedding approach for cryogenic on-wafer high frequency noise measurements
auteur
S. Delcourt, G. Dambrine, N.E. Bourzgui, S. Lepilliet, C. Laporte, J.P. Fraysse, M. Maignan
article
2004, pp.1809-1812
identifiant
hal-00133882
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titre
Microwave characterization of supraconducting YBCO coplanar resonators deposited by thermal coevaporation on different substrates
auteur
D. Seron, H. Kokabi, Georges Alquié, Y. Roelens, N.E. Bourzgui, J.C. Carru
article
8th Symposium on High-Temperature Superconductors in High-Frequency Fields, 2004, Parador de Aiguablava, Begur, Spain
identifiant
hal-00133913
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titre
Performances of AlGaN/GaN HEMTs in planar technology
auteur
M. Werquin, N. Vellas, Y. Guhel, D. Ducatteau, B. Boudart, J.C. Pesant, Z. Bougrioua, Marie Germain, J.C. de Jaeger, Christophe Gaquière
article
2004, pp.303-306
identifiant
hal-00142305
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titre
Nouveau dispositif d'analyse hyperfréquence des biomolécules
auteur
N. Bourzgui, V. Mille, F. Medjoub, B. Bocquet
article
Actes du 2ème Congrès Français de Microfluidique, 2004, Toulouse, France
identifiant
hal-00248091
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titre
Low frequency noise and transport mechanisms in AlGaN/GaN HEMT devices
auteur
Jean-Guy Tartarin, Geoffroy Soubercaze-Pun, Abdelali Rennane, Laurent Bary, Robert Plana, J.C. de Jaeger, Marie Germain, S. Delage, Jacques Graffeuil
article
European Microwave Week, 2004, Amsterdam, Netherlands
identifiant
hal-00141963
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titre
LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide. Application to HEMT's devices
auteur
M.A. Di Forte-Poisson, M. Magis, M. Tordjman, R. Aubry, M. Peschang, S.L. Delage, J. Di Persio, B. Grimbert, V. Hoel, E. Delos, D. Ducatteau, Christophe Gaquière
article
2004, pp.107-112
identifiant
hal-00162796
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titre
Influence of passivation on high-power AlGaN/GaN HEMT devices at 10 GHz
auteur
D. Ducatteau, M. Werquin, Christophe Gaquière, D. Theron, T. Martin, E. Delos, B. Grimbert, E. Morvan, N. Caillas, V. Hoel, J.C. de Jaeger, S. Delage
article
2004, pp.203-206
identifiant
hal-00142304
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titre
Thermal de-embedding procedure for cryogenic on-wafer high frequency noise measurement
auteur
S. Delcourt, G. Dambrine, N.E. Bourzgui, F. Danneville, C. Laporte, J.P. Fraysse, M. Maignan
article
2004, pp.414-421
identifiant
hal-00133897
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titre
Low frequency noise behaviour in GaN HEMT's on silicon substrate
auteur
Laurent Bary, E. Angeli, Abdelali Rennane, Geoffroy Soubercaze-Pun, Jean-Guy Tartarin, J.C. de Jaeger, Y. Cordier, S. Delage, Robert Plana, Jacques Graffeuil
article
2004, pp.286-295
identifiant
hal-00141967
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titre
AlGaN/GaN HEMTs : technology and microwave performances
auteur
J.C. de Jaeger, N. Caillas, E. Chartier, G. Dambrine, S. Delage, E. Delos, D. Ducatteau, D. Floriot, Christophe Gaquière, B. Grimbert, V. Hoel, E. Morvan, M.A. Poisson, M Rousseau, D. Theron
article
RF & Hyper Europe 2004, 2004, Paris, France
identifiant
hal-00141961
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titre
On-wafer high frequency noise power measurements under cryogenic conditions : a new de-embedding approach [HEMT example]
auteur
S. Delcourt, G. Dambrine, N.E. Bourzgui, S. Lepilliet, C. Laporte, J.P. Fraysse, M. Maignan
article
2004, pp.913-916
identifiant
hal-00154887
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titre
Recent developments and trends in GaN HFETs
auteur
D. Theron, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, S. Delage
article
2004, pp.547-550
identifiant
hal-00142306
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titre
Current instabilities and deep level investigation on AlGaN/GaN HEMT's on silicon and sapphire substrates
auteur
N. Sghaier, N. Yacoubi, J.M. Bluet, A. Souifi, G. Guillot, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger
article
2004, pp.672-675
identifiant
hal-00154889
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titre
THz microfluidic MEMS for cell membrane analysis
auteur
T. Akalin, A. Treizebre, N.E. Bourzgui, B. Bocquet
article
2004, pp.413-414
identifiant
hal-00147749
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titre
Physical analysis of the breakdown phenomenon between single or double step gate recess HEMTs
auteur
M. Elkhou, M Rousseau, H. Gerard, J.C. de Jaeger
article
2004, pp.571-574
identifiant
hal-00142307
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titre
Design of silicon-pTMDS bio-MEMS with millimeter and sub-millimeter waves transducers
auteur
V. Mille, N.E. Bourzgui, F. Medjdoub, B. Bocquet
article
34th European Microwave Conference, EuMC 2004, 2004, Netherlands. pp.1/169-172
identifiant
hal-00248088
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titre
Design of silicon-pTMDS bioMEMS by cold RPECVD
auteur
B. Bocquet, N.E. Bourzgui, Y. Guhel, V. Mille
article
2004, pp.118-129
identifiant
hal-00140776
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titre
Using low frequency noise characterization of AlGaN/GaN HEMT as a tool for technology assessment and failure prediction
auteur
Jean-Guy Tartarin, Geoffroy Soubercaze-Pun, Abdelali Rennane, Laurent Bary, J.C. de Jaeger, Marie Germain, S. Delage, Robert Plana, Jacques Graffeuil
article
2004, pp.296-306
identifiant
hal-00141968
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titre
Bruit dans les nouveaux composants et matériaux ou bruit fiabilité
auteur
Jean-Guy Tartarin, Geoffroy Soubercaze-Pun, Abdelali Rennane, Laurent Bary, Robert Plana, J.C. de Jaeger, S. Delage, Jacques Graffeuil
article
Workshop Action Spécifique Bruit : Bruit en régime linéaire et non-linéaire dans les composants et circuits de télécommunications, 2004, La Grande Motte, France
identifiant
hal-00141964
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titre
Tiger AlGaN/GaN HEMT technology
auteur
E. Morvan, B. Grimbert, V. Hoel, N. Caillas, M.A. Poisson, C. Dua, R. Aubry, D. Ducatteau, E. Delos, J.C. de Jaeger, S. Delage
article
European Microwave Week, 2004, Amsterdam, Netherlands
identifiant
hal-00141982
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titre
Microwave performances of gallium nitride based HEMT's devices
auteur
Christophe Gaquière, N. Vellas, M. Werquin, D. Ducatteau, E. Delos, E. Chartier, D. Lancereau, H. Gerard, M.A. Poisson, Y. Cordier, Marie Germain, E. Morvan, B. Grimbert, V. Hoel, Et Al.
article
European Microwave Week, 2004, Amsterdam, Netherlands
identifiant
hal-00141962
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titre
Analysis of hot carrier aging degradation in GaN MESFETs
auteur
R. Pierobon, F. Rampazzo, D. Pacetta, Christophe Gaquière, D. Theron, B. Boudart, G. Meneghesso, E. Zanoni
article
2004, pp.143-146
identifiant
hal-00141969
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titre
1/f noise and ballistic mobility in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors in high magnetic fields
auteur
S.L. Rumyantsev, M. Shur, W. Knap, N. Dyakonova, F. Pascal, A. Hoffman, Y. Guhel, Christophe Gaquière, D. Theron
article
2004, pp.277-85
identifiant
hal-00141970
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titre
Mesures pulsées haute température en mode DC et RF de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium haute résistivité
auteur
M. Werquin, D. Ducatteau, N. Vellas, D. Jambon, D. Theron, E. Delos, N. Caillas, Y. Cordier, J.C. de Jaeger, S. Delage, Christophe Gaquière
article
GDR Grand Gap, 2004, Fréjus, France
identifiant
hal-00141965
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titre
Amélioration des performances des HEMTs AlGaN/GaN sur substrat Si
auteur
A. Minko, V. Hoel, Christophe Gaquière, D. Theron, J.C. de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies, H. Lareche, L. Wedzikowski, R. Langer, P. Bove
article
GDR Grand Gap, 2004, Fréjus, France
identifiant
hal-00141966
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titre
RF noise and power performances of AlGaN/GaN on Si(111) substrates
auteur
A. Minko, V. Hoel, G. Dambrine, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies, H. Lahreche, L. Wedzikowski, R. Langer, P. Bove
article
2004, pp.67-70
identifiant
hal-00142303
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titre
Technological development of THz microfluidic microsystems for biological spectroscopy
auteur
V. Mille, N.E. Bourzgui, F. Mejdjoub, L. Desplanque, J.F. Lampin, P. Supiot, B. Bocquet
article
2004, pp.549-550
identifiant
hal-00162775
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2003

Journal articles

titre
MBE growth of AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si (111) substrate with RF small signal and power performances
auteur
Y. Cordier, F. Semond, P. Lorenzini, N. Grandjean, F. Natali, B. Damilano, J. Massies, V. Hoel, A. Minko, N. Vellas, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, B. Dessertenne, S. Cassette, Et Al.
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2003, 251, pp.811-815
identifiant
hal-00146661
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titre
Power results at 4 GHz of AlGaN/GaN HEMTs on high resistive silicon (111) substrate
auteur
N. Vellas, Christophe Gaquière, A. Minko, V. Hoel, J.C. de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond
article
IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2003, 13, pp.255-257
identifiant
hal-00146662
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titre
Low frequency drain noise comparison of AlGaN/GaN HEMTs grown on silicon, SiC and sapphire substrates
auteur
A. Curutchet, N. Malbert, N. Touboul, Christophe Gaquière, A. Minko, M. Uren
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2003, 43, pp.1713-1718
identifiant
hal-00146665
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titre
Two-dimensional hydrodynamic model including inertia effects in carrier momentum for power millimetre-wave semi-conductor devices
auteur
M Rousseau, J.D. Delemer, J.C. de Jaeger, F. Dessenne
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2003, 47, pp.1297-1309
identifiant
hal-00146666
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titre
Two-dimensional hydrodynamic model including inertia effects in carrier momentum for power millimeter-wave semiconductor devices
auteur
M Rousseau, J.D. Delemer, J.C. de Jaeger, F. Dessenne
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2003, 47, pp.1297-1309
identifiant
hal-00146093
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Conference papers

titre
Premiers résultats de puissance à 4 GHz obtenus sur HEMTs AlGaN/GaN en technologie planar
auteur
N. Vellas, Y. Guhel, Christophe Gaquière, B. Boudart, J.C. Pesant, Z. Bougrioua, Marie Germain, J.C. de Jaeger
article
2003, pp.4A2-1
identifiant
hal-00146692
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titre
Behavioural model for AlGaN/GaN HEMT's on sapphire and SiC constructed from multi-bias signal measurements
auteur
D. Schreus, N. Vellas, Christophe Gaquière, Marie Germain, G. Borghs
article
27th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2003, 2003, Fürigen, Switzerland
identifiant
hal-00146689
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titre
HEMT métamorphique pour applications de puissance en bande V : influence de la couche de barrière
auteur
B. Bonte, M. Ardouin, M. Zaknoune, D. Theron, Y. Cordier, S. Bollaert, J.C. de Jaeger
article
2003, pp.4A2-2
identifiant
hal-00146696
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titre
Gallium nitride activity at TIGER
auteur
S. Delage, C. Brylinski, J.C. de Jaeger
article
CEPA2 Microelectronics Workshop, 2003, Gothenburg, Sweden
identifiant
hal-00146713
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titre
Caractérisations micro-ondes par résonateurs coplanaires des films supraconducteurs en YBaCuO déposés par coévaporation thermique
auteur
D. Seron, H. Kokabi, Georges Alquié, Y. Roelens, N.E. Bourzgui, J.C. Carru
article
Optique Hertzienne et Diélectrique, OHD 2003, 2003, Calais, France
identifiant
hal-00146018
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titre
HEMT technology for power applications at 94 GHz and above
auteur
F. Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, F. Dessenne, J.C. de Jaeger, D. Theron
article
12th European Workshop on Heterostructure Technology, heTech 2003, 2003, San Rafael, Spain
identifiant
hal-00146695
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titre
Evolutions de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à différentes températures
auteur
B. Boudart, Jean-François Llibre, D. Briand, B. Tala-Ighil, H. Toutah, Y. Guhel, J.C. de Jaeger, Z. Bougrioua, Marie Germain, I. Moerman
article
2003, pp.1D-10
identifiant
hal-00146659
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BibTex
titre
Analyse par micro-biosystème hyperfréquence
auteur
N.E. Bourzgui, Y. Guhel, V. Mille, B. Bocquet
article
Actes de Optique Hertzienne et Dielectrique, OHD 2003, 2003, Calais, France
identifiant
hal-00146389
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BibTex
titre
Analyse du bruit basses fréquences du courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium et saphir
auteur
A. Curutchet, N. Malbert, N. Labat, A. Touboul, Christophe Gaquière, M. Uren
article
2003, pp.1D-7
identifiant
hal-00146664
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BibTex
titre
LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide
auteur
M.A. Poisson, M. Tordjman, A. Romann, M. Magis, R. Aubry, S. Delage, J. Di Persio, B. Grimbert, Christophe Gaquière
article
Proceedings of the Fifth International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-5, 2003, Nara, Japan
identifiant
hal-00146685
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BibTex
titre
Optimisation des performances du transistor HEMT AlGaN/GaN sur substrat Si
auteur
A. Minko, V. Hoel, D. Theron, J.C. de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies
article
GDR Grand Gap, 2003, Nice, France
identifiant
hal-00146717
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BibTex
titre
Biomolecule characterizations by millimeter waves
auteur
B. Bocquet, N.E. Bourzgui, Y. Guhel, V. Mille
article
Proceedings of the 12th European Workshop on Heterostructure Technology, heTech 03, 2003, San Rafael, Spain
identifiant
hal-00146390
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BibTex
titre
ANN model for AlGaN/GaN HEMTs constructed from near-optimal-load large-signal measurements
auteur
D. Schreurs, J. Verspecht, E. Vandamme, N. Vellas, Christophe Gaquière, Marie Germain, G. Borghs
article
2003, pp.447-450
identifiant
hal-00162739
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titre
Low frequency noise behaviour in AlGaN/GaN HEMT's
auteur
Abdelali Rennane, Laurent Bary, Jean-Guy Tartarin, Y. Guhel, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, Z. Bougrioua, S. Delage, Jacques Graffeuil, Robert Plana
article
12th European Workshop on Heterostructure Technology, heTech 2003, 2003, San Rafael, Spain
identifiant
hal-00146693
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BibTex
titre
Improvement of conductivity and breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMT structures in passivation experiments
auteur
S. Shapoval, V. Gurtovoi, A. Kovalchuk, L. Eastman, A. Vertjachih, Christophe Gaquière, D. Theron
article
2003, pp.90-93
identifiant
hal-00149939
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BibTex
titre
Evolution de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à différentes températures
auteur
B. Boudart, Jean-François Llibre, D. Briand, Boubekeur Tala-Ighil, H. Toutah, Yannick Guhel, Jean-Claude de Jaeger, Z. Bougrioua, Marianne Germain, Ingrid Moerman
article
13es Journées Nationales Microondes, 2003, Lille, France
identifiant
hal-01654259
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BibTex
titre
Influence de la température sur les caractéristiques pulsées statiques et hyperfréquences des HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium résistif (111)
auteur
M. Werquin, Christophe Gaquière, N. Vellas, E. Delos, D. Ducatteau, Y. Cordier, S. Delage, J.C. de Jaeger
article
2003, pp.1D-13
identifiant
hal-00146691
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BibTex
titre
Etude physique des HEMTs à base de nitrure de gallium
auteur
M. Elkhou, M Rousseau, J.C. de Jaeger
article
2003, pp.6A-1
identifiant
hal-00146667
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BibTex
titre
Management thermique des transistors HEMT AlGaN/GaN
auteur
R. Aubry, N. Caillas, C. Dua, H. Gerard, B. Dessertene, A. Poisson, Y. Cordier, D. Floriot, J.C. de Jaeger, S. Delage
article
GDR Grand Gap, 2003, Nice, France
identifiant
hal-00146694
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titre
Millimeter and sub-millimeter waves for MEMS biosensors
auteur
B. Bocquet, N.E. Bourzgui, Y. Guhel
article
2003, pp.46
identifiant
hal-00146387
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BibTex
titre
Optimisation des performances statiques des HEMTs AlGaN/GaN par traitement plasma
auteur
S. Touati, V. Hoel, A. Minko, A. Soltani, J.C. de Jaeger, A. Poisson, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies
article
GDR Grand Gap, 2003, Nice, France
identifiant
hal-00146718
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titre
Modèle hydrodynamique de transistors HEMTs pour la conception de circuits hyperfréquences
auteur
M.H. Abdool-Raheem, C. Dalle, J.C. de Jaeger
article
2003, pp.6A-7
identifiant
hal-00146688
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BibTex
titre
Optimisation des HEMTs AlGaN/GaN/Si
auteur
A. Minko, V. Hoel, J.C. de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies
article
2003, pp.1D-12
identifiant
hal-00146697
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BibTex
titre
Influence d'une passivation précédée d'un traitement de surface sur le comportement électrique en régime statique d'un HEMT AlGaN/GaN
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, Christophe Gaquière, E. Delos, D. Ducatteau, Z. Bougrioua, Marie Germain, J.C. de Jaeger
article
2003, pp.1D-11
identifiant
hal-00146690
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BibTex
titre
Résonateurs coplanaires supraconducteurs YBaCuO
auteur
Y. Roelens, N.E. Bourzgui, J.C. Carru
article
Actes de TELECOM 03 et 3èmes Journées Franco-Maghrébines des Microondes et leurs Applications, JFMMA 2003, 2003, Marrakech, Maroc
identifiant
hal-00146029
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BibTex
titre
Sub 0.1 µm – InP based HEMTs for high power and high frequency
auteur
D. Theron, F. Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, F. Dessenne, R. Fauquembergue, J.C. de Jaeger
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2003, 2003, Atlanta, GA, United States
identifiant
hal-00146719
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BibTex
titre
Etude physique du phénomène de claquage par avalanche dans les transistors à effet de champ
auteur
M. Elkhou, M Rousseau, J.C. de Jaeger
article
2003, pp.2D-21
identifiant
hal-00146663
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BibTex
titre
Low-frequency drain noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate
auteur
N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, A. Touboul, Christophe Gaquière, A. Minko
article
2003, pp.342-349
identifiant
hal-00162738
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2002

Journal articles

titre
Effects of high temperature on the electrical behavior of AlGaN/GaN HEMTs
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, V. Hoel, M. Werquin, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, M.A. Poisson, I. Daumiller, E. Kohn
article
Microwave and Optical Technology Letters, Wiley, 2002, 34, pp.4-6
identifiant
hal-00149695
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titre
‘Effects of high temperature on the electrical behaviour of AlGaN/GaN HEMTs’
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, V. Hoel, M. Werquin, Christophe Gaquière, J. C. De Jaeger, M. A. Poisson, I. Daumiller, E. Kohn
article
Microwave and Optical Technology Letters, Wiley, 2002
identifiant
hal-02936050
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BibTex
titre
‘High Linearity Performance of Gallium Nitride HEMT Devices on Silicon Substrate at 4 GHz’
auteur
N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, M. Werquin, R. Aubry, F. Bue, S. Delage, F. Semond, J. C. De Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2002
identifiant
hal-02936051
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BibTex
titre
‘Load Impedance Influence on the ID (VDS) Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in large Signal Regime at 4 GHz’
auteur
N. Vellas, Christophe Gaquière, F. Bue, Y. Guhel, B. Boudart, J. C. De Jaeger, M. A. Poisson
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2002
identifiant
hal-02936049
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BibTex
titre
High-power AlGaN/GaN HEMTs on resistive silicon substrate
auteur
V. Hoel, N. Vellas, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies
article
Electronics Letters, IET, 2002, 38, pp.750-752
identifiant
hal-00149694
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BibTex
titre
High linearity performance of gallium nitride HEMT devices on silicon substrate at 4 GHz
auteur
N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, M. Werquin, F. Bue, S. Delage, B. Boudart, F. Semond, J.C. de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2002, 23, pp.461-463
identifiant
hal-00149698
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BibTex
titre
The GaN yellow luminescence centre observed using optoelectronic modulation spectroscopy
auteur
C.H. Chiu, F. Omnes, Christophe Gaquière, P. Gibart, J.G. Swanson
article
Journal of Physics D: Applied Physics, IOP Publishing, 2002, 35, pp.609-614
identifiant
hal-00250398
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BibTex
titre
Load impedance influence of the IDD(VDS) characteristics of AlGaN/GaN HEMTs in large signal regime at 4 GHz
auteur
N. Vellas, Christophe Gaquière, F. Bue, Y. Guhel, B. Boudart, M.A. Poisson, J.C. de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2002, 23, pp.246-249
identifiant
hal-00149699
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BibTex

Conference papers

titre
Etude expérimentale de résonateurs coplanaires supraconducteurs YBaCuO
auteur
Y. Roelens, M. Achani, N.E. Bourzgui, J.C. Carru
article
7èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM 2002, 2002, Toulouse, France
identifiant
hal-00147858
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titre
AlGaN/GaN HEMT for RF power applications
auteur
J.C. de Jaeger, Z. Bougria, S. Cassette, E. Chartier, Y. Cordier, G. Dambrine, E. Delos, M.A. Poisson, S. Delage, B. Dessertenne, D. Ducatteau, M. Elkhou, D. Floriot, Christophe Gaquière, Et Al.
article
10th European Gallium Arsenide and Other Semiconductors Application Symposium, GAAS 2002, 2002, Milano, Italy
identifiant
hal-00149736
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titre
Nonlinear distortion analysis of Ka band MMIC's under single tone, two tone and NPR excitations
auteur
Christophe Gaquière, D. Ducatteau, P. Delemotte, Y. Crosnier, S. Tranchant, B. Carnez
article
2002, pp.229-231
identifiant
hal-00149712
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titre
Caractérisation de transistors à effet de champ à base de GaN
auteur
Christophe Gaquière, R. Aubry, Y. Guhel, A. Minko, N. Vellas, M. Werquin, B. Boudart, S. Cassette, Y. Cordier, S. Delage, E. Delos, J.C. de Jaeger, D. Ducatteau, H. Gerard, Et Al.
article
3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, 2002, La Plagne, France
identifiant
hal-00149714
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titre
MBE growth of high quality AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si(111) substrate with RF small signal and power performances
auteur
Y. Cordier, F. Semond, P. Lorenzini, N. Grandjean, F. Natali, B. Damilano, J. Massies, V. Hoel, A. Minko, N. Vellas, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, B. Dessertenne, S. Cassette, Et Al.
article
2002, pp.99-100
identifiant
hal-00149696
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titre
AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si(111) substrate : from material assessment to RF power performances
auteur
Y. Cordier, F. Semond, P. Lorenzini, N. Grandjean, F. Natali, B. Damilano, J. Massies, V. Hoel, A. Minko, N. Vellas, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, B. Dessertenne, S. Cassette, Et Al.
article
2002, pp.61-64
identifiant
hal-00149701
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titre
Mise en évidence des effets de pièges en régime dynamique grand signal (F = 4 GHz)
auteur
N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, M. Werquin, B. Boudart, D. Ducatteau, E. Delos, M.A. Poisson, J.C. de Jaeger
article
GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France
identifiant
hal-00149720
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titre
Analyse physique des HEMTs à base de nitrure de gallium
auteur
M. Elkhou, M Rousseau, J.C. de Jaeger
article
GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France
identifiant
hal-00149718
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titre
La filière GaN pour les applications hyperfréquences
auteur
Christophe Gaquière, R. Aubry, Y. Guhel, A. Minko, N. Vellas, M. Werquin, B. Boudart, Z. Bougria, S. Cassette, Y. Cordier, S. Delage, E. Delos, J.C. de Jaeger, D. Ducatteau, Et Al.
article
9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, Saint Aygulf, France
identifiant
hal-00149734
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titre
Influence of recess extension on double heterostructure metamorphic HEMT for power application at 60 GHz
auteur
M. Ardouin, B. Bonte, M. Zaknoune, D. Theron, Y. Cordier, S. Bollaert, J.C. de Jaeger
article
2002, pp.165-168
identifiant
hal-00149697
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titre
Etude des contacts ohmiques et Schottky sur nitrure de gallium pour composants à effets de champ
auteur
Christophe Gaquière, R. Aubry, Y. Guhel, A. Minko, N. Vellas, M. Werquin, B. Boudart, S. Cassette, Y. Cordier, S.L. Delage, E. Delos, J.C. de Jaeger, D. Ducatteau, H. Gerard, Et Al.
article
GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France
identifiant
hal-00149717
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titre
Mise en évidence des effets de pièges sur le comportement électrique de transistors HEMT's AlGaN/GaN pour les applications hyperfréquences à haute linéarité
auteur
M. Werquin, Christophe Gaquière, Y. Guhel, N. Vellas, A. Minko, V. Hoel, D. Ducatteau, E. Delos, M.A. Poisson, F. Semond, J.C. de Jaeger
article
GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France
identifiant
hal-00149739
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titre
Isolation de transistors dans la filière nitrure de gallium par implantation d'argon
auteur
Y. Guhel, J.C. Pesant, J.C. de Jaeger, B. Boudart, P. Dhamelincourt, M.A. Poisson
article
9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, Saint Aigulf, France
identifiant
hal-00149716
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titre
Improvement of performance at 60 GHz of metamorphic HEMT on GaAs using double recess technology
auteur
M. Ardouin, B. Bonte, M. Zaknoune, Y. Cordier, S. Bollaert, D. Theron, J.C. de Jaeger
article
25th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2002, 2002, Chernogolovka, Russia
identifiant
hal-00149713
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titre
Complete microwave characterization at 36 GHz of YbaCuO thin films deposited on MgO substrates. Influence of the substrate preparation
auteur
M. Achani, N. Bourzgui, J.C. Carru, A.F. Degardin, Aurélie Gensbittel, A.J. Kreisler
article
5th European Workshop on Low Temperature Electronics, WOLTE 5, 2002, France. pp.187-190
identifiant
hal-00250388
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titre
Reliability of GaN based devices
auteur
G. Meneghesso, Christophe Gaquière, E. Zanoni
article
Proceedings of the 2002 European Microwave Week, 2002, Milano, Italy
identifiant
hal-00149728
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titre
Large signal behaviour of gallium nitride based HEMT's devices
auteur
Christophe Gaquière, R. Aubry, Y. Guhel, A. Minko, N. Vellas, M. Werquin, B. Boudart, S. Cassette, Y. Cordier, S.L. Delage, E. Delos, J.C. de Jaeger, D. Ducatteau, H. Gerard, Et Al.
article
25th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2002, 2002, Chermogolovska, Russia
identifiant
hal-00149730
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titre
High power performances of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate at F=4 GHz
auteur
N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, M. Werquin, D. Ducatteau, B. Boudart, J.C. de Jaeger, Z. Bougrioua, Marie Germain, M. Leys, I. Moervan, S. Borghs
article
2002, 4 pp
identifiant
hal-00149700
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titre
Monte Carlo study of the breakdown of an AlInAs/GaInAs HEMT on InP with an InP etch stop layer
auteur
F. Medjdoub, D. Theron, F. Dessenne, R. Fauquembergue, J.C. de Jaeger
article
2002, pp.57-62
identifiant
hal-00149710
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titre
Mise en évidence des effets de pièges sur le comportement électrique de composants HEMTs dans la filière nitrure de gallium
auteur
M. Werquin, Christophe Gaquière, Y. Guhel, A. Minko, V. Hoel, D. Ducatteau, E. Delos, M.A. Poisson, F. Semond, J.C. de Jaeger
article
3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Elements III, 2002, La Plagne, France
identifiant
hal-00149733
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titre
AlInAs/GaInAs HEMTs for power amplification at 60 GHz
auteur
M. Zaknoune, X. Wallart, F. Medjdoub, M. Ardouin, B. Bonte, D. Theron, J.C. de Jaeger
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2002, 2002, Austin, TX, United States
identifiant
hal-00149711
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titre
Les transistors à effet de champ pour l'amplification de puissance microonde : état de l'art et perspectives
auteur
J.C. de Jaeger
article
5èmes Journées Microondes et Electromagnétisme, JMET 2002, 2002, Toulouse, France
identifiant
hal-00149737
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titre
Performance à 60 GHz de HEMTs métamorphiques sur GaAs utilisant une technologie à double recess
auteur
M. Zaknoune, M. Ardouin, B. Bonte, Y. Cordier, S. Bollaert, D. Theron, J.C. de Jaeger
article
9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, Saint Aigulf, France
identifiant
hal-00149738
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titre
Détermination de caractéristiques I(V) en régime dynamique grand signal de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur substrat saphir
auteur
N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, B. Boudart, D. Ducatteau, E. Delos, M.A. Poisson, J.C. de Jaeger
article
3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, 2002, La Plagne, France
identifiant
hal-00149715
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titre
Impédance de surface, profondeur de pénétration à 36 GHz de films minces supraconducteurs d'YbaCuO. Corrélation avec la microstructure
auteur
M. Achani, N. Bourzgui, J.C. Carru, A.F. Degardin, Aurélie Gensbittel, A.J. Kreisler
article
7èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM 2002, 2002, Toulouse, France
identifiant
hal-00250389
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2001

Journal articles

titre
Current instabilities in GaN-based devices
auteur
I. Daumiller, D. Théron, Christophe Gaquière, A. Vescan, R. Dietriech, A. Wieszt, H. Leier, R. Vetury, U.K. Mishra, I.P. Schmorkova, S. Keller, N.X. Nguyen, Cong Tu Nguyen, E. Kohn
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2001, 22, pp.62-64
identifiant
hal-00152597
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titre
Static measurements of GaN MESFETs on (111) Si substrates
auteur
V. Hoel, Y. Guhel, B. Boudart, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, H. Lahreche, P. Gibart
article
Electronics Letters, IET, 2001, 37, pp.1095-1096
identifiant
hal-00152620
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titre
Electrical effects of SiNX deposition on GaN MESFETs
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, Y. Guhel, J.C. de Jaeger, M.A. Poisson
article
Electronics Letters, IET, 2001, 37, pp.527-528
identifiant
hal-00152596
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BibTex
titre
‘Electrical effects of SiNx deposition on GaN MESFETs’
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, Y. Guhel, J. C. De Jaeger
article
Electronics Letters, IET, 2001
identifiant
hal-02936046
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BibTex
titre
‘Static measurements of GaN MESFETs on (111) Si substrates’
auteur
V. Hoel, Y. Guhel, B. Boudart, Christophe Gaquière, J.C. De Jaeger, H. Lahreche, P. Gibart
article
Electronics Letters, IET, 2001
identifiant
hal-02936047
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BibTex
titre
Enhancement-mode Al0.66InO.34As/Ga0.67In0.33As metamorphic HEMT : modeling and measurement
auteur
M. Boudrissa, E. Delos, Christophe Gaquière, M Rousseau, Y. Cordier, D. Theron, J.C. de Jaeger
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2001, 48, pp.1037-1044
identifiant
hal-00152595
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BibTex
titre
2D-hydrodynamic energy model including breakdown phenomenon for power field effect transistor
auteur
M Rousseau, J.C. de Jaeger
article
VLSI Systems Design, 2001, 13, pp.323-328
identifiant
hal-00152593
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Conference papers

titre
Détermination de caractéristiques I(V) en régime dynamique grand signal de transistors HEMTs AlGaN/GaN
auteur
N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, B. Boudart, E. Delos, J.C. de Jaeger
article
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France
identifiant
hal-00152654
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BibTex
titre
Transistors à effet de champ basés sur les filières GaAs et InP pour l'amplification de puissance
auteur
J.C. de Jaeger
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152906
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BibTex
titre
NPR comparative study of MMICs and related pHEMT at 26 GHz
auteur
P. Delemotte, F. Bue, Christophe Gaquière, Y. Crosnier, S. Tranchant, B. Carnez
article
2001, pp.527-530
identifiant
hal-00152623
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BibTex
titre
A 60 GHz high power composite channel GaInAs/InP HEMT on InP substrate with Lg=0.15 µm
auteur
M. Boudrissa, E. Delos, X. Wallart, D. Theron, J.C. de Jaeger
article
2001, pp.196-199
identifiant
hal-00152622
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BibTex
titre
Performances en puissance à 60 GHz du HEMT à canal composite GaInAs/InP sur substrat InP avec LG = 0.15 µm
auteur
M. Boudrissa, E. Delos, X. Wallart, D. Theron, J.C. de Jaeger
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152915
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BibTex
titre
60 GHz 420 mW/mm low gate current GaInAs/InP composite channel HEMT on InP substrate
auteur
M. Boudrissa, E. Delos, X. Wallart, D. Theron, J.C. de Jaeger
article
XXV Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2001, 2001, Cagliari, Sardinia, Italy
identifiant
hal-00152631
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BibTex
titre
Passivation de MESFET's sur GaN
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, Y. Guhel, F. Omnes, J.C. de Jaeger
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152909
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BibTex
titre
High performance AlGaN/GaN HEMTs on a resistive silicon substrate
auteur
V. Hoel, Y. Guhel, N. Vellas, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies
article
11th European Heterostrucrure Technology Workshop, HETECH 01, 2001, Padova, Italy
identifiant
hal-00152670
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BibTex
titre
Characterisation of GaN FETs under pulsed conditions : DC and RF measurements from room temperature up to 250°C
auteur
D. Theron, Christophe Gaquière, N. Vellas, B. Boudart, Y. Guhel, J.C. de Jaeger
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2001, 2001, New Orleans, LA, United States
identifiant
hal-00152673
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BibTex
titre
ECR-silicon nitride passivation of III-V transistors
auteur
S. Shapoval, V. Gurtovoi, A. Kovalchuk, Christophe Gaquière
article
XXV Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2001, 2001, Cagliari, Sardinia, Italy
identifiant
hal-00152674
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BibTex
titre
Etude de l'effet de la topologie sur l'ionisation par impact à l'aide de mesures d'électroluminescence
auteur
Christophe Gaquière, B. Boudart, P.A. Dhamelincourt
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152675
Accès au bibtex
BibTex
titre
Etude de gravure sèche en vue de réaliser un recess de grille de HEMTs sur GaN
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, M.A. Poisson, J.C. de Jaeger
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152672
Accès au bibtex
BibTex
titre
Etude de HEMTs sur GaN
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, Y. Guhel, V. Hoel, N. Vellas, M. Werquin, J.C. de Jaeger
article
GDR Matériaux Grand Gap, 2001, Grenoble, France
identifiant
hal-00152669
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BibTex
titre
Comportement électrique à haute température de transistors HEMT's AlGaN/GaN
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, V. Hoel, M. Werquin, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, M.A. Poisson, I. Daumiller, E. Kohn
article
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France
identifiant
hal-00152651
Accès au bibtex
BibTex
titre
Etude des contacts ohmiques de HEMTs dans la filière GaN
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, T. Heim, N. Grandjean, F. Omnes, J.C. de Jaeger
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152671
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BibTex
titre
Système de mesure NPR pour caractérisation non linéaire de transistors et circuits en bande Ka
auteur
P. Delemotte, F. Bue, Christophe Gaquière, Y. Crosnier
article
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France
identifiant
hal-00152656
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BibTex
titre
Modélisation de HEMTs double puits pour l'intermodulation en bande Ka
auteur
F. Bue, Christophe Gaquière, P. Delemotte, X. Hue, B. Boudart, Y. Crosnier
article
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France
identifiant
hal-00152655
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BibTex
titre
Calibrated linear and nonlinear pulsed RF measurements on an amplifier
auteur
P. Vael, Y. Rolain, Christophe Gaquière, H. Gerard
article
2001, pp.2187-2190
identifiant
hal-00152624
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BibTex
titre
Influence du dopage dans les transistors HEMT à canal composite pour amplification de puissance en ondes millimétriques
auteur
D. Theron, M. Boudrissa, E. Delos, X. Wallart, J.C. de Jaeger
article
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France
identifiant
hal-00152653
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BibTex
titre
HEMT structures and technology on GaAs and InP for power amplification in millimeter wave range
auteur
D. Theron, Y. Cordier, X. Wallart, S. Bollaert, M. Zaknoune, B. Bonte, Christophe Gaquière, M Rousseau, F. Mollot, A. Cappy, R. Fauquembergue, J.C. de Jaeger
article
2001, pp.53-56
identifiant
hal-00152625
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BibTex
titre
Etude physique du phénomène de claquage dans les transistors à effet de champ à hétérojonctions
auteur
M Rousseau, M. Elkhou, J.C. de Jaeger
article
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France
identifiant
hal-00152652
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BibTex
titre
Effect of the load impedance on the power performance at 4 GHz
auteur
Christophe Gaquière, N. Vellas, F. Bue, Y. Guhel, B. Boudart, J.C. de Jaeger
article
11th European Heterostrucrure Technology Workshop, HETECH 01, 2001, Padova, Italy
identifiant
hal-00152678
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BibTex
titre
Premiers résultats de MESFET's GaN réalisés sur substrat slicium (111)
auteur
V. Hoel, Y. Guhel, B. Boudart, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, H. Lahreche, P. Gibart
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152908
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Other publications

titre
Contribution à la caractérisation de transistors à effet de champ hyperfréquences pour l'amplification de puissance
auteur
Christophe Gaquière
article
2001
identifiant
hal-00152907
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BibTex

2000

Journal articles

titre
Effects on linearity in Ka band of single or double recess PHEMTs
auteur
Christophe Gaquière, F. Bue, P. Delemotte, Y. Crosnier, B. Carnez, D. Pons
article
IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2000, 10, pp.267-269
identifiant
hal-00158980
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BibTex
titre
High power GaN MESFET's on sapphire substrate
auteur
Christophe Gaquière, S. Trassaert, B. Boudart, D. Theron, Y. Crosnier
article
IEEE Microwave and Guided Wave Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 2000, 10, pp.19-20
identifiant
hal-00158979
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BibTex
titre
Enhancement mode metamorphic In0.33Al0.67As/In0.34Ga0.66As HEMT on GaAs substrate with high breakdown voltage
auteur
M. Boudrissa, E. Delos, Y. Cordier, D. Theron, J.C. de Jaeger
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2000, 21, pp.512-514
identifiant
hal-00158983
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BibTex
titre
Spatial mapping of electroluminescence due to impact ionization effect in high electron mobility transistors
auteur
Christophe Gaquière, B. Boudart, P.A. Dhamlincourt
article
Applied Spectroscopy, Society for Applied Spectroscopy, 2000, 54, pp.1423-1428
identifiant
hal-00158981
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BibTex
titre
Raman characterization of GaN synthetised by N implantation in GaAs substrate
auteur
B. Boudart, J.C. Pesant, J.C. de Jaeger, P.A. Dhamelincourt
article
Journal of Raman Spectroscopy, Wiley, 2000, 31, pp.615-618
identifiant
hal-00158978
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BibTex

Conference papers

titre
Gate ionization current of an enhancement-mode metamorphic Al0.67In0.33As/Ga0.66In0.34As HEMT on GaAs substrate
auteur
M. Boudrissa, E. Delos, Y. Cordier, D. Theron, J.C. de Jaeger
article
2000, pp.90-93
identifiant
hal-00159006
Accès au bibtex
BibTex
titre
Enhancement-mode metamorphic Al0.67In0.33As/Ga0.66In0.34 HEMT on GaAs substrate
auteur
M. Boudrissa, E. Delos, Y. Cordier, D. Theron, J.C. de Jaeger
article
2000, pp.IV-7, IV-8
identifiant
hal-00159007
Accès au bibtex
BibTex
titre
Influence of recess and epilayers in the 26-40 GHz band HEMT's intermodulation
auteur
F. Bue, Christophe Gaquière, X. Hue, B. Boudart, Y. Crosnier, J.C. de Jaeger, B. Carnez, D. Pons
article
2000, pp.102-104
identifiant
hal-00158996
Accès au bibtex
BibTex
titre
Ohmic contacts studies on AlGaN/GaN HEMTs
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, T. Heim, N. Grandjean, F. Omnes, J.C. de Jaeger
article
10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000, 2000, Ulm, Germany
identifiant
hal-00159035
Accès au bibtex
BibTex
titre
Silicon nitride passivation on GaN MESFET's
auteur
Christophe Gaquière, B. Boudart, R. Amokrane, Y. Guhel, Y. Crosnier, J.C. de Jaeger, F. Omnes
article
2000, pp.VIII-11, VIII-12
identifiant
hal-00159001
Accès au bibtex
BibTex
titre
Dry etching for gate recessing on AlGaN/GaN HEMTs
auteur
Y. Guhel, B. Boudart, M.A. Poisson, J.C. de Jaeger
article
10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000, 2000, Ulm, Germany
identifiant
hal-00159034
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titre
RF power MISFET's using thin LT GaAs as a passivator
auteur
D. Theron, B. Boudart, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2000, 2000, San Diego, CA, United States
identifiant
hal-00159031
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titre
Diagnosis of trapping phenomena in GaN MESFET's
auteur
G. Meneghesso, A. Chini, E. Zanoni, M. Manfredi, M. Pavesi, B. Boudart, Christophe Gaquière
article
2000, pp.389-392
identifiant
hal-00159002
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titre
HEMT structures on GaAs or InP substrates for millimeter wave power amplification
auteur
D. Theron, Y. Cordier, X. Wallart, S. Bollaert, M. Zaknoune, M. Boudrissa, B. Bonte, Christophe Gaquière, F. Mollot, A. Cappy, R. Fauquembergue, J.C. de Jaeger
article
24th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE'2000, 2000, Aegean Sea, Greece
identifiant
hal-00159030
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titre
First results of GaN MESFET's realized on (111) Si
auteur
V. Hoel, Y. Guhel, B. Boudart, Christophe Gaquière, J.C. de Jaeger, H. Lahreche, P. Gibart
article
10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000, 2000, Ulm, Germany
identifiant
hal-00159036
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titre
Investigation of FET's avalanche breakdown phenomenon by means of a 2 D hydrodynamic energy model
auteur
M Rousseau, M. El Khou, J.C. de Jaeger
article
12th III-V Semiconductor Device Simulation Workshop, 2000, Duisburg, Germany
identifiant
hal-00159028
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titre
Caractérisations RF, microondes et millimétriques de films supraconducteurs YbaCuO
auteur
M. Achani, N. Bourzgui, J.C. Carru, A. Dégardin, A. Kreisler
article
6èmes Journées de Caractérisation Microondes et Matériaux, JCMM 2000, 2000, Paris, France
identifiant
hal-00250451
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titre
2D hydrodynamic energy model including breakdown phenomen for power field effect transistors
auteur
M Rousseau, J.C. de Jaeger
article
2000, pp.110-111
identifiant
hal-00158998
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titre
GaN MESFETs for power and high temperature applications
auteur
B. Boudart, S. Trassaert, Christophe Gaquière, D. Theron, Y. Crosnier, François Huet, M.A. Poisson, I. Daumiller, E. Kohn
article
NearEst Miniworkshop on Advances in the Wide Bandgap Electronics and Opto-Electronics, 2000, Padova, Italy
identifiant
hal-00159032
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titre
Intermodulation load pull measurement in the 26-40 GHz bandwidth
auteur
Christophe Gaquière, F. Bue, P. Delemotte, Y. Crosnier
article
European Microwave Week, EuMW 2000, 2000, Paris, France
identifiant
hal-00159051
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titre
Deep traps related effects in GaN MESFET's grown on saphire substrate
auteur
A. Chini, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Manfredi, M. Pavesi, B. Boudart, Christophe Gaquière
article
10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000, 2000, Ulm, Germany
identifiant
hal-00159037
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1999

Journal articles

titre
Raman characterization of SiNx deposition on undoped Ga0.47In0.53As material grown on InP substrate
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, M. Constant, A. Lorriaux, N. Lefebvre
article
Journal of Raman Spectroscopy, Wiley, 1999, 30 (8), pp.715 - 719. ⟨10.1002/(SICI)1097-4555(199908)30:8<715::AID-JRS439>3.0.CO;2-T⟩
identifiant
hal-01647799
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titre
Raman characterization of SiNx deposition on undoped Al0.48In0.52As and n+ Ga0.47In0.53As layers for InP high electron mobility transistor applications
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, S. Trassaert, M. Constant, A. Lorriaux, N. Lefebvre
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 1999, 74 (21), pp.3221 - 3223. ⟨10.1063/1.124111⟩
identifiant
hal-01646787
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titre
Trap effects studies in GaN MESFETs by pulsed measurements
auteur
S. Trassaert, B. Boudart, Christophe Gaquière, D. Théron, Y. Crosnier, F. Huet, M.A. Poisson
article
Electronics Letters, IET, 1999, 35 (16), ⟨10.1049/el:19990887⟩
identifiant
hal-01647642
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Conference papers

titre
Pulsed measurements of GaN MESFET
auteur
B. Boudart, S. Trassaert, Christophe Gaquière, Didier Theron, Y. Crosnier, Fabrice Huet, M.A. Poisson
article
GAAS 99, 1999, Munich, Germany
identifiant
hal-01649413
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titre
Large signal and pulse instabilities in GaN HFETs
auteur
Erhard Kohn, E Strobel, I. Daumiller, Christophe Gaquière, B. Boudart, Didier Theron, N.X. Nguyen, C.N. Nguyen
article
1st Gallium Nitride Electronic Device Workshop, 1999, Cornell, United States
identifiant
hal-01654323
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1997

Journal articles

titre
Gate current analysis of LT-GaAs passivated MESFETs
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, D. Théron, Didier Theron
article
Electronics Letters, IET, 1997, 33 (17), ⟨10.1049/el:19971002⟩
identifiant
hal-01647646
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Conference papers

titre
Analysis of the frequency dispersion of the transconductance in recessed and unrecessed low temperature GaAs FET’s
auteur
Didier Theron, B. Boudart, Christophe Gaquière, Georges Salmer, M. Lipka, B. Splingart, Erhard Kohn
article
Workshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications (EDMO), 1997, Londres, United Kingdom
identifiant
hal-01654293
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titre
Characterisation of LT GaAs FET’s as a function of the temperature
auteur
Didier Theron, B. Boudart, Christophe Gaquière, Georges Salmer, M. Lipka, B. Splingart, Erhard Kohn
article
IEEE Workshop Experimentally based FET device modelling & Related nonlinear circuit design, 1997, Kassel, Germany
identifiant
hal-01648141
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titre
Analysis of the frequency dispersion of the transconductance in recessed and unrecessed low temperature GaAs FETs
auteur
Didier Theron, B. Boudart, Christophe Gaquière, Georges Salmer, M. Lipka, B. Splingart, Erhard Kohn
article
IEEE Workshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 1997, londres, United Kingdom
identifiant
hal-01649377
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1996

Journal articles

titre
Small- and large-signal measurements of low-temperature GaAs FETs
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, S. Trassaert, Didier Theron, B. Splingart, M. Lipka, E. Kohn
article
Microwave and Optical Technology Letters, Wiley, 1996, 12 (2), pp.57 - 59. ⟨10.1002/(SICI)1098-2760(19960605)12:2<57::AID-MOP2>3.0.CO;2-M⟩
identifiant
hal-01647683
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Conference papers

titre
LT GaAs HFET: a novel concept to overcome the breakdown limitation
auteur
Didier Theron, Mohamed Zaknoune, B. Boudart, Jean-Claude de Jaeger, Georges Salmer, M. Lipka, M. Birk, H. Heinecke, B. Splingart, Erhard Kohn, Hugues Thomas, D. V. Morgan, J. Schneider
article
23rd Symposium on compound semiconductors, 1996, St Petersburg, Russia
identifiant
hal-01648139
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1995

Conference papers

titre
Mesures pulsées de TEC à grille isolée par du GaAs basse température
auteur
B. Boudart, Christophe Gaquière, S. Trassaert, Didier Theron, B. Splingart, M. Lipka, Erhard Kohn
article
9es Journées Nationales Microondes, 1995, Paris, France
identifiant
hal-01654242
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1994

Conference papers

titre
Réalisation et caractérisation de TEC GaAs à grille isolée par GaAs épitaxié à basse température
auteur
E Bourcier, Christophe Robert, Christophe Gaquière, B. Boudart, Didier Theron, Georges Salmer
article
5es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1994, Ecully, France
identifiant
hal-01654454
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1987

Journal articles

titre
Surface space charge effects in planar submicrometer GaAs and InP devices
auteur
C. Bru-Chevallier, Patrice de Carné, P. Dansas, Daniel Pascal, Michel Rousseau, Suzanne Laval
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1987, ED34 (8), pp.1611-1616
identifiant
hal-01977000
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