Conference papers

titre

Demonstration of ScAlN/GaN RF HEMTs on silicon substrate

auteur

Seif El Whibi, Nagesh Bhat, Yassine Fouzi, N. Defrance, Jean-Claude de Jaeger, Zahia Bougrioua, Florian Bartoli, Maxime Hugues, Yvon Cordier, Marie Lesecq

article

ICNS 15, Jul 2025, Malmö, Sweden

identifiant

hal-05467612

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titre

Influence of Growth Temperature and Scandium Concentration on the Surface Oxidation of ScAlN Films Grown by Molecular Beam Epitaxy

auteur

Valentina Gallardo-Mödinger, Frédéric Georgi, Ileana Florea, Xavier Wallart, Philippe Vennéguès, Yvon Cordier, Maxime Hugues

article

Wocsdice Exmatec 2025, Jun 2025, Cadiz, Spain

identifiant

hal-05168319

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Development of ScAlN/GaN High Electron Mobility Transistor on silicon substrate for RF applications

auteur

Seif El Whibi, Nagesh Bhat, Yassine Fouzi, N. Defrance, Zahia Bougrioua, Jean-Claude de Jaeger, Florian Bartoli, Maxime Hugues, Yvon Cordier, Marie Lesecq

article

Wocsdice Exmatec 2025, Jun 2025, Cadiz, Spain

identifiant

hal-05467212

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titre

Co-Integration of High-Frequency Devices on Epitaxial ScAlN for Tunable RF SAW Filters

auteur

Nagesh Bhat, Seif El Whibi, Edouard Lebouvier, N. Defrance, Jean-Claude de Jaeger, Zahia Bougrioua, Florian Bartoli, Valentina Gallardo-Mödinger, Maxime Hugues, Yvon Cordier, Sami Hage-Ali, Ulrich Youbi, Thierry Aubert, Omar Elmazria, Marie Lesecq

article

Wocsdice Exmatec 2025, Jun 2025, Cadiz, Spain

identifiant

hal-05467164

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titre

Ammonia-MBE growth of ScAlN for high power/high frequency electronics

auteur

Yvon Cordier, Maxime Hugues, Caroline Elias, Sébastien Chenot, Florian Bartoli, Aimeric Courville, Philippe Vennéguès

article

SPIE OPTO: Gallium Nitride Materials and Devices XX, SPIE, Jan 2025, San Francisco, CA, United States. pp.1336602, ⟨10.1117/12.3042852⟩

identifiant

hal-05201862

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