Publications HAL du projet ANR. TUNNE2D

2025

Journal articles

titre
Interface‐Enhanced and Self‐Guided Growth of 2D Interlayer Heterostructure Wafers with Vertically Aligned Van Der Waals Layers
auteur
Yi Hu, Xingli Wang, Xingguo Wang, Yue Gong, Zikun Tang, Guangchao Zhao, Weng Hou Yip, Jingyi Liu, Seoung Bum Lim, Mohamed Boutchich, Philippe Coquet, Shu Ping Lau, Beng Kang Tay
article
Advanced Science, 2025, ⟨10.1002/advs.202412690⟩
identifiant
hal-04968165
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https://hal.science/hal-04968165/file/Advanced%20Science%20-%202025%20-%20Hu%20-%20Interface%E2%80%90Enhanced%20and%20Self%E2%80%90Guided%20Growth%20of%202D%20Interlayer%20Heterostructure%20Wafers%20with.pdf BibTex
titre
Thickness Dependence in Phase Formation and Properties of TaSe2 Layers Grown on GaP(111)B
auteur
Corentin Sthioul, Yevheniia Chernukha, Houda Koussir, Christophe Coinon, Gilles Patriarche, David Troadec, Louis Thomas, Pascal Roussel, Bruno Grandidier, Pascale Diener, Xavier Wallart
article
ACS Applied Materials & Interfaces, 2025, 17 (6), pp.10027-10037. ⟨10.1021/acsami.4c17204⟩
identifiant
hal-04943202
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https://hal.science/hal-04943202/file/Sthioul%20C%202025%20Thickness%20Dependence%20in%20Phase%20Formation%20and%20Properties%20of%20TaSe2%20Layers%20Grown%20on%20GaP%28111%29B_version%20HAL%20%281%29.pdf BibTex

Conference papers

titre
Epitaxial 2D HfSe2 Semiconductor/TaSe2 Metal van der Waals Heterostructure
auteur
C. Sthioul, Y. Chernukha, H. Koussir, Christophe Coinon, G. Patriarche, L. Thomas, P. Roussel, B. Grandidier, Pascale Diener, X. Wallart
article
23rd European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE 2025), Mar 2025, Auron, France
identifiant
hal-05039146
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https://hal.science/hal-05039146/file/EUROMBE_2025%20Abstract%20Sthioul.pdf BibTex

Poster communications

titre
Effect of Oxygen on MoS2 Growth in Cold-Wall Metal-Organic chemical Vapor Deposition
auteur
Seoungbum Lim, Xingli Wang, Beng Kang Tay
article
10 International Nanoelectronics Conference, IEEE INEC 2025, Jan 2025, Tamsui, Taiwan
identifiant
hal-04968530
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https://hal.science/hal-04968530/file/Poster%20IEEE%20INEC_%20Tunne2D.pdf BibTex
titre
One-pot preparation of wafer-scale van der Waals heterostructure via Interface-enhanced Growth
auteur
Yi Hu, Xingli Wang, Shu Ping Lau, Beng Kang Tay
article
10th International Nanoelectronics Conference, IEEE INEC 2025, Jan 2025, Tamsui, Taiwan
identifiant
hal-04968542
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https://hal.science/hal-04968542/file/Poster%20Hu%20Yi_Tunne2D.pdf BibTex

2024

Journal articles

titre
Van der Waals epitaxial growth of few layers WSe2 on GaP(111) B
auteur
Niels Chapuis, Aymen Mahmoudi, Christophe Coinon, David Troadec, Dominique Vignaud, Gilles Patriarche, Pascal Roussel, Abdelkarim Ouerghi, Fabrice Oehler, Xavier Wallart
article
2D Materials, 2024, 11 (3), pp.035031. ⟨10.1088/2053-1583/ad573a⟩
identifiant
hal-04648284
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https://hal.science/hal-04648284/file/Chapuis%2Bet%2Bal_2024_2D_Mater._10.1088_2053-1583_ad573a.pdf BibTex
titre
Stacking order and electronic band structure in MBE-grown trilayer WSe$_2$ films
auteur
Aymen Mahmoudi, Meryem Bouaziz, Niels Chapuis, Fabrice Oehler, Pavel Dudin, Davide Romanin, Gilles Patriarche, Julien Chaste, Fausto Sirotti, Xavier Wallart, Jose Avila, Abdelkarim Ouerghi
article
Physical Review B, 2024, 109 (11), pp.115437. ⟨10.1103/PhysRevB.109.115437⟩
identifiant
hal-04543233
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https://hal.science/hal-04543233/file/Mahmoudi_2024_PhysRevB.109.115437.pdf BibTex

Conference papers

titre
3D/2D heterostructure: epitaxial growth of WSe2 on GaP(111)B
auteur
Niels Chapuis, Aymen Mahmoudi, Zeinab Issa, Christophe Coinon, David Troadec, Maxime Berthe, Dominique Vignaud, Louis Biadala, Gilles Patriarche, Pascal Roussel, Fabrice Oehler, Abdelkarim Ouerghi, Xavier Wallart
article
23rd International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2024), Sep 2024, Matsue, Japan
identifiant
hal-04730912
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https://hal.science/hal-04730912/file/abstract%20ICMBE%202024.pdf BibTex

Poster communications

titre
Growth of metallic TaSe2 on GaP(111)B substrates
auteur
Corentin Sthioul, Yevheniia Chernukha, Houda Koussir, Christophe Coinon, Gilles Patriarche, Louis Thomas, Pascal Roussel, Bruno Grandidier, Pascale Diener, Xavier Wallart
article
23rd International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2024), Sep 2024, Matsue, Japan.
identifiant
hal-04730929
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https://hal.science/hal-04730929/file/ICMBE_poster_final.pdf BibTex

2023

Journal articles

titre
Large-area epitaxial Mott insulating 1T-TaSe2 monolayer on GaP(111)B
auteur
Houda Koussir, Yevheniia Chernukha, Corentin Sthioul, Emmanuel Haber, Nemanja Peric, Louis Biadala, Pierre Capiod, Maxime Berthe, Isabelle Lefebvre, X. Wallart, B. Grandidier, Pascale Diener
article
Nano Letters, 2023, 23 (20), pp.9413-9419. ⟨10.1021/acs.nanolett.3c02813⟩
identifiant
hal-04219794
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https://hal.science/hal-04219794/file/Koussir_TaSe2_GaP.pdf BibTex
titre
Ohmic Behavior in Metal Contacts to n/p-Type Transition-Metal Dichalcogenides: Schottky versus Tunneling Barrier Trade-off
auteur
Daniel Lizzit, Pedram Khakbaz, Francesco Driussi, Marco Pala, David Esseni
article
ACS Applied Nano Materials, 2023, 6 (7), pp.5737-5746. ⟨10.1021/acsanm.3c00166⟩
identifiant
hal-04123791
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BibTex
titre
Quasi van der Waals Epitaxy of Rhombohedral-Stacked Bilayer WSe2 on GaP(111) Heterostructure
auteur
Aymen Mahmoudi, Meryem Bouaziz, Niels Chapuis, Geoffroy Kremer, Julien Chaste, Davide Romanin, Marco Pala, François Bertran, Patrick Le Fèvre, Iann C Gerber, Gilles Patriarche, Fabrice Oehler, Xavier Wallart, Abdelkarim Ouerghi
article
ACS Nano, 2023, 17, pp.21307 - 21316. ⟨10.1021/acsnano.3c05818⟩
identifiant
hal-04302601
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https://hal.science/hal-04302601/file/draft_WSE2_GAP.pdf BibTex
titre
Ab-initio simulation of dissipative transport in tunnel devices based on heterostructures of 2D materials
auteur
Adel Mfoukh, Jérôme Saint-Martin, Philippe Dollfus, Marco Pala
article
Journal of Computational Electronics, 2023, 22, pp.1257-1263. ⟨10.1007/s10825-023-02080-2⟩
identifiant
hal-04161457
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https://hal.science/hal-04161457/file/paper_revised.pdf BibTex

Conference papers

titre
Key parameters for GaP(111)B surface preparation and Selenium passivation
auteur
N. Chapuis, C. Sthioul, Christophe Coinon, L. Desplanque, X. Wallart
article
21 st European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE 2023), Apr 2023, Madrid, Spain
identifiant
hal-04118199
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BibTex

Poster communications

titre
Molecular beam epitaxy of TaSe2 on GaP(111)B
auteur
C. Sthioul, H. Koussir, Y. Chernukha, N. Chapuis, E. Haber, Pascal Roussel, Christophe Coinon, Pascale Diener, B. Grandidier, Xavier Wallart
article
Colloque du GDR/GDR-I HOWDI, May 2023, Porquerolles, France.
identifiant
hal-04118157
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https://hal.science/hal-04118157/file/Poster%20GdR%20HOWDI%202023.pdf BibTex

2022

Journal articles

titre
Phonon-assisted transport in van der Waals heterostructure tunnel devices
auteur
A. M'Foukh, Jérôme Saint-Martin, Philippe Dollfus, Marco G. Pala
article
Solid-State Electronics, 2022, 194, pp.108344. ⟨10.1016/j.sse.2022.108344⟩
identifiant
hal-03793956
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https://cnrs.hal.science/hal-03793956/file/ULIS_Paper_4pages_Review_Adel%281%29_JSM%5B2889%5D.pdf BibTex

Conference papers

titre
Ab-initio transport simulations unveil the Schottky versus Tunneling barrier trade-off in metal-TMD contacts
auteur
D. Lizzit, P. Khakbaz, F. Driussi, Marco Pala, D. Esseni
article
68th IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM 2022), Dec 2022, San Francisco, CA, United States. pp.28.2.1-28.2.4, ⟨10.1109/IEDM45625.2022.10019449⟩
identifiant
hal-04123805
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https://hal.science/hal-04123805/file/IEDM2022_Lizzit%20%281%29.pdf BibTex
titre
First attempts of WSe2 growth on GaP(111)B substrates by MBE
auteur
N. Chapuis, Christophe Coinon, D. Deresmes, G. Patriarche, D. Vignaud, X. Wallart
article
International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2022), Sep 2022, Sheffield, United Kingdom. 2 p
identifiant
hal-04172997
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https://hal.science/hal-04172997/file/ICMBE2022_NChapuis.pdf BibTex

Poster communications

titre
GAP(111)B-SE Surface for TMD epitaxial growth
auteur
Niels Chapuis, Christophe Coinon, D. Deresmes, Xavier Wallart
article
GDR-IRN HOWDI 2022 Meeting, May 2022, Dourdan, France.
identifiant
hal-03828069
Accès au texte intégral et bibtex
https://hal.science/hal-03828069/file/poster%20GDR%20final.pdf BibTex