Publications HAL de la structure 1296;1066983

2021

Journal articles

titre
75 nm gate length PHEMT with f max = 800 GHz using asymmetric gate recess: RF and noise investigation
auteur
M. Samnouni, N. Wichmann, X. Wallart, C. Coinon, S. Lepilliet, S. Bollaert
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2021, 68 (9), pp.4289-4295. ⟨10.1109/TED.2021.3098255⟩
identifiant
hal-03419728
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titre
Molecular beam epitaxial growth of hexagonal boron nitride on Ni foils
auteur
Jawad Hadid, Ivy Colambo, Christophe Boyaval, Nicolas Nuns, Pavel Dudin, Jose Avila, Xavier Wallart, Dominique Vignaud
article
2D Materials, IOP Publishing, 2021, ⟨10.1088/2053-1583/ac1502⟩
identifiant
hal-03292918
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titre
Conductance switching of azobenzene-based self-assembled monolayers on cobalt probed by UHV conductive-AFM
auteur
Louis Thomas, Imane Arbouch, David Guérin, Xavier Wallart, Colin van Dyck, Thierry Melin, Jérôme Cornil, Dominique Vuillaume, Stéphane Lenfant
article
Nanoscale, Royal Society of Chemistry, 2021, 13 (14), pp.6977-6990. ⟨10.1039/D1NR00106J⟩
identifiant
hal-03186880
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03186880/file/AzBT-Co%20revised%20-arXiv.pdf BibTex
titre
Engineering a robust flat band in III-V semiconductor heterostructures
auteur
Nathali Franchina Vergel, L. Christiaan Post, Guillaume Fleury, Gilles Patriarche, Tao Xu, Ludovic Desplanque, Daniel Vanmaekelbergh, Christophe Delerue, Bruno Grandidier, Davide Sciacca, Maxime Berthe, Francois Vaurette, Yannick Lambert, Dmitri Yarekha, David Troadec, Christophe Coinon, Xavier Wallart
article
Nano Letters, American Chemical Society, 2021, 21, pp.680. ⟨10.1021/acs.nanolett.0c04268⟩
identifiant
hal-03089743
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Conference papers

titre
Pushing the limit of lithography for patterning two-dimensional lattices in III-V semiconductor quantum wells
auteur
N.A. Franchina Vergel, C. Post, Francois Vaurette, Y. Lambert, D. Yarekha, C. Coinon, G. Fleury, T.S. Kulmala, T. Xu, Ludovic Desplanque, X. Wallart, D. Vanmaekelbergh, Christophe Delerue, B. Grandidier
article
5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference, EDTM 2021, Apr 2021, Chengdu, China. pp.1-3, ⟨10.1109/EDTM50988.2021.9420884⟩
identifiant
hal-03261329
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2020

Journal articles

titre
Carbon‐based terahertz absorbers: Materials, applications, and perspectives
auteur
Srisaran Venkatachalam, Klaudia Zeranska‐chudek, Mariusz Zdrojek, D. Hourlier
article
Nano Select, Wiley, 2020, 1 (5), pp.471-490. ⟨10.1002/nano.202000067⟩
identifiant
hal-03043324
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03043324/file/nano.pdf BibTex
titre
Leak-free integrated microfluidic channel fabrication for surface plasmon resonance applications
auteur
M-T Bakouche, S Ganesan, D. Guérin, D. Hourlier-Bahloul, M Bouazaoui, J.P. Vilcot, S. Maricot
article
Journal of Micromechanics and Microengineering, IOP Publishing, 2020, 30 (12), pp.125003. ⟨10.1088/1361-6439/abb991⟩
identifiant
hal-03373493
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03373493/file/Bakouche_2020_J._Micromech._Microeng._30_125003%281%29.pdf BibTex
titre
Gate length dependent transport properties of in-plane core-shell nanowires with raised contacts
auteur
Alexandre Bucamp, Christophe Coinon, David Troadec, Sylvie Lépilliet, Gilles Patriarche, Xavier Wallart, Ludovic Desplanque
article
Nano Research, Springer, 2020, 13, pp.61-66. ⟨10.1007/s12274-019-2572-8⟩
identifiant
hal-02974920
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titre
Low-frequency noise parameter extraction method for single-layer graphene FETs
auteur
Nikolaos Mavredakis, Wei Wei, Emiliano Pallecchi, Dominique Vignaud, Henri Happy, Ramon Garcia Cortadella, Nathan Schaefer, Andrea Bonaccini Calia, Jose Antonio Garrido, David Jimenez
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2020, 67 (5), pp.2093-2099. ⟨10.1109/TED.2020.2978215⟩
identifiant
hal-03142225
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Conference papers

titre
Bandes plates et cônes de Dirac dans des réseaux électroniques artificiels en nids d’abeilles
auteur
Christophe Delerue, Nathali Franchina Vergel, L. Christiaan Post, Athmane Tadjine, Yannick Lambert, Francois Vaurette, Ludovic Desplanque, X. Wallart, Didier Stiévenard, M.P. Boneschanscher, J.L. Peters, Maryam Alimoradi Jazi, Thomas Gardenier, Jette van den Broeke, J.R. Moes, Ingmar Swart, Cristiane Morais Smith, B. Grandidier, Daniel Vanmaekelbergh
article
34èmes Journées Surfaces & Interfaces, JSI 2020, Jan 2020, Paris, France
identifiant
hal-03317736
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Preprints, Working Papers, ...

titre
Physical and electrical characterization of bubble free transferred single crystal graphene
auteur
Reetu Raj Pandey, Soukaina Salk, Reetu Pandey, Phi Pham, Di Zhou, Dominique Vignaud, Emiliano Pallecchi, Peter Burke, Henri Happy
article
2020
identifiant
hal-03079483
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2019

Journal articles

titre
Velocity saturation effect on low frequency noise in short channel single layer graphene field effect transistors
auteur
Nikolaos Mavredakis, Wei Wei, Emiliano Pallecchi, Dominique Vignaud, Henri Happy, Ramon Garcia Cortadella, Andrea Bonaccini Calia, Jose Garrido, David Jiménez
article
ACS Applied Electronic Materials, American Chemical Society, 2019, 1 (12), pp.2626-2636. ⟨10.1021/acsaelm.9b00604⟩
identifiant
hal-03133324
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https://arxiv.org/pdf/1905.11158 BibTex
titre
Heat treatment of commercial polydimethylsiloxane PDMS precursors: Part II. Thermal properties of carbon-based ceramic nanocomposites
auteur
Srisaran Venkatachalam, Stéphane Lenfant, Michael Depriester, Abdelhak Hadj Sahraoui, D. Hourlier
article
Ceramics International, Elsevier, 2019, 45 (17), pp.21505-21511. ⟨10.1016/j.ceramint.2019.07.143⟩
identifiant
hal-02369348
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titre
Influence of doping level and surface states in tunneling spectroscopy of an In0.53Ga0.47As quantum well grown on p-type doped InP(001)
auteur
N. Franchina Vergel, A. Tadjine, V. Notot, M. Mohr, A. Kouassi N’guissan, C. Coinon, Maxime Berthe, Louis Biadala, K. Sossoe, M. Dzagli, J.-C. Girard, Guillemin Rodary, Ludovic Desplanque, R. Berndt, D. Stievenard, X. Wallart, C. Delerue, B. Grandidier
article
Physical Review Materials, American Physical Society, 2019, 3 (9), ⟨10.1103/PhysRevMaterials.3.094604⟩
identifiant
hal-02309916
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02309916/file/PhysRevMater3p094604_2019_InGaAsQW.pdf BibTex
titre
Thermal decomposition of calcium oxalate: beyond appearances
auteur
D. Hourlier
article
Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, Springer Verlag, 2019, 136 (6), pp.2221-2229. ⟨10.1007/s10973-018-7888-1⟩
identifiant
hal-02396323
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titre
Physical mechanisms involved in the formation and operation of memory devices based on a monolayer of gold nanoparticles-polythiophene hybrid materials
auteur
Tiantian Zhang, D. Guerin, F. Alibart, D. Troadec, D. Hourlier, G. Patriarche, A. Yassin, M. Ocafrain, P. Blanchard, J. Roncali, Dominique Vuillaume, K. Lmimouni, Stéphane Lenfant
article
Nanoscale Advances, RSC, 2019, 1 (7), pp.2718-2726. ⟨10.1039/C9NA00285E⟩
identifiant
hal-02182920
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https://arxiv.org/pdf/1905.12719 BibTex
titre
InAlAs/InGaAs-MSM photodetectors based on optical cavity using metallic mirrors: THz frequency operation, high quantum efficiency and high saturation current
auteur
Maximilien Billet, Sara Bretin, Fuanki Bavedila, Vanessa Avramovic, Xavier Wallart, Christophe Coinon, Jean-François Lampin, Guillaume Ducournau, Emilien Peytavit
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2019, 114 (16), pp.161104. ⟨10.1063/1.5092283⟩
identifiant
hal-03324947
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03324947/file/Version_HAL.pdf BibTex
titre
Triangular nanoperforation and band engineering of InGaAs quantum wells: a lithographic route toward Dirac cones in III–V semiconductors
auteur
L Post, T Xu, N Franchina Vergel, T Tadjine, L Lambert, Francois Vaurette, Dmitri Yarekha, Ludovic Desplanque, D. Stievenard, X. Wallart, B. Grandidier, C. Delerue, D. Vanmaekelbergh
article
Nanotechnology, Institute of Physics, 2019, 30 (15), pp.155301. ⟨10.1088/1361-6528/aafd3f⟩
identifiant
hal-02133316
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titre
Heat treatment of commercial Polydimethylsiloxane PDMS precursors: Part I. Towards conversion of patternable soft gels into hard ceramics
auteur
Srisaran Venkatachalam, D. Hourlier
article
Ceramics International, Elsevier, 2019, 45 (5), pp.6255-6262. ⟨10.1016/j.ceramint.2018.12.106⟩
identifiant
hal-02396318
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02396318/file/S0272884218334886.pdf BibTex
titre
Selective area molecular beam epitaxy of InSb nanostructures on mismatched substrates
auteur
Ludovic Desplanque, A. Bucamp, D. Troadec, G. Patriarche, X. Wallart
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2019, 512, pp.6-10. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2019.02.012⟩
identifiant
hal-02392434
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02392434/file/S002202481930082X.pdf BibTex
titre
Buffer free InGaAs quantum well and in-plane nanostructures on InP grown by atomic hydrogen assisted MBE
auteur
A. Bucamp, C. Coinon, J.-L. Codron, D. Troadec, X. Wallart, Ludovic Desplanque
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2019, 512, pp.11-15. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2019.01.033⟩
identifiant
hal-02391386
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02391386/file/S0022024819300582.pdf BibTex
titre
Trap-free heterostructure of PbS nanoplatelets on InP(001) by chemical epitaxy
auteur
Louis Biadala, Wenbing Peng, Yannick Lambert, Jin Kim, Damien Canneson, Anthony Houppe, Maxime Berthe, David Troadec, Dominique Deresmes, Gilles Patriarche, Tao Xu, Xiaodong Pi, Xavier Wallart, Christophe Delerue, Manfred Bayer, Jimmy Xu, Bruno Grandidier
article
ACS Nano, American Chemical Society, 2019, 13 (2), pp.1961-1967. ⟨10.1021/acsnano.8b08413⟩
identifiant
hal-02054700
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02054700/file/GrandidierHAL.pdf BibTex
titre
Bottom-up fabrication of InAs-on-nothing MOSFET using selective area molecular beam epitaxy
auteur
Matej Pastorek, Aurélien Olivier, Yoann Lechaux, Nicolas Wichmann, Theano Karatsori, Maria Fahed, Alexandre Bucamp, Ahmed Addad, David Troadec, Gérard Ghibaudo, Ludovic Desplanque, Xavier Wallart, Sylvain Bollaert
article
Nanotechnology, Institute of Physics, 2019, 30 (3), pp.035301. ⟨10.1088/1361-6528/aaebbd⟩
identifiant
hal-01955057
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titre
Synthesis of T-Nb2O5 thin-films deposited by atomic layer deposition for miniaturized electrochemical energy storage devices
auteur
Saliha Ouendi, Cassandra Arico, Florent Blanchard, Jean-Louis Codron, Xavier Wallart, Pierre-Louis Taberna, Pascal Roussel, Laurent Clavier, Patrice Simon, Christophe Lethien
article
Energy Storage Materials, Elsevier, 2019, 16, pp.581-588. ⟨10.1016/j.ensm.2018.08.022⟩
identifiant
hal-02135683
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02135683/file/Ouendi_21779.pdf BibTex
titre
Thermal Stability of Oleate‐Stabilized Gd2O2S Nanoplates in Inert and Oxidizing Atmospheres
auteur
Clément Larquet, D. Hourlier, Anh-Minh Nguyen, Almudena Torres-Pardo, Andrea Gauzzi, Clément Sanchez, Sophie Carenco
article
ChemNanoMat, Wiley, 2019, 5 (4), pp.539-546. ⟨10.1002/cnma.201800578⟩
identifiant
hal-02017819
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https://hal.sorbonne-universite.fr/hal-02017819/file/Larquet%20et%20al.%20-%20Thermal%20Stability%20of%20Oleate-Stabilized%20Gd2O2S%20Nano.pdf BibTex

Conference papers

titre
Novel Quantum Dot Based Memories with Many Days of Storage Time : Last Steps towards the Holy Grail?
auteur
D. Bimberg, T. Mikolajick, X. Wallart
article
2019 19th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS), Oct 2019, Durham, United States. pp.1-4, ⟨10.1109/NVMTS47818.2019.8986178⟩
identifiant
hal-03066218
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03066218/file/2019_NVMTS_Proc%20Novel%20Quantum%20Dot%20Based%20Memories%20with%20Many%20Days%20of%20Storage%20Time%20-%20Last%20Steps%20towards%20the%20Holy%20Grail.pdf BibTex
titre
Étude par C-AFM de substrats magnétiques fonctionnalisés par des SAMs photo-commutables
auteur
Louis Thomas, David Guérin, Dominique Deresmes, Jean-Louis Codron, Xavier Wallart, Thierry Melin, Dominique Vuillaume, Stéphane Lenfant
article
SPIC 2019: Troisième congrès national Sciences et Technologies des systèmes pi-conjugués, Oct 2019, Arras, France
identifiant
hal-02776445
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titre
Terahertz pulsed-field magneto-spectrometer at room-temperature
auteur
Jean-Francois Lampin, Antoine Pagies, S Barbieri, Ludovic Desplanque, Xavier Wallart, Jeffrey Hesler, Oleksiy Drachenko, Jean Léotin
article
2019 44th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Sep 2019, Paris, France. pp.1-1, ⟨10.1109/IRMMW-THz.2019.8874540⟩
identifiant
hal-03066230
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03066230/file/IRMMW%202019%20lampin.pdf BibTex
titre
Terahertz near-field imaging using batch-fabricated cantilevers with 70 μm long tips
auteur
B. Walter, E. Mairiaux, D. Vignaud, Sophie Eliet, Jean-Francois Lampin, Marc Faucher
article
2019 44th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Sep 2019, Paris, France. pp.1-2, ⟨10.1109/IRMMW-THz.2019.8874242⟩
identifiant
hal-02398422
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02398422/file/08874242.pdf BibTex
titre
f max =800 GHz with 75 nm gate length and asymmetric gate recess for InGaAs/InAlAs PHEMT
auteur
M. Samnouni, N. Wichmann, X. Wallart, C. Coinion, S. Lepilliet, S. Bollaert
article
2019 44th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Sep 2019, Paris, France. pp.1-2, ⟨10.1109/IRMMW-THz.2019.8873821⟩
identifiant
hal-03066235
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03066235/file/IRMMW_HEMT.pdf BibTex

2018

Journal articles

titre
On the origins of transport inefficiencies in mesoscopic networks
auteur
Sébastien Toussaint, Frederico Martins, Sebastien Faniel, Marco Pala, Ludovic Desplanque, Xavier Wallart, Hermann Sellier, Serge Huant, Vincent Bayot, Benoit Hackens
article
Scientific Reports, Nature Publishing Group, 2018, 8, pp.3017. ⟨10.1038/s41598-018-21250-y⟩
identifiant
hal-01920614
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BibTex
titre
Study of the oxidation at the Al2O3 / GaSb interface after NH4OH and HCl / (NH4)2S passivations and O2 plasma post atomic layer deposition process
auteur
Y. Lechaux, A. Fadjie-Djomkam, M. Pastorek, X. Wallart, S. Bollaert, N. Wichmann
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2018, 124 (17), pp.175302. ⟨10.1063/1.5049571⟩
identifiant
hal-02115683
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BibTex
titre
Chemical nature of the anion antisite in dilute phosphide GaAs1−xPx alloy grown at low temperature
auteur
T. Demonchaux, K. K. Sossoe, M. M. Dzagli, J. P. Nys, Maxime Berthe, D. Troadec, A. Addad, M. Veillerot, G. Patriarche, H. J. Von Bardeleben, M. Schnedler, C. Coinon, Isabelle Lefebvre, M. A. Mohou, D. Stievenard, Jean-Francois Lampin, Ph. Ebert, X. Wallart, B. Grandidier
article
Physical Review Materials, American Physical Society, 2018, 2 (10), pp.104601. ⟨10.1103/PhysRevMaterials.2.104601⟩
identifiant
hal-01912292
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https://hal.sorbonne-universite.fr/hal-01912292/file/PRM2p104601_2018_HAL.pdf BibTex
titre
Two-dimensional Rutherford-like scattering in ballistic nanodevices
auteur
S. Toussaint, B. Brun, S. Faniel, Ludovic Desplanque, X. Wallart, V. Bayot, B. Hackens
article
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), American Physical Society, 2018, 98 (7), ⟨10.1103/PhysRevB.98.075310⟩
identifiant
hal-01920618
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titre
In-plane InSb nanowires grown by selective area molecular beam epitaxy on semi-insulating substrate
auteur
L Desplanque, A Bucamp, D. Troadec, G. Patriarche, X. Wallart
article
Nanotechnology, Institute of Physics, 2018, 29 (30), ⟨10.1088/1361-6528/aac321⟩
identifiant
hal-01919495
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titre
Single-channel 100 Gbit/s transmission using III–V UTC-PDs for future IEEE 802.15.3d wireless links in the 300 GHz band
auteur
V.K. Chinni, P. Latzel, M. Zegaoui, C. Coinon, X. Wallart, E. Peytavit, J.F. Lampin, K. Engenhardt, P. Szriftgiser, M. Zaknoune, G. Ducournau
article
Electronics Letters, IET, 2018, 54 (10), pp.638-640. ⟨10.1049/el.2018.0905⟩
identifiant
hal-02337341
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titre
Static and low frequency noise characterization of ultra-thin body InAs MOSFETs
auteur
T.A. Karatsori, M. Pastorek, C.G. Theodorou, A. Fadjie, N. Wichmann, Ludovic Desplanque, X. Wallart, S. Bollaert, A. Dimitriadis, G. Ghibaudo
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2018, 143, pp.56-61. ⟨10.1016/j.sse.2017.12.001⟩
identifiant
hal-01948029
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BibTex
titre
Transport mechanisms in a puckered graphene-on-lattice
auteur
T. Xu, A. Díaz Álvarez, W. Wei, D. Eschimese, S. Eliet, O. Lancry, E. Galopin, Francois Vaurette, Maxime Berthe, D. Desremes, B. Wei, J. Xu, Jean-Francois Lampin, Emiliano Pallecchi, H. Happy, D. Vignaud, B. Grandidier
article
Nanoscale, Royal Society of Chemistry, 2018, 10 (16), pp.7519-7525. ⟨10.1039/C8NR00678D⟩
identifiant
hal-02304358
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Conference papers

titre
Single channel 100 Gbit/s link in the 300 GHz band
auteur
V.K. Chinni, P. Latzel, M. Zegaoui, C. Coinon, X. Wallart, Emilien Peytavit, Jean-Francois Lampin, K. Engenhardt, P. Szriftgiser, Mohammed Zaknoune, Guillaume Ducournau
article
43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Sep 2018, Nagoya, Japan. ⟨10.1109/IRMMW-THz.2018.8510070⟩
identifiant
hal-03286178
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03286178/file/Chinni2018.pdf BibTex
titre
Nano-structured top contact with low optical polarization dependence for THz generation using photodiodes
auteur
S. Bretin, M. Billet, Emilien Peytavit, F. Vaurette, C. Coinon, X. Wallart, Jean-Francois Lampin, M. Zegaoui, Guillaume Ducournau, Mohammed Zaknoune
article
43rd International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Sep 2018, Nagoya, Japan. ⟨10.1109/IRMMW-THz.2018.8510466⟩
identifiant
hal-03286176
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03286176/file/Bretin2018.pdf BibTex
titre
Indoor 100 Gbit/s THz data link in the 300 GHz band using fast photodiodes
auteur
V.K. Chinni, M. Zegaoui, C. Coinon, X. Wallart, Emilien Peytavit, Jean-Francois Lampin, P. Szriftgiser, Mohammed Zaknoune, Guillaume Ducournau
article
25th International Conference on Telecommunications (ICT), Jun 2018, Saint Malo, France. pp.288-290, ⟨10.1109/ICT.2018.8464945⟩
identifiant
hal-03286177
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Poster communications

titre
Multilayer modelling of thermoacoustic sound generation for carbon based nanomaterial thermophone
auteur
P. Guiraud, Stefano Giordano, Olivier Bou Matar, P. Pernod, D. Hourlier, R. Lardat, P. Coquet, P. Pouliguen
article
CNRS GDRe Thermal Nanosciences and NanoEngineering Meeting, Oct 2018, Lyon, France
identifiant
hal-02338924
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02338924/file/181-Poster%2014-10-18%20new.pdf BibTex

2017

Journal articles

titre
Optical Imaging and Characterization of Graphene and Other 2D Materials Using Quantitative Phase Microscopy
auteur
Samira Khadir, Pierre Bon, Dominique Vignaud, Elizabeth Galopin, Niall Mcevoy, David Mccloskey, Serge Monneret, Guillaume Baffou
article
ACS photonics, American Chemical Society,, 2017, 4 (12), pp.3130 - 3139. ⟨10.1021/acsphotonics.7b00845⟩
identifiant
hal-01671179
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titre
Morphology and valence band offset of GaSb quantum dots grown on GaP(001) and their evolution upon capping
auteur
Ludovic Desplanque, Christophe Coinon, David Troadec, Pierre Ruterana, Gilles Patriarche, Leo Bonato, Dieter Bimberg, Xavier Wallart
article
Nanotechnology, Institute of Physics, 2017, 28 (22), pp.225601. ⟨10.1088/1361-6528/aa6f41⟩
identifiant
hal-02340903
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titre
Study of the Contact and the Evaporation Kinetics of a Tin Water Liquid Bridge Between Two Hydrophobic Plates
auteur
Etienne Portuguez, Arnaud Alzina, Philippe Michaud, D. Hourlier-Bahloul, Agnès Smith
article
Advances in Materials Physics and Chemistry, 2017, 7 (4), pp.99
identifiant
hal-01880821
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titre
Net-shaped pyramidal carbon-based ceramic materials designed for terahertz absorbers
auteur
Srisaran Venkatachalam, Guillaume Ducournau, Jean-François Lampin, D. Hourlier
article
Materials and Design, Elsevier, 2017, 120, pp.1-9. ⟨10.1016/j.matdes.2017.02.002⟩
identifiant
hal-02369324
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titre
Polymer derived ceramics with β-eucryptite fillers: A novel processing route to negative and near zero expansion materials
auteur
Anna Fedorova, D. Hourlier, Michael Scheffler
article
Ceramics International, Elsevier, 2017, 43 (5), pp.4483-4488. ⟨10.1016/j.ceramint.2016.12.099⟩
identifiant
hal-02369317
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titre
Thermal conductivity of Kapton-derived carbon
auteur
S. Venkatachalam, M. Depriester, A. Hadj Sahraoui, B. Capoen, M.-R. Ammar, D. Hourlier
article
Carbon, Elsevier, 2017, 114, pp.134 - 140. ⟨10.1016/j.carbon.2016.11.072⟩
identifiant
hal-01635100
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titre
Pyrolytic conversion of organopolysiloxanes
auteur
D. Hourlier, Srisaran Venkatachalam, Mohamed-Ramzi Ammar, Yigal Blum
article
Journal of Analytical and Applied Pyrolysis, Elsevier, 2017, 123, pp.296 - 306. ⟨10.1016/j.jaap.2016.11.016⟩
identifiant
hal-01915114
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titre
Study of the Contact and the Evaporation Kinetics of a Thin Water Liquid Bridge between Two Hydrophobic Plates
auteur
Etienne Portuguez, Arnaud Alzina, Philippe Michaud, D. Hourlier, Agnès Smith
article
Advances in Materials Physics and Chemistry, 2017, 07 (04), pp.99 - 112. ⟨10.4236/ampc.2017.74009⟩
identifiant
hal-01876680
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titre
V-shaped InAs/Al0.5Ga0.5Sb vertical tunnel FET on GaAs (001) substrate with ION=433 µA.µm-1 at VDS= 0.5V
auteur
Vinay Kumar Chinni, Mohammed Zaknoune, Christophe Coinon, Laurence Morgenroth, David Troadec, X. Wallart, Ludovic Desplanque
article
IEEE Journal of the Electron Devices Society, IEEE Electron Devices Society, 2017, 5 (1), pp.53-58. ⟨10.1109/JEDS.2016.2630499⟩
identifiant
hal-03286175
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titre
High performance heterostructure low barrier diodes for sub-THz detection
auteur
Salman Nadar, Mohammed Zaknoune, X. Wallart, Christophe Coinon, Emilien Peytavit, Guillaume Ducournau, Florent Gamand, Maxime Thirault, Matthieu Werquin, Sylvain Jonniau, Nicolas Thouvenin, Christophe Gaquière, Nicolas Vellas, Jean-Francois Lampin
article
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2017, 7 (6), pp.780-788. ⟨10.1109/TTHZ.2017.2755503⟩
identifiant
hal-03286184
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titre
Generation of mW level in the 300-GHz band using resonant-cavity-enhanced unitraveling carrier photodiodes
auteur
Philipp Latzel, Fabio Pavanello, Maximilien Billet, Sara Bretin, Alexandre Beck, Mathias Vanwolleghem, Christophe Coinon, X. Wallart, Emilien Peytavit, Guillaume Ducournau, Mohammed Zaknoune, Jean-Francois Lampin
article
IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2017, 7 (6), pp.800-807. ⟨10.1109/TTHZ.2017.2756059⟩
identifiant
hal-03286186
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Conference papers

titre
Static and low frequency noise characterization of ultra-thin body InAs MOSFETs
auteur
T.A. Karatsori, M. Pastorek, C.G Theodorou, A. Fadjie, N. Wichmann, Ludovic Desplanque, X. Wallart, S. Bollaert, A. Dimitriadis, G. Ghibaudo
article
2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Apr 2017, Athens, Greece. pp.105-108, ⟨10.1109/ULIS.2017.7962613⟩
identifiant
hal-02050212
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2016

Journal articles

titre
Synthesis and characterization of low work function alkali oxide thin films for unconventional thermionic energy converters
auteur
V. Giorgis, F. Morini, T. Zhu, Jean-François Robillard, X. Wallart, J.L. Codron, Emmanuel Dubois
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2016, 120 (20), 205108, 6 p. ⟨10.1063/1.4968532⟩
identifiant
hal-03276235
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titre
Kapton-derived carbon as efficient terahertz absorbers
auteur
S. Venkatachalam, D. Bertin, G. Ducournau, J.F. Lampin, D. Hourlier
article
Carbon, Elsevier, 2016, 100, pp.158-164. ⟨10.1016/j.carbon.2016.01.003⟩
identifiant
hal-02369327
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titre
BRANCHED POLYESTERS FROM GERMYLATED AND FATTY COMPOUNDS
auteur
Nadia Katir, Daniela Andrade, Mohamed Dahrouch, Enzo DÍaz, Nicolas Gatica, D. Hourlier, Nazmy Reyes, Miguel Zarraga
article
Journal of the Chilean Chemical Society, Sociedad Chilena de Química, 2016, 61 (1), pp.2784-2787. ⟨10.4067/S0717-97072016000100008⟩
identifiant
hal-02396330
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Conference papers

titre
Graphene field effect transistors on flexible substrate : stable process and high RF performance
auteur
W. Wei, E. Pallecchi, M. Belhaj, A. Centeno, Z. Amaia, Dominique Vignaud, H. Happy
article
11th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2016, Oct 2016, London, United Kingdom. pp.165-168, ⟨10.1109/EuMIC.2016.7777516⟩
identifiant
hal-03335833
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titre
Sub-THz zero-bias detector with high performances based on heterostructure low barrier diode (HLBD)
auteur
S. Nadar, Mohammed Zaknoune, X. Wallart, C. Coinon, Emilien Peytavit, Guillaume Ducournau, F. Gamand, M. Thirault, M. Werquin, S. Jonniau, N. Thouvenin, Christophe Gaquière, N. Vellas, Jean-Francois Lampin
article
41st International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), Sep 2016, Copenhagen, Denmark. ⟨10.1109/IRMMW-THz.2016.7758432⟩
identifiant
hal-03286180
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titre
InAs/Al0.4Ga0.6Sb side gated vertical TFET on GaAs substrate
auteur
Vinay Chinni, Mohammed Zaknoune, X. Wallart, Ludovic Desplanque
article
28th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM) / 43rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS), Jun 2016, Toyama, Japan. ⟨10.1109/ICIPRM.2016.7528571⟩
identifiant
hal-03286183
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03286183/file/CSW2016_vinay_final.pdf BibTex

2015

Journal articles

titre
Charge Blinking Statistics of Semiconductor Nanocrystals Revealed by Carbon Nanotube Single Charge Sensors
auteur
Ewa Zbydniewska, Anna Duzynska, Michka Popoff, D. Hourlier, Stéphane Lenfant, Jaroslaw Judek, Mariusz Zdrojek, Thierry Melin
article
Nano Letters, American Chemical Society, 2015, 15 (10), pp.6349-6356. ⟨10.1021/acs.nanolett.5b01338⟩
identifiant
hal-02396331
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titre
Graphene FETs With Aluminum Bottom-Gate Electrodes and Its Natural Oxide as Dielectrics
auteur
Wei Wei, Xin Zhou, Geetanjali Deokar, Haechon Kim, Mohamed Moez Belhaj, Elisabeth Galopin, Emiliano Pallecchi, Dominique Vignaud, Henri Happy
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2015, 62 (9), pp.2769-2773. ⟨10.1109/TED.2015.2459657⟩
identifiant
hal-02304371
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titre
Towards high quality CVD graphene growth and transfer
auteur
G. Deokar, J. Avila, I. Razado-Colambo, Jean-Louis Codron, C. Boyaval, E. Galopin, M.-C. Asensio, D. Vignaud
article
Carbon, 2015, 89, pp.82-92. ⟨10.1016/j.carbon.2015.03.017⟩
identifiant
hal-02950347
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titre
Formation of quantum dots in the potential fluctuations of InGaAs heterostructures probed by scanning gate microscopy
auteur
Peng Liu, Frederico Martins, Benoit Hackens, Ludovic Desplanque, Xavier Wallart, Marco Pala, Serge Huant, Vincent Bayot, Hermann Sellier
article
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), American Physical Society, 2015, 91 (7), pp.075313. ⟨10.1103/PhysRevB.91.075313⟩
identifiant
hal-01121907
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https://arxiv.org/pdf/1502.07857 BibTex

Conference papers

titre
Optically-pumped continuous-wave terahertz sources
auteur
Philipp Latzel, Fabio Pavanello, Emilien Peytavit, Mohammed Zaknoune, Guillaume Ducournau, X. Wallart, Jean-Francois Lampin
article
Conference on Quantum Sensing and Nanophotonic Devices XII, SPIE, Feb 2015, San Francisco, CA, United States. pp.937008, ⟨10.1117/12.2080756⟩
identifiant
hal-03286185
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03286185/file/latzel2015.pdf BibTex

Poster communications

titre
Synthèse optique d'ondes hyperfréquences et millimétriques à très bas bruit de phase : résultats préliminaires
auteur
Gwennaël Danion, François Bondu, Goulc'Hen Loas, Ludovic Frein, Cyril Hamel, Anthony Carré, Steve Bouhier, Marc Vallet, Marc Brunel, Antoine Rolland, Mehdi Alouini, Alain Brillet, Jean-Pierre Coulon, Frédéric Cleva, Mourad Merzougui, Alexandre Beck, Guillaume Ducournau, Jean-Francois Lampin, Mohamed Zaknoune, Christophe Coinon, Xavier Wallart, Emilien Peytavit, Tahsin Akalin, Gregoire Pillet, Loic Morvan, Ghaya Baili, Jerome Bourderionnet
article
Optique Bretagne 2015, Jul 2015, RENNES, France. 2015
identifiant
hal-01491862
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https://hal-univ-rennes1.archives-ouvertes.fr/hal-01491862/file/Poster%20OSMOTUS%20Optique2015.pdf BibTex
titre
Synthèse optique d'ondes hyperfréquences et millimétriques à très bas bruit de phase : résultats préliminaires
auteur
Gwennaël Danion, François Bondu, Goulc'Hen Loas, Ludovic Frein, Cyril Hamel, Anthony Carré, Steve Bouhier, Marc Vallet, Marc Brunel, Antoine Rolland, Mehdi Alouini, Alain Brillet, Jean-Pierre Coulon, Frédéric Cleva, M. Merzougi, Alexandre Beck, Guillaume Ducournau, Jean-Francois Lampin, Mohamed Zaknoune, Christophe Coinon, Xavier Wallart, Emilien Peytavit, Tahsin Akalin, Grégoire Pillet, Loïc Morvan, Ghaya Baili, Jerome Bourderionnet
article
Optique 2015, Jul 2015, Rennes, France
identifiant
hal-01226774
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01226774/file/Poster%20OSMOTUS%20Optique2015.pdf BibTex

2014

Journal articles

titre
InP HBT Thermal Management by Transferring to High Thermal Conductivity Silicon Substrate
auteur
Ndèye Arame Thiam, Yannick Roelens, Christophe Coinon, Vanessa Avramovic, Brice Grandchamp, D. Ducateau, Xavier Wallart, Cristell Maneux, Mohamed Zaknoune
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2014, 35 (10), pp.1010-1012. ⟨10.1109/LED.2014.2347256⟩
identifiant
hal-01090844
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titre
100nm AlSb/InAs HEMT for ultra-low-power consumption, low-noise applications
auteur
Cyrille Gardès, Sonia Bagumako, Ludovic Desplanque, Nicolas Wichmann, Sylvain Bollaert, François Danneville, Xavier Wallart, Yannick Roelens
article
SCIENTIFIC WORLD JOURNAL, 2014, 2014, 136340, 6 p. ⟨10.1155/2014/136340⟩
identifiant
hal-00969148
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BibTex
titre
On the effect of δ-doping in self-switching diodes
auteur
Andreas Westlund, Ignacio Iñiguez-De-La-Torre, Per-Åke Nilsson, Tomas González, Javier Mateos, Paul SangarÉ, Guillaume Ducournau, Christophe Gaquière, Ludovic Desplanque, Xavier Wallart, Jan Grahn
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2014, 105 (9), 093505, 5 p. ⟨10.1063/1.4894806⟩
identifiant
hal-01061584
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titre
Comparison of shallow-mesa InAs/AlSb HEMTs with and without early-protection for long-term stability against Al(Ga)Sb oxidation
auteur
E. Lefebvre, G. Moschetti, M. Malmkvist, L. Desplanque, X. Wallart, J. Grahn
article
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2014, 29, 035010, 7p. ⟨10.1088/0268-1242/29/3/035010⟩
identifiant
hal-00941533
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titre
Gold-free ternary III-V antimonide nanowire arrays on silicon : twin-free down to the first bilayer
auteur
Sònia Conesa-Boj, Dominik Kriegner, Xiang-Lei Han, S.R. Plissard, Xavier Wallart, Julian Stangl, Anna Fontcuberta I Morral, Philippe Caroff
article
Nano Letters, American Chemical Society, 2014, 14, pp.326-332. ⟨10.1021/nl404085a⟩
identifiant
hal-00926662
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titre
Carbohydrate-lectin interaction on graphene-coated surface plasmon resonance (SPR) interfaces
auteur
Abra Penezic, Geetanjali Deokar, Dominique Vignaud, Emmanuelle Pichonat, Henri Happy, Palaniappan Subramanian, Blaženka Gasparovic, Rabah Boukherroub, Sabine Szunerits
article
Plasmonics, Springer Verlag, 2014, 9, pp.677-683. ⟨10.1007/s11468-014-9686-3⟩
identifiant
hal-00994787
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Conference papers

titre
Fabrication and characterization of CVD grown graphene based field-effect transistor
auteur
W. Wei, G. Deokar, M. Belhaj, D. Mele, E. Pallecchi, E. Pichonat, Dominique Vignaud, H. Happy
article
44th European Microwave Conference and 9th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMC/EuMIC 2014, Oct 2014, Rome, Italy. pp.367-370, ⟨10.1109/EuMC.2014.6986446⟩
identifiant
hal-03335830
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titre
High Frequency Characterization and Compact Electrical Modelling of Graphene Field Effect Transistors
auteur
Poornakarthik Nakkala, Audrey Martin, Michel Campovecchio, Henri Happy, Mohamed S. Khenissa, Mohamed Belhaj, David Mele, Ivy Colambo, Emiliano Pallecchi, Dominique Vignaud
article
44th European Microwave Conference, Oct 2014, Rome, Italy. pp.1452-1455, ⟨10.1109/EuMC.2014.6986720⟩
identifiant
hal-01136463
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BibTex
titre
Oscillateur Micro-Onde à THz Ultra-Stable
auteur
Gwennaël Danion, François Bondu, Goulc'Hen Loas, Ludovic Frein, Cyril Hamel, Anthony Carré, Steve Bouhier, Marc Vallet, Marc Brunel, Alain Rolland, Mehdi Alouini, F Cleva, A Brillet, J.-P Coulon, M Merzougi, Alexandre Beck, G Ducournau, J.-F Lampin, M Zaknoune, C Coinon, X Wallart, E. Peytavit, A Tahsin, G Pillet, L Morvan, G Baili, J Bourderionnet
article
Journée du club Optique Micro-ondes, SFO, Jun 2014, Lannion, France
identifiant
hal-01142066
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titre
Transistors à effet de champ à base du graphène sur SiC avec grille en T : homogénéité et performances
auteur
Mohamed Salah Khenissa, David Mele, Mohamed Belhaj, Ivy Colambo, Emiliano Pallecchi, Dominique Vignaud, Henri Happy
article
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p
identifiant
hal-01018370
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titre
Key parameters of CVD-grown graphene on copper foil and its transfer for radio-frequency applications
auteur
Wei Wei, Geetanjali Deokar, Mohamed Belhaj, David Mele, Emiliano Pallecchi, Emmanuelle Pichonat, Dominique Vignaud, Henri Happy
article
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p
identifiant
hal-01018384
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BibTex
titre
Back-gated microwave field-effect transistors based on transferred CVD-grown graphene
auteur
W. Wei, M. Belhaj, G. Deokar, D. Mele, E. Pallecchi, E. Pichonat, D. Vignaud, H. Happy
article
4th Graphene Conference, Graphene 2014, 2014, Toulouse, France. 2 p
identifiant
hal-00962381
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titre
Scanning tunneling microscopy and angle-resolved photoelectron spectroscopy studies of graphene on SiC (C-face) substrate grown by Si flux-assisted molecular beam epitaxy
auteur
I. Razado-Colambo, J.P. Nys, X. Wallart, S. Godey, J. Avila, M.C. Asensio, D. Vignaud
article
4th Graphene Conference, Graphene 2014, 2014, Toulouse, France. 2 p
identifiant
hal-00962361
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titre
Croissance localisée d'InAs par épitaxie par jets moléculaires
auteur
Maria Fahed, Ludovic Desplanque, Xavier Wallart
article
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p
identifiant
hal-01018426
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titre
InAs based Esaki tunnel diodes
auteur
Vinay Kumar Chinni, Ludovic Desplanque, Mohamed Zaknoune, Xavier Wallart
article
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p
identifiant
hal-01018430
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titre
Graphene field effect transistors on SiC with T-shaped gate : homogeneity and RF performance
auteur
M.S. Khenissa, D. Mele, M.M. Belhaj, I. Colambo, E. Pallecchi, D. Vignaud, H. Happy
article
4th Graphene Conference, Graphene 2014, 2014, Toulouse, France. 2 p
identifiant
hal-00962375
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titre
InAs/AlGaSb Esaki tunnel diodes grown by selective area epitaxy on GaSb (001) substrate
auteur
Ludovic Desplanque, Xianglei Han, Maria Fahed, Vinay K. Chinni, David Troadec, M.-P. Chauvat, Pierre Ruterana, Xavier Wallart
article
26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2014, Compound Semiconductor Week, CSW 2014, 2014, Montpellier, France. paper Mo-C1-6, 2 p., ⟨10.1109/ICIPRM.2014.6880530⟩
identifiant
hal-01059835
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titre
Influence of an interfacial AlxIn1-xSb layer on the strain relaxation and surface morphology of thin GaSb layers epitaxially grown on GaAs(001)
auteur
Mathieu Danoy, Pierre-François Angry, Julien Gavrel, Charlène Brillard, Ludovic Desplanque, Y. Wang, P. Ruterana, Xavier Wallart
article
26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2014, Compound Semiconductor Week, CSW 2014, 2014, Montpellier, France
identifiant
hal-00992670
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titre
MILLIPRISM : millimeter wave passive radiometric imaging system
auteur
J.F. Lampin, M. Zaknoune, X. Wallart, L. Desplanque, E. Peytavit, G. Ducournau, M. Thirault, M. Werquin, S. Jonniau, N. Thouvenin, Christophe Gaquière, N. Vellas
article
8ème Workshop Interdisciplinaire sur la Sécurité Globale, WISG 2014, 2014, Troyes, France
identifiant
hal-00939873
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titre
[Invited] High frequency electronic devices : impact of beyond graphene materials
auteur
Henri Happy, David Mele, Ivy Colambo, Mohamed S. Khenissa, Mohamed Belhaj, Emiliano Pallecchi, A. Ouerghi, Dominique Vignaud, Gilles Dambrine
article
62nd IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2014, Workshop WFK - Beyond Graphene Electronic Devices and their Potential for High-Frequency Applications, 2014, Tampa, FL, United States
identifiant
hal-01044773
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BibTex
titre
CVD graphene growth on Ni films and transfer
auteur
Geetanjali Deokar, Jean-Louis Codron, Christophe Boyaval, Xavier Wallart, Dominique Vignaud
article
4th Graphene Conference, Graphene 2014, 2014, Toulouse, France
identifiant
hal-01005676
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BibTex
titre
Epitaxial growth of MgO tunnel barrier on epitaxial graphene
auteur
Florian Godel, Emmanuelle Pichonat, Dominique Vignaud, Hicham Majjad, Dominik Metten, Yves Henry, Stéphane Berciaud, Jean-François Dayen, David Halley
article
7th CNRS-EWHA Winter School 2014, 2014, Strasbourg, France
identifiant
hal-01055000
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titre
Improved wet chemical transfer process to obtain clean high quality graphene
auteur
Geetanjali Deokar, Jean-Louis Codron, Emmanuelle Pichonat, Xavier Wallart, Henri Happy, Dominique Vignaud
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2014, Symposium X - Materials research for group IV semiconductors : growth, characterization and technological developments, 2014, Lille, France
identifiant
hal-00961392
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titre
Hybrid organic-inorganic nanocomposites for terahertz applications
auteur
D. Hourlier-Bahloul, Srisaran Venkatachalam, Christophe Boyaval, Guillaume Ducournau, Y. Blum, Jean-François Lampin
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2014, Symposium I - Solution processing and properties of functional oxide thin films and nanostructures, 2014, Lille, France
identifiant
hal-00964115
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2013

Journal articles

titre
Numerical and Experimental Assessment of Charge Control in III–V Nano-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
auteur
Ming Shi, Jérôme Saint-Martin, Arnaud Bournel, Damien Querlioz, Philippe Dollfus, Jiongjong Mo, Nicolas Wichmann, Ludovic Desplanque, Xavier Wallart, François Danneville, Sylvain Bollaert
article
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, American Scientific Publishers, 2013, 13 (2), pp.771-775
identifiant
hal-01951943
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BibTex
titre
Coherent tunnelling across a quantum point contact in the quantum Hall regime
auteur
F. Martins, S. Faniel, B. Rosenow, Hermann Sellier, Serge Huant, M. G. Pala, L. Desplanque, X. Wallart, Vincent Bayot, B. Hackens
article
Scientific Reports, Nature Publishing Group, 2013, 3, pp.1416. ⟨10.1038/srep01416⟩
identifiant
hal-00932989
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https://arxiv.org/pdf/1305.1589 BibTex
titre
Planning the electron traffic in semiconductor networks: A mesoscopic analog of the Braess paradox encountered in road networks
auteur
Serge Huant, S. Baltazar, Peng Liu, Hermann Sellier, B. Hackens, F. Martins, Vincent Bayot, X. Wallart, L. Desplanque, M. G. Pala
article
AIP Conference Proceedings, American Institute of Physics, 2013, 1566, pp.229. ⟨10.1063/1.4848369⟩
identifiant
hal-00933050
Accès au bibtex
https://arxiv.org/pdf/1312.1885 BibTex
titre
Scanning Gate Spectroscopy of transport across a Quantum Hall Nano-Island
auteur
F. Martins, S. Faniel, B. Rosenow, M. G. Pala, Hermann Sellier, Serge Huant, L. Desplanque, X. Wallart, Vincent Bayot, B. Hackens
article
New Journal of Physics, Institute of Physics: Open Access Journals, 2013, 15, pp.013049. ⟨10.1088/1367-2630/15/1/013049⟩
identifiant
hal-00932990
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https://arxiv.org/pdf/1305.1661 BibTex
titre
Epitaxy of MgO magnetic tunnel barriers on epitaxial graphene
auteur
F. Godel, E. Pichonat, D. Vignaud, H. Majjad, D. Metten, Y. Henry, S. Berciaud, J.F. Dayen, D. Halley
article
Nanotechnology, Institute of Physics, 2013, 24, 475708, 6 p. ⟨10.1088/0957-4484/24/47/475708⟩
identifiant
hal-00881293
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titre
Exploring electronic structure of one-atom thick polycrystalline graphene films : a nano angle resolved photoemission study
auteur
J. Avila, I. Razado, S. Lorcy, R. Fleurier, E. Pichonat, D. Vignaud, X. Wallart, M.C. Asensio
article
Scientific Reports, Nature Publishing Group, 2013, 3, pp.2439-1-8. ⟨10.1038/srep02439⟩
identifiant
hal-00871897
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titre
Numerical and experimental assessment of charge control in III-V nano-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor
auteur
Minghua Shi, J. Saint-Martin, A. Bournel, D. Querlioz, P. Dollfus, J.J. Mo, N. Wichmann, L. Desplanque, X. Wallart, F. Danneville, S. Bollaert
article
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, American Scientific Publishers, 2013, 13, pp.771-775. ⟨10.1166/jnn.2013.6115⟩
identifiant
hal-00795954
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titre
High-resolution angle-resolved photoemission spectroscopy study of monolayer and bilayer graphene on the C-face of SiC
auteur
E. Moreau, S. Godey, X. Wallart, I. Razado-Colambo, J. Avila, M.C. Asensio, D. Vignaud
article
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), American Physical Society, 2013, 88, pp.075406-1-7. ⟨10.1103/PhysRevB.88.075406⟩
identifiant
hal-00871903
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titre
The source of the threading dislocation in GaSb/GaAs hetero-structures and their propagation mechanism
auteur
Y. Wang, P. Ruterana, S. Kret, S. El Kazzi, L. Desplanque, X. Wallart
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2013, 102, pp.052102-1-5. ⟨10.1063/1.4790296⟩
identifiant
hal-00795953
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titre
Scanning gate spectroscopy of transport across a quantum Hall nano-island
auteur
F. Martins, S. Faniel, B. Rosenow, M.G. Pala, H. Sellier, S. Huant, L. Desplanque, X. Wallart, V. Bayot, B. Hackens
article
New Journal of Physics, Institute of Physics: Open Access Journals, 2013, 15, pp.013049-1-10. ⟨10.1088/1367-2630/15/1/013049⟩
identifiant
hal-00795951
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titre
Raman spectroscopy of self-catalyzed GaAs1-xSbx nanowires grown on silicon
auteur
E. Alarcon-Llado, S. Conesa-Boj, X. Wallart, P. Caroff, A. Fontcuberta I Morral
article
Nanotechnology, Institute of Physics, 2013, 24, pp.405707-1-7. ⟨10.1088/0957-4484/24/40/405707⟩
identifiant
hal-00871906
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titre
DC, RF and noise performance of InAs/AlSb HEMTs with in situ CVD SiNx-film for early-protection against oxidation
auteur
G. Moschetti, E. Lefebvre, M. Fagerlind, P.A. Nilsson, L. Desplanque, X. Wallart, J. Grahn
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2013, 87, pp.85-89. ⟨10.1016/j.sse.2013.06.008⟩
identifiant
hal-00871902
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titre
Terahertz detection in zero-bias InAs self-switching diodes at room temperature
auteur
A. Westlund, P. Sangare, G. Ducournau, P.A. Nilsson, Christophe Gaquière, L. Desplanque, X. Wallart, J. Grahn
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2013, 103, pp.133504-1-4. ⟨10.1063/1.4821949⟩
identifiant
hal-00872026
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titre
Coherent tunnelling across a quantum point contact in the quantum Hall regime
auteur
F. Martins, S. Faniel, B. Rosenow, H. Sellier, S. Huant, M.G. Pala, L. Desplanque, X. Wallart, V. Bayot, B. Hackens
article
Scientific Reports, Nature Publishing Group, 2013, 3, pp.1416-1-5. ⟨10.1038/srep01416⟩
identifiant
hal-00799250
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titre
True planar InAs/AlSb HEMTs with ion-implantation technique for low-power cryogenic applications
auteur
G. Moschetti, M. Abbasi, P.A. Nilsson, A. Hallen, L. Desplanque, X. Wallart, J. Grahn
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2013, 79, pp.268-273. ⟨10.1016/j.sse.2012.06.013⟩
identifiant
hal-00795944
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titre
Antimony mediated control of misfit dislocation and strain at the highly lattice mismatched GaSb/GaAs interface
auteur
Y. Wang, P. Ruterana, Jie Chen, S. Kret, S. El Kazzi, C. Genevois, L. Desplanque, X. Wallart
article
ACS Applied Materials & Interfaces, Washington, D.C. : American Chemical Society, 2013, 5, pp.9760-9764. ⟨10.1021/am4028907⟩
identifiant
hal-00877634
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titre
Inhomogeneous Si-doping of gold-seeded InAs nanowires grown by molecular beam epitaxy
auteur
C. Rolland, P. Caroff, C. Coinon, X. Wallart, R. Leturcq
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2013, 102, pp.223105-1-4. ⟨10.1063/1.4809576⟩
identifiant
hal-00871968
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Conference papers

titre
Microwave to terahertz ultra-stable oscillator
auteur
Gwennaël Danion, François Bondu, Goulc'Hen Loas, Ludovic Frein, Cyril Hamel, Anthony Carré, Steve Bouhier, Marc Vallet, Marc Brunel, Antoine Rolland, Mehdi Alouini, A. Brillet, J.P. Coulon, F. Cleva, M. Merzougi, A. Beck, G. Ducournau, J.F. Lampin, M. Zaknoune, C. Coinon, X. Wallart, E. Peytavit, A. Tahsin, Guillaume Pillet, L. Morvan, G. Baïli, J. Bourderionnet
article
IEEE-UFFC, Jul 2013, Prague, Czech Republic
identifiant
hal-00881520
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titre
Oscillateur micro-onde à térahertz ultra-stable
auteur
Gwennaël Danion, François Bondu, Goulc'Hen Loas, Ludovic Frein, Cyril Hamel, Anthony Carré, Steve Bouhier, Marc Vallet, Marc Brunel, Antoine Rolland, Mehdi Alouini, A. Brillet, J.P. Coulon, F. Cleva, M. Merzougi, A. Beck, G. Ducournau, J.F. Lampin, M. Zaknoune, C. Coinon, X. Wallart, E. Peytavit, A. Tahsin, Guillaume Pillet, L. Morvan, G. Baili, J. Bourderionnet
article
OPTIQUE 2013 : congrès de la SFO, Société française d'optique, Jul 2013, Villetaneuse, France
identifiant
hal-00926871
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titre
Dual frequency tunable laser system for a microwave and terahertz oscillator
auteur
Gwennaël Danion, Goulc'Hen Loas, Ludovic Frein, Cyril Hamel, Anthony Carré, Steve Bouhier, Marc Vallet, Marc Brunel, Antoine Rolland, Mehdi Alouini, François Bondu, A. Brillet, J.P. Coulon, F. Cleva, M. Merzougi, A. Beck, G. Ducourneau, J.F. Lampin, Guillaume Pillet, M. Zaknoune, C. Coinon, X. Wallart, E. Peytavit, L. Morvan, G. Baïli, J. Bourderionnet
article
7th terahertz days, Mar 2013, Cargèse, France
identifiant
hal-00906170
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titre
Coherence and Coulomb blockade in ultra-small quantum Hall islands
auteur
F. Martins, S. Faniel, Hermann Sellier, Serge Huant, M.G. Pala, L. Desplanque, X. Wallart, B. Rosenow, Vincent Bayot, B. Hackens
article
16ème Forum des Microscopies à Sondes Locales, 2013, Spa, Belgium. papier OC23, 41-42
identifiant
hal-00956273
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titre
Graphene growth by molecular beam epitaxy (on SiC)
auteur
E. Moreau, S. Godey, X. Wallart, I. Razado-Colambo, J. Avila, M.C. Asensio, D. Vignaud
article
Annual Meeting of GDR-I Graphene and Nanotubes : Science and Applications, GNT 2013, 2013, Guidel-Plages, France
identifiant
hal-00878506
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titre
A novel mesoscopic phenomenon : an analog of the Braess paradox in 2DEG networks
auteur
H. Sellier, M. Pala, S. Baltazar, P. Liu, B. Hackens, F. Martins, X. Wallart, L. Desplanque, V. Bayot, S. Huant
article
16th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, MSS-16, 2013, Wroclaw, Poland
identifiant
hal-00878505
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titre
Structural determination of bilayer graphene on SiC(0001) using synchrotron radiation photoelectron diffraction
auteur
I. Razado-Colambo, J. Avila, D. Vignaud, S. Godey, X. Wallart, M.C. Asensio
article
19th International Vacuum Congress, IVC-19, 2013, Paris, France
identifiant
hal-00878507
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titre
Low-IQ : MMIC ultra faible consommation cryogénique et ambiant pour télécommunications spatiales en bande Q
auteur
Sylvain Bollaert, François Danneville, Yannick Roelens, Ludovic Desplanque, Cyrille Gardes, Sonia Bagumako, Cédric Chambon, Benoît Fauroux, Jean-Philippe Fraysse, Patrice Régnier, Michel Maignan, Peter Friijlink, Rémy Leblanc, Marc Marilier
article
Les Rencontres du Numérique, 2013, Paris, France
identifiant
hal-00974542
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titre
High spectral purity microwave and terahertz oscillator
auteur
Gwennaël Danion, Goulc'Hen Loas, Ludovic Frein, Cyril Hamel, Anthony Carré, Steve Bouhier, Marc Vallet, Marc Brunel, Antoine Rolland, Mehdi Alouini, François Bondu, Alexandre Beck, Guillaume Ducournau, Mohamed Zaknoune, Christophe Coinon, Xavier Wallart, Emilien Peytavit, Tahsin Akalin, Jean-François Lampin, Frédéric Cleva, Jean-Pierre Coulon, Mourad Merzougui, Alain Brillet, Grégoire Pillet, Loïc Morvan, Ghaya Baili, Jérôme Bourderionnet
article
6th Joint IEEE International Frequency Control Symposium/European Frequency and Time Forum, IFCS-EFTF 2013, 2013, Prague, Czech Republic. paper IFCS-EFTF2-A2-5, 40-42, ⟨10.1109/EFTF-IFC.2013.6702198⟩
identifiant
hal-00944028
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titre
Cryogenic DC characterization of InAs/Al80Ga20Sb self-switching diodes
auteur
A. Westlund, G. Moschetti, P.A. Nilsson, J. Grahn, L. Desplanque, X. Wallart
article
25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2013, 2013, Kobe, Japan. paper MoPI-20, 2 p., ⟨10.1109/ICIPRM.2013.6562599⟩
identifiant
hal-00877742
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titre
200 GHz communication system using unipolar InAs THz rectifiers
auteur
G. Ducournau, A. Westlund, P. Sangare, Christophe Gaquière, P.A. Nislon, L. Desplanque, J.L. Codron, X. Wallart, I. Iniguez de la Torre, J.F. Millithaler, T. Gonzales, J. Mateos, J. Grahn
article
38th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2013, 2013, Mainz, Germany. paper MO11-3, 2 p., ⟨10.1109/IRMMW-THz.2013.6665492⟩
identifiant
hal-00914236
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titre
Graphene layers grown by RTP-CVD on nickel and copper and their properties
auteur
E. Pichonat, H. Kim, D. Vignaud, R. Fleurier, H. Happy
article
European Workshop on Epitaxial Graphene, EWEG 2013, 2013, Aussois, France
identifiant
hal-00811763
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titre
Scanning gate spectroscopy of a quantum Hall island near a quantum point contact
auteur
B. Hackens, F. Martins, S. Faniel, V. Bayot, B. Rosenow, L. Desplanque, X. Wallart, M. Pala, H. Sellier, S. Huant
article
American Physical Society March Meeting, APS March Meeting 2013, 2013, Baltimore, MD, United States
identifiant
hal-00811773
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titre
Transition from Coulomb diamonds to checkerboard-like spectroscopies in a mesoscopic quantum Hall interferometer
auteur
S. Faniel, F. Martins, V. Bayot, B. Hackens, L. Desplanque, X. Wallart, B. Rosenow, S. Melinte
article
American Physical Society March Meeting, APS March Meeting 2013, 2013, Baltimore, MD, United States
identifiant
hal-00811774
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titre
120nm AlSb/InAs HEMT without gate recess : 290GHz fT and 335GHz fmax
auteur
C. Gardes, S.M. Bagumako, L. Desplanque, N. Wichmann, F. Danneville, S. Bollaert, X. Wallart, Y. Roelens
article
25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2013, 2013, Kobe, Japan. paper MoPI-25, 2 p., ⟨10.1109/ICIPRM.2013.6562604⟩
identifiant
hal-00877719
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titre
Interesting spatial inhomogeneities in n- and p-doped InAs nanowires grown by gold-seeded molecular beam epitaxy
auteur
C. Rolland, P. Caroff, X. Wallart, R. Leturcq
article
20th International Conference on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems, EP2DS-20, 16th International Conference on Modulated Semiconductor Structures, MSS-16, 2013, Wroclaw, Poland
identifiant
hal-00878879
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titre
[Invited] Graphene : what challenges for RF applications ?
auteur
H. Happy, D. Mele, S. FregonÈse, H. Kim, E. Pichonat, S. Lepilliet, C. Sire, Vincent Derycke, D. Vignaud, G. Dambrine
article
TELECOM'2013 and 8èmes Journées Franco-Maghrébines des Micro-ondes et leurs Applications, 2013, Marrakech, Morocco. papier 324, 1-4
identifiant
hal-00804733
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titre
HEMTs 100nm AlSb/InAs pour applications faible bruit, faible consommation
auteur
S. Bagumako, C. Gardes, L. Desplanque, N. Wichmann, F. Danneville, S. Bollaert, X. Wallart, Y. Roelens
article
18èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2013, 2013, Paris, France. papier J2-DA1-3, 4 p
identifiant
hal-00878375
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BibTex
titre
Barrières tunnel épitaxiées sur graphène
auteur
F. Godel, E. Pichonat, D. Vignaud, B. Doudin, J.F. Dayen, D. Halley
article
XVe Colloque Louis Néel, Couches Minces et Nanostructures Magnétiques, 2013, Tours, France. papier MMCS-13, 233-234
identifiant
hal-00878371
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BibTex
titre
[Invited] Graphene growth by molecular beam epitaxy (on SiC)
auteur
E. Moreau, S. Godey, X. Wallart, I. Razado-Colambo, J. Avila, M.C. Asensio, D. Vignaud
article
PDI Topical Workshop on MBE-Grown Graphene, 2013, Berlin, Germany
identifiant
hal-00878497
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titre
[Invited] Scanning tunnelling microscopy and angle-resolved photoelectron spectroscopy studies of graphene on SiC (C-face) substrate grown by Si flux-assisted molecular beam epitaxy
auteur
I. Razado-Colambo, J.P. Nys, X. Wallart, E. Moreau, S. Godey, J. Avila, M.C. Asensio, D. Vignaud
article
PDI Topical Workshop on MBE-Grown Graphene, 2013, Berlin, Germany
identifiant
hal-00878498
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BibTex
titre
PDC-carbon hybrids
auteur
Y. Blum, D. Hourlier
article
10th Pacific Rim Conference on Ceramic and Glass Technology, PACRIM 10, Symposium 4 : Polymer Derived Ceramics and Composites, 2013, San Diego, CA, United States
identifiant
hal-00878503
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BibTex
titre
Influence de l'Au nanométrique sur la conductivité des nanofils en Si
auteur
M.S. Moldovan, I. Florea, D. Hourlier, O. Ersen
article
13ème Colloque de la Société Française des Microscopies, SFMu 2013, 2013, Nantes, France
identifiant
hal-00878504
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Book sections

titre
Graphene growth by molecular beam epitaxy
auteur
D. Vignaud, E. Moreau
article
Henini M. Molecular beam epitaxy, Elsevier, chapter 23, 547-557, 2013, 978-0-12-387839-7. ⟨10.1016/B978-0-12-387839-7.00023-3⟩
identifiant
hal-00878454
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Poster communications

titre
Oscillateur micro-onde à térahertz ultra-stable
auteur
Gwennaël Danion, François Bondu, Goulc'Hen Loas, Ludovic Frein, Cyril Hamel, Anthony Carré, Steve Bouhier, Marc Vallet, Marc Brunel, Antoine Rolland, Mehdi Alouini, A. Brillet, J.P. Coulon, F. Cleva, M. Merzougi, A. Beck, G. Ducournau, J.F. Lampin, M. Zaknoune, C. Coinon, X. Wallart, E. Peytavit, A. Tahsin, Guillaume Pillet, L. Morvan, G. Baili, J. Bourderionnet
article
Journée Optique Micro-onde / Société Française d'Optique, Jun 2013, Palaiseau, France
identifiant
hal-00926867
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2012

Journal articles

titre
Polarization-dependent light extinction in ensembles of polydisperse vertical semiconductor nanowires: A Mie scattering effective medium
auteur
Grzegorz Grzela, D. Hourlier-Bahloul, Jaime Gómez Rivas
article
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), American Physical Society, 2012, 86 (4), ⟨10.1103/PhysRevB.86.045305⟩
identifiant
hal-02396333
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titre
Surface and Intrinsic Conduction Properties of Au-Catalyzed Si Nanowires
auteur
Ł. Borowik, I. Florea, D. Deresmes, O. Ersen, D. Hourlier, Thierry Melin
article
Journal of Physical Chemistry C, American Chemical Society, 2012, 116 (11), pp.6601-6607. ⟨10.1021/jp300816e⟩
identifiant
hal-02396336
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titre
Transport Inefficiency in Branched-Out Mesoscopic Networks: An Analog of the Braess Paradox
auteur
M. G. Pala, S. Baltazar, Peng Liu, Hermann Sellier, B. Hackens, F. Martins, Vincent Bayot, X. Wallart, L. Desplanque, Serge Huant
article
Physical Review Letters, American Physical Society, 2012, 108, pp.076802. ⟨10.1103/PHYSREVLETT.108.076802⟩
identifiant
hal-00709528
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https://arxiv.org/pdf/1112.1170 BibTex
titre
Planar InAs/AlSb HEMTs with ion-implanted isolation
auteur
G. Moschetti, P.A. Nilsson, A. Hallen, L. Desplanque, X. Wallart, J. Grahn
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2012, 33, pp.510-512. ⟨10.1109/LED.2012.2185480⟩
identifiant
hal-00787019
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BibTex
titre
Locating an individual quantum hall island inside a quantum ring
auteur
F. Martins, S. Faniel, M.G. Pala, Hermann Sellier, Serge Huant, L. Desplanque, X. Wallart, V. Bayot, B. Hackens
article
AIP Conference Proceedings, American Institute of Physics, 2012, ISBN 978-0-7354-1194-4, 1566, pp.299-300. ⟨10.1063/1.4848404⟩
identifiant
hal-00797345
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BibTex
titre
Interplay between Sb flux and growth temperature during the formation of GaSb islands on GaP
auteur
S. El Kazzi, L. Desplanque, X. Wallart, Y. Wang, P. Ruterana
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2012, 111, pp.123506-1-5. ⟨10.1063/1.4729548⟩
identifiant
hal-00786989
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BibTex
titre
Mechanism of formation of the misfit dislocations at the cubic materials interfaces
auteur
Y. Wang, P. Ruterana, S. Kret, Jie Chen, S. El Kazzi, L. Desplanque, X. Wallart
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2012, 100, pp.262110-1-5. ⟨10.1063/1.4731787⟩
identifiant
hal-00787021
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BibTex
titre
Monolithic integration of high electron mobility InAs-based heterostructure on exact (001) silicon using a GaSb/GaP accommodation layer
auteur
L. Desplanque, S. El Kazzi, C. Coinon, S. Ziegler, B. Kunert, A. Beyer, K. Volz, W. Stolz, Y. Wang, P. Ruterana, X. Wallart
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2012, 101, pp.142111-1-4. ⟨10.1063/1.4758292⟩
identifiant
hal-00787025
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BibTex
titre
AlSb nucleation induced anisotropic electron mobility in AlSb/InAs heterostructures on GaAs
auteur
L. Desplanque, S. El Kazzi, J.L. Codron, Y. Wang, P. Ruterana, G. Moschetti, J. Grahn, X. Wallart
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2012, 100, pp.262103-1-4. ⟨10.1063/1.4730958⟩
identifiant
hal-00786990
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BibTex
titre
Growth mode dependence of misfit dislocation configuration at lattice mismatched III-V semiconductor interfaces
auteur
Y. Wang, P. Ruterana, L. Desplanque, S. El Kazzi, X. Wallart
article
EPL - Europhysics Letters, European Physical Society/EDP Sciences/Società Italiana di Fisica/IOP Publishing, 2012, 97, pp.68011-1-6. ⟨10.1209/0295-5075/97/68011⟩
identifiant
hal-00786985
Accès au bibtex
BibTex
titre
Polarization-dependent light extinction in ensembles of polydisperse vertical semiconductor nanowires : a Mie scattering effective medium
auteur
G. Grzela, D. Hourlier, J. Gomez-Rivas
article
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), American Physical Society, 2012, 86, pp.045305-1-7. ⟨10.1103/PhysRevB.86.045305⟩
identifiant
hal-00787022
Accès au bibtex
BibTex
titre
Strain relief and growth optimization of GaSb on GaP by molecular beam epitaxy
auteur
Y. Wang, P. Ruterana, Jie Chen, L. Desplanque, S. El Kazzi, X. Wallart
article
Journal of Physics: Condensed Matter, IOP Publishing, 2012, 24, pp.335802-1-7. ⟨10.1088/0953-8984/24/33/335802⟩
identifiant
hal-00787023
Accès au bibtex
BibTex
titre
Surface and intrinsic conduction properties of Au-catalyzed Si nanowires
auteur
L. Borowik, I. Florea, D. Deresmes, O. Ersen, D. Hourlier, Thierry Melin
article
Journal of Physical Chemistry C, American Chemical Society, 2012, 116, pp.6601-6607. ⟨10.1021/jp300816e⟩
identifiant
hal-00787868
Accès au bibtex
BibTex
titre
Faceting, composition and crystal phase evolution in III-V antimonide nanowire heterostructures revealed by combining microscopy techniques
auteur
T. Xu, K.A. Dick, S.R. Plissard, T.H. Nguyen, Y. Makoudi, Maxime Berthe, J.P. Nys, X. Wallart, B. Grandidier, P. Caroff
article
Nanotechnology, Institute of Physics, 2012, 23, pp.095702-1-9. ⟨10.1088/0957-4484/23/9/095702⟩
identifiant
hal-00787477
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titre
Investigation of indium nitride for micro-nanotechnology
auteur
A. Gokarna, J.F. Lampin, D. Vignaud, El Hadj Dogheche, D. Decoster, S. Ruffenach, O. Briot, M. Moret
article
International Journal of Nanotechnology, Inderscience, 2012, 9, pp.900-906. ⟨10.1504/IJNT.2012.049454⟩
identifiant
hal-00787438
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titre
Cryogenic InAs/AlSb HEMT wideband low-noise IF amplifier for ultra-low-power applications
auteur
G. Moschetti, N. Wadefalk, P.A. Nilsson, M. Abbasi, L. Desplanque, X. Wallart, J. Grahn
article
IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2012, 22, pp.144-146. ⟨10.1109/LMWC.2011.2182637⟩
identifiant
hal-00786986
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Conference papers

titre
OSMOTUS : oscillateur millimétrique/submillimétrique à très haute pureté spectrale.
auteur
François Bondu, Gwennaël Danion, Goulc'Hen Loas, Ludovic Frein, Cyril Hamel, Anthony Carré, Steve Bouhier, Marc Vallet, Marc Brunel, Antoine Rolland, Mehdi Alouini, A. Brillet, J.P. Coulon, F. Cleva, M. Merzougi, A. Beck, G. Ducournau, J.F. Lampin, M. Zaknoune, C. Coinon, X. Wallart, E. Peytavit, A. Tahsin, Guillaume Pillet, L. Morvan, G. Baïli, J. Bourderionnet
article
Journée annuelle du club Optique et Microondes : JCOM 2012, Jun 2012, Lille, France
identifiant
hal-00917922
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titre
Laser bi-fréquences accordables pour la génération d'onde millimétrique et submillimétrique à haute cohérence.
auteur
Gwennaël Danion, François Bondu, Goulc'Hen Loas, Ludovic Frein, Cyril Hamel, Anthony Carré, Marc Vallet, Marc Brunel, Antoine Rolland, Mehdi Alouini, A. Brillet, J.P. Coulon, F. Cleva, M. Merzougi, A. Beck, G. Ducournau, J.F. Lampin, M. Zaknoune, C. Coinon, X. Wallart, E. Peytavit, A. Tahsin, Guillaume Pillet, L. Morvan, G. Baïli, J. Bourderionnet
article
Journée annuelle du club Optique et Microondes : JCOM 2012, Jun 2012, Lille, France
identifiant
hal-00917912
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titre
[Invited] Graphene growth for device applications
auteur
H. Happy, D. Vignaud
article
60th IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2012, Short Course SC-1 : Graphene and RF Applications, 2012, Montréal, QC, Canada
identifiant
hal-00797277
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titre
Graphene layers grown by RTP-CVD on nickel and their properties
auteur
H. Kim, E. Pichonat, D. Vignaud, D. Pavlidis, H. Happy
article
11th Expert Meeting on Evaluation and Control of Coumpound Semiconductor Materials & Technologies, EXMATEC 2012, 2012, Porquerolles, France. pp.1-2
identifiant
hal-00801046
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titre
Lattice matched and pseudomorphic InGaAs MOSHEMT with fT of 200GHz
auteur
J.J. Mo, N. Wichmann, Y. Roelens, M. Zaknoune, L. Desplanque, X. Wallart, S. Bollaert
article
24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2012, 2012, Santa Barbara, CA, United States. pp.44-47, ⟨10.1109/ICIPRM.2012.6403314⟩
identifiant
hal-00801055
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titre
Growth kinetic studies of graphene on Cu foils
auteur
E. Pichonat, R. Fleurier, D. Vignaud, H. Happy
article
IEEE Topical Symposium on RF Nanotechnology, Asia-Pacific EMC Week, APEMC 2012, 2012, Sentosa Island, Singapore
identifiant
hal-00815030
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titre
Source-drain scaling of ion-implanted InAs/AlSb HEMTs
auteur
G. Moschetti, P. Nilsson, A. Hallen, L. Desplanque, X. Wallart, J. Grahn
article
24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2012, 2012, Santa Barbara, CA, United States. pp.57-60, ⟨10.1109/ICIPRM.2012.6403318⟩
identifiant
hal-00801079
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titre
Cryogenic operation of InAs/AlSb HEMT hybrid LNAs
auteur
G. Moschetti, N. Wadefalk, P.A. Nilsson, M. Abbasi, L. Desplanque, X. Wallart, J. Grahn
article
7th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2012, 2012, Amsterdam, Netherlands. pp.373-376
identifiant
hal-00814973
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titre
High electron mobility InAs-based heterostructure on exact (001) Si using GaSb/GaP accommodation layer
auteur
L. Desplanque, S. El Kazzi, C. Coinon, S. Ziegler, B. Kunert, A. Beyer, K. Volz, W. Stolz, Y. Wang, P. Ruterana, X. Wallart
article
24th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2012, 2012, Santa Barbara, CA, United States
identifiant
hal-00797346
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titre
Graphene growth and synthesis
auteur
D. Vignaud
article
European Microwave Week, EuMC/EuMIC, Workshop W16 : Graphene RF Nanoelectronics, 2012, Amsterdam, Netherlands
identifiant
hal-00797341
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titre
Influence of antimony on III-V nanowires grown by MBE
auteur
P. Caroff, S. Conesa-Boj, Y. Makoudi, B. Grandidier, A. Fontcuberta I Morral, X. Wallart
article
6th Nanowire Growth Workshop, 2012, Saint Petersburg, Russia
identifiant
hal-00797348
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titre
Integrated InAs quantum dot in terahertz microresonator for high frequency quantum manipulation
auteur
A. Ghaddar, T. Akalin, G. Ducourneau, J.F. Lampin, P. Caroff, D. Troadec, X. Wallart, R. Leturcq
article
31st International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2012, 2012, Zurich, Switzerland
identifiant
hal-00798150
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titre
Influence of Sb overpressure on the anisotropic transport properties of InAs/AlSb heterostructures grown on highly mismatched substrates
auteur
S. El Kazzi, L. Desplanque, Y. Wang, P. Ruterana, X. Wallart
article
Materials Research Society Spring Meeting, MRS Spring 2012, Symposium G : Reliability and Materials Issues of III-V and II-VI Semiconductor Optical and Electron Devices and Materials II, 2012, San Francisco, CA, United States
identifiant
hal-00797368
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titre
Modulation of the g-factor in bottom-gated InAs nanowire quantum dots
auteur
A. Ghaddar, B. FÜlÖp, P. Caroff, D. Troadec, X. Wallart, R. Leturcq
article
31st International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS 2012, 2012, Zurich, Switzerland
identifiant
hal-00798182
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Book sections

titre
Graphene growth by molecular beam epitaxy
auteur
D. Vignaud, E. Moreau
article
Henini M. Molecular beam epitaxy - From research to mass production, Elsevier, chapter 23, 547-558, 2012, ISBN 978-0-12-387839-7
identifiant
hal-00798958
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titre
Carbon electronics for high-frequency applications
auteur
H. Happy, L. Nougaret, N. Meng, E. Pichonat, Vincent Derycke, D. Vignaud, G. Dambrine
article
Zhang Q. Carbon nanotubes and their applications, Pan Stanford Publishing, chapter 6, 203-220, 2012, ISBN 978-981-4241-90-8 ; e-ISBN 978-981-4303-18-7
identifiant
hal-00798920
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2011

Journal articles

titre
Scanning-Gate Microscopy of Semiconductor Nanostructures: An Overview
auteur
F. Martins, B. Hackens, Hermann Sellier, Peng Liu, M. Pala, S. Baltazar, L. Desplanque, X. Wallart, V. Bayot, Serge Huant
article
Acta Physica Polonica A, Polish Academy of Sciences. Institute of Physics, 2011, 119 (5), pp.569-575. ⟨10.12693/APhysPolA.119.569⟩
identifiant
hal-00834932
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titre
On the imaging of electron transport in semiconductor quantum structures by scanning-gate microscopy: successes and limitations
auteur
Hermann Sellier, B. Hackens, M. G. Pala, F. Martins, S. Baltazar, X. Wallart, L. Desplanque, Vincent Bayot, Serge Huant
article
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2011, 26, pp.064008. ⟨10.1088/0268-1242/26/6/064008⟩
identifiant
hal-00709523
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https://arxiv.org/pdf/1104.2032 BibTex
titre
High yield of self-catalyzed GaAs nanowire arrays grown on silicon via gallium droplet positioning
auteur
S.R. Plissard, G. Larrieu, X. Wallart, P. Caroff
article
Nanotechnology, Institute of Physics, 2011, 22, pp.275602-1-7. ⟨10.1088/0957-4484/22/27/275602⟩
identifiant
hal-00597081
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titre
[Invited] Scanning-gate microscopy of semiconductor nanostructures : an overview
auteur
F. Martins, B. Hackens, H. Sellier, P. Liu, M.G. Pala, S. Baltazar, L. Desplanque, X. Wallart, V. Bayot, S. Huant
article
Acta Physica Polonica A, Polish Academy of Sciences. Institute of Physics, 2011, 119, pp.569-575
identifiant
hal-00591349
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titre
Initial stages of graphitization on SiC(000-1), as studied by phase atomic force microscopy
auteur
F.J. Ferrer, E. Moreau, D. Vignaud, D. Deresmes, S. Godey, X. Wallart
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2011, 109, pp.054307-1-6. ⟨10.1063/1.3560896⟩
identifiant
hal-00577059
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titre
Scanning confocal Raman spectroscopy of silicon phase distribution in individual Si nanowires
auteur
A. Nikolenko, V. Strelchuk, A. Klimovskaya, P. Lytvyn, M. Valakh, Y. Pedchenko, A. Voroschenko, D. Hourlier
article
physica status solidi (c), Wiley, 2011, 8, pp.1012-1016. ⟨10.1002/pssc.201000409⟩
identifiant
hal-00579054
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titre
Compliance at the GaSb/GaP interface by misfit dislocations array
auteur
S. El Kazzi, L. Desplanque, C. Coinon, Y. Wang, P. Ruterana, X. Wallart
article
Advanced Materials Research, Trans Tech Publications, 2011, 324, pp.85-88. ⟨10.4028/www.scientific.net/AMR.324.85⟩
identifiant
hal-00795909
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titre
Strain relief at the GaSb/GaAs interface versus substrate surface treatment and AlSb interlayer thickness
auteur
Y. Wang, P. Ruterana, L. Desplanque, S. El Kazzi, X. Wallart
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2011, 109, pp.023509-1-6. ⟨10.1063/1.3532053⟩
identifiant
hal-00572649
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titre
Characterization of ion/electron beam induced deposition of electrical contacts at the sub-μm scale
auteur
D. Brunel, D. Troadec, D. Hourlier, D. Deresmes, M. Zdrojek, Thierry Melin
article
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2011, 88, pp.1569-1572. ⟨10.1016/j.mee.2011.03.011⟩
identifiant
hal-00603003
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titre
Fabrication and characterization of an epitaxial graphene nanoribbon-based field-effect transistor
auteur
N. Meng, J.F. Fernandez, D. Vignaud, G. Dambrine, H. Happy
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2011, 58, pp.1594-1596. ⟨10.1109/TED.2011.2119486⟩
identifiant
hal-00603002
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titre
InAs/AlSb HEMTs for cryogenic LNAs at ultra-low power dissipation
auteur
G. Moschetti, N. Wadefalk, P.A. Nilsson, Y. Roelens, A. Noudeviwa, L. Desplanque, X. Wallart, F. Danneville, G. Dambrine, S. Bollaert, J. Grahn
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2011, 64, pp.47-53. ⟨10.1016/j.sse.2011.06.048⟩
identifiant
hal-00639807
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titre
Size-dependent catalytic and melting properties of platinum-palladium nanoparticles
auteur
G. Guisbiers, G. Abudukelimu, D. Hourlier
article
Nanoscale Research Letters, SpringerOpen, 2011, 6, pp.396-1-5. ⟨10.1186/1556-276X-6-396⟩
identifiant
hal-00639824
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titre
Investigation of the anisotropic strain relaxation in GaSb islands on GaP
auteur
Y. Wang, P. Ruterana, H.P. Lei, Jie Chen, S. Kret, S. El Kazzi, L. Desplanque, X. Wallart
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2011, 110, pp.043509-1-8. ⟨10.1063/1.3622321⟩
identifiant
hal-00639828
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Conference papers

titre
Advanced fabrication methods and self-assembly of oriented silicon-based nanowires
auteur
D. Hourlier
article
12th Conference of the European Ceramic Society, ECerS XII, 2011, Stockholm, Sweden
identifiant
hal-00591391
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titre
Assessment of III-V MOSFET architectures for low power applications using static and dynamic numerical simulation
auteur
Minghua Shi, J. Saint-Martin, A. Bournel, D. Querlioz, P. Dollfus, J.J. Mo, N. Wichmann, L. Desplanque, X. Wallart, F. Danneville, S. Bollaert
article
37th IEEE International SOI Conference, SOI 2011, 2011, Tempe, AZ, United States. pp.1-2, ⟨10.1109/SOI.2011.6081701⟩
identifiant
hal-00799795
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titre
Anisotropic transport of InAs/AlSb heterostructures grown on InP substrates
auteur
G. Moschetti, H. Zhao, P.A. Nilsson, S. Wang, A. Kalabukhov, G. Dambrine, S. Bollaert, L. Desplanque, X. Wallart, J. Grahn
article
35th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2011, 2011, Catania, Italy. pp.17-18
identifiant
hal-00799700
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titre
120nm AlSb/InAs HEMTs
auteur
Y. Roelens, A. Olivier, A. Noudeviwa, L. Desplanque, F. Danneville, N. Wichmann, X. Wallart, S. Bollaert
article
TELECOM'2011 & 7èmes Journées Franco-Maghrébines des Micro-ondes et leurs Applications, 2011, Maroc. CDROM, session A1, papier 185, 1-4
identifiant
hal-00591362
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titre
Self aligned 200nm In0.53Ga0.47As
auteur
A. Olivier, J.J. Mo, N. Wichmann, Y. Roelens, L. Desplanque, X. Wallart, F. Danneville, S. Bollaert
article
TELECOM'2011 & 7èmes Journées Franco-Maghrébines des Micro-ondes et leurs Applications, 2011, Morocco. CDROM, session A1, papier 164, 1-3
identifiant
hal-00591363
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titre
Imaging quantum Hall Coulomb islands inside a quantum ring
auteur
F. Martins, B. Hackens, S. Faniel, V. Bayot, M. Pala, H. Sellier, S. Huant, L. Desplanque, X. Wallart
article
American Physical Society March Meeting, APS March Meeting 2011, 2011, Dallas, TX, United States
identifiant
hal-00579036
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titre
Fabrication et caractérisation de MOSFET In0.53Ga0.47As de type N en technologie auto-aligné et de longueur de grille de 300nm
auteur
J. Mo, A. Olivier, N. Wichmann, Y. Roelens, L. Desplanque, X. Wallart, F. Danneville, G. Dambrine, F. Martin, O. Desplats, S. Bollaert
article
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, France. papier 122, 2C3, 1-4
identifiant
hal-00597145
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titre
Transmission electron microscopy of misfit dislocation and strain relaxation in lattice mismatched III-V heterostructures versus substrate surface treatment
auteur
Y. Wang, P. Ruterana, L. Desplanque, S. El Kazzi, X. Wallart
article
Materials Research Society Spring Meeting, MRS Spring 2011, Symposium D : Compound semiconductors for energy applications and environmental sustainability, 2011, San Francisco, CA, United States. pp.143-148, ⟨10.1557/opl.2011.841⟩
identifiant
hal-00799993
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titre
Strain relaxation of GaSb islands on GaP and GaAs substrates for highmobility AlSb/InAs heterostructures
auteur
S. El Kazzi, L. Desplanque, X. Wallart, Y. Wang, P. Ruterana
article
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2
identifiant
hal-00799994
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titre
Optimisation des performances à faible tension de polarisation de HEMTs de la filière antimoine
auteur
A. Noudeviwa, A. Olivier, Y. Roelens, F. Danneville, N. Wichmann, N. Waldhoff, L. Desplanque, X. Wallart, S. Bollaert
article
17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, France. papier 304, 2C2, 1-4
identifiant
hal-00597144
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titre
Nanowires and nanocones for new nanostructured materials
auteur
D. Hourlier, P. Perrot
article
Thematic Days on Nanowires and Applications, GDR 2974, 2011, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00591389
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titre
100nm-gate-length In0.47Ga0.53As multi-gate MOSFET : fabrication and characterisation
auteur
J.J. Mo, N. Wichmann, Y. Roelens, M. Zaknoune, L. Desplanque, X. Wallart, S. Bollaert
article
23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2011, 2011, Berlin, Germany. pp.1-4
identifiant
hal-00799971
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titre
InAs nanowire quantum dots for spin manipulation and high-frequency quantum transport
auteur
A. Ghaddar, B. Fulop, Tahsin Akalin, Jean-François Lampin, A. Dujardin, Philippe Caroff, David Troadec, Xavier Wallart, Didier Stiévenard, Renaud Leturcq
article
Réunion Plénière du GDR 2426 Physique Quantique Mésoscopique, 2011, Aussois, France
identifiant
hal-00986884
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titre
Modeling the reflectance of polydisperse random arrays of Si nanowires
auteur
G. Grzela, D. Hourlier, J.G. Rivas
article
473rd Wilhelm and Else Heraeus Seminar, III-V Nanowires - Growth, Properties, and Applications, 2011, Bad Honnef, Germany
identifiant
hal-00591390
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titre
Growth of antimony-containing nanowires
auteur
P. Caroff, K.A. Dick, C. Thelander, S.R. Plissard, X. Wallart
article
Thematic Days on Nanowires and Applications, GDR 2974, 2011, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00591392
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titre
Low frequency transconductance and output resistance dispersion of epitaxial graphene nanoribbon-based field effect transistors
auteur
G. Aroshvili, N. Meng, D. Vignaud, D. Pavlidis, H. Happy
article
69th Device Research Conference, DRC 2011, 2011, Santa Barbara, CA, United States. pp.149-150, ⟨10.1109/DRC.2011.5994461⟩
identifiant
hal-00799968
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titre
RF characterization of epitaxial graphene nano-ribbon field effect tansistors
auteur
N. Meng, J. Ferrer-Fernandez, O. Lancry, E. Pichonat, D. Vignaud, G. Dambrine, H. Happy
article
IEEE MTT-S International Microwave Symposium, IMS 2011, 2011, Baltimore, MD, United States. 1-3, selected as finalist of best student paper competition, ⟨10.1109/MWSYM.2011.5972627⟩
identifiant
hal-00799963
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titre
Relaxation de contrainte par réseau de dislocations aux interfaces GaSb/GaP et GaSb/GaAs
auteur
S. El Kazzi, L. Desplanque, Y. Wang, P. Ruterana, X. Wallart
article
Journées Franco-Libanaises Physique et Interfaces, JFLPI, 2011, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00807161
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titre
[Invited] III-As(-Sb) nanowires : arrays, crystal phases and ternaries
auteur
P. Caroff, X. Wallart
article
PDI Topical Workshop on MBE-Grown Arsenide Nanowires, 2011, Berlin, Germany
identifiant
hal-00807149
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BibTex
titre
Growth of antimony-containing heterostructure nanowires by molecular beam epitaxy : crystal phase control, surfaces and interfaces
auteur
P. Caroff, T. Xu, K.A. Dick, S.R. Plissard, T.H. Nguyen, B. Grandidier, X. Wallart
article
Materials Research Society Spring Meeting, MRS Spring 2011, Symposium EE : Semiconductor nanowires - From fundamentals to applications, 2011, San Francisco, CA, United States
identifiant
hal-00807152
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BibTex
titre
Growth by MBE and characterization of antimonide III-V nanowires
auteur
P. Caroff, C. Thelander, S.R. Plissard, X. Wallart, K.A. Dick
article
473rd Wilhelm and Else Heraeus Seminar, III-V Nanowires - Growth, Properties, and Applications, 2011, Bad Honnef, Germany
identifiant
hal-00807160
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titre
TEM and molecular dynamics simulation investigation of the anisotropic strain relaxation in GaSb islands on GaP
auteur
Y. Wang, H.P. Lei, P. Ruterana, Jie Chen, S. El Kazzi, L. Desplanque, X. Wallart
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2011, Symposium G : Semiconductor nanostructures towards electronic and optoelectronic device applications, 2011, Nice, France
identifiant
hal-00807162
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BibTex
titre
Transport in quantum dots made from InAs nanowires
auteur
A. Ghaddar, P. Caroff, D. Troadec, X. Wallart, D. Stiévenard, R. Leturcq
article
Thematic Days on Nanowires and Applications, GDR 2974, 2011, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00591403
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titre
Size and shape effects on the melting properties of catalytic nanoparticles
auteur
G. Guisbiers, G. Abudukelimu, D. Hourlier
article
Thematic Days on Nanowires and Applications, GDR 2974, 2011, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00591401
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titre
Controlled axial polytypism in single binary and ternary III-V nanowires
auteur
P. Caroff, J. Bolinsson, S.R. Plissard, X. Wallart, K.A. Dick
article
6th International Conference on Materials for Advanced Technologies, ICMAT 2011, Symposium I : Semiconductor nanowires and heterostructures : synthesis, properties and multifunctions, 2011, Singapore, Singapore
identifiant
hal-00807147
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titre
Strain relaxation at the GaSb/GaAs and GaSb/GaP interfaces
auteur
L. Desplanque, S. El Kazzi, C. Coinon, Y. Wang, P. Ruterana, X. Wallart
article
23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2011, 2011, Berlin, Germany
identifiant
hal-00807153
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BibTex
titre
TEM analysis of the dislocations mechanisms in III-V heterostructures grown by molecular beam epitaxy
auteur
Y. Wang, M.P. Chauvat, P. Ruterana, L. Desplanque, X. Wallart
article
Materials Research Society Spring Meeting, MRS Spring 2011, Symposium RR : Fundamental science of defects and microstructure in advanced materials for energy, 2011, San Francisco, CA, United States
identifiant
hal-00807156
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titre
Growth of self-catalyzed GaAs nanowire arrays on Si(111) using a VLS mechanism
auteur
S.R. Plissard, G. Larrieu, K.A. Dick, X. Wallart, P. Caroff
article
Thematic Days on Nanowires and Applications, GDR 2974, 2011, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00591395
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titre
[Invited] Carbon materials : new trends for future electronic ?
auteur
H. Happy, L. Nougaret, Vincent Derycke, E. Pichonat, R. Fleurier, D. Vignaud, G. Dambrine
article
5ème Colloque du GDR SOC-SIP, 2011, Lyon, France
identifiant
hal-00807124
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titre
La piézorésistance géante dans le silicium
auteur
A.C.H. Rowe, S. Arscott, M. Gaudet, J. Milne, I. Favorskiy, D. Hourlier, C. Renner
article
Journées Nationales Nanosciences et Nanotechnologies, J3N 2011, 2011, Strasbourg, France
identifiant
hal-00807208
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titre
Graphene nanoribbon field effect transistor for high frequency applications
auteur
H. Happy, N. Meng, R. Fleurier, E. Pichonat, D. Vignaud, G. Dambrine
article
41st European Microwave Conference, EuMC 2011, 2011, Manchester, United Kingdom. pp.1138-1141
identifiant
hal-00799695
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titre
Active layers bonding of InP/GaAsSb/InP DHBTs in order to enhance thermal dissipation of InP-based devices
auteur
N.A. Thiam, C. Coinon, X. Wallart, M. Zaknoune
article
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2
identifiant
hal-00799696
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titre
50nm multi-gate In0.53Ga0.47As MOSFET with Ft of 150GHz
auteur
J.J. Mo, N. Wichmann, Y. Roelens, M. Zaknoune, L. Desplanque, X. Wallart, S. Bollaert
article
20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. pp.1-2
identifiant
hal-00799699
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titre
Scanning gate transconductance microscopy and spectroscopy of a mesoscopic ring
auteur
B. Hackens, F. Martins, S. Faniel, V. Bayot, M. Pala, H. Sellier, S. Huant, L. Desplanque, X. Wallart
article
American Physical Society March Meeting, APS March Meeting 2011, 2011, Dallas, TX, United States
identifiant
hal-00579035
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2010

Journal articles

titre
Electronic properties of the high electron mobility Al0.56In0.44Sb/Ga0.5In0.5Sb heterostructure
auteur
L. Desplanque, D. Vignaud, S. Godey, E. Cadio, S.R. Plissard, X. Wallart, Peng Liu, Hermann Sellier
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2010, 108, pp.043704. ⟨10.1063/1.3475709⟩
identifiant
hal-00709521
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titre
Imaging Coulomb islands in a quantum Hall interferometer
auteur
B. Hackens, F. Martins, S. Faniel, C. A. Dutu, Hermann Sellier, Serge Huant, M. Pala, L. Desplanque, X. Wallart, Vincent Bayot
article
Nature Communications, Nature Publishing Group, 2010, 1, pp.39. ⟨10.1038/NCOMMS1038⟩
identifiant
hal-00709461
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https://arxiv.org/pdf/1010.4494 BibTex
titre
Improvement of ohmic contacts to In0.65Ga0.35Sb using Mo refractory metal and surface preparation for 6.3 Å heterojunction bipolar transistors
auteur
E. Mairiaux, L. Desplanque, X. Wallart, M. Zaknoune
article
Journal of Vacuum Science and Technology B, 2010, 28, pp.17-20. ⟨10.1116/1.3268134⟩
identifiant
hal-00548563
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titre
Frequency dependent rotation and translation of nanowires in liquid environment
auteur
M. Marczak, D. Hourlier, Thierry Melin, L. Adamowicz, H. Diesinger
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2010, 96, pp.233502-1-3. ⟨10.1063/1.3430738⟩
identifiant
hal-00549071
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BibTex
titre
Microwave performance of InAlAsSb/In0.35Ga0.65Sb/InAlAsSb double heterojunction bipolar transistors
auteur
E. Mairiaux, L. Desplanque, X. Wallart, M. Zaknoune
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010, 31, pp.299-301. ⟨10.1109/LED.2010.2040241⟩
identifiant
hal-00548566
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titre
Gold-free growth of GaAs nanowires on silicon : arrays and polytypism
auteur
S.R. Plissard, K. A. Dick, G. Larrieu, S. Godey, A. Addad, X. Wallart, P. Caroff
article
Nanotechnology, Institute of Physics, 2010, 21, pp.385602-1-8. ⟨10.1088/0957-4484/21/38/385602⟩
identifiant
hal-00548717
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titre
Fully relaxed low-mismatched InAlAs layer on an InP substrate by using a two step buffer
auteur
S.R. Plissard, C. Coinon, Y. Androussi, X. Wallart
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2010, 107, pp.016102-1-3. ⟨10.1063/1.3275872⟩
identifiant
hal-00548708
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titre
Picosecond carrier lifetime in low-temperature-grown GaAsSb
auteur
X. Wallart, C. Coinon, S.R. Plissard, S. Godey, O. Offranc, Y. Androussi, V. Magnin, J.F. Lampin
article
Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters, Japan Society of Applied Physics, 2010, 3, pp.111202-1-3. ⟨10.1143/APEX.3.111202⟩
identifiant
hal-00548732
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titre
Gold-free GaAs/GaAsSb heterostructure nanowires grown on silicon
auteur
S.R. Plissard, K.A. Dick, X. Wallart, P. Caroff
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2010, 96, pp.121901-1-3. ⟨10.1063/1.3367746⟩
identifiant
hal-00548716
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titre
GaSb/GaP compliant interface for high electron mobility AlSb/InAs heterostructures on (001) GaP
auteur
S. El Kazzi, L. Desplanque, C. Coinon, Y. Wang, P. Ruterana, X. Wallart
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2010, 97, pp.192111-1-3. ⟨10.1063/1.3515867⟩
identifiant
hal-00548719
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titre
Graphene growth by molecular beam epitaxy on the carbon-face of SiC
auteur
E. Moreau, S. Godey, F.J. Ferrer, D. Vignaud, X. Wallart, J. Avila, M.C. Asensio, F. Bournel, J.J. Gallet
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2010, 97, pp.241907-1-3. ⟨10.1063/1.3526720⟩
identifiant
hal-00548720
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titre
Sb-HEMT : toward 100-mV cryogenics electronics
auteur
A. Noudewiva, Y. Roelens, F. Danneville, A. Olivier, N. Wichmann, N. Waldhoff, S. Lepilliet, G. Dambrine, L. Desplanque, X. Wallart, G. Moschetti, J. Grahn, S. Bollaert
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2010, 57, pp.1903-1909. ⟨10.1109/TED.2010.2050109⟩
identifiant
hal-00548570
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titre
Au-Si and Au-Ge phases diagrams for nanosytems
auteur
D. Hourlier, P. Perrot
article
Materials Science Forum, Trans Tech Publications Inc., 2010, 653, pp.77-85. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.653.77⟩
identifiant
hal-00591737
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titre
60 GHz current gain cut-off frequency graphene nanoribbon FET
auteur
N. Meng, F.J. Ferrer, D. Vignaud, G. Dambrine, H. Happy
article
International Journal of Microwave and Wireless Technologies, Cambridge University Press/European Microwave Association 2010, 2, pp.441-444. ⟨10.1017/S175907871000070X⟩
identifiant
hal-00548564
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titre
Anisotropic transport properties in InAs/AlSb heterostructures
auteur
G. Moschetti, H. Zhao, P.A. Nilsson, S. Wang, A. Kalabukhov, G. Dambrine, S. Bollaert, L. Desplanque, X. Wallart, J. Grahn
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2010, 97, pp.243510-1-3. ⟨10.1063/1.3527971⟩
identifiant
hal-00548565
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titre
Towards the 3-D microfabrication and integration of a complete power unit used for energy autonomous wireless system
auteur
T. Pichonat, C. Lethien, D. Hourlier, Nicolas Tiercelin, D. Troadec, P.A. Rolland
article
ECS Transactions, Electrochemical Society, Inc., 2010, 25, pp.11-21. ⟨10.1149/1.3414000⟩
identifiant
hal-00549547
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titre
Graphene growth by molecular beam epitaxy using a solid carbon source
auteur
E. Moreau, F.J. Ferrer, D. Vignaud, S. Godey, X. Wallart
article
physica status solidi (a), Wiley, 2010, 207, pp.300-303. ⟨10.1002/pssa.200982412⟩
identifiant
hal-00549551
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titre
Towards the 3-D Microfabrication and Integration of a Complete Power Unit Used for Energy Autonomous Wireless System
auteur
Tristan Pichonat, C. Lethien, D. Hourlier-Bahloul, Nicolas Tiercelin, David Troadec, Paul Alain Rolland
article
ECS Transactions, Electrochemical Society, Inc., 2010, 25 (35), pp.11 - 21. ⟨10.1149/1.3414000⟩
identifiant
hal-03192890
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03192890/file/Pichonat_ECSTrans2010_HAL.pdf BibTex

Conference papers

titre
Direct integration of gold-free GaAs/GaAsSb nanowires on Si by MBE
auteur
S.R. Plissard, K.A. Dick, X. Wallart, P. Caroff
article
16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE 2010, 2010, Berlin, Germany
identifiant
hal-00573577
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BibTex
titre
Growth of aligned self-catalysed GaAs nanowires on Si(111) using a VLS mechanism
auteur
S.R. Plissard, G. Larrieu, X. Wallart, P. Caroff
article
5th Nanowire Growth Workshop, NWG 2010, 2010, Rome, Italy
identifiant
hal-00574033
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titre
Fabrication and characterization of 200-nm self-aligned In0.53Ga0.47As MOSFET
auteur
O. Olivier, N. Wichmann, J.J. Mo, A. Noudeviwa, Y. Roelens, L. Desplanque, X. Wallart, F. Danneville, G. Dambrine, F. Martin, O. Desplats, Y. Wang, M.P. Chauvat, P. Ruterana, H. Maher, J. Saint-Martin, Minghua Shi, S. Bollaert
article
22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10, 2010, Japan. pp.41-43, ⟨10.1109/ICIPRM.2010.5515926⟩
identifiant
hal-00549921
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titre
High frequency performance of tellurium δ-doped AlSb/InAs HEMTs at low power supply
auteur
A. Olivier, A. Noudeviwa, N. Wichmann, Y. Roelens, L. Desplanque, F. Danneville, G. Dambrine, X. Wallart, S. Bollaert
article
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, France. pp.162-165
identifiant
hal-00549918
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BibTex
titre
100mV noise performances of Te-doped Sb-HEMT
auteur
A. Noudeviwa, A. Olivier, Y. Roelens, F. Danneville, N. Wichmann, N. Waldhoff, L. Desplanque, X. Wallart, S. Bollaert
article
8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, ASDAM 2010, 2010, Slovakia. pp.25-28, ⟨10.1109/ASDAM.2010.5667012⟩
identifiant
hal-00549922
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titre
Growth of antimony-containing nanowires by MBE
auteur
P. Caroff, S.R. Plissard, X. Wallart, K.A. Dick, C. Thelander
article
5th Nanowire Growth Workshop, NWG 2010, 2010, Rome, Italy
identifiant
hal-00574034
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titre
Tellurium delta-doped 120nm AlSb/InAs HEMTs : towards sub-100mV electronics
auteur
Y. Roelens, A. Olivier, L. Desplanque, A. Noudeviwa, F. Danneville, N. Wichmann, X. Wallart, S. Bollaert
article
68th Device Research Conference, DRC 2010, 2010, United States. pp.53-54, ⟨10.1109/DRC.2010.5551945⟩
identifiant
hal-00549924
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titre
Potentiality of commercial metamorphic HEMT at cryogenic temperature and low voltage operation
auteur
A. Noudeviwa, Y. Roelens, F. Danneville, A. Olivier, N. Wichmann, N. Waldhoff, S. Lepilliet, G. Dambrine, L. Desplanque, X. Wallart, J. Bellaiche, D. Smith, H. Maher, S. Bollaert
article
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, France. pp.286-289
identifiant
hal-00549927
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titre
A 10 GHz cut-off frequency transistor based on epitaxial graphene nano ribbon
auteur
N. Meng, J. Ferrer-Fernandez, D. Vignaud, G. Dambrine, H. Happy
article
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, France. pp.294-297
identifiant
hal-00549928
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titre
Imaging electron transport by scanning gate microscopy
auteur
P. Liu, H. Sellier, S. Huant, X. Wallart, L. Desplanque, B. Hackens, F. Martins, V. Bayot
article
Forum des Microscopies à Sonde Locale, 2010, Mittelwihr, France
identifiant
hal-00574035
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titre
Etude morphologique de la croissance par épitaxie par jets moléculaires de GaSb sur substrat GaP
auteur
S. El Kazzi, L. Desplanque, C. Coinon, X. Wallart, Y. Wang, P. Ruterana
article
13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, France. pp.CD-ROM, Session Matériaux 2, 1-4
identifiant
hal-00572231
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titre
DC and RF cryogenic behaviour of InAs/AlSb HEMTs
auteur
G. Moschetti, P.A. Nilsson, L. Desplanque, X. Wallart, H. Rodilla, J. Mateos, J. Grahn
article
22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10, 2010, Japan. pp.321-324, ⟨10.1109/ICIPRM.2010.5516313⟩
identifiant
hal-00549956
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titre
Influence of temperature on high frequency performance of graphene nano ribbon field effect
auteur
N. Meng, J.F. Fernandez, D. Vignaud, G. Dambrine, H. Happy
article
68th Device Research Conference, DRC 2010, 2010, United States. pp.69-70, ⟨10.1109/DRC.2010.5551934⟩
identifiant
hal-00549925
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BibTex
titre
Size-dependent properties of platinum-based bimetallic nanoparticles
auteur
G. Guisbiers, G. Abudukelimu, D. Hourlier
article
5th International Conference on Surfaces, Coatings and Nano-Structured Materials, NANOSMAT-5, 2010, Reims, France
identifiant
hal-00591744
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titre
Scanning confocal Raman spectroscopy of individual silicon nanowires
auteur
V.V. Strelchuk, A.S. Nikolenko, P.M. Lytvyn, A.I. Klimovskaya, Y.N. Pedchenko, A.T. Voroschenko, D. Hourlier
article
European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS Spring 2010, Symposium J : Silicon-based nanophotonics, 2010, Strasbourg, France
identifiant
hal-00591742
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BibTex
titre
Bottom-up approach to designing nanostructured materials for a variety of applications
auteur
D. Hourlier
article
7th International Conference on Inorganic Materials, 2010, Biarritz, France
identifiant
hal-00591743
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BibTex
titre
Electronic properties of the Al0.56In0.44Sb/Ga0.5In0.5Sb heterostructure
auteur
L. Desplanque, D. Vignaud, S. Godey, E. Cadio, P. Liu, H. Sellier, X. Wallart
article
22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10, 2010, Kagawa, Japan
identifiant
hal-00573576
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titre
A 60GHz current gain cut off frequency graphene nano ribbon FET
auteur
N. Meng, F.J. Ferrer, D. Vignaud, G. Dambrine, H. Happy
article
2nd International Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene, STEG2, 2010, Amelia Island, FL, United States
identifiant
hal-00573562
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BibTex
titre
Graphene growth by molecular beam epitaxy on SiC
auteur
E. Moreau, S. Godey, F.J. Ferrer, D. Vignaud, W. Wallart, J. Avila, M.C. Asensio, F. Bournel, J.J. Gallet
article
Graphene International School, 2010, Cargèse, France
identifiant
hal-00573662
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titre
Optoelectronic THz signal generation and use in component characterisation
auteur
J.F. Lampin, A. Beck, O. Offranc, E. Peytavit, G. Ducournau, T. Akalin, M. Zaknoune, L. Desplanque, X. Wallart
article
European Microwave Week Workshops and Short Courses, THz Technologies and Applications, 2010, Paris, France
identifiant
hal-00573655
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titre
Characterization of low temperature grown GaAs1-xSbx with x ~ 0.15
auteur
X. Wallart, C. Coinon, S.R. Plissard, S. Godey, O. Offranc, V. Magnin, J.F. Lampin
article
16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE 2010, 2010, Berlin, Germany
identifiant
hal-00573656
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BibTex
titre
Strain relaxation by misfit dislocation array at the GaSb/GaP interface
auteur
S. El Kazzi, L. Desplanque, C. Coinon, X. Wallart, Y. Wang, P. Ruterana
article
16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE 2010, 2010, Berlin, Germany
identifiant
hal-00573658
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BibTex
titre
Al0.56In0.44Sb/Ga0.5In0.5Sb heterostructures for high speed and low power consumption electronic devices
auteur
L. Desplanque, D. Vignaud, S. Godey, S.R. Plissard, E. Cadio, X. Wallart, P. Liu, H. Sellier
article
16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE 2010, 2010, Berlin, Germany
identifiant
hal-00573659
Accès au bibtex
BibTex
titre
Graphene growth by molecular beam epitaxy on the carbon face of SiC
auteur
E. Moreau, S. Godey, F.J. Ferrer, D. Vignaud, X. Wallart, J. Avila, M.C. Asensio, F. Bournel, J.J. Gallet
article
2nd International Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene, STEG2, 2010, Amelia Island, FL, United States
identifiant
hal-00573660
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BibTex
titre
Low temperature grown GaAsSb as photoconductive material near 1.06 µm
auteur
X. Wallart, C. Coinon, S.R. Plissard, S. Godey, O. Offranc, V. Magnin, J.F. Lampin
article
22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10, 2010, Kagawa, Japan
identifiant
hal-00573575
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2009

Journal articles

titre
UHV fabrication of the ytterbium silicide as potential low schottky barrier S/D contact material for N-type MOSFET
auteur
D.A. Yarekha, G. Larrieu, N. Breil, E. Dubois, S. Godey, X. Wallart, Caroline Soyer, Denis Remiens, N. Reckinger, Xing Tang, A. Laszcz, J. Ratajczak, A. Halimaoui
article
ECS Transactions, Electrochemical Society, Inc., 2009, 19, pp.339-344. ⟨10.1149/1.3118961⟩
identifiant
hal-00471999
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BibTex
titre
Schottky barrier lowering with the formation of crystalline Er silicide on n-Si upon thermal annealing
auteur
N. Reckinger, X.H. Tang, V. Bayot, D.A. Yarekha, E. Dubois, S. Godey, X. Wallart, G. Larrieu, A. Laszcz, J. Ratajczak, P.J. Jacques, J.P. Raskin
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2009, 94, pp.191913-1-3. ⟨10.1063/1.3136849⟩
identifiant
hal-00471985
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BibTex
titre
Mini-technologies... maxi changements
auteur
D. Hourlier, P. Lefebvre
article
Textes et documents pour la classe, SCEREN-CNDP (2002-2013), CANOPE (2014- ), INRDP (1967- ), 2009, 985, pp.14-17
identifiant
hal-00812474
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BibTex
titre
The individual core/shell silicon nanowires structure probed by Raman spectroscopy
auteur
M. Marczak, J. Judek, A. Kozak, W. Gebicki, C. Jastrezebksi, L. Adamowciz, D. Luxembourg, D. Hourlier, Thierry Melin
article
physica status solidi (c), Wiley, 2009, 6, pp.2053-2055. ⟨10.1002/pssc.200881758⟩
identifiant
hal-00473418
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BibTex
titre
Fabrication and fundamentals of operation of an InAlAs/InGaAs velocity modulation transistor
auteur
N. Wichmann, B.G. Vasallo, S. Bollaert, Y. Roelens, X. Wallart, A. Cappy, T. Gonzalez, D. Pardo, J. Mateos
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2009, 94, pp.103504-1-3. ⟨10.1063/1.3095482⟩
identifiant
hal-00469682
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BibTex
titre
A new low crosstalk InP digital optical switch based on carrier-induced effects for 1.55-µm applications
auteur
M. Zegaoui, D. Decoster, J. Harari, V. Magnin, X. Wallart, J. Chazelas
article
IEEE Photonics Technology Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009, 21, pp.546-548. ⟨10.1109/LPT.2009.2014646⟩
identifiant
hal-00472777
Accès au bibtex
BibTex
titre
2x2 InP optical switching matrix based on carrier-induced effects for 1.55-µm applications
auteur
M. Zegaoui, N. Choueib, J. Harari, D. Decoster, V. Magnin, X. Wallart, J. Chazelas
article
IEEE Photonics Technology Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009, 21, pp.1357-1359. ⟨10.1109/LPT.2009.2026484⟩
identifiant
hal-00472780
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BibTex
titre
The interaction particularities of nanoobjects on a solid state surface
auteur
M. Marczak, D. Hourlier
article
Tribologia, 2009, 40, pp.139-152
identifiant
hal-00800817
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titre
Towards silicon-nanowire-structured materials by the intimate mixing of patterning the solid state and chemical reactions
auteur
D. Hourlier, Bernard Legrand, C. Boyaval, P. Perrot
article
Journal of Nano Research, Trans Tech Publications, 2009, 6, pp.215-224. ⟨10.4028/www.scientific.net/JNanoR.6.215⟩
identifiant
hal-00471951
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titre
Atomic scale flattening, step formation and graphitization blocking on 6H-and 4H-SiC{0001} surfaces under Si flux
auteur
F.J. Ferrer, E. Moreau, D. Vignaud, S. Godey, X. Wallart
article
Semiconductor Science and Technology, IOP Publishing, 2009, 24, pp.125014-1-4. ⟨10.1088/0268-1242/24/12/125014⟩
identifiant
hal-00471909
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titre
Gate-recess technology for InAs/AlSb HEMTs
auteur
E. Lefebvre, M. Malmkvist, M. Borg, L. Desplanque, X. Wallart, G. Dambrine, S. Bollaert, J. Grahn
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2009, 56, pp.1904-1911. ⟨10.1109/TED.2009.2026123⟩
identifiant
hal-00471908
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titre
High thermally induced index variations with short response time in InP/GaInAsP/InP waveguide Schottky diodes
auteur
N. Saadsaoud, M. Zegaoui, D. Decoster, El Hadj Dogheche, X. Wallart, J. Chazelas
article
Electronics Letters, IET, 2009, 45, pp.802-803. ⟨10.1049/el.2009.0696⟩
identifiant
hal-00473047
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Conference papers

titre
DC characteristics of InAs/AlSb HEMTs at cryogenic temperatures
auteur
G. Moschetti, P.A. Nilsson, N. Wadefalk, M. Malmkvist, E. Lefebvre, J. Grahn, Y. Roelens, A. Noudeviwa, A. Olivier, S. Bollaert, F. Danneville, L. Desplanque, X. Wallart, G. Dambrine
article
21st IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'09, 2009, United States. pp.323-325, ⟨10.1109/ICIPRM.2009.5012506⟩
identifiant
hal-00474100
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titre
Low bandgap and plasma wave transistor for THz detection
auteur
S. Bollaert, A. Shchepetov, Y. Roelens, L. Desplanques, X. Wallart, F. Teppe, W. Knap, A. El Fatimy, N. Dyakonova, P. Nouvel, J. Torres, Laurent Chusseau
article
European Microwave Conference, 2009, Rome, Italy
identifiant
hal-01904180
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titre
Metallic source/drain for advanced MOS architectures : from material engineering to device integration
auteur
E. Dubois, G. Larrieu, N. Breil, R. Valentin, F. Danneville, D. Yarekha, N. Reckinger, Xing Tang, A. Halimaoui, R. Rengel, E. Pascual, A. Pouydebasque, X. Wallart, S. Godey, J. Ratajczak, A. Laszcz, J. Katcki, J.P. Raskin, G. Dambrine, A. Cros, T. Skotnicki
article
SINANO-NANOSIL Workshop, Silicon-based CMOS and Beyond-CMOS Nanodevices, 2009, Athens, Greece
identifiant
hal-00575267
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titre
Metallic source/drain architecture for advanced MOS technology : an overview of METAMOS results
auteur
E. Dubois, G. Larrieu, N. Breil, R. Valentin, F. Danneville, D. Yarekha, N. Reckinger, Xing Tang, A. Halimaoui, R. Rengel, E. Pascual, A. Pouydebasque, X. Wallart, S. Godey, J. Ratajczak, A. Laszcz, J. Katcki, J.P. Raskin, G. Dambrine, A. Cros, T. Skotnicki
article
8th Symposium Diagnostics & Yield : Advanced Silicon Devices and Technologies for ULSI Era, 2009, Warsaw, Poland
identifiant
hal-00575696
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titre
Preparation of silicon-based nanowires and the thermochemistry of the process
auteur
D. Hourlier, P. Lefebvre, P. Perrot
article
35èmes Journées d'Etudes des Equilibres entre Phases, JEEP XXXV, 2009, Annecy, France. pp.1-4, ⟨10.1051/jeep/200900002⟩
identifiant
hal-00812406
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titre
Narrow band gap III-V based-FET for ultra low power high frequency analog applications
auteur
G. Dambrine, S. Bollaert, Y. Roelens, A. Noudeviwa, F. Danneville, A. Olivier, N. Wichmann, L. Desplanque, X. Wallart, J. Grahn, G. Moschetti, P.A. Nilsson, M. Malmkvist, E. Lefebvre
article
67th Device Research Conference, 2009, State College, PA, United States. ⟨10.1109/DRC.2009.5354961⟩
identifiant
hal-00575689
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titre
Tailoring low-dimensional semiconductor nanostructures from Si and Ge nanowires
auteur
D. Hourlier
article
11th Annual Conference YUCOMAT 2009, 2009, Herceg Novi, Montenegro
identifiant
hal-00810485
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titre
Modeling of silicon nanowire growth : shaping, doping, and self-arrangement
auteur
A. Klimovskaya, A. Efremov, D. Hourlier
article
IVth Ukrainian Scientific Conference on Physics of Semiconductors, USCPS-4, 2009, Zaporizhzhya, Ukraine
identifiant
hal-00810513
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titre
Metamorphic Te-doped AlInSb/GaInSb heterostructures
auteur
L. Desplanque, G. Delhaye, Y. Androussi, X. Wallart
article
15th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Euro-MBE 2009, 2009, Zakopane, Poland
identifiant
hal-00574865
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titre
X-ray photoemission study of segregation phenomena at AlSb/InAs interfaces
auteur
X. Wallart, L. Desplanque, S. Godey
article
15th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Euro-MBE 2009, 2009, Zakopane, Poland
identifiant
hal-00574866
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titre
Individual 1D nano-object characterizations in GHz range using in-situ high impedance measurement set-up
auteur
L. Nougaret, M. Marczak, D. Hourlier-Bahloul, Vincent Derycke, H. Happy, G. Dambrine
article
Tenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes, NT09, 2009, Beijing, China
identifiant
hal-00574839
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titre
Si nano wire characterizations in GHz range using in-situ high impedance measurement set-up
auteur
L. Nougaret, M. Marczak, D. Hourlier-Bahloul, Vincent Derycke, H. Happy, G. Dambrine
article
Indo-French Workshop on Nanosciences and Nanotechnology, 2009, Delhi, India
identifiant
hal-00574842
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titre
Fabrication and characterization of passive and active devices based on epitaxially grown graphene
auteur
N. Meng, H. Happy, D. Vignaud, J. Ferrer-Fernandez
article
Tenth International Conference on the Science and Application of Nanotubes, NT09, 2009, Beijing, China
identifiant
hal-00574840
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titre
Magnetotransport in InAs nanowires grown by molecular beam epitaxy
auteur
R. Leturcq, J. Daymard, D. Stievenard, P. Caroff, C. Coinon, X. Wallart
article
4ème Workshop Annuel du GDR Nanofils Nanotubes Semiconducteurs, 2009, Autrans, France
identifiant
hal-00575342
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titre
Growth of vertical InAs nanowire arrays on InP(111)B by MBE
auteur
P. Caroff, R. Leturcq, C. Coinon, X. Wallart
article
4ème Workshop Annuel du GDR Nanofils Nanotubes Semiconducteurs, 2009, Autrans, France
identifiant
hal-00574850
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titre
Carbon and nanowires based devices for high frequencey and low power applications
auteur
H. Happy, L. Nougaret, N. Meng, G. Dambrine, S. Bollaert, D. Hourlier, P. Caroff, D. Vignaud
article
Sino-French Workshop, 2009, Shanghai, China
identifiant
hal-00574847
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titre
Investigaton on fabrication of GaAsSb/InP UTC-PD based photomixer operating at 1.55 µm wavelengths
auteur
A. Beck, O. Offranc, M. Zaknoune, E. Peytavit, G. Ducournau, T. Akalin, X. Wallart, J.F. Lampin
article
34th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2009, 2009, South Korea. pp.1-2, ⟨10.1109/ICIMW.2009.5324658⟩
identifiant
hal-00474427
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Book sections

titre
Dispositifs à matériaux petit gap pour électronique ultra-faible consommation
auteur
S. Bollaert, A. Olivier, N. Wichmann, Y. Roelens, L. Desplanque, X. Wallart, A. Cappy, G. Dambrine
article
Leray J.L., Boudenot J.C., Gautier J. La micro-nano électronique, enjeux et mutations, CNRS ÉDITIONS, pp.183-186, 2009
identifiant
hal-00575772
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2008

Journal articles

titre
Metamorphic high electron mobility Te-doped AlInSb/GaInSb heterostructures on InP (001)
auteur
G. Delhaye, L. Desplanque, X. Wallart
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2008, 104, pp.066105-1-3. ⟨10.1063/1.2978365⟩
identifiant
hal-00356944
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titre
Comparative Sb and As segregation at the InP on GaAsSb interface
auteur
X. Wallart, S. Godey, Y. Douvry, L. Desplanque
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2008, 93, pp.123119-1-3. ⟨10.1063/1.2991299⟩
identifiant
hal-00356947
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titre
Effect of gate length in InAs/AlSb HEMTs biased for low power or high gain
auteur
M. Borg, E. Lefebvre, M. Malmkvist, L. Desplanque, X. Wallart, Y. Roelens, G. Dambrine, A. Cappy, S. Bollaert, J. Grahn
article
Solid-State Electronics, Elsevier, 2008, 52, pp.775-781. ⟨10.1016/j.sse.2007.12.002⟩
identifiant
hal-00356942
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titre
Low Schottky barrier height for ErSi2−x/n-Si contacts formed with a Ti cap
auteur
N. Reckinger, Xing Tang, V. Bayot, D.A. Yarekha, E. Dubois, S. Godey, X. Wallart, G. Larrieu, A. Łaszcz, J. Ratajczak, P.J. Jacques, J.P. Raskin
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2008, 104, pp.103523-1-9. ⟨10.1063/1.3010305⟩
identifiant
hal-00356975
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titre
TEM characterization of Si nanowires grown by CVD on Si pre-structured by nanosphere lithography
auteur
J.K.N. Lindner, D. Hourlier, D. Kraus, M. Weinl, Thierry Melin, B. Stritzker
article
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2008, 11, pp.169-174. ⟨10.1016/j.mssp.2008.09.016⟩
identifiant
hal-00800706
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titre
Multilevel modeling of the influence of surface transport peculiarities on growth, shaping, and doping of Si nanowires
auteur
A. Efremov, A. Klimovskaya, I. Prokopenko, Y. Moklyak, D. Hourlier
article
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Elsevier, 2008, 40, pp.2446-2453. ⟨10.1016/j.physe.2008.01.015⟩
identifiant
hal-00356959
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titre
Growth of arrays of silicon nanowires with centrosymmetric distribution over silicon substrate
auteur
D. Hourlier, A. Klimovskaya, A. Efremov, N. Grigorev, Y. Moklyak, I. Prokopenko
article
Superlattices and Microstructures, Elsevier, 2008, 44, pp.362-373. ⟨10.1016/j.spmi.2008.01.008⟩
identifiant
hal-00356958
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BibTex
titre
Electrical characterization and small-signal modeling of InAs/AlSb HEMTs for low-noise and high-frequency applications
auteur
M. Malmkvist, E. Lefebvre, M. Borg, L. Desplanque, X. Wallart, G. Dambrine, S. Bollaert, J. Grahn
article
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2008, 56, pp.2685-2691. ⟨10.1109/TMTT.2008.2006798⟩
identifiant
hal-00376223
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titre
The answer to the challenging question : is there any limit size of nanowires ?
auteur
D. Hourlier, P. Perrot
article
Journal of Nano Research, Trans Tech Publications, 2008, 4, pp.135-144. ⟨10.4028/www.scientific.net/JNanoR.4.135⟩
identifiant
hal-00376227
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BibTex
titre
Ballistic nanodevices for high frequency applications
auteur
C. Gardes, Y. Roelens, S. Bollaert, J.S. Galloo, X. Wallart, A. Curutchet, Christophe Gaquière, J. Mateos, T. Gonzalez, B.G. Vasallo, L. Bednarz, I. Huynen
article
International Journal of Nanotechnology, Inderscience, 2008, 5, 796-808, Special Issue on Nanotechnology in France. Part I : C'nano Nord-Ouest. ⟨10.1504/IJNT.2008.018698⟩
identifiant
hal-00356665
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Conference papers

titre
Raman Spectroscopy of boron-doped silicon nanowires
auteur
M. Marczak, E. Pichonat, W. Gebicki, Thierry Melin, D. Hourlier
article
EMRS 2008, Sep 2008, Varsovie, Poland
identifiant
hal-00332973
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titre
Imaging the electron local density of states inside buried semiconductor quantum rings
auteur
B. Hackens, F. Martins, M.G. Pala, H. Sellier, T. Ouisse, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy, V. Bayot, S. Huan
article
29th Conference on the Physics of Semiconductors, Rio de Janeiro, July 27- August 1, 2008 to be published in AIP Conference Proceedings Series, Jul 2008, Rio de Janeiro, Brazil
identifiant
hal-00392551
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titre
Scanning-probe measurements on undoped silicon nanowires
auteur
L. Borowik, H. Diesinger, D. Hourlier, Thierry Melin
article
Summer School on Semiconductor Nanowires, 3SN'2008, 2008, Roscoff, France
identifiant
hal-00376239
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titre
Optimisation de la réponse fréquentielle des montages KFM et exemples d'application à des dispositifs à nanotube de carbone
auteur
H. Diesinger, D. Deresmes, D. Brunel, L. Borovic, D. Hourlier, Thierry Melin
article
Forum des Microscopies à Sonde Locale, 2008, La Londe les Maures, France
identifiant
hal-00376237
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titre
Scanning-probe measurements on undoped silicon nanowires
auteur
L. Borowik, H. Diesinger, D. Hourlier, Thierry Melin
article
Forum des Microscopies à Sonde Locale, 2008, La Londe les Maures, France
identifiant
hal-00376238
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titre
Characterization of the individual core/shell silicon nanowires
auteur
M. Marczak, J. Judek, A. Kozak, W. Gebicki, Thierry Melin, D. Hourlier, D. Luxembourg
article
European Materials Research Society Fall Meeting, E-MRS Fall 2008, Symposium J : New Opportunities and Challenges in Material Research using Phonon and Vibrational Spectra, 2008, Warsaw, Poland
identifiant
hal-00376241
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BibTex
titre
Raman spectroscopy of boron-doped silicon nanowires
auteur
M. Marczak, E. Pichonat, W. Gebicki, Thierry Melin, D. Hourlier
article
European Materials Research Society Fall Meeting, E-MRS Fall 2008, Symposium J : New Opportunities and Challenges in Material Research using Phonon and Vibrational Spectra, 2008, Warsaw, Poland
identifiant
hal-00376240
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titre
Investigation of the ytterbium silicide as low Schottky barrier source/drain contact material for n-type MOSFET
auteur
D.A. Yarekha, G. Larrieu, E. Dubois, S. Godey, X. Wallart, Caroline Soyer, Denis Remiens, N. Reckinger, Xing Tang, A. Laszcz, J. Ratajczak
article
Journées Nationales sur les Technologies Emergentes en Micro-nanofabrication, JNTE 08, 2008, Toulouse, France
identifiant
hal-00361550
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titre
Selective wet chemical etching of GaInSb and AlInSb for 6.25 Å HBT fabrication
auteur
E. Mairiaux, L. Desplanque, X. Wallart, G. Dambrine, M. Zaknoune
article
IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08, 2008, France. pp.1-3, ⟨10.1109/ICIPRM.2008.4702971⟩
identifiant
hal-00360403
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titre
Fabrication technology and device performance of ultra-short 30-nm-gate pseudomorphic In0.52Al0.48As/In0.75Ga0.25As HEMTs
auteur
N. Wichmann, A. Shchepetov, I. Duszynski, Y. Roelens, X. Wallart, G. Dambrine, A. Cappy, S. Bollaert
article
IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08, 2008, France. pp.1-4, ⟨10.1109/ICIPRM.2008.4702912⟩
identifiant
hal-00360404
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BibTex
titre
AlSb/InAs HEMTs on InP substrate using wet and dry etching for mesa isolation
auteur
A. Olivier, T. Gehin, L. Desplanque, X. Wallart, Y. Roelens, G. Dambrine, A. Cappy, S. Bollaert, E. Lefebvre, M. Malmkvist, J. Grahn
article
IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08, 2008, France. pp.1-3, ⟨10.1109/ICIPRM.2008.4702979⟩
identifiant
hal-00360405
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titre
[Invité] Hétérostructures antimoniées pour applications microélectroniques
auteur
X. Wallart
article
12èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO'08, 2008, St Pierre d'Oléron, France
identifiant
hal-00811203
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titre
HEMTs AlSb/InAs pour applications ultra faible consommation
auteur
S. Bollaert, A. Olivier, Y. Roelens, N. Wichmannn, A. Shchepetov, G. Dambrine, A. Cappy, L. Desplanques, X. Wallart
article
12èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO'08, 2008, St Pierre d'Oléron, France
identifiant
hal-00361523
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titre
Isolation mésa par gravures humide et sèche des HEMTs AlSb/InAs sur substrat InP
auteur
A. Olivier, T. Gehin, L. Desplanque, X. Wallart, J. Cheng, N. Wichmann, Y. Roelens, G. Dambrine, A. Cappy, S. Bollaert
article
11èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2008, 2008, Bordeaux, France
identifiant
hal-00361522
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BibTex
titre
Gravure sélective par voie humide de Ga0.5In0.5Sb et d'Al0.55In0.45Sb en vue de la réalisation de transistors bipolaires à hétérojonction
auteur
E. Mairiaux, L. Desplanque, X. Wallart, G. Dambrine, M. Zaknoune
article
12èmes Journées Nano, Micro et Optoélectronique, JNMO'08, 2008, St Pierre d'Oléron, France
identifiant
hal-00361524
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BibTex
titre
High electron mobility Te-doped AlInSb/GaInSb heterostructures
auteur
L. Desplanque, G. Delhaye, X. Wallart
article
17th European Heterostructure Technology Workshop, HeTech'08, 2008, Venice, Italy
identifiant
hal-00361535
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BibTex
titre
Preliminary investigations on the Te-doped AlInSb/GaInSb heterostructures for High Electron Mobility Transistor (HEMT) applications
auteur
L. Delhaye, L. Desplanque, X. Wallart
article
IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08, 2008, France. pp.1-3, ⟨10.1109/ICIPRM.2008.4702932⟩
identifiant
hal-00360480
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BibTex
titre
Superfocusing with THz strip plasmonics and Si-nanowires for near-field microscopy
auteur
T. Akalin, E. Peytavit, D. Hourlier, J.F. Lampin
article
Gordon Research Conference : PLASMONICS, Optics at the Nanoscale, 2008, Tilton, NH, United States
identifiant
hal-00361533
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2007

Journal articles

titre
Imaging electron wave functions inside open quantum rings
auteur
F. Martins, B. Hackens, M. G. Pala, Thierry Ouisse, Hermann Sellier, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy, Joël Chevrier, V. Bayot, Serge Huant
article
Physical Review Letters, American Physical Society, 2007, 99, pp.136807. ⟨10.1103/PhysRevLett.99.136807⟩
identifiant
hal-00193197
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https://arxiv.org/pdf/0709.0226 BibTex
titre
Covalent functionalization of silicon nitride surfaces by semicarbazide group
auteur
Y. Coffinier, Rabah Boukherroub, X. Wallart, J.P. Nys, J.O. Durand, D. Stiévenard, B. Grandidier
article
Surface Science, Elsevier, 2007, 601, pp.5492-5498. ⟨10.1016/j.susc.2007.09.017⟩
identifiant
hal-00283127
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BibTex
titre
Real-time in-situ flux monitoring in molecular beam epitaxy by wavelength-modulated atomic absorption spectroscopy
auteur
D. Vignaud
article
Journal of Vacuum Science and Technology B, 2007, 25, pp.1398-1404. ⟨10.1116/1.2759948⟩
identifiant
hal-00255782
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BibTex
titre
The role of multicomponent surface diffusion in growth and doping of silicon nanowires
auteur
A.A. Efremov, A. Klimovskaya, D. Hourlier
article
Semiconductor physics quantum electronics and optoelectronics, 2007, 10, pp.18-26
identifiant
hal-00255783
Accès au bibtex
BibTex
titre
Real-time in-situ flux monitoring by wavelength-modulated atomic absorption spectroscopy in molecular beam epitaxy : application to Ga flux measurement
auteur
D. Vignaud, F. Mollot
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2007, 301-302, pp.79-83. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2006.09.006⟩
identifiant
hal-00285632
Accès au bibtex
BibTex
titre
Electron lifetime measurements of heavily C-doped InGaAs and GaAsSb as a function of the doping density
auteur
D. Vignaud, D.A. Yarekha, J.F. Lampin, M. Zaknoune, S. Godey, F. Mollot
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2007, 90, pp.242104-1-3. ⟨10.1063/1.2748336⟩
identifiant
hal-00255781
Accès au bibtex
BibTex
titre
Thermodynamics of the Au-Si-O system : application to the synthesis and growth of silicon-silicon dioxide nanowires
auteur
D. Hourlier, P. Perrot
article
Journal of Phase Equilibria and Diffusion, Springer Verlag, 2007, 28, pp.150-157. ⟨10.1007/s11669-007-9023-z⟩
identifiant
hal-00255793
Accès au bibtex
BibTex
titre
MBE growth of heavily carbon doped GaAsSb on InP for heterojunction bipolar transistor applications
auteur
D.A. Yarekha, S. Godey, X. Wallart, H. Colder, M. Zaknoune, F. Mollot
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2007, 301-302, pp.217-220. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2006.11.235⟩
identifiant
hal-00285630
Accès au bibtex
BibTex
titre
High mobility metamorphic AlSb/InAs heterostructures grown on InP substrates
auteur
L. Desplanque, D. Vignaud, X. Wallart
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2007, 301-302, pp.194-198. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2006.11.229⟩
identifiant
hal-00285629
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titre
Ballistic nano-devices for high frequency applications
auteur
S. Bollaert, A. Cappy, Y. Roelens, J.S. Galloo, C. Gardes, Z. Teukam, X. Wallart, J. Mateos, T. Gonzalez, B.G. Vasallo, B. Hackens, L. Berdnarz, I. Huynen
article
Thin Solid Films, Elsevier, 2007, 515, pp.4321-4326. ⟨10.1016/j.tsf.2006.07.178⟩
identifiant
hal-00285625
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titre
Kinetics, stoichiometry, morphology and current drive capabilities of Ir-based silicides
auteur
G. Larrieu, E. Dubois, X. Wallart, J. Katcki
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2007, 102, pp.094504-1-7. ⟨10.1063/1.2802564⟩
identifiant
hal-00255850
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titre
Silicon-molecules-metal junctions by transfert printing : chemical synthesis and electrical properties
auteur
D. Guerin, C. Merckling, S. Lenfant, X. Wallart, S. Pleutin, D. Vuillaume
article
Journal of Physical Chemistry C, American Chemical Society, 2007, 111, pp.7947-7956. ⟨10.1021/jp067846v⟩
identifiant
hal-00255833
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titre
Comprehension of the S(V)LS mechanism growth of silicon-based nanowires
auteur
D. Hourlier, P. Perrot
article
Comptes Rendus. Chimie, Académie des sciences (Paris), 2007, 10, pp.658-665
identifiant
hal-00285649
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Conference papers

titre
Kelvin force microscopy frequency response optimization and application to nanowire/nanotube devices under polarization
auteur
H. Diesinger, D. Hourlier, D. Brunel, D. Deresmes, J.P. Nys, Thierry Melin
article
Materials Research Society Fall Meeting, Symposium B : Nanoscale Phenomena in Functional Materials by Scanning Probe Microscopy, 2007, Boston, MA, United States
identifiant
hal-00285290
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titre
Raman spectrosopy of individual cone shaped nanowires
auteur
M. Marczak, J. Judek, A. Kozak, W. Gebicki, M. Zdrojek, D. Hourlier, D. Luxembourg
article
12th International Conference on Phonon Scattering in Condensed Matter, PHONONS 2007, 2007, Paris, France
identifiant
hal-00285288
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titre
Determination of stable and metastable diagrams involved in the development of semiconductor nanowhiskers
auteur
D. Hourlier, P. Perrot
article
62nd ABM Annual Congress, 2007, Victoria, Brazil
identifiant
hal-00286328
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titre
Development of InAs/AlSb HEMT technology for high-frequency operation
auteur
J. Grahn, E. Lefebvre, M. Borg, M. Malmkvist, L. Desplanque, X. Wallart, Y. Roelens, G. Dambrine, A. Cappy, S. Bollaert
article
Proceedings of the 31th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2007, 2007, Venice, Italy
identifiant
hal-00366992
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titre
Characterization of insulated gate-gate versus Schottky-gate InAs/AlSb HEMTs
auteur
M. Malmkvist, E. Lefebvre, M. Borg, L. Desplanque, X. Wallart, G. Dambrine, S. Bollaert, J. Grahn
article
2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, 2007, Germany. pp.24-27, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412638⟩
identifiant
hal-00362728
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titre
Electron lifetime measurements of heavily C-doped InGaAs and GaAsSb as a function of the doping density
auteur
D. Vignaud, D.A. Yarekha, J.F. Lampin, M. Zaknoune, S. Godey, F. Mollot
article
19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'07, 2007, Japan. pp.586-587, ⟨10.1109/ICIPRM.2007.381257⟩
identifiant
hal-00284099
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titre
Benchmarking of low band gap III-V based-HEMTs and sub-100nm CMOS under low drain voltage regime
auteur
S. Bollaert, L. Desplanque, X. Wallart, Y. Roelens, M. Malmkvist, M. Borg, E. Lefebvre, J. Grahn, D. Smith, G. Dambrine
article
2nd European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2007, 2007, Germany. pp.20-23, ⟨10.1109/EMICC.2007.4412637⟩
identifiant
hal-00362727
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titre
HEMT AlSb/InAs pour applications ultra-faible consommation
auteur
S. Bollaert, Y. Roelens, L. Desplanques, N. Wichmannn, A. Shchepetov, X. Wallart, G. Dambrine, A. Cappy
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.5C3-1-4
identifiant
hal-00370296
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titre
HEMT AlInAs/InGaAs pseudomorphique sur substrat d'InP de longueur de grille de 30nm et de Ft = 450GHz
auteur
N. Wichmann, A. Shchepetov, I. Duszynski, Y. Roelens, X. Wallart, G. Dambrine, A. Cappy, S. Bollaert
article
15èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2007, 2007, France. pp.1D20
identifiant
hal-00284471
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titre
Single carbon nanotube electrical connexion by electron beam and ion beam platinum deposition
auteur
D. Brunel, D. Troadec, M. Zdrojek, D. Hourlier, Thierry Melin
article
Trends in NanoTechnology Conference, TNT2007, 2007, San Sebastian, Spain
identifiant
hal-00285293
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titre
(Cl2:Ar) ICP/RIE dry etching of Al(Ga)Sb for AlSb/InAs HEMTs
auteur
E. Lefebvre, M. Borg, M. Malmkvist, J. Grahn, L. Desplanque, X. Wallart, Y. Roelens, G. Dambrine, A. Cappy, S. Bollaert
article
19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'07, 2007, Japan. pp.125-128, ⟨10.1109/ICIPRM.2007.381139⟩
identifiant
hal-00284023
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BibTex
titre
Comment la thermodynamique a-t-elle permis l'élaboration d'un nouveau processus de croissance de nanofils à base de germanium ?
auteur
D. Hourlier, P. Lefebvre, P. Perrot
article
XXXIIIèmes Journées d'Etude des Equilibres entre Phases, XXXIII JEEP, 2007, Lyon, France
identifiant
hal-00286319
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BibTex
titre
DC and RF performance of 0.2-2.4 µm gate length InAs/AlSb HEMTs
auteur
M. Borg, E. Lefebvre, M. Malmkvist, L. Desplanque, X. Wallart, Y. Roelens, G. Dambrine, A. Cappy, S. Bollaert, J. Grahn
article
19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'07, 2007, Japan. pp.67-70, ⟨10.1109/ICIPRM.2007.381124⟩
identifiant
hal-00284022
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2006

Journal articles

titre
Imaging and controlling electron transport inside a quantum ring
auteur
B. Hackens, F. Martins, T. Ouisse, H. Sellier, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy, Joël Chevrier, V. Bayot, S. Huant
article
Nature Physics, Nature Publishing Group, 2006, 2, pp.826. ⟨10.1038/nphys459⟩
identifiant
hal-00167167
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https://arxiv.org/pdf/cond-mat/0611359 BibTex
titre
Water exclusion at the nanometer scale provides long term passivation of silicon(111) grafted with alkyl monolayers
auteur
P. Gorostiza, C. Henry de Villeneuve, Q.Y. Sun, F. Sanz, X. Wallart, Rabah Boukherroub, P. Allongue
article
Journal of Physical Chemistry B, American Chemical Society, 2006, 110, pp.5576-5585
identifiant
hal-00127062
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titre
Etude préliminaire sur la synthèse des poudres nanométriques : rôle de l'écoulement dans le réacteur
auteur
Mohamed Amara, M. El Ganaoui, D. Bahloul-Hourlier
article
Mechanics & Industry, EDP Sciences, 2006, 7, pp.131-137. ⟨10.1051/meca:2006027⟩
identifiant
hal-00243989
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BibTex
titre
Silicon oxycarbide glasses : part 1- Thermochemical stability
auteur
J. Latournerie, P. Dempsey, J.P. Bonnet, D. Bahloul-Hourlier
article
Journal of the American Ceramic Society, Wiley, 2006, 89, pp.1485-1491. ⟨10.1111/j.1551-2916.2006.00869.x⟩
identifiant
hal-00243971
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BibTex
titre
Free-carrier absorption and growth temperature of highly Be-doped InGaAs in molecular beam epitaxy
auteur
D. Vignaud, M. Zaknoune, F. Mollot
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2006, 291, pp.107-111
identifiant
hal-00127061
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titre
Dwell-time related saturation of phase coherence in ballistic quantum dots
auteur
B. Hackens, S. Faniel, C. Gustin, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy, V. Bayot
article
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Elsevier, 2006, 34, pp.511-514
identifiant
hal-00154921
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titre
Tunable rectification and slope reversals in the I-V characteristics of ballistic nanojunctions
auteur
B. Hackens, L. Gence, S. Faniel, C. Gustin, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy, V. Bayot
article
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Elsevier, 2006, 34, pp.515-518
identifiant
hal-00154922
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Conference papers

titre
Raman spectroscopy and AFM characterization on individual Si-based nanowires
auteur
M. Marczak, M. Zdrojek, W. Gebicki, C. Jastrzebski, Thierry Melin, D. Hourlier
article
European Material Research Society Spring Meeting, E-MRS - IUMRS - ICEM 06, Symposium E : Science and Technology of Nanotubes and Nanowires, 2006, Nice, France
identifiant
hal-00243973
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titre
Assemblage de nano-objets par diélectrophorèse
auteur
H. Diesinger, M. Marczak, D. Luxembourg, Y. Coffinier, D. Hourlier, Thierry Melin, P. Tilmant, D. Stievenard
article
Journées du GDR Nanofils Nanotubes Semiconducteurs, 2006, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00243975
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titre
Raman spectroscopy characterization of single Si-nanowires
auteur
M. Marczak, C. Jastrzebski, W. Gebricki, M. Zdrojek, Thierry Melin, D. Hourlier
article
6th International Conference on Materials for Microelectronics and Nanoengineering, MFMN 2006, 2006, Cranfield, United Kingdom
identifiant
hal-00243977
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titre
The major role of thermodynamics in the comprehension of 1D structures growth
auteur
D. Hourlier, P. Perrot
article
Trends in Materials and Nanosciences, TMN 2006, 2006, Strasbourg, France
identifiant
hal-00243988
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titre
Nanofils de Si et sonde atomique tomographique
auteur
J. Houard, R. Lardé, E. Cadel, P. Pareige, D. Hourlier, D. Stiévenard
article
Journées du GDR Nanofils Nanotubes Semiconducteurs, 2006, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-00243974
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BibTex
titre
Caractérisation de nanofils de Si par sonde atomique tomographique
auteur
R. Lardé, J. Houard, E. Cadel, P. Pareige, D. Hourlier, D. Stievenard
article
10èmes Journées de la Matière Condensée, 2006, Toulouse, France
identifiant
hal-00243976
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titre
Thermodynamic study of silicon nanowire growth mechanisms
auteur
D. Hourlier, P. Perrot
article
Matériaux 2006, 2006, Dijon, France
identifiant
hal-00243978
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titre
Catalytic growth of silicon nanowires supported on high surface oxide substrates
auteur
D. Hourlier, P. Lefebvre, A. Addad, R.N. Vannier, P. Perrot
article
Matériaux 2006, 2006, Dijon, France
identifiant
hal-00243979
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BibTex
titre
Iridium silicide : a promising electrode for metallic source/drain in decananometer MOSFETs
auteur
G. Larrieu, E. Dubois, X. Wallart, J. Katcki
article
2006, pp.123
identifiant
hal-00138682
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BibTex
titre
The role of multicomponent surface diffusion in growth and doping of silicon nanowires
auteur
A.A. Efremov, A. Klimovskaya, D. Hourlier
article
European Material Research Society Spring Meeting, E-MRS - IUMRS - ICEM 06, 2006, Nice, France
identifiant
hal-00243972
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BibTex
titre
InP-based InAlAs/InGaAs double-gate transistors beyond conventional HEMT's limitations
auteur
N. Wichmann, S. Bollaert, B.G. Vasallo, X. Wallart, G. Dambrine, A. Cappy
article
1st European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2006, 2006, Manchester, United Kingdom
identifiant
hal-00162820
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BibTex

2005

Journal articles

titre
Photochemical oxidation of hydrogenated boron-doped diamond surfaces
auteur
Rabah Boukherroub, Xavier Wallart, Sabine Szunerits, Bernadette Marcus, Pierre Bouvier, Michel Mermoux
article
Electrochemistry Communications, Elsevier, 2005, 7 (9), pp. 937-940. ⟨10.1016/j.elecom.2005.05.010⟩
identifiant
hal-00333060
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BibTex
titre
Truly quantitative XPS characterization of organic monolayers on silicon : study of alkyl and alkoxy monolayers on H-Si(111)
auteur
X. Wallart, C. Henry de Villeneuve, P. Allongue
article
Journal of the American Chemical Society, American Chemical Society, 2005, 127, pp.7871
identifiant
hal-00125385
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BibTex
titre
InP HEMT downscaling for power applications at W band
auteur
F. Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, Christophe Gaquière, F. Dessenne, J.L. Thobel, D. Theron
article
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2005, 52, pp.2136-2143
identifiant
hal-00126460
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BibTex
titre
Semicarbazide-functionalized Si(111) surfaces for the site-specific immobilisation of peptides
auteur
Y. Coffinier, C. Olivier, A. Perzyna, B. Grandidier, X. Wallart, J.O. Durand, O. Melnyk, D. Stievenard
article
Abstracts of Papers - American Chemical Society, 2005, 229:U673, pp.U673 262-COLL Part 1
identifiant
hal-00126426
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BibTex
titre
Trichlorosilane isocyanate as coupling agent for mild conditions functionalization of silica-coated surfaces
auteur
N. Ardes-Guisot, J.O. Durand, M. Granier, A. Perzyna, Y. Coffinier, B. Grandidier, X. Wallart, D. Stievenard
article
Langmuir, American Chemical Society, 2005, 21, pp.9406-9408. ⟨10.1021/la051256r⟩
identifiant
hal-00126430
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BibTex
titre
Semicarbazide-functionalized Si(111) surfaces for the site-specific immobilization of peptides
auteur
Y. Coffinier, C. Olivier, A. Perzyna, B. Grandidier, X. Wallart, J.O. Durand, O. Melnyk, D. Stievenard
article
Langmuir, American Chemical Society, 2005, 21, pp.1489. ⟨10.1021/la047781s⟩
identifiant
hal-00126422
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BibTex
titre
Reaction pathways during the thermal conversion of polysiloxane precursors into oxycarbide ceramics
auteur
D. Bahloul-Hourlier, J. Latournerie, P. Dempsey
article
Journal of the European Ceramic Society, Elsevier, 2005, 25, pp.979-985. ⟨10.1016/j.jeurceramsoc.2004.05.012⟩
identifiant
hal-00247488
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BibTex
titre
Polysilsesquioxane derived ceramic foams with gradient porosity
auteur
J. Zeschky, T. Höfner, C. Arnold, R. Weißmann, D. Bahloul-Hourlier, M. Scheffler, P. Greil
article
Acta Materialia, Elsevier, 2005, 53, pp.927-937. ⟨10.1016/j.actamat.2004.10.039⟩
identifiant
hal-00247490
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BibTex
titre
Gel to glass transformation of methyltriethoxysilane : a silicon oxycarbide glass precursor investigated using vibrational spectroscopy
auteur
A. Desmartin-Chomel, P. Dempsey, J. Latournerie, D. Bahloul-Hourlier, U. Jayasooriya
article
Chemistry of Materials, American Chemical Society, 2005, 17, pp.4468-4473. ⟨10.1021/cm050501p⟩
identifiant
hal-00247491
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BibTex
titre
94 GHz high power performances of InAs0.4P0.6 channel HEMTs on InP
auteur
F. Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, Christophe Gaquière, D. Theron
article
Electronics Letters, IET, 2005, 41, pp.63-64
identifiant
hal-00126459
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BibTex
titre
Adsorption of n-alkanes on silicon nitride nanopowder
auteur
L.S. Cerovic, S.K. Milonjic, D. Bahloul-Hourlier
article
Journal of the American Ceramic Society, Wiley, 2005, 88, pp.1875-1878. ⟨10.1111/j.1551-2916.2005.00371.x⟩
identifiant
hal-00247489
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BibTex
titre
High In content pseudomorphic InGaAs layers for high mobility heterostructures on InP(001)
auteur
X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2005, 278, pp.516-520
identifiant
hal-00125354
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BibTex
titre
High mobility InGaAs/InAlAs pseudomorphic heterostructures on InP(001)
auteur
X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2005, 97, pp.053706-1-6
identifiant
hal-00125384
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BibTex
titre
As-P interface-sensitive GaInP/GaAs structures grown in a production MBE system
auteur
S. Dhellemmes, S. Godey, A. Wilk, X. Wallart, F. Mollot
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2005, 278, pp.564-568
identifiant
hal-00125361
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BibTex
titre
Molecular interactions of PTCDA on Si(100)
auteur
T. Soubiron, F. Vaurette, J.P. Nys, B. Grandidier, X. Wallart, D. Stievenard
article
Surface Science, Elsevier, 2005, 581, pp.178-188
identifiant
hal-00126421
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BibTex
titre
100-nm T-gate In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As DG-HEMTs with two separate gate controls
auteur
N. Wichmann, I. Duszynski, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2005, 26, pp.601-603
identifiant
hal-00125132
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BibTex
titre
Methyl radical beam sources for ultra high vacuum applications
auteur
T. Gehin, X. Wallart, D. Vignaud
article
physica status solidi (a), Wiley, 2005, 202, pp.2085-2090
identifiant
hal-00125390
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BibTex
titre
Performances and limitations of InAs/InAlAs metamorphic heterostructures on InP for high mobility devices
auteur
X. Wallart, J. Lastennet, D. Vignaud, F. Mollot
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2005, 87, pp.043504-1-3
identifiant
hal-00125389
Accès au bibtex
BibTex
titre
Dwell-time-limited coherence in open quantum dots
auteur
B. Hackens, S. Faniel, C. Gustin, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy, V. Bayot
article
Physical Review Letters, American Physical Society, 2005, 94, pp.146802-1-4
identifiant
hal-00125163
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BibTex
titre
High performances of InP channel power HEMT at 94 GHz
auteur
F. Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, Christophe Gaquière, D. Theron
article
Electronics Letters, IET, 2005, 41, pp.1406-1408
identifiant
hal-00154912
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BibTex
titre
Fabrication and characterization of 100-nm In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As double-gate HEMTs with two separate gate controls
auteur
N. Wichmann, I. Duszynski, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2005, 26, pp.601-603
identifiant
hal-00154894
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BibTex

Conference papers

titre
Power potentiality at 94 GHz of InP HEMTs with large band gap channels
auteur
F. Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, D. Theron
article
2005, pp.137-140
identifiant
hal-00154913
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BibTex
titre
Molecular interactions of PTCDA on Si(100) and H-Si(100) surfaces : towards self-assembled molecular nanocristals
auteur
F. Vaurette, T. Soubiron, B. Grandidier, J.P. Nys, X. Wallart, D. Stiévenard
article
Materials Research Society 2005 Fall Meeting, 2005, Boston, MA, United States
identifiant
hal-00126448
Accès au bibtex
BibTex
titre
HEMTs for millimeter and sub-millimeter waves applications
auteur
S. Bollaert, A. Cappy, G. Dambrine, I. Duszynski, Y. Roelens, A. Shchepetov, X. Wallart, A. Wieszt
article
GDR THz, 2005, Montpellier, France
identifiant
hal-00125314
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BibTex
titre
New HEMT structures for THz applications
auteur
A. Cappy, N. Wichmann, S. Bollaert, X. Wallart, Y. Roelens, A. Shchepetov, W. Knap
article
Device Research Conference, DRC 2005, 2005, Santa Barbara, CA, United States
identifiant
hal-00125315
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BibTex
titre
Interactions moléculaires de PTCDA sur Pd(111)
auteur
Maxime Berthe, J.P. Nys, B. Grandidier, X. Wallart, D. Stievenard
article
Forum des microscopies à champ proche, 2005, Anglet, France
identifiant
hal-00126445
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BibTex
titre
Growth of silicon nanowires over Au nanoparticles supported on high surface oxide substrates
auteur
D. Bahloul-Hourlier, D. Luxembourg, D. Stievenard, P. Marecot, A. Addad, E. Payen
article
NSF-CNRS-IFP Workshop - Future directions in catalysis : nanostructured catalysts, 2005, Lyon, France
identifiant
hal-00247493
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BibTex
titre
HEMT In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As double-grille de longueur 100nm
auteur
N. Wichmann, I. Duszynski, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy
article
Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France
identifiant
hal-00126724
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BibTex
titre
Technologie, simulation et caractérisation à T=300K de dispositifs balistiques de type GaInAs/AlInAs avec grille de commande
auteur
J.S. Galloo, C. Gardes, Z. Teukam, Y. Roelens, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy
article
Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France
identifiant
hal-00126725
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titre
HEMTs with InP and InAsP channel for 94 GHz applications
auteur
D. Theron, F. Medjdoub, M. Zaknoune, Christophe Gaquière, X. Wallart
article
14th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech'05, 2005, Smolenice, Slovakia
identifiant
hal-00126469
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titre
Semicarbazide-functionalized Si (111) surfaces for the site-specific immobilisation of peptides
auteur
Y. Coffinier, C. Olivier, A. Perzyna, B. Grandidier, X. Wallart, J.O. Durand, O. Melnyk, D. Stievenard
article
229th American Chemical Society National Meeting, 2005, San Diego, CA, United States
identifiant
hal-00126444
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titre
Nanotransistors pour émission THz
auteur
S. Bollaert, Y. Roelens, A. Shchepetov, X. Wallart, A. Cappy, J. Lusakowski, W. Knap, N. Dyakonova, M. Dyakonov
article
3èmes Journées THz, 2005, Aussois, France
identifiant
hal-00125897
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titre
Etude par simulation numérique des transferts de chaleur et de masse dans un réacteur de synthèse de nanopoudres
auteur
Mohamed Amara, M. El Ganaoui, D. Bahloul-Hourlier
article
Congrès Français de Thermique, SFT 2005 - Nouveaux défis dans le contexte du développement durable, 2005, Reims, France
identifiant
hal-00247492
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titre
Etude par simulation numérique d'un réacteur de synthèse de nanopoudres. Effets de l'écoulement
auteur
Mohamed Amara, M. El Ganaoui, D. Bahloul-Hourlier
article
17ème Congrès Français de Mécanique, 2005, Troyes, France
identifiant
hal-00247494
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titre
Apport de la thermodynamique dans la compréhension de la croissance des nanostructures 1D
auteur
D. Bahloul-Hourlier, P. Perrot
article
Journées thermodynamiques, 2005, Grenoble, France
identifiant
hal-00247495
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titre
Réalisation de transistors HEMTs AlInAs/GaInAs de 20nm de longueur de grille
auteur
I. Duszynski, N. Wichmann, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy
article
Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France
identifiant
hal-00126727
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titre
InP and InAsP channel HEMT for millimeter wave applications
auteur
D. Theron, F. Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, Christophe Gaquière
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2005, 2005, Miami, FL, United States
identifiant
hal-00126470
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titre
Metamorphic growth of InAs/InAlAs heterostructures on InP(001) substrates
auteur
X. Wallart, J. Lastennet, F. Mollot
article
13th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Euro-MBE, 2005, Grindelwald, Switzerland
identifiant
hal-00125392
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titre
High mobility InAs/AlInAs metamorphic heterostructures on InP (001)
auteur
X. Wallart, J. Lastennet, F. Mollot
article
2005, pp.94-97
identifiant
hal-00125391
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titre
Methyl radical beam sources for ultra high vacuum applications
auteur
T. Gehin, X. Wallart, D. Vignaud
article
Proceedings of the 10th International Workshop on Surface and Bulk Defects in CVD Diamond Films, 2005, Hasselt, Belgium
identifiant
hal-00131332
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titre
TEM characterisation of accumulation low Schottky barrier MOSFET with PtSi contacts
auteur
A. Laszcz, J. Katcki, J. Ratajczak, A. Czerwinski, E. Dubois, G. Larrieu, X. Wallart
article
School on Materials Science and Electron Microscopy, Microscopy of Tomorrow's Industrial Materials, 2005, Berlin, Germany
identifiant
hal-00138408
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Habilitation à diriger des recherches

titre
Contribution à l'étude de l'épitaxie d'hétérostructures à base de semi-conducteurs III-V phosphorés
auteur
Xavier Wallart
article
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2005
identifiant
tel-00012202
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https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00012202/file/manuscript_HDR_wallart.pdf BibTex

Other publications

titre
Contribution à l'épitaxie d'hétérostructures à base de semi-conducteurs III-V phosphorés
auteur
X. Wallart
article
2005
identifiant
hal-00126208
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2004

Journal articles

titre
InAlAs-InGaAs double-gate HEMTs on transferred substrate
auteur
N. Wichmann, I. Duszynski, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2004, 25, pp.354-356
identifiant
hal-00133868
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titre
Systematic structural characterization of the high-temperature behavior of nearly stoichiometric silicon oxycarbide glasses
auteur
H. Brequel, J. Parmentier, S. Walter, R. Badheka, G. Trimmel, Sylvie Masse, J. Latournerie, P. Dempsey, C. Turquat, A. Desmartin-Chomel, L. Neindre-Prum, U. Jayasooriya, D. Bahloul-Hourlier, J. Kleebe, G. Soraru, S. Enzo, F. Babonneau
article
Chemistry of Materials, American Chemical Society, 2004, 16, pp.2585-2598. ⟨10.1021/cm049847a⟩
identifiant
hal-00248020
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titre
Sign reversal and tunable rectification in a ballistic nanojunction
auteur
B. Hackens, L. Gence, C. Gustin, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy, V. Bayot
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2004, 85, pp.4508-4510
identifiant
hal-00133885
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titre
Transmission electron microscopy of iridium silicide contacts for advanced MOSFET structures with Schottky source and drain
auteur
A. Laszcz, J. Katcki, J. Ratajczak, G. Larrieu, E. Dubois, X. Wallart
article
Journal of Alloys and Compounds, Elsevier, 2004, 382, pp.24-28
identifiant
hal-00140977
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titre
Two-photon absorption in InP substrates in the 1.55 µm range
auteur
D. Vignaud, J.F. Lampin, F. Mollot
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2004, 85, pp.239-241
identifiant
hal-00140714
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titre
Characterisation of SiO2 transferred GaAs electroabsorption modulator for 850 nm radio over fibre systems based on multimode fibre
auteur
C. Lethien, J.P. Vilcot, J.F. Lampin, D. Vignaud, P. Miska, D. Decoster, F. Mollot
article
Electronics Letters, IET, 2004, 40, pp.169-170
identifiant
hal-00141173
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titre
Two-photon absorption in InP substrates in the 1.55 µm range
auteur
D. Vignaud, J.F. Lampin, F. Mollot
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2004, 85, pp.239
identifiant
hal-00018568
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Conference papers

titre
Caractérisation de films d'alcènes greffés sur des surfaces Si(111) par analyse XPS résolue angulairement
auteur
X. Wallart, C. Henry de Villeneuve, P. Allongue
article
2004, pp.152-157
identifiant
hal-00140723
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titre
Transmission Electron Microscopy analysis of MOSFET structures
auteur
A. Laszcz, J. Katcki, J. Ratajczak, E. Dubois, G. Larrieu, X. Wallart, Xing Tang
article
School on Materials Science and Electron Microscopy, Emerging Microscopy for Advanced Materials Development-Imaging and Spectroscopy on Atomic Scale, 2004, Berlin, Germany
identifiant
hal-00140997
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titre
Polysilsesquioxane derived ceramic foams with a gradient porosity
auteur
J. Zeschky, T. Höfner, C. Arnold, D. Bahloul-Hourlier, P. Greil
article
28th International Conference on Advanced Ceramics and Composites, 2004, Cocoa Beach, FL, United States
identifiant
hal-00248021
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titre
InAlAs/InGaAs double gate HEMTS with high extrinsic transconductance
auteur
N. Wichmann, I. Duszynski, T. Parenty, S. Bollaert, J. Mateos, X. Wallart, A. Cappy
article
2004, pp.295-298
identifiant
hal-00133877
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titre
High indium content pseudomorphic InGaAs layers for high mobility heterostructures on InP(001)
auteur
X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot
article
Proceedings of the 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE XIII, 2004, Edinburgh, Scotland, United Kingdom
identifiant
hal-00142074
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titre
Ballistic devices based on T-branch junctions and Y-branch junctions on GaInAs/AlInAs heterostructure
auteur
J.S. Galloo, Y. Roelens, S. Bollaert, E. Pichonat, X. Wallart, A. Cappy, J. Mateos, T. Gonzales
article
2004, pp.219-222
identifiant
hal-00133884
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titre
A computational model for the Si/C/N nanopowder
auteur
Mohamed Amara, M. El Ganaoui, D. Hourlier
article
21st International Congress of Theoretical and Applied Mechanics, ICTAM04, 2004, Warsaw, Poland
identifiant
hal-00248023
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titre
As–P interface-sensitive GaInP/GaAs structures grown in a production MBE system
auteur
S. Dhellemmes, S. Godey, A. Wilk, X. Wallart, F. Mollot
article
Proceedings of the 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE XIII, 2004, Edinburgh, Scotland, United Kingdom
identifiant
hal-00142073
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titre
Ballistic GaInAs/AlInAs devices technology and characterization at room temperature
auteur
J.S. Galloo, Y. Roelens, S. Bollaert, E. Pichonat, X. Wallart, A. Cappy, J. Mateos, T. Gonzales
article
2004, pp.98-100
identifiant
hal-00133881
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titre
Nano-powder ceramics synthesis by laser pyrolysis : numerical investigation
auteur
Mohamed Amara, M. El Ganaoui, D. Hourlier
article
First Symposium NITECH-CEC, 2004, Limoges, France
identifiant
hal-00248024
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titre
Fabrication and creep behavior of SiCN(O) nanocomposites
auteur
Mohamed Amara, R. Dez, Sylvie Foucaud, D. Bahloul-Hourlier, P. Goursat, Nathalie Herlin-Boime
article
4th International Symposium on Nitrides, 2004, Belgium. pp.281-285
identifiant
hal-00248025
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titre
100nm InAlAS/InGaAs double-gate HEMT using transferred substrate
auteur
N. Wichmann, I. Duszynski, S. Bollaert, J. Mateos, X. Wallart, A. Cappy
article
2004, pp.1023-1026
identifiant
hal-00133886
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titre
Modélisation de la synthèse des poudres de taille nanométrique Si/C/N par pyrolyse laser
auteur
Mohamed Amara, M. El Ganaoui, D. Hourlier
article
Congrès Français de Thermique, SFT 2004 - Transferts en milieux hétérogènes, 2004, Giens, France
identifiant
hal-00248022
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titre
Transition from ballistic to ohmic transport in T-branch junctions at room temperature in GaInAs/AlInAs heterostructures
auteur
J.S. Galloo, E. Pichonat, Y. Roelens, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy, J. Mateos, T. Gonzales, H. Boutry, V. Bayot, L. Berdnarz, S. Huynen
article
2004, pp.378-381
identifiant
hal-00133896
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titre
Technologie pour dispositifs AlInAs/GaInAs
auteur
J.S. Galloo, E. Pichonat, S. Bollaert, Y. Roelens, X. Wallart, A. Cappy
article
GDR Nanoélectronique, 2004, Aussois, France
identifiant
hal-00133917
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titre
Adsorption of PTCDA on Si(100) and Si(100)-H
auteur
T. Soubiron, F. Vaurette, B. Grandidier, X. Wallart, J.P. Nys, D. Stievenard
article
NSTI Nanotechnology Conference and Trade Show, 2004, United States. pp.3/383-386
identifiant
hal-00248093
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titre
Two-photon absorption in InP substrates in the 1.55 µm range
auteur
D. Vignaud, J.F. Lampin, F. Mollot
article
2004, pp.134-137
identifiant
hal-00140715
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titre
Characterization of As-P interface-sensitive GaInP/GaAs structures grown in a production MBE system
auteur
S. Dhellemmes, S. Godey, A. Wilk, X. Wallart, F. Mollot
article
2004, pp.159-162
identifiant
hal-00140719
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titre
Submicrometer InAlAs/InGaAs double-gate HEMT's on transferred substrate
auteur
N. Wichmann, I. Duszynski, T. Parenty, S. Bollaert, J. Mateos, X. Wallart, A. Cappy
article
2004, pp.215-218
identifiant
hal-00133903
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2003

Journal articles

titre
Influence of MBE growth conditions on the quality of InAlAs/InGaAs metamorphic HEMTs on GaAs
auteur
Y. Cordier, P. Lorenzini, J.M. Chauveau, D. FerrÉ, Y. Androussi, J. Di Persio, D. Vignaud, J.L. Codron
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2003, 251, pp.822
identifiant
hal-00018494
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titre
Influence of MBE growth conditions on the quality of InAlAs/InGaAs metamorphic HEMTs on GaAs
auteur
Y. Cordier, P. Lorenzini, J.M. Chauveau, D. FerrÉ, Y. Androussi, J. Dipersio, D. Vignaud, J.L. Codron
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2003, 251, pp.822-826
identifiant
hal-00146110
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titre
Formation of Pt-based silicide contacts : kinetics, stochiometry and current drive capabilities
auteur
G. Larrieu, E. Dubois, X. Wallart, X. Baie, J. Katcki
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2003, 94, pp.7801-7810
identifiant
hal-00146394
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titre
Long dephasing time and high temperature ballistic transport in an InGaAs quantum dot
auteur
B. Hackens, S. Faniel, F. Delfosse, C. Gustin, H. Boutry, S. Huynen, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy
article
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, Elsevier, 2003, 17, pp.143-146
identifiant
hal-00145986
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titre
Conduction band offset in the AlxGayIn1–x–yP/Ga0.52In0.48P system as studied by luminescence spectroscopy
auteur
D. Vignaud, F. Mollot
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2003, 93, pp.384-389
identifiant
hal-00146111
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titre
Experimental and theoretical investigation of the GaInAs surface reactivity to phosphorus
auteur
X. Wallart, C. Priester
article
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), American Physical Society, 2003, 68, pp.235314/1-10
identifiant
hal-00146112
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titre
An experimental and theoretical investigation of the GaInAs surface reactivity to phosphorus
auteur
X. Wallart, C. Priester
article
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), American Physical Society, 2003, 68, pp.235314
identifiant
hal-00018497
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titre
Conduction band offset in the AlxGayIn1–x–yP/Ga0.52In0.48P system as studied by luminescence spectroscopy
auteur
D. Vignaud, F. Mollot
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2003, 93, pp.394
identifiant
hal-00018496
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Conference papers

titre
Sub 0.1 µm – InP based HEMTs for high power and high frequency
auteur
D. Theron, F. Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, F. Dessenne, R. Fauquembergue, J.C. de Jaeger
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2003, 2003, Atlanta, GA, United States
identifiant
hal-00146719
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titre
HEMT technology for power applications at 94 GHz and above
auteur
F. Medjdoub, M. Zaknoune, X. Wallart, F. Dessenne, J.C. de Jaeger, D. Theron
article
12th European Workshop on Heterostructure Technology, heTech 2003, 2003, San Rafael, Spain
identifiant
hal-00146695
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titre
Amélioration du fmax des HEMTs InAlAs/InGaAs sur substrat d'InP de longueur de grille 70nm par optimisation de la structure de couche
auteur
I. Duszynski, T. Parenty, S. Bollaert, H. Happy, J. Mateos, X. Wallart, A. Cappy
article
2003, pp.2B1-1
identifiant
hal-00145993
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BibTex
titre
Performance of Pt-based low Schottky barrier silicide contacts on weakly doped silicon
auteur
G. Larrieu, E. Dubois, X. Wallart
article
2003, pp.D791-D796
identifiant
hal-00146405
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BibTex
titre
Double-gate HEMTs on transferred substrate
auteur
N. Wichmann, I. Duszynski, T. Parenty, S. Bollaert, J. Mateos, X. Wallart, A. Cappy
article
2003, pp.118-121
identifiant
hal-00145995
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BibTex
titre
Room temperature nonlinear transport in InGaAs/InAlAs based ballistic nanodevices
auteur
J. Mateos, B.G. Vasallo, D. Pardo, T. Gonzales, H. Boutry, B. Hackens, V. Bayot, L. Berdnarz, J.S. Galloo, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy
article
2003, pp.484-487
identifiant
hal-00145996
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BibTex
titre
Technological fabrication of nanometric GaInAs/AlInAs ballistic devices
auteur
J.S. Galloo, E. Pichonat, Y. Roelens, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy, J. Mateos, T. Gonzales, H. Boutry
article
Trends in NanoTechnology, TNT 2003, 2003, Salamanca, Spain
identifiant
hal-00146040
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BibTex
titre
Nonlinear electron transport in InGaAs/InAlaS ballistic devices
auteur
B. Hackens, L. Gence, S. Faniel, C. Gustin, H. Boutry, L. Berdnarz, S. Huynen, V. Bayot, X. Wallart, A. Cappy, J. Mateos, T. Gonzales
article
Trends in NanoTechnology, TNT 2003, 2003, Salamanca, Spain
identifiant
hal-00146041
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BibTex
titre
HEMT double grille sur substrat reporté
auteur
N. Wichmann, I. Duszynski, T. Parenty, S. Bollaert, J. Mateos, X. Wallart, A. Cappy
article
2003, pp.1D-1
identifiant
hal-00146011
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BibTex
titre
Transmission electron microscopy of iridium silicide contacts for advanced MOSFET structures with Schottky source and drain
auteur
A. Laszcz, J. Katcki, J. Ratajczak, G. Larrieu, E. Dubois, X. Wallart
article
European Materials Research Society Fall Meeting, 2003, Warsaw, Poland
identifiant
hal-00146424
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BibTex
titre
Fabrication of nano-ballistic devices using high resolution process
auteur
E. Pichonat, J.S. Galloo, Y. Roelens, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy, J. Mateos, T. Gonzales, H. Boutry, V. Bayot, L. Berdnarz
article
Trends in NanoTechnology, TNT 2003, 2003, Salamanca, Spain
identifiant
hal-00146012
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BibTex

Theses

titre
Caractérisation électro-optique de composants térahertz par échantillonnage Franz-Keldysh subpicoseconde
auteur
Ludovic Desplanque
article
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2003. Français
identifiant
tel-00012147
Accès au texte intégral et bibtex
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00012147/file/theseLD.pdf BibTex

2002

Journal articles

titre
Why do (2x4) GaAs and InAs (001) surfaces exposed to phosphorus have so different strain behavior ?
auteur
X. Wallart, C. Priester, D. Deresmes, T. Gehin, F. Mollot
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2002, 81, pp.1086-1088
identifiant
hal-00148649
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BibTex
titre
Electron lifetime of heavily Be-doped In0.53Ga0.47As as a function of growth temperature and doping density
auteur
D. Vignaud, J.F. Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2002, 80, pp.4151-4153
identifiant
hal-00148648
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BibTex
titre
Long dephasing time and high temperature conductance fluctuations in open InGaAs quantum dot
auteur
B. Hackens, F. Delfosse, S. Faniel, C. Gustin, H. Boutry, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy, V. Bayot
article
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), American Physical Society, 2002, 66, pp.241305/1-4
identifiant
hal-00147835
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BibTex
titre
A combined RHEED and photoemission comparison of the GaP and InP (001) (2x4) surface reconstructions
auteur
X. Wallart
article
Surface Science, Elsevier, 2002, 506, pp.203-212
identifiant
hal-00148651
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BibTex
titre
0.12µm transferred substrate InAlAs/InGaAs HEMTs on Silicon wafer
auteur
S. Bollaert, X. Wallart, S. Lepilliet, A. Cappy, E. Jalaguier, S. Pocas, B. Aspar
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2002, 25, pp.73-75
identifiant
hal-00147840
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BibTex
titre
A combined RHEED and photoemission comparison of the GaP and InP (001) (2x4) surface reconstructions
auteur
X. Wallart
article
Surface Science, Elsevier, 2002, 506, pp.203
identifiant
hal-00018492
Accès au bibtex
BibTex
titre
Electron lifetime of heavily Be-doped In0.53Ga0.47As as a function of growth temperature and doping density
auteur
D. Vignaud, J.F. Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2002, 80, pp.4151
identifiant
hal-00018489
Accès au bibtex
BibTex
titre
Why do (2x4) GaAs and InAs (001) surfaces exposed to phosphorus have so different strain behavior ?
auteur
X. Wallart, C. Priester, D. Deresmes, T. Gehin, F. Mollot
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2002, 81, pp.1060-1062
identifiant
hal-00018491
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Conference papers

titre
Luminescence de boites InAs obtenues par épitaxie par jets moléculaires sur des couches tampons métamorphiques InxAl1-xAs (0.33 = x = 0.52)
auteur
D. Vignaud, Y. Cordier, P. Miska, D. Ferre
article
Journée thématique Boites quantiques pour les télécommunications optiques, 2002, Rennes, France
identifiant
hal-00148672
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BibTex
titre
Luminescence properties of InAs dots grown by molecular beam epitaxy on metamorphic InxAl1-xAs (0.33 < x < 0.52) buffer layers
auteur
D. Vignaud, Y. Cordier, P. Miska, D. FerrÉ
article
28th International Symposium on Compound Semiconductors, 2002, Japan. pp.537-542
identifiant
hal-00250216
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BibTex
titre
HEMT's design for applications beyond 100GHz
auteur
S. Bollaert, T. Parenty, X. Wallart, H. Happy, G. Dambrine, A. Cappy
article
2002, pp.45-48
identifiant
hal-00147832
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titre
AlInAs/GaInAs HEMTs for power amplification at 60 GHz
auteur
M. Zaknoune, X. Wallart, F. Medjdoub, M. Ardouin, B. Bonte, D. Theron, J.C. de Jaeger
article
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2002, 2002, Austin, TX, United States
identifiant
hal-00149711
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titre
Some key features of the Ga1-xInxAs surface reactivity to phosphorus
auteur
X. Wallart, C. Priester, D. Deresmes, F. Mollot
article
2002, pp.107-108
identifiant
hal-00148666
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titre
Etude de la réactivité des surfaces d'alliages GaInAs (100) à un flux de phosphore
auteur
X. Wallart, C. Priester, D. Deresmes, F. Mollot
article
9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, Saint Aygulf, France
identifiant
hal-00148676
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titre
Etude expérimentale et théorique de la réactivité des surfaces InAs et GaAs (100) à un flux de phosphore
auteur
C. Priester, X. Wallart
article
Réunion du GDR RELAX, 2002, Paris, France
identifiant
hal-00148674
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titre
On the role of strains, surface reconstruction and morphology on interface intermixing during III-V heterostructure growth
auteur
C. Priester, X. Wallart
article
Proceedings of the 2002 Materials Research Society Fall Meeting, 2002, Boston, MA, United States
identifiant
hal-00149955
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titre
Réalisation de transistors InAlAs/InGaAs sur substrats reportés
auteur
I. Duszynski, N. Wichmann, S. Bollaert, X. Wallart, S. Lepilliet, A. Cappy, E. Jalaguier
article
Actes des 9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, St Aygulf, France
identifiant
hal-00147827
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titre
Improvement of the high frequency performance of HEMTs by bufferless technology
auteur
J. Mateos, T. Gonzales, D. Pardo, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy
article
2002, pp.173-176
identifiant
hal-00147849
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titre
Mesures de temps de vie des électrons dans In0.53Ga0.47As dopé Be en fonction de la température de croissance et du dopage
auteur
D. Vignaud, J.F. Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot
article
9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, Saint-Aygulf, France
identifiant
hal-00148671
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titre
Long dephasing time and high temperature ballistic transport in an InGaAs open quantum dot
auteur
Y. Roelens, B. Hackens, S. Faniel, C. Gustin, H. Boutry, S. Huynen, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy
article
International Conference on Superlattices Nano-structures and Nano-devices, ICSNN-02, 2002, Toulouse, France
identifiant
hal-00147857
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titre
Electron lifetime of heavily Be-doped In0.53Ga0.47As as a function of growth temperature and doping density
auteur
D. Vignaud, J.F. Lampin, E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot
article
2002, pp.503-506
identifiant
hal-00148650
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titre
0.12µm gate length In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs on transferred substrate
auteur
S. Bollaert, X. Wallart, S. Lepilliet, A. Cappy, E. Jalaguier, S. Pocas, B. Aspar, J. Mateos
article
2002, pp.101-105
identifiant
hal-00152950
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2001

Journal articles

titre
Relationship between surface reconstruction and morphology of strained Ga1-xInxP layers grown on GaP(001) by gas source molecular beam epitaxy
auteur
X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2001, 78, pp.2961-2963
identifiant
hal-00152078
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titre
Bonding in skutterudites : combined experimental and theoretical characterization of CoSb3
auteur
I. Lefebvre-Devos, M. Lassalle, X. Wallart, J. Olivier-Fourcade, L. Monconduit, J.C. Jumas
article
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), American Physical Society, 2001, 63, 12, pp.125110/1-7
identifiant
hal-00018591
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titre
Relationship between surface reconstruction and morphology of strained Ga1-xInxP layers grown on GaP(001) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy
auteur
X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2001, 78, pp.2961
identifiant
hal-00018480
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titre
A 0.15µm 60GHz high-power composite channel GaInAs/InP HEMT with low gate current
auteur
M. Boudrissa, E. Delos, X. Wallart, D. Théron
article
IEEE Electron Device Letters, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2001, 22, pp.257-259
identifiant
hal-00152592
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titre
Bonding in skutterudites : combined experimental and theoretical characterization of CoSb3
auteur
I. Lefebvre-Devos, M. Lassalle, X. Wallart, J. Olivier-Fourcade, L. Monconduit, J.C. Jumas
article
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), American Physical Society, 2001, 63, pp.125110/1-7
identifiant
hal-00152540
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titre
Silicon nitride as an effective protection against oxidation of a TiNi thin film in high temperature oxidizing air environment at atmospheric pressure
auteur
I. Roch, L. Buchaillot, X. Wallart, D. Collard
article
Journal of Vacuum Science and Technology B, 2001, B19, pp.305-307
identifiant
hal-00152461
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titre
Growth of strained Ga1-xInxP layers on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy : similarities and differences with the growth of strained arsenides
auteur
X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2001, 227, pp.255-259
identifiant
hal-00152087
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titre
Growth of strained GaSub 1-xIn Sub x players on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy similarities and differences with the growth of strained arsenides
auteur
X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot
article
Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2001, 227-228, pp.255
identifiant
hal-00018481
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Conference papers

titre
Les structures métamorphiques AlInAs/GaInAs sur substrat GaAs : croissance et applications
auteur
Y. Cordier, M. Zaknoune, S. Bollaert, M. Boudrissa, E. Lefebvre, P. Miska, D. Vignaud, F. Mollot, A. Cappy, S. Trudel, D. Ferre, Y. Androussi, J. Dipersio
article
20ème Séminaire National sur l'Epitaxie par Jets Moléculaires, EJM 2001, 2001, St Aygulf, France
identifiant
hal-00152677
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titre
HEMT structures and technology on GaAs and InP for power amplification in millimeter wave range
auteur
D. Theron, Y. Cordier, X. Wallart, S. Bollaert, M. Zaknoune, B. Bonte, Christophe Gaquière, M Rousseau, F. Mollot, A. Cappy, R. Fauquembergue, J.C. de Jaeger
article
2001, pp.53-56
identifiant
hal-00152625
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titre
Propriétés de nanostructures InAs réalisées par épitaxie par jets moléculaires sur des couches tampons AlInAs et GaInAs désadaptées sur substrat GaAs
auteur
Y. Cordier, P. Miska, D. Vignaud, D. Ferre
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152090
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titre
A 60 GHz high power composite channel GaInAs/InP HEMT on InP substrate with Lg=0.15 µm
auteur
M. Boudrissa, E. Delos, X. Wallart, D. Theron, J.C. de Jaeger
article
2001, pp.196-199
identifiant
hal-00152622
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titre
60 GHz 420 mW/mm low gate current GaInAs/InP composite channel HEMT on InP substrate
auteur
M. Boudrissa, E. Delos, X. Wallart, D. Theron, J.C. de Jaeger
article
XXV Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2001, 2001, Cagliari, Sardinia, Italy
identifiant
hal-00152631
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titre
70nm gate InP-based HEMTs with high ft and fmax
auteur
T. Parenty, S. Bollaert, J. Mateos, X. Wallart, A. Cappy
article
11th European Heterostructure Technology Workshop, HETECH 01, 2001, Padova, Italy
identifiant
hal-00151776
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titre
Design and realization of sub-100nm gate length HEMTs
auteur
T. Parenty, S. Bollaert, J. Mateos, X. Wallart, A. Cappy
article
2001, pp.626-629
identifiant
hal-00151761
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titre
Performances en puissance à 60 GHz du HEMT à canal composite GaInAs/InP sur substrat InP avec LG = 0.15 µm
auteur
M. Boudrissa, E. Delos, X. Wallart, D. Theron, J.C. de Jaeger
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152915
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titre
0.12 µm gate length InAlAs/InGaAs HEMTs on transferred substrate
auteur
S. Bollaert, X. Wallart, S. Lepilliet, A. Cappy, E. Jalaguier, S. Pocas, V. Aspar, J. Mateos-Lopez
article
2001, pp.171-174
identifiant
hal-00151762
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titre
Shape memory alloys for microsystems
auteur
I. Roch, P. Delobelle, X. Wallart, D. Collard, L. Buchaillot
article
2001, pp.417-422
identifiant
hal-00152468
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titre
Evaluation de composants de la filière phosphure pour applications à 60 GHz
auteur
B. Bonte, M. Zaknoune, F. Mollot, X. Wallart, D. Theron
article
8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France
identifiant
hal-00152676
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titre
Influence du dopage dans les transistors HEMT à canal composite pour amplification de puissance en ondes millimétriques
auteur
D. Theron, M. Boudrissa, E. Delos, X. Wallart, J.C. de Jaeger
article
Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France
identifiant
hal-00152653
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2000

Journal articles

titre
Comparison between TiAl and TiAlNiAu ohmic contacts to n-type GaN
auteur
B. Boudart, S. Trassaert, X. Wallart, J.C. Pesant, O. Yaradou, D. Theron, Y. Crosnier, H. Lahreche, F. Omnes
article
Journal of Electronic Materials, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2000, 29, pp.603-606
identifiant
hal-00158984
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titre
Strained layer growth of Ga1-xInxP on GaAs (100) and GaP (100) substrates
auteur
X. Wallart, F. Mollot
article
Applied Surface Science, Elsevier, 2000, 166, pp.446-450
identifiant
hal-00158444
Accès au bibtex
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titre
Composition effect on the growth mode, strain relaxation and critical thickness of tensile Ga1-xInxP layers
auteur
X. Wallart, O. Schuler, D. Deresmes, F. Mollot
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2000, 76, pp.2080-2082
identifiant
hal-00158231
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titre
Interplay between segregation, roughness and local strains in the growth of Ga0.75In0.25P alloy
auteur
X. Wallart, C. Priester, D. Deresmes, F. Mollot
article
Applied Physics Letters, American Institute of Physics, 2000, 77, pp.253-255
identifiant
hal-00158232
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Conference papers

titre
HEMT structures on GaAs or InP substrates for millimeter wave power amplification
auteur
D. Theron, Y. Cordier, X. Wallart, S. Bollaert, M. Zaknoune, M. Boudrissa, B. Bonte, Christophe Gaquière, F. Mollot, A. Cappy, R. Fauquembergue, J.C. de Jaeger
article
24th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE'2000, 2000, Aegean Sea, Greece
identifiant
hal-00159030
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titre
Fabrication process of shape memory alloy thin films for microactuation
auteur
I. Roch, L. Buchaillot, X. Wallart
article
Proceedings of the 2000 International Conference on Shape Memory and Superelastic Technologies, SMST-2000, 2000, Pacific Grove, CA, United States
identifiant
hal-00158518
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titre
Conduction band offset at the (AIxGa1-x)yIn1-y/Ga0.52In0.48P interface : a photoluminescence study
auteur
D. Vignaud, F. Mollot
article
Proceedings of the 11th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE XI, 2000, Beijing, China
identifiant
hal-00158221
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BibTex
titre
Alloys effects in skutterudites compounds : theoretical calculations and experimental validations for CoSb3 and Fe0.5Ni0.5Sb3
auteur
M. Lassalle, I. Lefebvre-Devos, X. Wallart, J. Olivier-Fourcade, L. Monconduit
article
2000, pp.B-4
identifiant
hal-00158949
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titre
Growth of strained Ga1-xInxP layers on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy : comparison with the GaInAs/GaAs system
auteur
X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot
article
2000, pp.231-234
identifiant
hal-00158442
Accès au bibtex
BibTex
titre
Croissance d'alliages GaInP contraints par épitaxie à jets moléculaires à sources gazeuses
auteur
X. Wallart, C. Priester, D. Deresmes, F. Mollot
article
13ème Séminaire National sur l'Epitaxie par Jets Moléculaires, EJM 2000, 2000, Saint Aygulf, France
identifiant
hal-00158441
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titre
Growth of strained Ga1-xInxP layers on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy : similarities and differences with the growth of strained arsenides
auteur
X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot
article
2000, pp.255-259
identifiant
hal-00158443
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titre
AlGaInP barrier layer grown by gas source molecular beam epitaxy for V-band AlGaInP/InGaAs/GaAs power pseudomorphic HEMT
auteur
M. Zaknoune, O. Schuler, X. Wallart, S. Piotrowicz, F. Mollot, D. Theron, Y. Crosnier
article
2000, pp.353-356
identifiant
hal-00159004
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1999

Conference papers

titre
Etude du contact ohmique Ti/Al/Ni/Au sur n-GaN pour applications hyperfréquences et haute température de TECs de puissance
auteur
B. Boudart, S. Trassaert, Xavier Wallart, J.C. Pesant, L Fugère, Didier Theron, Y. Crosnier
article
7es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1999, Egat, France
identifiant
hal-01654466
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1998

Conference papers

titre
Etude du contact Ti/Al/Ni/Au sur GaN
auteur
S. Trassaert, B. Boudart, Xavier Wallart, J.C. Pesant, L Fugère, Didier Theron, Y. Crosnier
article
GDR Matériaux Grand Gap, 1998, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-01654461
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BibTex
titre
Study of the Ti/Al/Ni/Au ohmic contact on n-GaN for high temperature applications
auteur
S. Trassaert, B. Boudart, Xavier Wallart, Didier Theron, Y. Crosnier
article
8th European Workshop on Heterostructure Technology (HETECH), 1998, Cardiff, United Kingdom
identifiant
hal-01654296
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1997

Conference papers

titre
Projets et premiers résultats de modélisation et de technologie dans la filière HEMT GaN
auteur
Didier Theron, F. Dessenne, R. Fauquembergue, X. Hue, B. Boudart, Xavier Wallart, J. Laurens, Monique Constant
article
GDR Matériaux Grand Gap, 1997, Sophia Antipolis, France
identifiant
hal-01654458
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1994

Conference papers

titre
Single Barrier Varactor for harmonic multiplication
auteur
Olivier Tanguy, Patrice Salzenstein, Patrick Mounaix, Xavier Wallart, Didier Lippens
article
1994
identifiant
hal-00077679
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titre
GaAs basse température : de la croissance à la réalisation de composants MISFETs
auteur
Didier Theron, B. Boudart, Christophe Robert, Xavier Wallart, Y. Druelle
article
5es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1994, Ecully, France
identifiant
hal-01654453
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1993

Journal articles

titre
Temperature measurements of LT GaAs diodes
auteur
R. Westphalen, B. Boudart, Didier Theron, X. Wallart, Y. Druelle, Y. Crosnier
article
Materials Science and Engineering: B, Elsevier, 1993, 22 (1), pp.78 - 81. ⟨10.1016/0921-5107(93)90227-E⟩
identifiant
hal-01647734
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Conference papers

titre
Growth of low temperature GaAs on GaAs under different conditions
auteur
Didier Théron, B. Boudart, R. Westphalen, Xavier Wallart, Y. Druelle
article
3rd European Workshop on Heterostructure Technology (HETECH), 1993, Villeneuve d'Ascq, France
identifiant
hal-01654281
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BibTex
titre
Temperature measurements of LT-GaAs diodes
auteur
R. Westphalen, B. Boudart, Didier Theron, Xavier Wallart, Y. Druelle, Y. Crosnier
article
European Materials Research Society, 1993, Strasbourg, France
identifiant
hal-01648117
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