2020
Journal articles
- titre
- Physical Study of SiC Power MOSFETs Towards HTRB Stress Based on C-V Characteristics
- auteur
- Wadia Jouha, Mohamed Lamine Masmoudi, Ahmed El Oualkadi, Eric Joubert, Pascal Dherbécourt
- article
- IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2020, 20 (3), pp.506-511. ⟨10.1109/TDMR.2020.2999029⟩
- identifiant
- hal-03174373
- DOI
- DOI : 10.1109/TDMR.2020.2999029
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-
- titre
- RF performance reliability of power N‐LDMOS under pulsed‐RF aging life test in radar application S‐band
- auteur
- Mohamed Ali Belaïd, Ahmed Almusallam, Mohamed Lamine Masmoudi
- article
- IET Circuits, Devices & Systems, 2020, 14 (6), pp.805-810. ⟨10.1049/iet-cds.2019.0552⟩
- identifiant
- hal-04355267
- DOI
- DOI : 10.1049/iet-cds.2019.0552
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-
-
- titre
- Genetic insights into recolonization processes of Mediterranean octocorals
- auteur
- Didier Aurelle, Juliette Tariel-Adam, F. Zuberer, A. Haguenauer, C. Ribout, M. Masmoudi, H. Kara, L. Chaoui, J. Garrabou, J.-B. Ledoux, M. C Gambi
- article
- Marine Biology, 2020, 167 (6), pp.73. ⟨10.1007/s00227-020-03684-z⟩
- identifiant
- hal-02569518
- DOI
- DOI : 10.1007/s00227-020-03684-z
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-
- titre
- In‐depth analysis of the static behaviour of a SiC MOSFET and of its associated parameters using both compact modelling and physical simulation
- auteur
- Wadia Jouha, Ahmed El Oualkadi, Pascal Dherbécourt, Mohamed Lamine Masmoudi, Joubert Eric
- article
- IET Circuits, Devices & Systems, 2020, 14 (2), pp.222-228. ⟨10.1049/iet-cds.2018.5509⟩
- identifiant
- hal-04355283
- DOI
- DOI : 10.1049/iet-cds.2018.5509
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2019
Journal articles
- titre
- An Improved SPICE Model for the Study of Electro-thermal Static Behavior for two New Generations of SiC MOSFET
- auteur
- Wadia Jouha, Pascal Dherbécourt, Ahmed El Oualkadi, Eric Joubert, Mohamed Lamine Masmoudi
- article
- International Journal of Information Science & Technology, 2019, ⟨10.57675/IMIST.PRSM/ijist-v3i1.44⟩
- identifiant
- hal-02295925
- DOI
- DOI : 10.57675/IMIST.PRSM/ijist-v3i1.44
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-
Conference papers
- titre
- New Technologies of Power Transistors for Efficiency Increase of Power Converters: The Reliability Consideration
- auteur
- Pascal Dherbécourt, Ahmed El Oualkadi, Eric Joubert, Al Mehdi Bouchour, Wadia Jouha, Mohamed Lamine Masmoudi, Olivier Latry
- article
- Third International Conference on Computing and Wireless Communication Systems, ICCWCS 2019, April 24-25, 2019, Faculty of Sciences, Ibn Tofaïl University -Kénitra- Morocco, Apr 2019, Kenitra, France. ⟨10.4108/eai.24-4-2019.2284211⟩
- identifiant
- hal-04879309
- DOI
- DOI : 10.4108/eai.24-4-2019.2284211
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-
Books
- titre
- An Extraction Method of SiC Power MOSFET Threshold Voltage
- auteur
- W. Jouha, A. El Oualkadi, Pascal Dherbécourt, Joubert Eric, Mohamed Lamine Masmoudi
- article
- Springer International Publishing, pp.11-20, 2019, Advances in Science, Technology & Innovation, ⟨10.1007/978-3-030-05276-8_2⟩
- identifiant
- hal-04815347
- DOI
- DOI : 10.1007/978-3-030-05276-8_2
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-
2018
Journal articles
- titre
- Silicon Carbide Power MOSFET Model: An Accurate Parameter Extraction Method Based on the Levenberg–Marquardt Algorithm
- auteur
- Wadia Jouha, Ahmed El Oualkadi, Pascal Dherbécourt, Eric Joubert, Mohamed Lamine Masmoudi
- article
- IEEE Transactions on Power Electronics, 2018, 33 (11), pp.9130-9133. ⟨10.1109/TPEL.2018.2822939⟩
- identifiant
- hal-02177905
- DOI
- DOI : 10.1109/TPEL.2018.2822939
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-
2017
Journal articles
- titre
- Characterization of HTRB stress effects on SiC MOSFETs using photon emission spectral signatures
- auteur
- Niemat Moultif, Eric Joubert, Mohamed Lamine Masmoudi, O. Latry
- article
- Microelectronics Reliability, 2017, 76-77, pp.243 - 248. ⟨10.1016/j.microrel.2017.07.013⟩
- identifiant
- hal-01765955
- DOI
- DOI : 10.1016/j.microrel.2017.07.013
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-
Conference papers
- titre
- A new extraction method of SiC power MOSFET threshold voltage using a physical approach
- auteur
- Wadia Jouha, Ahmed El Oualkadi, Pascal Dherbécourt, Eric Joubert, Mohamed Lamine Masmoudi
- article
- 2017 International Conference on Electrical and Information Technologies (ICEIT), Nov 2017, Rabat, France. pp.1-6, ⟨10.1109/EITech.2017.8255289⟩
- identifiant
- hal-02177925
- DOI
- DOI : 10.1109/EITech.2017.8255289
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-
- titre
- An Extraction Method of SiC Power MOSFET Threshold Voltage
- auteur
- Ahmed Eloualkaki, Pascal Dherbécourt, Eric Joubert, Mohamed Lamine Masmoudi, Wadia Jouha
- article
- 3rd International Conference on Electrical and Information Technologies, Nov 2017, Rabat, Morocco. ⟨10.1007/978-3-030-05276-8_2⟩
- identifiant
- hal-02295944
- DOI
- DOI : 10.1007/978-3-030-05276-8_2
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-
- titre
- Characterization of ESD stress effects on SiC MOSFETs using photon emission spectral signatures
- auteur
- Niemat Moultif, Eric Joubert, Mohamed Lamine Masmoudi, O. Latry
- article
- 2017 Annual Reliability and Maintainability Symposium (RAMS), Jan 2017, Orlando, France. ⟨10.1109/ram.2017.7889732⟩
- identifiant
- hal-01765953
- DOI
- DOI : 10.1109/ram.2017.7889732
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Book sections
- titre
- Reliability and Qualification Tests for High-Power MOSFET Transistors
- auteur
- Niemat Moultif, Mohamed Lamine Masmoudi, Eric Joubert, O. Latry
- article
- Reliability of High-Power Mechatronic Systems 2, Elsevier, pp.155--197, 2017, ⟨10.1016/b978-1-78548-261-8.50005-x⟩
- identifiant
- hal-01927246
- DOI
- DOI : 10.1016/b978-1-78548-261-8.50005-x
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-
2016
Journal articles
- titre
- Gate Oxide Degradation of SiC MOSFET under Short-Circuit Aging Tests
- auteur
- S. Mbarek, F. Fouquet, Pascal Dherbécourt, Mohamed Lamine Masmoudi, O. Latry
- article
- Microelectronics Reliability, 2016, 64, pp.415-418. ⟨10.1016/j.microrel.2016.07.132⟩
- identifiant
- hal-01954256
- DOI
- DOI : 10.1016/j.microrel.2016.07.132
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-
Conference papers
- titre
- Study of different algorithms and models for trapping effect extraction
- auteur
- Alexis Divay, Mohamed Lamine Masmoudi, O. Latry, Cédric Duperrier, Farid Temcamani, Philippe Eudeline
- article
- 2016 21st International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications (MIKON), May 2016, Krakow, France. ⟨10.1109/MIKON.2016.7491990⟩
- identifiant
- hal-01740879
- DOI
- DOI : 10.1109/MIKON.2016.7491990
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-
2015
Journal articles
-
- titre
- An athermal measurement technique for long traps characterization in GaN HEMT transistors.
- auteur
- A Divay, Mohamed Lamine Masmoudi, Olivier Latry, C Duperrier, Farid Temcamani
- article
- Microelectronics Reliability, 2015, 55, pp.1703-1707. ⟨10.1016/j.microrel.2015.06.074⟩
- identifiant
- hal-01341768
- DOI
- DOI : 10.1016/j.microrel.2015.06.074
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-
Conference papers
-
- titre
- An athermal measurement technique for long time constants traps characterization in GaN HEMT transistors
- auteur
- Alexis Divay, Mohamed Lamine Masmoudi, Olivier Latry, Cédric Duperrier, Farid Temcamani
- article
- ESREF 2015, Oct 2015, Toulouse, France
- identifiant
- hal-01230925
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-
2010
Journal articles
- titre
- A 5000h RF life test on 330 W RF-LDMOS transistors for radars applications
- auteur
- O. Latry, Pascal Dherbécourt, K. Mourgues, H. Maanane, P. Sipma, F. Cornu, P. Eudeline, Mohamed Lamine Masmoudi
- article
- Microelectronics Reliability, 2010, 50 (9-11), pp.1574-1576. ⟨10.1016/j.microrel.2010.07.086⟩
- identifiant
- hal-02267399
- DOI
- DOI : 10.1016/j.microrel.2010.07.086
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-
2005
Conference papers
-
- titre
- RELIABILITY STUDY OF POWER RF LDMOS DEVICES UNDER THERMAL STRESS
- auteur
- M.A Belaïd, K. Ketata, K. Mourgues, M. Gares, M. Masmoudi, J. Marcon
- article
- THERMINIC 2005, Sep 2005, Belgirate, Lago Maggiore, Italy. pp.38-42
- identifiant
- hal-00189450
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2002
Journal articles
- titre
- On Quantization of Quadratic Poisson Structures
- auteur
- D. Manchon, M. Masmoudi, A. Roux
- article
- Communications in Mathematical Physics, 2002, 225 (1), pp.121-130. ⟨10.1007/s002201000575⟩
- identifiant
- hal-03045221
- DOI
- DOI : 10.1007/s002201000575
- Accès au bibtex
-
