Publications HAL du projet ANR. 72568

2023

Journal articles

titre
High Al-content AlGaN channel high electron mobility transistors on silicon substrate
auteur
Jash Mehta, Idriss ABID, Julien Bassaler, Julien Pernot, Philippe Ferrandis, M Nemoz, Yvon Cordier, S Rennesson, S Tamariz, F Semond, F Medjdoub
article
e-Prime – Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, 2023, 3, pp.100114. ⟨10.1016/j.prime.2023.100114⟩
identifiant
hal-03952273
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-03952273/file/1-s2.0-S2772671123000098-main.pdf BibTex