2025

Journal articles

titre

Boron distribution in two-phase superconducting silicon-on-insulator by atom probe tomography

auteur

P. Dumas, Sébastien Duguay, Didier Blavette, M. Opprecht, S. Kerdilès, F. Lefloch, F. Nemouchi

article

Journal of Applied Physics, 2025, 138 (5), pp.053901. ⟨10.1063/5.0264354⟩

identifiant

hal-05201223

DOI

DOI : 10.1063/5.0264354

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titre

Microstructural and emission properties induced by Na incorporation in pure sulphide CIGS absorber

auteur

Richel Dongmo, Rémi Demoulin, Nicolas Barreau, Léo Choubrac, Fabien Pineau, Etienne Talbot, Sébastien Duguay

article

Journal of Alloys and Compounds, In press, 1037, pp.182582. ⟨10.1016/j.jallcom.2025.182582⟩

identifiant

hal-05221794

DOI

DOI : 10.1016/j.jallcom.2025.182582

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Conference papers

titre

Early-life drift mechanism investigation of 150nm GaN-on-SiC HEMT RF under accelerated DC test

auteur

El Mehdi Meknassi, Niemat Moultif, Sébastien Duguay, Benoit Lambert, Gabriel Bertao, Olivier Latry

article

ESREF 2025 - 36th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis, 2025, Université de Bordeaux, ADERA, Oct 2025, Bordeaux, France

identifiant

hal-05323093

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2023

Journal articles

titre

Atom probe tomography of hyper-doped Ge layers synthesized by Sb in-diffusion by pulsed laser melting

auteur

Samba Ndiaye, Sébastien Duguay, François Vurpillot, Chiara Carraro, Gianluigi Maggioni, Enrico Di Russo, Davide de Salvador, Enrico Napolitani, Lorenzo Rigutti

article

Materials Science in Semiconductor Processing, 2023, 164 (11), pp.107641. ⟨10.1016/j.mssp.2023.107641⟩

identifiant

hal-04125505

DOI

DOI : 10.1016/j.mssp.2023.107641

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titre

Ultrahigh Incorporation of Tin in SiSn Nanowires Grown via In-Plane Solid-Liquid-Solid Mechanism

auteur

Edy Azrak, Zhaoguo Xue, Shuai Liu, Wanghua Chen, Celia Castro, Sébastien Duguay, Philippe Pareige, Linwei Yu, Pere Roca i Cabarrocas

article

Applied Surface Science, 2023, 618, pp.156637. ⟨10.1016/j.apsusc.2023.156637⟩

identifiant

hal-04310644

DOI

DOI : 10.1016/j.apsusc.2023.156637

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titre

Synthesis of relaxed Ge0.9Sn0.1/Ge by nanosecond pulsed laser melting

auteur

Enrico Di Russo, Francesco Sgarbossa, Pierpaolo Ranieri, Gianluigi Maggioni, Samba Ndiaye, Sébastien Duguay, François Vurpillot, Lorenzo Rigutti, Jean-Luc Rouvière, Vittorio Morandi, Davide de Salvador, Enrico Napolitani

article

Applied Surface Science, 2023, 612, pp.155817. ⟨10.1016/j.apsusc.2022.155817⟩

identifiant

hal-03885778

DOI

DOI : 10.1016/j.apsusc.2022.155817

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2022

Journal articles

titre

Investigation of Sn-containing precursors for in-plane GeSn nanowire growth

auteur

Lulu Zheng, Edy Azrak, Ruiling Gong, Celia Castro, Sébastien Duguay, Philippe Pareige, Pere Roca I Cabarrocas, Wanghua Chen

article

Journal of Alloys and Compounds, 2022, 899, pp.163273. ⟨10.1016/j.jallcom.2021.163273⟩

identifiant

hal-03595536

DOI

DOI : 10.1016/j.jallcom.2021.163273

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titre

Uphill phosphorus diffusion in carbon co-implanted silicon

auteur

P. Dumas, Sébastien Duguay, F. Hilario, A. Gauthier, Didier Blavette

article

Journal of Applied Physics, 2022, 131 (11), pp.115102. ⟨10.1063/5.0074682⟩

identifiant

hal-03616394

DOI

DOI : 10.1063/5.0074682

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titre

Composition of Carbon Clusters in Implanted Silicon Using Atom Probe Tomography

auteur

Paul Dumas, Sébastien Duguay, Julien Borrel, Fanny Hilario, Didier Blavette

article

Microscopy and Microanalysis, 2022, 28, pp.994-997. ⟨10.1017/S1431927621012800⟩

identifiant

hal-03468019

DOI

DOI : 10.1017/S1431927621012800

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Habilitation à diriger des recherches

titre

La sonde atomique tomographique pour l’étude des dispositifs semi-conducteurs et des procédés

auteur

Sébastien Duguay

article

Instrumentations et Détecteurs [physics.ins-det]. Université de Rouen Normandie, 2022

identifiant

tel-05577222

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2021

Journal articles

titre

Reliability and failure analysis in power GaN-HEMTs during S-band pulsed-RF operating

auteur

Niemat Moultif, Sébastien Duguay, O. Latry, M. Ndiaye, Eric Joubert

article

Microelectronics Reliability, 2021, 126, pp.114295. ⟨10.1016/j.microrel.2021.114295⟩

identifiant

hal-03469148

DOI

DOI : 10.1016/j.microrel.2021.114295

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titre

Controlling solid–liquid–solid GeSn nanowire growth modes by changing deposition sequences of a-Ge:H layer and SnO 2 nanoparticles

auteur

Ruiling Gong, Edy Azrak, Celia Castro, Sébastien Duguay, Philippe Pareige, Pere Roca I Cabarrocas, Wanghua Chen

article

Nanotechnology, 2021, 32 (34), pp.345602. ⟨10.1088/1361-6528/abfc72⟩

identifiant

hal-03249563

DOI

DOI : 10.1088/1361-6528/abfc72

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titre

Low temperature carbon co-implantation in silicon: Defects suppression and diffusion modeling

auteur

P. Dumas, P.-L. Julliard, J. Borrel, Sébastien Duguay, F. Hilario, F. Deprat, V. Lu, W. Zhao, W Zou, E. Arevalo, Didier Blavette

article

Journal of Applied Physics, 2021, 129 (19), pp.195706. ⟨10.1063/5.0049782⟩

identifiant

hal-03249547

DOI

DOI : 10.1063/5.0049782

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titre

Atom probe tomography quantification of carbon in silicon

auteur

P. Dumas, Sébastien Duguay, J. Borrel, F. Hilario, Didier Blavette

article

Ultramicroscopy, 2021, 220, pp.113153. ⟨10.1016/j.ultramic.2020.113153⟩

identifiant

hal-03249568

DOI

DOI : 10.1016/j.ultramic.2020.113153

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2020

Journal articles

titre

Hydrogen Plasma-Assisted Growth of Gold Nanowires

auteur

Ruiling Gong, Zhen Zheng, Junyang An, Jean-Luc Maurice, Edy Azrak, Vishnu Nair, Antonino Foti, Simona Moldovan, Chantal Karam, Sébastien Duguay, Philippe Pareige, Bozhi Tian, Wanghua Chen, Pere Roca I Cabarrocas

article

Crystal Growth & Design, 2020, 20 (6), pp.4185-4192. ⟨10.1021/acs.cgd.0c00480⟩

identifiant

hal-03030277

DOI

DOI : 10.1021/acs.cgd.0c00480

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titre

Heavy Alkali Treatment of Cu(In,Ga)Se 2 Solar Cells: Surface versus Bulk Effects

auteur

Susanne Siebentritt, Enrico Avancini, Marcus Bär, Jakob Bombsch, Emilie Bourgeois, Stephan Buecheler, Romain Carron, Celia Castro, Sébastien Duguay, Roberto Felix, Evelyn Handick, Dimitrios Hariskos, Ville Havu, Philip Jackson, Hannu‐pekka Komsa, Thomas Kunze, Maria Malitckaya, Roberto Menozzi, Milos Nesladek, Nicoleta Nicoara, Martti Puska, Mohit Raghuwanshi, Philippe Pareige, Sascha Sadewasser, Giovanna Sozzi, Ayodhya Nath Tiwari, Shigenori Ueda, Arantxa Vilalta-Clemente, Thomas Paul Weiss, Florian Werner, Regan Wilks, Wolfram Witte, Max Hilaire Wolter

article

Advanced Energy Materials, 2020, pp.1903752. ⟨10.1002/aenm.201903752⟩

identifiant

hal-02461969

DOI

DOI : 10.1002/aenm.201903752

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titre

Low-Temperature Plasma-Assisted Growth of Core–Shell GeSn Nanowires with 30% Sn

auteur

Edy Azrak, Wanghua Chen, Simona Moldovan, Sébastien Duguay, Philippe Pareige, Pere Roca I Cabarrocas

article

Journal of Physical Chemistry C, 2020, 124 (1), pp.1220-1226. ⟨10.1021/acs.jpcc.9b10444⟩

identifiant

hal-02433462

DOI

DOI : 10.1021/acs.jpcc.9b10444

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2019

Journal articles

titre

Evidence of Mg segregation to threading dislocation in normally-off GaN-HEMT

auteur

Sébastien Duguay, Andres Echeverri, Celia Castro, Olivier Latry

article

IEEE Transactions on Nanotechnology, 2019, 18, pp.995-998. ⟨10.1109/TNANO.2019.2942400⟩

identifiant

hal-02299201

DOI

DOI : 10.1109/TNANO.2019.2942400

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titre

3D atomic-scale investigation of carbon segregation in phosphorus co-implanted silicon

auteur

P. Dumas, Sébastien Duguay, J. Borrel, A. Gauthier, E. Ghegin, Didier Blavette

article

Applied Physics Letters, 2019, 115 (13), pp.132103. ⟨10.1063/1.5121629⟩

identifiant

hal-02298943

DOI

DOI : 10.1063/1.5121629

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titre

Effect of the thermal annealing and the nominal composition in the elemental distribution of InxAl1-xAsySb1-y for triple junction solar cells

auteur

J. Hernández-Saz, M. Herrera, J. Pizarro, M. Gonzalez, J. Abell, R. Walters, P.L. Galindo, Sébastien Duguay, S. Molina

article

Journal of Alloys and Compounds, 2019, 792, pp.1021-1027. ⟨10.1016/j.jallcom.2019.04.119⟩

identifiant

hal-02108138

DOI

DOI : 10.1016/j.jallcom.2019.04.119

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titre

Influence of RbF post deposition treatment on heterojunction and grain boundaries in high efficient (21.1%) Cu(In,Ga)Se2 solar cells

auteur

Mohit Raghuwanshi, Arantxa Vilalta-Clemente, Celia Castro, Sébastien Duguay, Emmanuel Cadel, Philip Jackson, Dimitrios Hariskos, Wolfram Witte, Philippe Pareige

article

Nano Energy, 2019, 60, pp.103-110. ⟨10.1016/j.nanoen.2019.03.028⟩

identifiant

hal-02108142

DOI

DOI : 10.1016/j.nanoen.2019.03.028

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titre

Atomic-Scale Characterization of N-Doped Si Nanocrystals Embedded in SiO2 by Atom Probe Tomography

auteur

Rémi Demoulin, Manuel Roussel, Sébastien Duguay, Dominique Muller, Daniel Mathiot, Philippe Pareige, Etienne Talbot

article

Journal of Physical Chemistry C, 2019, 123 (12), pp.7381-7389. ⟨10.1021/acs.jpcc.8b08620⟩

identifiant

hal-02082140

DOI

DOI : 10.1021/acs.jpcc.8b08620

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Conference papers

titre

Characterization of p-type Doping in Silicon Nanocrystals Embedded in SiO 2

auteur

Rémi Demoulin, Manuel Roussel, Sébastien Duguay, D. Muller, D. Mathiot, Philippe Pareige, Etienne Talbot

article

Microscopy & Microanalysis 2019, Aug 2019, Portland, United States. pp.2540-2541, ⟨10.1017/S1431927619013436⟩

identifiant

hal-02294165

DOI

DOI : 10.1017/S1431927619013436

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Patents

titre

GESN ALLOY NANOFILAMENTS, PREPARATION, AND USES

auteur

Pere Roca I Cabarrocas Roca I Cabarrocas, Wanghua Chen, Sébastien Duguay, Philippe Pareige, Edy Azrak

article

France, N° de brevet: WO2019166486. 2019

identifiant

hal-02303270

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2018

Journal articles

titre

Growth of In-Plane Ge 1– x Sn x Nanowires with 22 at. % Sn Using a Solid–Liquid–Solid Mechanism

auteur

Edy Azrak, Wanghua Chen, Simona Moldovan, Shiwen Gao, Sébastien Duguay, Philippe Pareige, Pere Roca I Cabarrocas

article

Journal of Physical Chemistry C, 2018, 122 (45), pp.26236-26242. ⟨10.1021/acs.jpcc.8b07142⟩

identifiant

hal-02108143

DOI

DOI : 10.1021/acs.jpcc.8b07142

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titre

Influence of the growth temperature on the composition distribution at sub-nm scale of InAlAsSb for solar cells

auteur

J. Hernández-Saz, M. Herrera, J. Pizarro, P.L. Galindo, M. Gonzalez, J. Abell, J. Walters, S.I. Molina, Sébastien Duguay

article

Journal of Alloys and Compounds, 2018, 763, pp.1005-1011. ⟨10.1016/j.jallcom.2018.05.333⟩

identifiant

hal-02108144

DOI

DOI : 10.1016/j.jallcom.2018.05.333

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titre

Assessment of High Sn Incorporation in Ge NanoWires Synthesized via In Plane Solid-Liquid-Solid Mechanism by In-Situ TEM

auteur

Simona Moldovan, Edy Azrak, Wanghua Chen, Shiwen Gao, Sébastien Duguay, Philippe Pareige, Pere Roca I Cabarrocas

article

Microscopy and Microanalysis, 2018, 24 (S1), pp.306-307. ⟨10.1017/S1431927618002027⟩

identifiant

hal-02183481

DOI

DOI : 10.1017/S1431927618002027

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titre

Atom probe tomography for advanced nanoelectronic devices: Current status and perspectives

auteur

J. Barnes, A. Grenier, I. Mouton, S. Barraud, G. Audoit, J. Bogdanowicz, C. Fleischmann, D. Melkonyan, W. Vandervorst, Sébastien Duguay, Nicolas Rolland, François Vurpillot, D. Blavette

article

Scripta Materialia, 2018, 148, pp.91 - 97. ⟨10.1016/j.scriptamat.2017.05.012⟩

identifiant

hal-01765929

DOI

DOI : 10.1016/j.scriptamat.2017.05.012

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titre

Rubidium distribution at atomic scale in high efficient Cu(In,Ga)Se2thin-film solar cells

auteur

Arantxa Vilalta-Clemente, Mohit Raghuwanshi, Sébastien Duguay, Celia Castro, Emmanuel Cadel, Philippe Pareige, Philip Jackson, Roland Wuerz, Dimitrios Hariskos, Wolfram Witte

article

Applied Physics Letters, 2018, 112 (10), pp.103105. ⟨10.1063/1.5020805⟩

identifiant

hal-01929133

DOI

DOI : 10.1063/1.5020805

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2017

Journal articles

titre

Influence of Na on grain boundary and properties of Cu(In,Ga)Se 2 solar cells

auteur

Mohit Raghuwanshi, Emmanuel Cadel, Sébastien Duguay, Ludovic Arzel, Nicolas Barreau, Philippe Pareige

article

Progress in Photovoltaics, 2017, 25 (5), pp.367 - 375. ⟨10.1002/pip.2869⟩

identifiant

hal-01720935

DOI

DOI : 10.1002/pip.2869

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titre

New Atom Probe Tomography Reconstruction Algorithm for Multilayered Samples: Beyond the Hemispherical Constraint

auteur

Nicolas Rolland, François Vurpillot, Sébastien Duguay, Baishakhi Mazumder, James Speck, Didier Blavette

article

Microscopy and Microanalysis, 2017, 23 (02), pp.247 - 254. ⟨10.1017/s1431927617000253⟩

identifiant

hal-01766098

DOI

DOI : 10.1017/s1431927617000253

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2016

Journal articles

titre

Atom-Scale Compositional Distribution in InAlAsSb-Based Triple Junction Solar Cells by Atom Probe Tomography

auteur

J Hernández-Saz, M Herrera, F J Delgado, Sébastien Duguay, T Philippe, M Gonzalez, J Abell, R J Walters, S I Molina

article

Nanotechnology, 2016, 27 (30), pp.305402. ⟨10.1088/0957-4484/27/30/305402⟩

identifiant

hal-01954209

DOI

DOI : 10.1088/0957-4484/27/30/305402

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titre

Atom Probe Tomography Analysis of InAlGaAs Capped InAs/GaAs Stacked Quantum Dots with Variable Barrier Layer Thickness

auteur

J. Hernández-Saz, M. Herrera, S.I. Molina, C.R. Stanley, Sébastien Duguay

article

Acta Materialia, 2016, 103, pp.651-657. ⟨10.1016/j.actamat.2015.10.048⟩

identifiant

hal-01954206

DOI

DOI : 10.1016/j.actamat.2015.10.048

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titre

Investigation of dopant clustering and segregation to defects in semiconductors using atom probe tomography

auteur

D. Blavette, Sébastien Duguay

article

Journal of Applied Physics, 2016, 119 (18), pp.181502. ⟨10.1063/1.4948238⟩

identifiant

hal-01928847

DOI

DOI : 10.1063/1.4948238

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titre

Accuracy of analyses of microelectronics nanostructures in atom probe tomography

auteur

François Vurpillot, Nicolas Rolland, Robert Estivill, Sébastien Duguay, D. Blavette

article

Semiconductor Science and Technology, 2016, 31 (7), pp.074002. ⟨10.1088/0268-1242/31/7/074002⟩

identifiant

hal-01928850

DOI

DOI : 10.1088/0268-1242/31/7/074002

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Conference papers

titre

Combining TEM and APT for a Better Understanding of Super High Efficiency Cu(In,Ga)Se2 Thin Film Solar Cells

auteur

Celia Castro, Mohit Raghuwanshi, Philippe Pareige, Sébastien Duguay, Emmanuel Cadel, Wolfram Witte, Philip Jackson, Dimitrios Hariskos, Friedrich Kessler, Stephan Buecheler, Romain Carron, Enrico Avancini, Benjamin Bissig, Ayodhya Tiwari

article

European Microscopy Society Congress 2016, Dec 2016, Lyon, France. pp.914-915, ⟨10.1002/9783527808465.EMC2016.6800⟩

identifiant

hal-01954234

DOI

DOI : 10.1002/9783527808465.EMC2016.6800

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titre

Atom‐Probe Tomography and Nanosciences

auteur

Didier Blavette, Isabelle Mouton, Sébastien Duguay

article

European Microscopy Congress 2016: Proceedings, Aug 2016, Lyon, France

identifiant

hal-02108167

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2015

Journal articles

titre

Influence of boron clustering on the emitter quality of implanted silicon solar cells: An atom probe tomography study

auteur

Mohit Raghuwanshi, Adeline Lanterne, Jérôme Le Perchec, Philippe Pareige, Emmanuel Cadel, Samuel Gall, Sébastien Duguay

article

Progress in Photovoltaics, 2015, 23 (12), pp.1724--1733. ⟨10.1002/pip.2607⟩

identifiant

hal-01929136

DOI

DOI : 10.1002/pip.2607

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titre

Effect of doping on the morphology of GaSb/GaAs nanostructures for solar cells

auteur

N. Fernández-Delgado, M. Herrera, S.I. Molina, Celia Castro, Sébastien Duguay, S. James, A. Krier

article

Applied Surface Science, 2015, 359, pp.676-678. ⟨10.1016/j.apsusc.2015.10.161⟩

identifiant

hal-02111986

DOI

DOI : 10.1016/j.apsusc.2015.10.161

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titre

Quantitative analysis of Si/SiGeC superlattices using atom probe tomography

auteur

Robert Estivill, Adeline Grenier, Sébastien Duguay, François Vurpillot, Tanguy Terlier, Jean-Paul Barnes, Jean-Michel Hartmann, Didier Blavette

article

Ultramicroscopy, 2015, 159, pp.223-231. ⟨10.1016/j.ultramic.2015.03.014⟩

identifiant

hal-02107589

DOI

DOI : 10.1016/j.ultramic.2015.03.014

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titre

A Meshless Algorithm to Model Field Evaporation in Atom Probe Tomography

auteur

Nicolas Rolland, François Vurpillot, Sébastien Duguay, Didier Blavette

article

Microscopy and Microanalysis, 2015, 21 (6), pp.1649-1656. ⟨10.1017/S1431927615015184⟩

identifiant

hal-02107013

DOI

DOI : 10.1017/S1431927615015184

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titre

Dynamic evolution and fracture of multilayer field emitters in atom probe tomography: a new interpretation

auteur

Nicolas Rolland, François Vurpillot, Sébastien Duguay, Didier Blavette

article

European Physical Journal: Applied Physics, 2015, 72 (2), pp.21001. ⟨10.1051/epjap/2015150233⟩

identifiant

hal-02107622

DOI

DOI : 10.1051/epjap/2015150233

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titre

Atomic scale characterization of SiO2/4H-SiC interfaces in MOSFETs devices

auteur

Anna Maria Beltrán, Sébastien Duguay, Christian Strenger, Anton J Bauer, Fuccio Cristiano, Sylvie Schamm-Chardon

article

Solid State Communications, 2015, 221, pp.28-32. ⟨10.1016/j.ssc.2015.08.017⟩

identifiant

hal-01720451

DOI

DOI : 10.1016/j.ssc.2015.08.017

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titre

3D compositional analysis at atomic scale of InAlGaAs capped InAs/GaAs QDs

auteur

J. Hernández-Saz, M. Herrera, S.I. Molina, C.R. Stanley, Sébastien Duguay

article

Scripta Materialia, 2015, 103, pp.73-76. ⟨10.1016/j.scriptamat.2015.03.013⟩

identifiant

hal-02177759

DOI

DOI : 10.1016/j.scriptamat.2015.03.013

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titre

An analytical model accounting for tip shape evolution during atom probe analysis of heterogeneous materials

auteur

Nicolas Rolland, D. J. Larson, B. P. Geiser, Sébastien Duguay, François Vurpillot, D. Blavette

article

Ultramicroscopy, 2015, 159, pp.195--201. ⟨10.1016/j.ultramic.2015.03.010⟩

identifiant

hal-01928854

DOI

DOI : 10.1016/j.ultramic.2015.03.010

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titre

Three dimensional imaging and analysis of a single nano-device at the ultimate scale using correlative microscopy techniques

auteur

A. Grenier, Sébastien Duguay, J. P. Barnes, R. Serra, Nicolas Rolland, G. Audoit, P. Morin, P. Gouraud, D. Cooper, D. Blavette, François Vurpillot

article

Applied Physics Letters, 2015, 106 (21), pp.213102. ⟨10.1063/1.4921352⟩

identifiant

hal-01928856

DOI

DOI : 10.1063/1.4921352

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titre

Quantitative investigation of SiGeC layers using atom probe tomography

auteur

Robert Estivill, Adeline Grenier, Sébastien Duguay, François Vurpillot, Tanguy Terlier, Jean Paul Barnes, Jean Michel Hartmann, Didier Blavette

article

Ultramicroscopy, 2015, 150, pp.23--29. ⟨10.1016/j.ultramic.2014.11.020⟩

identifiant

hal-01928855

DOI

DOI : 10.1016/j.ultramic.2014.11.020

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Conference papers

titre

Synthèse et analyse de nanoparticules de silicium dans une couche mince diélectrique par dépôt chimique en phase vapeur – Synthèse et dopage de nanoparticules par implantation et co-implantation ionique dans une matrice de silicium et de SiO2

auteur

G. Ferblantier, F. Ehrhardt, C. Ulhaq-Bouillet, A. Slaoui, D. Muller, Y. Le Gall, S. Duguay, D. Mathiot

article

Journées du GdR NACRE, 2015, Oléron, France

identifiant

hal-05489132

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2014

Journal articles

titre

Influence of grain boundary modification on limited performance of wide bandgap Cu(In,Ga)Se2solar cells

auteur

M. Raghuwanshi, E. Cadel, Philippe Pareige, S. Duguay, F. Couzinie-Devy, L. Arzel, N. Barreau

article

Applied Physics Letters, 2014, 105 (1), pp.013902. ⟨10.1063/1.4890001⟩

identifiant

hal-01929138

DOI

DOI : 10.1063/1.4890001

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titre

Extended Defects Formation in Nanosecond Laser-Annealed Ion Implanted Silicon

auteur

Yang Qiu, Fuccio Cristiano, Karim Huet, Fulvio Mazzamuto, Giuseppe Fisicaro, Antonino La Magna, Maurice Quillec, Nikolay Cherkashin, Huiyuan Wang, Sébastien Duguay, Didier Blavette

article

Nano Letters, 2014, 14 (4), pp.1769-1775. ⟨10.1021/nl4042438⟩

identifiant

hal-01659180

DOI

DOI : 10.1021/nl4042438

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titre

3D analysis of advanced nano-devices using electron and atom probe tomography

auteur

A. Grenier, Sébastien Duguay, J. P. Barnes, R. Serra, G. Haberfehlner, D. Cooper, F. Bertin, S. Barraud, G. Audoit, L. Arnoldi, E. Cadel, A. Chabli, François Vurpillot

article

Ultramicroscopy, 2014, 136, pp.185--192. ⟨10.1016/j.ultramic.2013.10.001⟩

identifiant

hal-01929139

DOI

DOI : 10.1016/j.ultramic.2013.10.001

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titre

Atom probe tomography in nanoelectronics

auteur

Didier Blavette, Sébastien Duguay

article

European Physical Journal: Applied Physics, 2014, 68 (1), pp.10101. ⟨10.1051/epjap/2014140060⟩

identifiant

hal-01928859

DOI

DOI : 10.1051/epjap/2014140060

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titre

Atom-probe tomography study of boron precipitation in highly implanted silicon

auteur

Didier Blavette, Huiyuan Wang, Manon Bonvalet, Florian Hüe, Sébastien Duguay

article

Physica Status Solidi A (applications and materials science), 2014, 211 (1), pp.126--130. ⟨10.1002/pssa.201300127⟩

identifiant

hal-01928861

DOI

DOI : 10.1002/pssa.201300127

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Conference papers

titre

Extended defects in ion-implanted si during nanosecond laser annealing

auteur

Fuccio Cristiano, Y. Qiu, Eléna Bedel-Pereira, Karim Huet, Fulvio Mazzamuto, G. Fisicaro, Antonio La Magna, Maurice Quillec, Nikolay Cherkashin, Huiyuan Wang, Sébastien Duguay, Didier Blavette

article

Junction Technology (IWJT), 2014 International Workshop on, May 2014, Shanghai, China. pp.7-12, ⟨10.1109/IWJT.2014.6842019⟩

identifiant

hal-01721156

DOI

DOI : 10.1109/IWJT.2014.6842019

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2013

Journal articles

titre

Efficient n-type doping of Si nanocrystals embedded in SiO₂ by ion beam synthesis

auteur

R. Khelifi, D. Mathiot, Rajiv Gupta, D. Muller, M. Roussel, S. Duguay

article

Applied Physics Letters, 2013, 102, pp.013116_1-4

identifiant

hal-00799830

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titre

Point process statistics in atom probe tomography

auteur

Thomas Philippe, Sébastien Duguay, G. Grancher, D. Blavette

article

Ultramicroscopy, 2013, 132, pp.114--120. ⟨10.1016/j.ultramic.2012.10.004⟩

identifiant

hal-01928863

DOI

DOI : 10.1016/j.ultramic.2012.10.004

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2012

Journal articles

titre

Advance in multi-hit detection and quantization in atom probe tomography

auteur

Gérald da Costa, H. Wang, Sébastien Duguay, A. Bostel, D. Blavette, Bernard Deconihout

article

Review of Scientific Instruments, 2012, 83 (12), ⟨10.1063/1.4770120⟩

identifiant

hal-01928866

DOI

DOI : 10.1063/1.4770120

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titre

Temperature dependence of nucleation rate in a binary solid solution

auteur

Huiyuan Wang, T. Philippe, S. Duguay, D. Blavette

article

Philosophical Magazine Letters, 2012, 92 (12), pp.718--725. ⟨10.1080/09500839.2012.725948⟩

identifiant

hal-01928868

DOI

DOI : 10.1080/09500839.2012.725948

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Conference papers

titre

Synthèse par faisceaux d'ion et caractérisation de nanocristaux de silicium dopés dans SiO SiO₂

auteur

R. Khelifi, D. Mathiot, D. Muller, S. Duguay

article

13èmes Journées de la Matière Condensée (JMC13), Aug 2012, Montpellier, France

identifiant

hal-00743238

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titre

Modeling of boron diffusion in silicon: Influence of precipitation

auteur

H. Wang, T. Philippe, J. Marcon, S. Duguay, D. Mathiot, D. Blavette

article

European Material Research Society (E-MRS) Spring Conference, Symposium on Advanced Silicon Materials Research for Electronic and Photovoltaic Applications III, May 2012, Strasbourg, France

identifiant

hal-00743292

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titre

Co-implantation: A simple way to grow doped Si nanocrystals embedded in SiO₂

auteur

D. Mathiot, R. Khelifi, D. Muller, S. Duguay

article

Material Research Society (MRS) Spring Meeting, Symposium on Nanoscale Materials Modification by Photon, Ion, and Electron Beams, Apr 2012, San Francisco, United States. pp.mrss12-1455-ii08-21

identifiant

hal-00697568

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2011

Journal articles

titre

Atomic scale evidence of the suppression of boron clustering in implanted silicon by carbon coimplantation

auteur

T. Philippe, S. Duguay, D. Mathiot, D. Blavette

article

Journal of Applied Physics, 2011, 109, pp. 023501_1-4

identifiant

hal-00597120

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2010

Journal articles

titre

Direct imaging of boron segregation to extended defects in silicon

auteur

Sébastien Duguay, Thomas Philippe, Fuccio Cristiano, D. Blavette

article

Applied Physics Letters, 2010, 97 (24), pp.242104. ⟨10.1063/1.3526376⟩

identifiant

hal-01922903

DOI

DOI : 10.1063/1.3526376

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titre

Atomic scale study of a MOS structure with an ultra-low energy boron-implanted silicon substrate

auteur

Sébastien Duguay, M. Ngamo, P. F Fazzini, Fuccio Cristiano, K. Daoud, Philippe Pareige

article

Thin Solid Films, 2010, 518 (9), pp.2398 - 2401. ⟨10.1016/j.tsf.2009.09.159⟩

identifiant

hal-01922657

DOI

DOI : 10.1016/j.tsf.2009.09.159

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titre

Clustering and nearest neighbour distances in atom probe tomography: The influence of the interfaces

auteur

Thomas Philippe, O. Cojocaru-Mirédin, Sébastien Duguay, D. Blavette

article

Journal of Microscopy, 2010, 239 (1), pp.72--77. ⟨10.1111/j.1365-2818.2009.03359.x⟩

identifiant

hal-01928875

DOI

DOI : 10.1111/j.1365-2818.2009.03359.x

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titre

Clustering and pair correlation function in atom probe tomography

auteur

Thomas Philippe, Sébastien Duguay, D. Blavette

article

Ultramicroscopy, 2010, 110 (7), pp.862--865. ⟨10.1016/j.ultramic.2010.03.004⟩

identifiant

hal-01928874

DOI

DOI : 10.1016/j.ultramic.2010.03.004

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titre

Atomic-scale study of the role of carbon on boron clustering

auteur

Thomas Philippe, Sébastien Duguay, J.J. Grob, D. Mathiot, D. Blavette

article

Thin Solid Films, 2010, 518, pp. 2406-2408. ⟨10.1016/j.tsf.2009.08.022⟩

identifiant

hal-00464139

DOI

DOI : 10.1016/j.tsf.2009.08.022

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titre

Atomic-scale redistribution of dopants in polycrystalline silicon layers

auteur

S. Duguay, A. Colin, D. Mathiot, Pascal Morin, D. Blavette

article

Applied Physics, 2010, 108, pp.034911_1-7

identifiant

hal-00526353

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2009

Journal articles

titre

Evidence of atomic-scale arsenic clustering in highly doped silicon

auteur

Sébastien Duguay, François Vurpillot, Thomas Philippe, E. Cadel, Rodrigue Lardé, Bernard Deconihout, G. Servanton, R. Pantel

article

Journal of Applied Physics, 2009, 106 (10), pp.106102. ⟨10.1063/1.3257178⟩

identifiant

hal-01929143

DOI

DOI : 10.1063/1.3257178

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titre

Depth resolution function of the laser assisted tomographic atom probe in the investigation of semiconductors

auteur

Emmanuel Cadel, François Vurpillot, Rodrigue Lardé, Sébastien Duguay, Bernard Deconihout

article

Journal of Applied Physics, 2009, 106 (4), pp.044908. ⟨10.1063/1.3186617⟩

identifiant

hal-01929144

DOI

DOI : 10.1063/1.3186617

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titre

Clustering and nearest neighbour distances in atom-probe tomography

auteur

Thomas Philippe, F. de Geuser, Sébastien Duguay, Williams Lefebvre, O. Cojocaru-Mirédin, Gérald da Costa, D. Blavette

article

Ultramicroscopy, 2009, 109, pp.1304-1309. ⟨10.1016/j.ultramic.2009.06.007⟩

identifiant

hal-00457542

DOI

DOI : 10.1016/j.ultramic.2009.06.007

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Conference papers

titre

Atomic-scale study of the role of carbon on boron clustering

auteur

T. Philippe, S. Duguay, J.J. Grob, D. Mathiot, D. Blavette

article

European Material Research Society (E-MRS) Spring Conference, Symposium on Silicon and Germanium issues for future CMOS devices, Jun 2009, Strasbourg, France. pp.2406-2408

identifiant

hal-00409615

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titre

Modeling artifacts in the analysis of test semiconductor structures in atom probe tomography

auteur

François Vurpillot, M. Gruber, S. Duguay, E. Cadel, Bernard Deconihout

article

AIP Conference Proceedings, 2009, Unknown, Unknown Region. pp.175--180, ⟨10.1063/1.3251216⟩

identifiant

hal-01929146

DOI

DOI : 10.1063/1.3251216

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2008

Journal articles

titre

Structural analysis of annealed amorphous SiO/SiO2 superlattice

auteur

B. Pivac, P. Dubcek, I. Capan, H. Zorc, S. Bernstorff, S. Duguay, A. Slaoui

article

Thin Solid Films, 2008, 516, pp. 6796-6799

identifiant

hal-00300610

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2007

Journal articles

titre

Retention in metal-oxide-semiconductor structures with two embedded self-aligned Ge-nanocrystal layers

auteur

S. Duguay, S. Burignat, P. Kern, J.J. Grob, A. Souifi, A. Slaoui

article

Semicond. Sci. Technol., 2007, 22, pp. 837-842

identifiant

hal-00250270

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titre

Silicon nanoparticles formation in annealed SiO/SiO2 multilayers

auteur

I. Kovacevic, P. Dubcek, S. Duguay, H. Zorc, N. Radic, B. Pivac, A. Slaoui, S. Bernstorff

article

Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 2007, 38, pp. 50-53

identifiant

hal-00349867

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Conference papers

titre

Si nanostructures formation in SiO/SiO2 superlattice for next generation solar cells

auteur

B. Pivac, I. Capan, P. Dubcek, N. Radic, S. Duguay, A. Slaoui

article

European Material Research Society (E-MRS) Spring Conference, Symposium on Advanced Materials and Concepts for Photovoltaics, May 2007, Strasbourg, France

identifiant

hal-00252112

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titre

Structural analysis of annealed amorphous SiO/SiO2 superlattice

auteur

B. Pivac, P. Dubcek, I. Capan, H. Zorc, S. Bernstorff, S. Duguay, A. Slaoui

article

European Material Research Society (E-MRS) Spring Conference, Symposium on Advanced Materials and Concepts for Photovoltaics, May 2007, Strasbourg, France

identifiant

hal-00303670

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titre

Substrate temperature dependence of Si nanostructures formation in SiO/SiO2 superlattice

auteur

B. Pivac, I. Capan, P. Dubcek, N. Radic, S. Bernstorff, S. Duguay, A. Slaoui

article

European Material Research Society (E-MRS) Spring Conference, Symposium on Semiconductor Nanostructures towards Electronic and Optoelectronic Device Applications, May 2007, Strasbourg, France

identifiant

hal-00252113

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2006

Journal articles

titre

Dielectric function of germanium nanocrystals between 0.6 and 6.5 eV by spectroscopic ellipsometry

auteur

M. Mansour, A. En Naciri, L. Johann, S. Duguay, J.J. Grob, M. Stchakovsky, C. Eyperta

article

Journal of Physics and Chemistry of Solids, 2006, 67, pp.1291-1294

identifiant

hal-00207770

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Conference papers

titre

Dielectric function of germanium nanocrystals between 0.6 and 6.5 eV by spectroscopic ellipsometry

auteur

M. Mansour, A. En Naciri, L. Johann, S. Duguay, J.J. Grob, M. Stchakovsky, C. Eypert

article

13th International Symposium on Intercalation Compounds, Jun 2006, Clermont-Ferrand, France

identifiant

hal-00207775

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titre

Influence of the Ge dose in ion-implanted SiO2 layers on the related nanocrystal-memory properties

auteur

S. Duguay, J.J. Grob, A. Slaoui, P. Kern

article

Material Research Society (MRS) Spring Meeting, Symposium on Science and Technology of Nonvolatile Memories, Apr 2006, SAN FRANCISCO, United States. p. G02-05

identifiant

hal-00204821

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titre

Silicon nanoparticles formation in annealed SiO/SiO2 multilayers

auteur

I. Kovacevic, P. Dubcek, S. Duguay, H. Zorc, N. Radic, B. Pivac, A. Slaoui, S. Bernstorff

article

European Material Research Society (E-MRS) Spring Conference, Symposium on Silicon Nanocrystals for Electronics and Sensing Applications, 2006, Nice, France

identifiant

hal-00350341

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titre

Propriétés structurales de couches de SiO₂ implantées germanium et application aux mémoires à nanocristaux

auteur

S. Duguay

article

IXèmes Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique (JNRDM'2006), 2006, Rennes, France

identifiant

hal-00081227

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Theses

titre

Charge storage properties of germanium nanocristals embedded in silica films by ion implantation

auteur

S. Duguay

article

Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Unuiversité de Strasbourg I, 2006. Français. ⟨NNT : ⟩

identifiant

hal-00211889

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2005

Journal articles

titre

Structural properties of Ge-implanted SiO2 layers and related MOS memory effects

auteur

S. Duguay, A. Slaoui, Grob J.J., M. Kanoun, S. Burignat, A. Souifi

article

Materials Science and Engineering: B, 2005, 124-125, pp.488-493

identifiant

hal-00207848

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titre

Structural and electrical properties of Ge nanocrystals embedded in SiO2 by ion implantation and annealing

auteur

Sébastien Duguay, J.J. Grob, A. Slaoui, Y. Le Gall, M. Amann-Liess

article

Journal of Applied Physics, 2005, 97, pp.104330_1-5

identifiant

hal-00134846

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Conference papers

titre

Fabrication de nanocristaux de germanium par implantation ionique et applications à effet mémoire,

auteur

S. Duguay

article

VIIIèmes Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique (JNRDM'2005), May 2005, Paris, France

identifiant

hal-00134842

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titre

Structural properties of Ge-implanted SiO₂ layers and related MOS memory effects

auteur

S. Duguay, A. Slaoui, J.J. Grob, M. Kanoun, S. Burignat, A. Souifi

article

European Material Research Society (E-MRS) Spring Conference, Symposium on Materials Science and Device Issues for Future Si-based Technologies, 2005, Strasbourg, France

identifiant

hal-00021653

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