Publications HAL du projet ANR. 97845

2025

Journal articles

titre
ScAlN/GaN-on-Si (111) HEMTs for RF applications
auteur
Seif El Whibi, Nagesh Bhat, Yassine Fouzi, Nicolas Defrance, Jean-Claude de Jaeger, Zahia Bougrioua, Florian Bartoli, Maxime Hugues, Yvon Cordier, Marie Lesecq
article
Applied Physics Express, 2025, 18 (4), pp.046501. ⟨10.35848/1882-0786/adc5db⟩
identifiant
hal-05008937
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-05008937/file/apex_18_4_046501.pdf BibTex