Publications HAL du labo/EPI LAAS

2020

Thèse

titre
Méthodes et analyses physico-expérimentales des mécanismes liés à la résistance dynamique dans les composants HEMT GaN de puissance
auteur
Dany Hachem
article
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Toulouse 3 Paul Sabatier (UT3 Paul Sabatier), 2020. Français
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https://hal.laas.fr/tel-02907971/file/HACHEM%20Dany%20%281%29.pdf BibTex

2018

Article dans une revue

titre
A new electro-optical transmission-line measurement-method revealing a possible contribution of source and drain contact resistances to GaN HEMT dynamic on-resistance
auteur
Dany Hachem, David Trémouilles, Frédéric Morancho, Gaëtan Toulon
article
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2018, 88-90, pp.406-410. ⟨10.1016/j.microrel.2018.07.119⟩
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.laas.fr/hal-01893190/file/Paper_ESREF%202018.pdf BibTex

Communication dans un congrès

titre
Première démonstration expérimentale d’un interrupteur HEMT normally-off en GaN avec une région P-GaN enterrée
auteur
Audrey Chapelle, Éric Frayssinet, Yvon Cordier, Yohann Spiegel, Leïla Benmosfeta, David Trémouilles, Karine Isoird, Frédéric Morancho, Josiane Tasselli, Patrick Austin, Dany Hachem, Chaymaa Haloui
article
Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Jul 2018, Nancy, France. pp.3 - 5
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.laas.fr/hal-01848210/file/SGE_2018_Chapelle_et_al.pdf BibTex
titre
Variation de la résistance de contact métal/semi-conducteur dans une structure HEMT GaN sous illumination UV
auteur
Dany Hachem, David Trémouilles, Frédéric Morancho, Gaëtan Toulon
article
Symposium de Génie Electrique (SGE 2018), Jul 2018, Nancy, France. 4p
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01838956/file/Article_SGE_2018_final.pdf BibTex