2025
Journal articles
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- titre
- ScAlN/GaN-on-Si (111) HEMTs for RF applications
- auteur
- Seif El Whibi, Nagesh Bhat, Yassine Fouzi, Nicolas Defrance, Jean-Claude de Jaeger, Zahia Bougrioua, Florian Bartoli, Maxime Hugues, Yvon Cordier, Marie Lesecq
- article
- Applied Physics Express, 2025, 18 (4), pp.046501. ⟨10.35848/1882-0786/adc5db⟩
- identifiant
- hal-05008937
- Accès au texte intégral et bibtex
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