2023
Journal articles
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- titre
- High Al-content AlGaN channel high electron mobility transistors on silicon substrate
- auteur
- Jash Mehta, Idriss ABID, Julien Bassaler, Julien Pernot, Philippe Ferrandis, M Nemoz, Yvon Cordier, S Rennesson, S Tamariz, F Semond, F Medjdoub
- article
- e-Prime – Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, 2023, 3, pp.100114. ⟨10.1016/j.prime.2023.100114⟩
- identifiant
- hal-03952273
- Accès au texte intégral et bibtex
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