2025

Journal articles

titre

Toluene, styrene and methyl-ethyl-ketone inhalation: Effects on the power of cortical oscillations in rats

auteur

E. Bernal Meléndez, Thomas Venet, A. Thomas, S. Boucard, L. Guenot, L. Merlen, S. Grossmann, E. Joubert, M. Mascherin, S. Viton, L. Wathier, F. Cosnier, Benoit Pouyatos

article

NeuroToxicology, 2025, 110, pp.31-41. ⟨10.1016/j.neuro.2025.07.001⟩

identifiant

hal-05261580

DOI

DOI : 10.1016/j.neuro.2025.07.001

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Conference papers

titre

Design of a High-Power Amplifier Using Wilkinson Power Divider/Combiner for S-band Applications

auteur

Paula Akossiwa Atchike, Ahmed El Oualkadi, Pascal Dherbécourt, Eric Joubert

article

2025 33rd Mediterranean Conference on Control and Automation (MED), Jun 2025, Tangier, France. pp.532-535, ⟨10.1109/MED64031.2025.11073528⟩

identifiant

hal-05186030

DOI

DOI : 10.1109/MED64031.2025.11073528

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2022

Journal articles

titre

A novel methodology to characterize LGA packaged GaN power transistors using a mother/daughter board configuration for the reliability qualification in the mild hybrid applications

auteur

Chawki Douzi, Moncef Kadi, Moncef Kadi, Pascal Dherbécourt, Mohamed Akram Besserour, Eric Joubert, François Fouquet

article

Microelectronics Reliability, 2022, 138, pp.114777. ⟨10.1016/j.microrel.2022.114777⟩

identifiant

hal-03882052

DOI

DOI : 10.1016/j.microrel.2022.114777

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titre

PHM method for detecting degradation of GaN HEMT ON resistance, application to power converter

auteur

H. Boulzazen, Chawki Douzi, Eric Joubert, Pascal Dherbécourt, Moncef Kadi, François Fouquet

article

e-Prime – Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, 2022, 2, pp.100060. ⟨10.1016/j.prime.2022.100060⟩

identifiant

hal-03872112

DOI

DOI : 10.1016/j.prime.2022.100060

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titre

A time to failure evaluation of AlGaN/GaN HEMT transistors for RF applications

auteur

Olivier Latry, Niemat Moultif, Eric Joubert, Mohamed Ndiaye

article

e-Prime – Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, 2022, 2, pp.100062. ⟨10.1016/j.prime.2022.100062⟩

identifiant

hal-04877849

DOI

DOI : 10.1016/j.prime.2022.100062

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2021

Journal articles

titre

Reliability and failure analysis in power GaN-HEMTs during S-band pulsed-RF operating

auteur

Niemat Moultif, Sébastien Duguay, O. Latry, M. Ndiaye, Eric Joubert

article

Microelectronics Reliability, 2021, 126, pp.114295. ⟨10.1016/j.microrel.2021.114295⟩

identifiant

hal-03469148

DOI

DOI : 10.1016/j.microrel.2021.114295

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titre

Reliability Assessment Of AlGaN/GaN HEMTs on the SiC Substrate Under the RF Stress

auteur

Niemat Moultif, Olivier Latry, Eric Joubert, Mohamed Ndiaye, Christian Moreau, Jean-Francois Goupy, Patrick Carton

article

IEEE Transactions on Power Electronics, 2021, 36 (7), pp.7442-7450. ⟨10.1109/TPEL.2020.3042133⟩

identifiant

hal-03174499

DOI

DOI : 10.1109/TPEL.2020.3042133

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2020

Journal articles

titre

Physical Study of SiC Power MOSFETs Towards HTRB Stress Based on C-V Characteristics

auteur

Wadia Jouha, Mohamed Lamine Masmoudi, Ahmed El Oualkadi, Eric Joubert, Pascal Dherbécourt

article

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2020, 20 (3), pp.506-511. ⟨10.1109/TDMR.2020.2999029⟩

identifiant

hal-03174373

DOI

DOI : 10.1109/TDMR.2020.2999029

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titre

In‐depth analysis of the static behaviour of a SiC MOSFET and of its associated parameters using both compact modelling and physical simulation

auteur

Wadia Jouha, Ahmed El Oualkadi, Pascal Dherbécourt, Mohamed Lamine Masmoudi, Joubert Eric

article

IET Circuits, Devices & Systems, 2020, 14 (2), pp.222-228. ⟨10.1049/iet-cds.2018.5509⟩

identifiant

hal-04355283

DOI

DOI : 10.1049/iet-cds.2018.5509

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2019

Journal articles

titre

Thermal Analysis of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors Using I–V Pulsed Characterizations and Infra Red Microscopy

auteur

Niemat Moultif, Andres Echeverri, Dominique Carisetti, O. Latry, Eric Joubert

article

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2019, 19 (4), pp.704-710. ⟨10.1109/TDMR.2019.2950091⟩

identifiant

hal-02614080

DOI

DOI : 10.1109/TDMR.2019.2950091

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titre

An Improved SPICE Model for the Study of Electro-thermal Static Behavior for two New Generations of SiC MOSFET

auteur

Wadia Jouha, Pascal Dherbécourt, Ahmed El Oualkadi, Eric Joubert, Mohamed Lamine Masmoudi

article

International Journal of Information Science & Technology, 2019, ⟨10.57675/IMIST.PRSM/ijist-v3i1.44⟩

identifiant

hal-02295925

DOI

DOI : 10.57675/IMIST.PRSM/ijist-v3i1.44

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titre

S-band pulsed-RF operating life test on AlGaN/GaN HEMT devices for radar application

auteur

Niemat Moultif, O. Latry, Mamadou Ndiaye, Tristan Neveu, Eric Joubert, C. Moreau, J-F. Goupy

article

Microelectronics Reliability, 2019, 100-101, pp.113434. ⟨10.1016/j.microrel.2019.113434⟩

identifiant

hal-02380186

DOI

DOI : 10.1016/j.microrel.2019.113434

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Books

titre

An Extraction Method of SiC Power MOSFET Threshold Voltage

auteur

W. Jouha, A. El Oualkadi, Pascal Dherbécourt, Joubert Eric, Mohamed Lamine Masmoudi

article

Springer International Publishing, pp.11-20, 2019, Advances in Science, Technology & Innovation, ⟨10.1007/978-3-030-05276-8_2⟩

identifiant

hal-04815347

DOI

DOI : 10.1007/978-3-030-05276-8_2

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2018

Journal articles

titre

Silicon Carbide Power MOSFET Model: An Accurate Parameter Extraction Method Based on the Levenberg–Marquardt Algorithm

auteur

Wadia Jouha, Ahmed El Oualkadi, Pascal Dherbécourt, Eric Joubert, Mohamed Lamine Masmoudi

article

IEEE Transactions on Power Electronics, 2018, 33 (11), pp.9130-9133. ⟨10.1109/TPEL.2018.2822939⟩

identifiant

hal-02177905

DOI

DOI : 10.1109/TPEL.2018.2822939

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Conference papers

titre

Temperature estimation of high-electron mobility transistors AlGaN/GaN

auteur

O. Latry, Eric Joubert, Tristan Neveu, Niemat Moultif, Mohamed Ndiaye

article

2018 19th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON), May 2018, Marrakech, France. pp.265-268, ⟨10.1109/MELCON.2018.8379105⟩

identifiant

hal-02131183

DOI

DOI : 10.1109/MELCON.2018.8379105

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titre

SiC MOSFET robustness to ESD study: Correlation between electrical and spectral photo-emission characterizations

auteur

Niemat Moultif, Eric Joubert, Olivier Latry

article

2018 19th IEEE Mediterranean Electrotechnical Conference (MELECON), May 2018, Marrakech, France. pp.260-264, ⟨10.1109/MELCON.2018.8379104⟩

identifiant

hal-02181679

DOI

DOI : 10.1109/MELCON.2018.8379104

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2017

Journal articles

titre

Localizing and analyzing defects in AlGaN/GaN HEMT using photon emission spectral signatures

auteur

Niemat Moultif, Alexis Divay, Eric Joubert, O. Latry

article

Engineering Failure Analysis, 2017, 81, pp.69 - 78. ⟨10.1016/j.engfailanal.2017.07.014⟩

identifiant

hal-01766076

DOI

DOI : 10.1016/j.engfailanal.2017.07.014

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titre

Characterization of HTRB stress effects on SiC MOSFETs using photon emission spectral signatures

auteur

Niemat Moultif, Eric Joubert, Mohamed Lamine Masmoudi, O. Latry

article

Microelectronics Reliability, 2017, 76-77, pp.243 - 248. ⟨10.1016/j.microrel.2017.07.013⟩

identifiant

hal-01765955

DOI

DOI : 10.1016/j.microrel.2017.07.013

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Conference papers

titre

An Extraction Method of SiC Power MOSFET Threshold Voltage

auteur

Ahmed Eloualkaki, Pascal Dherbécourt, Eric Joubert, Mohamed Lamine Masmoudi, Wadia Jouha

article

3rd International Conference on Electrical and Information Technologies, Nov 2017, Rabat, Morocco. ⟨10.1007/978-3-030-05276-8_2⟩

identifiant

hal-02295944

DOI

DOI : 10.1007/978-3-030-05276-8_2

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titre

A new extraction method of SiC power MOSFET threshold voltage using a physical approach

auteur

Wadia Jouha, Ahmed El Oualkadi, Pascal Dherbécourt, Eric Joubert, Mohamed Lamine Masmoudi

article

2017 International Conference on Electrical and Information Technologies (ICEIT), Nov 2017, Rabat, France. pp.1-6, ⟨10.1109/EITech.2017.8255289⟩

identifiant

hal-02177925

DOI

DOI : 10.1109/EITech.2017.8255289

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titre

Characterization of ESD stress effects on SiC MOSFETs using photon emission spectral signatures

auteur

Niemat Moultif, Eric Joubert, Mohamed Lamine Masmoudi, O. Latry

article

2017 Annual Reliability and Maintainability Symposium (RAMS), Jan 2017, Orlando, France. ⟨10.1109/ram.2017.7889732⟩

identifiant

hal-01765953

DOI

DOI : 10.1109/ram.2017.7889732

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Book sections

titre

Reliability Study of High-Power Mechatronic Components by Spectral Photoemission Microscopy

auteur

Niemat Moultif, Alexis Divay, Eric Joubert, O. Latry

article

Reliability of High-Power Mechatronic Systems 2, Elsevier, pp.241--271, 2017, ⟨10.1016/b978-1-78548-261-8.50008-5⟩

identifiant

hal-01927247

DOI

DOI : 10.1016/b978-1-78548-261-8.50008-5

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titre

Reliability and Qualification Tests for High-Power MOSFET Transistors

auteur

Niemat Moultif, Mohamed Lamine Masmoudi, Eric Joubert, O. Latry

article

Reliability of High-Power Mechatronic Systems 2, Elsevier, pp.155--197, 2017, ⟨10.1016/b978-1-78548-261-8.50005-x⟩

identifiant

hal-01927246

DOI

DOI : 10.1016/b978-1-78548-261-8.50005-x

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2016

Journal articles

titre

Reliability Study of Mechatronic Power Components Using Spectral Photon Emission Microscopy

auteur

Niemat Moultif, Eric Joubert, O. Latry

article

Advanced Electromagnetics, 2016, 5 (3), pp.20. ⟨10.7716/aem.v5i3.380⟩

identifiant

hal-02177964

DOI

DOI : 10.7716/aem.v5i3.380

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Conference papers

titre

Static behavior analysis of silicon carbide power MOSFET for temperature variations

auteur

Wadia Jouha, Pascal Dherbécourt, Eric Joubert, Ahmed El Oualkadi

article

2016 International Conference on Electrical and Information Technologies (ICEIT), May 2016, Tangiers, Morocco. pp.276-280, ⟨10.1109/EITech.2016.7519605⟩

identifiant

hal-02173722

DOI

DOI : 10.1109/EITech.2016.7519605

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Poster communications

titre

Analyse par électroluminescence des dégradations de transistor MOSFET en SiC

auteur

Tien Anh Nguyen, Echeverri Andres, Mbarek Safa, Niemat Moultif, Pascal Dherbécourt, O. Latry, Eric Joubert

article

Symposium de Génie Electrique 2016 - SGE2016, Jun 2016, Grenoble, France

identifiant

hal-01696225

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2015

Journal articles

titre

Temperature and Dilatation Estimation for Modern Semiconductor Devices

auteur

Eric Joubert, O. Latry, Jean-Philippe Roux

article

Sensors & Transducers., 2015, 184 (1), pp.130-135

identifiant

hal-02178029

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Book sections

titre

Internal Temperature Measurement of Electronic Components

auteur

Eric Joubert, Olivier Latry, Pascal Dherbécourt, Maxime Fontaine, Christian Gautier, Hubert Polaert, Philippe Eudeline

article

Abdelkhalak El Hami & Philippe Pougnet (Eds). Embedded Mechatronic Systems 1, Elsevier, pp.165-184, 2015, 978-1-78548-013-3. ⟨10.1016/B978-1-78548-013-3.50007-3⟩

identifiant

hal-02173702

DOI

DOI : 10.1016/B978-1-78548-013-3.50007-3

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2008

Journal articles

titre

Comparison of different feedback signals used in one stage PMD compensators for different modulation formats

auteur

Guillaume Ducournau, O. Latry, E. Joubert, M. Ketata

article

IEEE Transactions on Communications, 2008, 56, pp.1722-1728. ⟨10.1109/TCOMM.2008.060476⟩

identifiant

hal-00356948

DOI

DOI : 10.1109/TCOMM.2008.060476

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2006

Journal articles

titre

The chemistry of DeNOx reactions over Pt/Al2O3: the oxime route to N2 or N2O.

auteur

E. Joubert, Xavier Courtois, Patrice Marecot, Christine Canaff, Daniel Duprez

article

Journal of Catalysis, 2006, 243 (2), pp.252-262. ⟨10.1016/j.jcat.2006.07.018⟩

identifiant

hal-00289455

DOI

DOI : 10.1016/j.jcat.2006.07.018

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2003

Journal articles

titre

Magnetic susceptibility of P+N junctions in correlation with the nature of silicon substrate: crystalline or pre-amorphised

auteur

M. Abdelaoui, M. Idrissi-Benzohra, E. Joubert, M. Benzohra, F. Olivié, M. Ketata

article

Materials Science and Engineering: B, 2003, 102 (1-3), pp.370-375. ⟨10.1016/S0921-5107(02)00623-2⟩

identifiant

hal-02138087

DOI

DOI : 10.1016/S0921-5107(02)00623-2

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