Publications HAL du projet ANR. 72568

2025

Conference papers

titre
First demonstration of vertical AlGaN P-i-N diodes grown on silicon substrate for Next-Generation power electronics
auteur
Jash Mehta, Abdelkhalek Sefssafi, Antoine Barbier, Stephanie Rennesson, Fabrice Semond, Julien Brault, F Medjdoub
article
8th International Workshop on Ultra-Wide Bandgap Materials and Devices IWUMD 2025, Sep 2025, Wrocław, Poland
identifiant
hal-05345878
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BibTex
titre
AlGaN channel high electron mobility transistors on Si for power electronics
auteur
Julien Bassaler, Jash Mehta, Idriss Abid, Leszek Konczewicz, Sandrine Juillaguet, Sylvie Contreras, Julien Pernot, Maud Nemoz, Sebastian Tamariz, Stéphanie Rennesson, Fabrice Semond, Yvon Cordier, Farid Medjdoub, Philippe Ferrandis
article
Symposium de Génie Électrique SGE 2025, CNRS, Jul 2025, Toulouse, France
identifiant
hal-05398228
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https://hal.science/hal-05398228/file/FERRANDIS_SGE_2025_Extended_Abstract_Book.pdf BibTex

2024

Journal articles

titre
Al‐Rich AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors on Silicon: A Relevant Approach for High Temperature Stability of Electron Mobility
auteur
Julien Bassaler, Jash Mehta, Idriss Abid, Leszek Konczewicz, Sandrine Juillaguet, Sylvie Contreras, Stéphanie Rennesson, Sebastian Tamariz, Maud Nemoz, Fabrice Semond, Julien Pernot, Farid Medjdoub, Yvon Cordier, Philippe Ferrandis
article
Advanced Electronic Materials, 2024, 11 (1), pp.2400069. ⟨10.1002/aelm.202400069⟩
identifiant
hal-04665123
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https://hal.science/hal-04665123/file/Adv%20Elect%20Materials%20-%202024%20-%20Bassaler%20-%20Al%E2%80%90Rich%20AlGaN%20Channel%20High%20Electron%20Mobility%20Transistors%20on%20Silicon%20A%20Relevant.pdf BibTex

Conference papers

titre
Evaluation of Self-Heating Effects in AlGaN Channel Heterostructure field-effect Transistors grown on bulk AlN substrate
auteur
Jash Mehta, Yannick Guhel, Julien Bassaler, Yvon Cordier, Philippe Ferrandis, Bertrand Boudart, F Medjdoub
article
European Materials Research Society (EMRS) Fall 2024, Sep 2024, Varsovie, Poland
identifiant
hal-04761108
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https://hal.science/hal-04761108/file/Abstract_E-MRS_Fall_2024.pdf BibTex

2023

Journal articles

titre
High Al-content AlGaN channel high electron mobility transistors on silicon substrate
auteur
Jash Mehta, Idriss Abid, Julien Bassaler, Julien Pernot, Philippe Ferrandis, M Nemoz, Yvon Cordier, S Rennesson, S Tamariz, F Semond, F Medjdoub
article
e-Prime – Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, 2023, 3, pp.100114. ⟨10.1016/j.prime.2023.100114⟩
identifiant
hal-03952273
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https://hal.science/hal-03952273/file/1-s2.0-S2772671123000098-main.pdf BibTex
titre
Robust Al0.23Ga0.77N channel HFETs on bulk AlN for high voltage power electronics
auteur
J. Mehta, Idriss Abid, Reda Elwaradi, Yvon Cordier, F Medjdoub
article
e-Prime – Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, 2023, 5, pp.100263. ⟨10.1016/j.prime.2023.100263⟩
identifiant
hal-04194891
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https://hal.science/hal-04194891/file/Mehta_2023_e-Prime_1-s2.0-S2772671123001584-main.pdf BibTex