2026
Journal articles
- titre
- Long-Term Aging Effects in Electrical Devices Based on High-Quality Chemical Vapor Deposition-Grown Single-Domain WSe 2
- auteur
- Yasmine Bousbaa, Xingli Wang, Seoung Bum Lim, Aníbal Pacheco-Sanchez, Dominique Vignaud, Niels Chapuis, Xavier Wallart, Philippe Coquet, Beng Kang Tay, Henri Happy, Emiliano Pallecchi
- article
- ACS Applied Electronic Materials, 2026, ⟨10.1021/acsaelm.5c02484⟩
- identifiant
- hal-05466868
- Accès au bibtex
-
Poster communications
-
- titre
- Nano-caractérisation avancée par microscopies à sonde locale
- auteur
- L. Thomas, Sébastien Germain, Hugo Djeha, Sylvie Godey, Maxime Berthe
- article
- 27ème édition du Forum des Microscopies à Sondes Locales, Jun 2026, Saint-Rémy-lès-Chevreuse, France
- identifiant
- hal-05702711
- Accès au texte intégral et bibtex
-
2025
Journal articles
-
- titre
- Tunable electronic band structure in WS 2(1-x) Se 2x van der Waals Alloys
- auteur
- Meryem Bouaziz, Léonard Schué, Noeliarinala Felana Andriambelaza, Natalia Alyabyeva, J.-C. Girard, Pavel Dudin, Fabian Cadiz, José Avila, Y. J. Dappe, César González, Julien Chaste, Fabrice Oehler, Christine Giorgetti, Fausto G Sirotti, Abdelkarim Ouerghi
- article
- Physical Review B, 2025, 112 (245423), ⟨10.1103/z9l2-3qw8⟩
- identifiant
- hal-05371725
- Accès au texte intégral et bibtex
-
-
- titre
- Electronic properties of the selenium passivated GaP(111)B surface: Towards growth of large scale quasi-van der Waals 2D/3D heterostructure
- auteur
- Niels Chapuis, Corentin Sthioul, Aymen Mahmoudi, Meryem Bouaziz, Christophe Coinon, Louis Thomas, Davide Romanin, Gilles Patriarche, Fabrice Oehler, Abdelkarim Ouerghi, Xavier Wallart
- article
- Physical Review Materials, 2025, 9 (7), pp.074002. ⟨10.1103/pv8b-89gg⟩
- identifiant
- hal-05165772
- Accès au texte intégral et bibtex
-
-
- titre
- Interface‐Enhanced and Self‐Guided Growth of 2D Interlayer Heterostructure Wafers with Vertically Aligned Van Der Waals Layers
- auteur
- Yi Hu, Xingli Wang, Xingguo Wang, Yue Gong, Zikun Tang, Guangchao Zhao, Weng Hou Yip, Jingyi Liu, Seoung Bum Lim, Mohamed Boutchich, Philippe Coquet, Shu Ping Lau, Beng Kang Tay
- article
- Advanced Science, 2025, ⟨10.1002/advs.202412690⟩
- identifiant
- hal-04968165
- Accès au texte intégral et bibtex
-
-
- titre
- Thickness Dependence in Phase Formation and Properties of TaSe2 Layers Grown on GaP(111)B
- auteur
- Corentin Sthioul, Yevheniia Chernukha, Houda Koussir, Christophe Coinon, Gilles Patriarche, David Troadec, Louis Thomas, Pascal Roussel, Bruno Grandidier, Pascale Diener, Xavier Wallart
- article
- ACS Applied Materials & Interfaces, 2025, 17 (6), pp.10027-10037. ⟨10.1021/acsami.4c17204⟩
- identifiant
- hal-04943202
- Accès au texte intégral et bibtex
-
Conference papers
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- titre
- Multi-Band Model Hamiltonian for Tunnel Devices with Van Der Waals Heterojunctions
- auteur
- Owen Loison, Adel M'Foukh, Davide Romanin, Marco Pala, Philippe Dollfus
- article
- 2025 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2025, Grenoble, France. pp.1-4, ⟨10.1109/SISPAD66650.2025.11186327⟩
- identifiant
- hal-05411859
- Accès au texte intégral et bibtex
-
-
- titre
- Epitaxial 2D HfSe2 Semiconductor/TaSe2 Metal van der Waals Heterostructure
- auteur
- C. Sthioul, Y. Chernukha, H. Koussir, Christophe Coinon, G. Patriarche, L. Thomas, P. Roussel, B. Grandidier, Pascale Diener, X. Wallart
- article
- 23rd European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE 2025), Mar 2025, Auron, France
- identifiant
- hal-05039146
- Accès au texte intégral et bibtex
-
Poster communications
-
- titre
- One-pot preparation of wafer-scale van der Waals heterostructure via Interface-enhanced Growth
- auteur
- Yi Hu, Xingli Wang, Shu Ping Lau, Beng Kang Tay
- article
- 10th International Nanoelectronics Conference, IEEE INEC 2025, Jan 2025, Tamsui, Taiwan
- identifiant
- hal-04968542
- Accès au texte intégral et bibtex
-
-
- titre
- Effect of Oxygen on MoS2 Growth in Cold-Wall Metal-Organic chemical Vapor Deposition
- auteur
- Seoungbum Lim, Xingli Wang, Beng Kang Tay
- article
- 10 International Nanoelectronics Conference, IEEE INEC 2025, Jan 2025, Tamsui, Taiwan
- identifiant
- hal-04968530
- Accès au texte intégral et bibtex
-
2024
Journal articles
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- titre
- Van der Waals epitaxial growth of few layers WSe2 on GaP(111) B
- auteur
- Niels Chapuis, Aymen Mahmoudi, Christophe Coinon, David Troadec, Dominique Vignaud, Gilles Patriarche, Pascal Roussel, Abdelkarim Ouerghi, Fabrice Oehler, Xavier Wallart
- article
- 2D Materials, 2024, 11 (3), pp.035031. ⟨10.1088/2053-1583/ad573a⟩
- identifiant
- hal-04648284
- Accès au texte intégral et bibtex
-
-
- titre
- Stacking order and electronic band structure in MBE-grown trilayer WSe$_2$ films
- auteur
- Aymen Mahmoudi, Meryem Bouaziz, Niels Chapuis, Fabrice Oehler, Pavel Dudin, Davide Romanin, Gilles Patriarche, Julien Chaste, Fausto Sirotti, Xavier Wallart, Jose Avila, Abdelkarim Ouerghi
- article
- Physical Review B, 2024, 109 (11), pp.115437. ⟨10.1103/PhysRevB.109.115437⟩
- identifiant
- hal-04543233
- Accès au texte intégral et bibtex
-
Conference papers
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- titre
- 3D/2D heterostructure: epitaxial growth of WSe2 on GaP(111)B
- auteur
- Niels Chapuis, Aymen Mahmoudi, Zeinab Issa, Christophe Coinon, David Troadec, Maxime Berthe, Dominique Vignaud, Louis Biadala, Gilles Patriarche, Pascal Roussel, Fabrice Oehler, Abdelkarim Ouerghi, Xavier Wallart
- article
- 23rd International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2024), Sep 2024, Matsue, Japan
- identifiant
- hal-04730912
- Accès au texte intégral et bibtex
-
Poster communications
-
- titre
- Growth of metallic TaSe2 on GaP(111)B substrates
- auteur
- Corentin Sthioul, Yevheniia Chernukha, Houda Koussir, Christophe Coinon, Gilles Patriarche, Louis Thomas, Pascal Roussel, Bruno Grandidier, Pascale Diener, Xavier Wallart
- article
- 23rd International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2024), Sep 2024, Matsue, Japan.
- identifiant
- hal-04730929
- Accès au texte intégral et bibtex
-
Theses
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- titre
- Van derWaals epitaxy ofWSe2, HfSe2 and their heterostructure on GaP(111)B substrate in a tunnelling device perspective
- auteur
- Niels Chapuis
- article
- Micro and nanotechnologies/Microelectronics. Université de Lille, 2024. English. ⟨NNT : 2024ULILN033⟩
- identifiant
- tel-04931132
- Accès au texte intégral et bibtex
-
2023
Journal articles
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- titre
- Large-area epitaxial Mott insulating 1T-TaSe2 monolayer on GaP(111)B
- auteur
- Houda Koussir, Yevheniia Chernukha, Corentin Sthioul, Emmanuel Haber, Nemanja Peric, Louis Biadala, Pierre Capiod, Maxime Berthe, Isabelle Lefebvre, X. Wallart, B. Grandidier, Pascale Diener
- article
- Nano Letters, 2023, 23 (20), pp.9413-9419. ⟨10.1021/acs.nanolett.3c02813⟩
- identifiant
- hal-04219794
- Accès au texte intégral et bibtex
-
- titre
- Ohmic Behavior in Metal Contacts to n/p-Type Transition-Metal Dichalcogenides: Schottky versus Tunneling Barrier Trade-off
- auteur
- Daniel Lizzit, Pedram Khakbaz, Francesco Driussi, Marco Pala, David Esseni
- article
- ACS Applied Nano Materials, 2023, 6 (7), pp.5737-5746. ⟨10.1021/acsanm.3c00166⟩
- identifiant
- hal-04123791
- Accès au bibtex
-
-
- titre
- Quasi van der Waals Epitaxy of Rhombohedral-Stacked Bilayer WSe2 on GaP(111) Heterostructure
- auteur
- Aymen Mahmoudi, Meryem Bouaziz, Niels Chapuis, Geoffroy Kremer, Julien Chaste, Davide Romanin, Marco Pala, François Bertran, Patrick Le Fèvre, Iann C Gerber, Gilles Patriarche, Fabrice Oehler, Xavier Wallart, Abdelkarim Ouerghi
- article
- ACS Nano, 2023, 17, pp.21307 - 21316. ⟨10.1021/acsnano.3c05818⟩
- identifiant
- hal-04302601
- Accès au texte intégral et bibtex
-
-
- titre
- Ab-initio simulation of dissipative transport in tunnel devices based on heterostructures of 2D materials
- auteur
- Adel Mfoukh, Jérôme Saint-Martin, Philippe Dollfus, Marco Pala
- article
- Journal of Computational Electronics, 2023, 22, pp.1257-1263. ⟨10.1007/s10825-023-02080-2⟩
- identifiant
- hal-04161457
- Accès au texte intégral et bibtex
-
Conference papers
- titre
- Full-Band Quantum Simulations of Semiconductor Devices based on Empirical Pseudopotential Hamiltonians in the presence of Phonon Scattering and Non-Radiative Recombination
- auteur
- Alessandro Pilotto, Adel M’foukh, Philippe Dollfus, Jérôme Saint-Martin, Marco Pala
- article
- 2023 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2023, Kobe, Japan. pp.301-304, ⟨10.23919/SISPAD57422.2023.10319610⟩
- identifiant
- hal-04333397
- Accès au bibtex
-
- titre
- Full Band Monte Carlo Simulation of Thermal Transport Across Lateral Interface Between 2D Materials
- auteur
- Junbum Park, Marco Pala, Jérôme Saint-Matin
- article
- 2023 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2023, Kobe, Japan. pp.21-24, ⟨10.23919/SISPAD57422.2023.10319605⟩
- identifiant
- hal-04333399
- Accès au bibtex
-
- titre
- Key parameters for GaP(111)B surface preparation and Selenium passivation
- auteur
- N. Chapuis, C. Sthioul, Christophe Coinon, L. Desplanque, X. Wallart
- article
- 21 st European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE 2023), Apr 2023, Madrid, Spain
- identifiant
- hal-04118199
- Accès au bibtex
-
Poster communications
-
- titre
- Molecular beam epitaxy of TaSe2 on GaP(111)B
- auteur
- C. Sthioul, H. Koussir, Y. Chernukha, N. Chapuis, E. Haber, Pascal Roussel, Christophe Coinon, Pascale Diener, B. Grandidier, Xavier Wallart
- article
- Colloque du GDR/GDR-I HOWDI, May 2023, Porquerolles, France.
- identifiant
- hal-04118157
- Accès au texte intégral et bibtex
-
2022
Journal articles
-
- titre
- Phonon-assisted transport in van der Waals heterostructure tunnel devices
- auteur
- A. M'Foukh, Jérôme Saint-Martin, Philippe Dollfus, Marco G. Pala
- article
- Solid-State Electronics, 2022, 194, pp.108344. ⟨10.1016/j.sse.2022.108344⟩
- identifiant
- hal-03793956
- Accès au texte intégral et bibtex
-
Conference papers
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- titre
- Ab-initio transport simulations unveil the Schottky versus Tunneling barrier trade-off in metal-TMD contacts
- auteur
- D. Lizzit, P. Khakbaz, F. Driussi, Marco Pala, D. Esseni
- article
- 68th IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2022), Dec 2022, San Francisco, CA, United States. pp.28.2.1-28.2.4, ⟨10.1109/IEDM45625.2022.10019449⟩
- identifiant
- hal-04123805
- Accès au texte intégral et bibtex
-
-
- titre
- First attempts of WSe2 growth on GaP(111)B substrates by MBE
- auteur
- N. Chapuis, Christophe Coinon, D. Deresmes, G. Patriarche, D. Vignaud, X. Wallart
- article
- International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2022), Sep 2022, Sheffield, United Kingdom. 2 p
- identifiant
- hal-04172997
- Accès au texte intégral et bibtex
-
Poster communications
-
- titre
- GAP(111)B-SE Surface for TMD epitaxial growth
- auteur
- Niels Chapuis, Christophe Coinon, D. Deresmes, Xavier Wallart
- article
- GDR-IRN HOWDI 2022 Meeting, May 2022, Dourdan, France.
- identifiant
- hal-03828069
- Accès au texte intégral et bibtex
-
