2020
Thèse
- titre
- Méthodes et analyses physico-expérimentales des mécanismes liés à la résistance dynamique dans les composants HEMT GaN de puissance
- auteur
- Dany Hachem
- article
- Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Paul Sabatier - Toulouse III, 2020. Français. ⟨NNT : 2020TOU30035⟩
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2018
Article dans une revue
- titre
- A new electro-optical transmission-line measurement-method revealing a possible contribution of source and drain contact resistances to GaN HEMT dynamic on-resistance
- auteur
- Dany Hachem, David Trémouilles, Frédéric Morancho, Gaëtan Toulon
- article
- Microelectronics Reliability, 2018, 88-90, pp.406-410. ⟨10.1016/j.microrel.2018.07.119⟩
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Communication dans un congrès
- titre
- Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée
- auteur
- Audrey Chapelle, Éric Frayssinet, Yvon Cordier, Yohann Spiegel, Leïla Benmosfeta, David Trémouilles, Karine Isoird, Frédéric Morancho, Josiane Tasselli, Patrick Austin, Dany Hachem, Chaymaa Haloui
- article
- Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. pp.3 - 5
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- titre
- Variation de la résistance de contact métal/semi-conducteur dans une structure HEMT GaN sous illumination UV
- auteur
- Dany Hachem, David Trémouilles, Frédéric Morancho, Gaëtan Toulon
- article
- Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Université de Lorraine [UL], Jul 2018, Nancy, France. 4p
- Accès au texte intégral et bibtex
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