Publications HAL de la structure 40364

2018

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Response to “Comment on ‘Structural, electronic, and optical properties of the C-C complex in bulk silicon from first principles’” [J. Appl. Phys. 124 , 086101 (2018)]
auteur
Dilyara Timerkaeva, Claudio Attaccalite, Gilles Brenet, Damien Caliste, Pascal Pochet
article
Journal of Applied Physics, American Institute of Physics, 2018, 124 (8), pp.086101. 〈https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.5044186〉. 〈10.1063/1.5044186〉
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Nanowire growth and sublimation: CdTe quantum dots in ZnTe nanowires
auteur
Marta Orrù, Eric Robin, Martien Den Hertog, Kimon Moratis, Yann Genuist, Régis André, David Ferrand, Joel Cibert, Edith Bellet-Amalric
article
Physical Review Materials, American Physical Society, 2018, 2, pp.043404. 〈10.1103/PhysRevMaterials.2.043404〉
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01744170/file/Orru%20PRMat.pdf BibTex
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Strain-Induced Spin-Resonance Shifts in Silicon Devices
auteur
J. Pla, A. Bienfait, G. Pica, J. Mansir, F Mohiyaddin, Z. Zeng, Yann-Michel Niquet, A. Morello, T. Schenkel, J. j. l. Morton, P. Bertet
article
Physical Review Applied, American Physical Society, 2018, 9, pp.044014. 〈10.1103/PhysRevApplied.9.044014〉
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https://hal-cea.archives-ouvertes.fr/cea-01824000/file/1608.07346.pdf BibTex
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Beyond van der Waals Interaction: The Case of MoSe$_2$ Epitaxially Grown on Few-Layer Graphene
auteur
Minh Tuan Dau, Maxime Gay, Daniela Di Felice, Céline Vergnaud, Alain Marty, Cyrille Beigne, Gilles Renaud, Olivier Renault, Pierre Mallet, Toai Le Quang, Jean-Yves Veuillen, Loïc Huder, Vincent Renard, Claude Chapelier, Giovanni Zamborlini, Matteo Jugovac, Vitaliy Feyer, Yannick Dappe, Pascal Pochet, Matthieu Jamet
article
ACS Nano, American Chemical Society, 2018, 12, pp.2319 - 2331. 〈10.1021/acsnano.7b07446〉
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BOAST: A metaprogramming framework to produce portable and efficient computing kernels for HPC applications
auteur
Brice Videau, Kevin Pouget, Luigi Genovese, Thierry Deutsch, Dimitri Komatitsch, Frédéric Desprez, Jean-François Méhaut
article
International Journal of High Performance Computing Applications, SAGE Publications, 2018, 32 (1), pp.28-44. 〈http://journals.sagepub.com/〉. 〈10.1177/1094342017718068〉
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Accurate description of charged excitations in molecular solids from embedded many-body perturbation theory
auteur
Jing Li, Gabriele D 'Avino, Ivan Duchemin, David Beljonne, Xavier Blase
article
Physical Review B : Condensed matter and materials physics, American Physical Society, 2018, 97 (3), pp.035108. 〈10.1103/PhysRevB.97.035108〉
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The Bethe–Salpeter equation in chemistry: relations with TD-DFT, applications and challenges
auteur
Xavier Blase, Ivan Duchemin, Denis Jacquemin
article
Chemical Society Reviews, Royal Society of Chemistry, 2018, 47 (3), pp.1022 - 1043. 〈10.1039/C7CS00049A〉
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2017

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Toward moiré engineering in 2D materials via dislocation theory
auteur
Pascal Pochet, Brian Mcguigan, Johann Coraux, Harley T. Johnson
article
Applied Materials Today, Elsevier, 2017, 9, pp.240 - 250. 〈10.1016/j.apmt.2017.07.007〉
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https://arxiv.org/pdf/1709.10363 BibTex
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Synchrotron Bragg diffraction imaging characterization of synthetic diamond crystals for optical and electronic power device applications
auteur
Thu Nhi Tran Thi, J. Morse, D. Caliste, B. Fernandez, D. Eon, J. Hartwig, C. Barbay, C. Mer-Calfati, N. Tranchant, J. C. Arnault, T. A. Lafford, J. Baruchel
article
Journal of Applied Crystallography, International Union of Crystallography, 2017, 50 (2), pp.561-569. 〈10.1107/S1600576717003831〉
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01691844/file/J_Applied_Cryst_50_561.pdf BibTex
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Is the Bethe–Salpeter Formalism Accurate for Excitation Energies? Comparisons with TD-DFT, CASPT2, and EOM-CCSD ?
auteur
Denis Jacquemin, Ivan Duchemin, Xavier Blase
article
Journal of Physical Chemistry Letters, American Chemical Society, 2017, 8 (7), pp.1524. 〈10.1021/acs.jpclett.7b00381〉
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