2024
Journal articles
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- titre
- Al‐Rich AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors on Silicon: A Relevant Approach for High Temperature Stability of Electron Mobility
- auteur
- Julien Bassaler, Jash Mehta, Idriss Abid, Leszek Konczewicz, Sandrine Juillaguet, Sylvie Contreras, Stéphanie Rennesson, Sebastian Tamariz, Maud Nemoz, Fabrice Semond, Julien Pernot, Farid Medjdoub, Yvon Cordier, Philippe Ferrandis
- article
- Advanced Electronic Materials, In press, ⟨10.1002/aelm.202400069⟩
- identifiant
- hal-04665123
- Accès au texte intégral et bibtex
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2023
Journal articles
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- titre
- High Al-content AlGaN channel high electron mobility transistors on silicon substrate
- auteur
- Jash Mehta, Idriss Abid, Julien Bassaler, Julien Pernot, Philippe Ferrandis, M Nemoz, Yvon Cordier, S Rennesson, S Tamariz, F Semond, F Medjdoub
- article
- e-Prime – Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, 2023, 3, pp.100114. ⟨10.1016/j.prime.2023.100114⟩
- identifiant
- hal-03952273
- Accès au texte intégral et bibtex
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- titre
- Robust Al0.23Ga0.77N channel HFETs on bulk AlN for high voltage power electronics
- auteur
- J. Mehta, Idriss Abid, Reda Elwaradi, Yvon Cordier, F Medjdoub
- article
- e-Prime – Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, 2023, 5, pp.100263. ⟨10.1016/j.prime.2023.100263⟩
- identifiant
- hal-04194891
- Accès au texte intégral et bibtex
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